JPH0142345Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0142345Y2 JPH0142345Y2 JP1983187219U JP18721983U JPH0142345Y2 JP H0142345 Y2 JPH0142345 Y2 JP H0142345Y2 JP 1983187219 U JP1983187219 U JP 1983187219U JP 18721983 U JP18721983 U JP 18721983U JP H0142345 Y2 JPH0142345 Y2 JP H0142345Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- wire
- lead
- distance
- protrusion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/015—Manufacture or treatment of bond wires
- H10W72/01515—Forming coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07551—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
この考案は半導体装置に関する。
周知のように半導体装置は、基板上に集積回路
等の半導体チツプ(以下単にチツプと言う。)を
設置し、その表面の電極部分と、基板上のリード
とを金線等のワイヤで、ワイヤボンデイングによ
つて接続して構成される。第1図は従来のこの種
半導体装置の断面図を示し、1はセラミツク等の
基板、2はチツプ、3はリード、4はワイヤであ
る。ところで前記したワイヤボンデイングは内部
にワイヤが挿通されているキヤピラリーをチツプ
2のボンデイングパツドへのワイヤボンデイング
終了後チツプ2の表面からリード3の表面に向け
て移動させて行なうのであるが、このときワイヤ
をチツプ2からある程度離れた位置を通つてリー
ド3の表面に到達するようにしなければならな
い。その理由はワイヤ4がチツプ2に近い位置を
通るとその肩部2Aに接触する恐れがあるからで
ある。そのため、このようにワイヤ4はチツプか
ら離れた位置を通るので、リード3上のワイヤ取
付個所3Aもチツプ2から相当離れた位置とな
る。
等の半導体チツプ(以下単にチツプと言う。)を
設置し、その表面の電極部分と、基板上のリード
とを金線等のワイヤで、ワイヤボンデイングによ
つて接続して構成される。第1図は従来のこの種
半導体装置の断面図を示し、1はセラミツク等の
基板、2はチツプ、3はリード、4はワイヤであ
る。ところで前記したワイヤボンデイングは内部
にワイヤが挿通されているキヤピラリーをチツプ
2のボンデイングパツドへのワイヤボンデイング
終了後チツプ2の表面からリード3の表面に向け
て移動させて行なうのであるが、このときワイヤ
をチツプ2からある程度離れた位置を通つてリー
ド3の表面に到達するようにしなければならな
い。その理由はワイヤ4がチツプ2に近い位置を
通るとその肩部2Aに接触する恐れがあるからで
ある。そのため、このようにワイヤ4はチツプか
ら離れた位置を通るので、リード3上のワイヤ取
付個所3Aもチツプ2から相当離れた位置とな
る。
しかしこのようにチツプ2と、リード3上のワ
イヤ取付個所3Aが離れていると、隣り合うチツ
プ間もそれに応じて離さなければならず、そのた
め基板1上のチツプの装填密度も小さくなり、高
集積化が期待できないようになる。
イヤ取付個所3Aが離れていると、隣り合うチツ
プ間もそれに応じて離さなければならず、そのた
め基板1上のチツプの装填密度も小さくなり、高
集積化が期待できないようになる。
この考案は、チツプと、リード上のワイヤ取付
個所との距離の短縮を図ることにより高集積化を
可能にすることを目的とする。
個所との距離の短縮を図ることにより高集積化を
可能にすることを目的とする。
第2図はこの考案の実施例を示すもので、基板
1上の表面に、ガラス等のグレーズからなる突出
部5を、チツプ2の側面に相対するように形成す
る。これは印刷焼成によつて簡単に形成できる。
そしてこの突出部5の表面にまたがつてリード3
を設ける。この突出部5の表面上のリード3とチ
ツプ2とをワイヤボンデイングによつてワイヤ4
で接続する。
1上の表面に、ガラス等のグレーズからなる突出
部5を、チツプ2の側面に相対するように形成す
る。これは印刷焼成によつて簡単に形成できる。
そしてこの突出部5の表面にまたがつてリード3
を設ける。この突出部5の表面上のリード3とチ
ツプ2とをワイヤボンデイングによつてワイヤ4
で接続する。
このように突出部5を設け、その表面にリード
3をまたがらせて形成した場合、チツプ2とその
リード3との高低差は従来例に比較して突出部5
