JPH0141035B2 - - Google Patents

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Publication number
JPH0141035B2
JPH0141035B2 JP57079355A JP7935582A JPH0141035B2 JP H0141035 B2 JPH0141035 B2 JP H0141035B2 JP 57079355 A JP57079355 A JP 57079355A JP 7935582 A JP7935582 A JP 7935582A JP H0141035 B2 JPH0141035 B2 JP H0141035B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead pin
brazing
brazing material
cut
ceramic substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP57079355A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS58196043A (ja
Inventor
Kozo Kashiwagi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tanaka Kikinzoku Kogyo KK
Original Assignee
Tanaka Kikinzoku Kogyo KK
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Filing date
Publication date
Application filed by Tanaka Kikinzoku Kogyo KK filed Critical Tanaka Kikinzoku Kogyo KK
Priority to JP57079355A priority Critical patent/JPS58196043A/ja
Publication of JPS58196043A publication Critical patent/JPS58196043A/ja
Publication of JPH0141035B2 publication Critical patent/JPH0141035B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires

Landscapes

  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、セラミツクス基板等への接合の為に
その端面にろう材を有する集積回路装置用リード
ピンの製造方法に関するものである。
一般にメタライズされたセラミツクス基板等に
リードピンをろう付する場合、第1図に示す如く
コバール又はFe−Ni合金より成るリードピン1
及びろう材2を、第2図に示す如くセラミツクス
基板3上に治具4を用いてセツトしてろう付が行
なわれていた。
而して、第2図に示す様にセラミツクス基板3
にリードピン1をろう材2を介してろう付する場
合、ろう材の挿入を往々にして忘れることがあつ
た。これを防止する為に第3図に示す様に、予め
ろう材2をリードピン1に取り付けたリードピン
1′が用いられているが、リードピン1にろう材
2を取り付けるには、リードピン1とろう材2と
を重ねた状態で加熱し、ろう材2を溶融してリー
ドピン1にクラツドする所謂溶融クラツドにより
行なわれていた。
然し乍ら、この様な方法では、第4図に示す如
くリードピン1のセラミツクス基板等との接合面
1a以外の部分即ちその側面1bにまでろう材2
が回り込んでしまう場合があつた。この様にろう
材2がリードピン1の側面1bにまで回り込んだ
状態でろう材2が溶融クラツドされると、セラミ
ツクス基板3とのろう付に必要な量だけしか使用
されていないろう材2が、接合面1a以外の不必
要な部分にろうが流れ、そのろう付強度が低下し
てしまうと共にその後の表面処理工程で事故を誘
発する場合があつた。
本発明は、上述した諸事情に鑑みて成されたも
のであり、ろう材がリードピンのセラミツクス基
板等との接合面以外の部分即ちリードピンの側面
にまで回り込むことのないろうつきリードピンの
製造方法を提供せんとするものである。
本発明はコバール又はFe−Ni合金等より成る
長尺の線材を酸化性雰囲気中にて加熱する工程
と、この線材を所定の長さに切断する工程と、切
断した線材の切断面に真空中若しくは不活性雰囲
気中でろう材を溶融クラツドする工程とから成る
ことを特徴とするものである。
然るに第5図aに示す如くコバール又はFe−
Ni合金等より成る線材5を長尺の状態で酸化性
雰囲気中に加熱することにより線材5の表面には
酸化皮膜6が生成されることになる。次にこの線
材5を第5図bに示す如く所定の長さに切断しリ
ードピン5′とする。その切断面5aは酸化され
ておらず、その後この切断面5aにろう材2を溶
融クラツドする場合その切断面5aに容易にろう
材2を溶融クラツドすることが出来る。更にこの
時リードピン5′の側面には酸化皮膜6が生成さ
れている為にろう材2が側面に流れることがな
く、従つてろう材2はリードピン5′の切断面5
aのみにクラツドすることが出来るものである。
尚、この時リードピン5′へのろう材2の溶融ク
ラツドを真空中若しくは不活性雰囲気中で行なう
のはリードピン5′の切断面5aを酸化させずか
つ側面の酸化物を還元させない為である。
次に本発明を更に明瞭ならしむるべく、その具
体的な実施例及び従来例について述べる。
実施例 0.8mmφのFe−15%Niより成る線材5をコイル
状にて大気中500℃、5分間加熱することにより
第5図aに示す如くその表面に酸化皮膜6を生成
させた。然る後この線材5を20mmの長さに切断し
て第5図bに示す如くリードピン5′とし、これ
をAg−28%Cuより成るろう材と2と一緒に専用
の治具に挿入し、N2雰囲気中850℃にて1分間加
熱することにより第5図c示す如く一側端にろう
材2を溶融クラツドしたろうつきリードピン5″
を得た。
従来例 0.8mmφのFe−15%Niより成る線材を20mmの長
さに切断して第1図に示す如くリードピン1と
し、これをAg−28%Cuより成るろう材2と一緒
に専用治具に挿入しN2雰囲気中850℃、1分間加
熱することにより、当該リードピン1の一側端に
ろう材2を有するリードピン1′を得た。
この様にして得られたろうつきリードピン各
1000個についてろう材のクラツド状態を調査した
ところ、本発明の製造方法にて得られたろうつき
リードピンに於いては、ろう材がその側面にまで
回り込んでいるものは皆無であつたが、従来の方
法にて得られたろうつきリードピンに於いては全
てろう材が側面にまで回り込んでいた。
尚、本発明によつて得られたろうつきリードピ
ンは、セラミツクス基板等とのろう付前あるいは
ろう付中に側面の酸化物を還元するようにして使
用すればより理想的である。
以上詳細に説明した通り本発明より成る製造方
法に於いては、長尺の線材の状態に於いてその表
面に酸化皮膜を生成させそれを切断し、その切断
面にろう材を溶融クラツドする為に、ろう材は酸
化皮膜が生成されているリードピンの側面に回り
込むことなく、セラミツクス基板との接合面のみ
にクラツドされることになり、セラミツクス基板
等とリードピンのろう付に於いて充分なるろう付
強度をもつろうつきリードピンが容易に得られ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のリードピン及びろう材の斜視
図、第2図は従来のリードピンのろう付直前の状
態を示す断面図、第3図は従来のリードピンの良
品を示す断面図、第4図は従来のリードピンの不
良品を示す断面図、第5図a乃至cは本発明の工
程を示す断面図である。 2……ろう材、5……線材、5a……切断面、
5′……リードピン、5″……ろう付リードピン、
6……酸化皮膜。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 長尺の線材を酸化性雰囲気中にて加熱する工
    程と、この線材を所定の長さに切断する工程と、
    切断した線材の切断面に真空中若しくは、不活性
    雰囲気中でろう材を溶融クラツドする工程とから
    成ることを特徴とするろうつきリードピンの製造
    方法。
JP57079355A 1982-05-12 1982-05-12 ろうつきリ−ドピンの製造方法 Granted JPS58196043A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57079355A JPS58196043A (ja) 1982-05-12 1982-05-12 ろうつきリ−ドピンの製造方法

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JP57079355A JPS58196043A (ja) 1982-05-12 1982-05-12 ろうつきリ−ドピンの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS58196043A JPS58196043A (ja) 1983-11-15
JPH0141035B2 true JPH0141035B2 (ja) 1989-09-01

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JP57079355A Granted JPS58196043A (ja) 1982-05-12 1982-05-12 ろうつきリ−ドピンの製造方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2685559B2 (ja) * 1988-12-28 1997-12-03 株式会社徳力本店 ろう材付リードピンの製造方法およびその製造装置

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JPS58196043A (ja) 1983-11-15

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