の高さ分だけ短かくなる。そのためワイヤ4を肩
部2Aから従来と同じ程度に離して張つても、リ
ード3の表面でのワイヤ取付個所3Aとチツプ2
との間は従来よりも短かくなる。これを具体的数
値について説明すると、突出部5としてその高さ
を50〜70μmに形成し、その表面にまたがつてリ
ード3を設け、その頂部をワイヤ取付個所3Aと
した場合、高さ250μmのチツプ2から取付個所
3Aまでのワイヤボンデイング距離は約0.8mmで
あつた。ちなみに同じチツプを用いて第1図のよ
うにワイヤボンデイングした場合の距離は約0.95
mmであり、したがつて約15.8%短かくすることが
できた。このように前記した距離を短かくするこ
とができることにより、複数のチツプを並べて基
板1上に装填するとき、その各チツプにワイヤボ
ンデイングを行なつても、各チツプ間の距離を従
来よりも短かくすることができるようになり、し
たがつてチツプの高集積化が可能となる。
3をまたがらせて形成した場合、チツプ2とその
リード3との高低差は従来例に比較して突出部5
の高さ分だけ短かくなる。そのためワイヤ4を肩
部2Aから従来と同じ程度に離して張つても、リ
ード3の表面でのワイヤ取付個所3Aとチツプ2
との間は従来よりも短かくなる。これを具体的数
値について説明すると、突出部5としてその高さ
を50〜70μmに形成し、その表面にまたがつてリ
ード3を設け、その頂部をワイヤ取付個所3Aと
した場合、高さ250μmのチツプ2から取付個所
3Aまでのワイヤボンデイング距離は約0.8mmで
あつた。ちなみに同じチツプを用いて第1図のよ
うにワイヤボンデイングした場合の距離は約0.95
mmであり、したがつて約15.8%短かくすることが
できた。このように前記した距離を短かくするこ
とができることにより、複数のチツプを並べて基
板1上に装填するとき、その各チツプにワイヤボ
ンデイングを行なつても、各チツプ間の距離を従
来よりも短かくすることができるようになり、し
たがつてチツプの高集積化が可能となる。
以上詳述したようにこの考案によれば、チツプ
肩部へのワイヤの接触を充分回避した状態でチツ
プの高集積化を可能とすることができる効果を奏
する。
肩部へのワイヤの接触を充分回避した状態でチツ
プの高集積化を可能とすることができる効果を奏
する。
第1図は従来例の断面図、第2図はこの考案の
実施例を示す断面図である。 1……基板、2……半導体チツプ、3……リー
ド、4……ワイヤ、5……突出部。
実施例を示す断面図である。 1……基板、2……半導体チツプ、3……リー
ド、4……ワイヤ、5……突出部。
Claims (1)
- 基板上に設置された半導体チツプとリードとを
ワイヤで接続してなる半導体装置において、前記
リードをグレーズからなる突出部の表面にまたが
つて形成し、そのリードの前記突出部上の部分で
前記ワイヤと接続してなる半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1983187219U JPS6094836U (ja) | 1983-12-02 | 1983-12-02 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1983187219U JPS6094836U (ja) | 1983-12-02 | 1983-12-02 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6094836U JPS6094836U (ja) | 1985-06-28 |
| JPH0142345Y2 true JPH0142345Y2 (ja) | 1989-12-12 |
Family
ID=30404181
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1983187219U Granted JPS6094836U (ja) | 1983-12-02 | 1983-12-02 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6094836U (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0754840B2 (ja) * | 1986-01-17 | 1995-06-07 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置およびそのリ−ドフレ−ム |
-
1983
- 1983-12-02 JP JP1983187219U patent/JPS6094836U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6094836U (ja) | 1985-06-28 |
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