JPS6048252U - リ−ドフレ−ム - Google Patents
リ−ドフレ−ムInfo
- Publication number
- JPS6048252U JPS6048252U JP1983139311U JP13931183U JPS6048252U JP S6048252 U JPS6048252 U JP S6048252U JP 1983139311 U JP1983139311 U JP 1983139311U JP 13931183 U JP13931183 U JP 13931183U JP S6048252 U JPS6048252 U JP S6048252U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- metal layer
- forming
- external lead
- semiconductor chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第1図は、従来のリードフレームとこれを用いて形成し
た半導体装置の構造を示す断面図、第2図は、本考案の
リードフレームとこれを用いて形成した半導体装置の構
造を示す断面図である。 1・・・・・・ポリイミドフィルム、2・・・・・・半
導体チップ載置部、3,4・・・・・・外部リード部、
5・・・・・・金属めっき層、6・・・・・・半導体チ
ップ、7・・・・・・金属細線、8・・・・・・被接続
基板、9,10・・・・・・導体層、11〜14・・・
・・・折り曲げ加工部、15・・・・・・凹所。
た半導体装置の構造を示す断面図、第2図は、本考案の
リードフレームとこれを用いて形成した半導体装置の構
造を示す断面図である。 1・・・・・・ポリイミドフィルム、2・・・・・・半
導体チップ載置部、3,4・・・・・・外部リード部、
5・・・・・・金属めっき層、6・・・・・・半導体チ
ップ、7・・・・・・金属細線、8・・・・・・被接続
基板、9,10・・・・・・導体層、11〜14・・・
・・・折り曲げ加工部、15・・・・・・凹所。
Claims (1)
- 半導体チップ載置部および外部リード部形成用の金属層
が一方の面上に形成された可撓性絶縁基体の、前記外部
リード部形成用金属層の形成面部分に、90°以下の2
重折り返し曲げ加工が施されていることを特徴とするリ
ードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1983139311U JPS6048252U (ja) | 1983-09-08 | 1983-09-08 | リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1983139311U JPS6048252U (ja) | 1983-09-08 | 1983-09-08 | リ−ドフレ−ム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6048252U true JPS6048252U (ja) | 1985-04-04 |
| JPH0143872Y2 JPH0143872Y2 (ja) | 1989-12-19 |
Family
ID=30312289
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1983139311U Granted JPS6048252U (ja) | 1983-09-08 | 1983-09-08 | リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6048252U (ja) |
-
1983
- 1983-09-08 JP JP1983139311U patent/JPS6048252U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0143872Y2 (ja) | 1989-12-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS5895657U (ja) | 集積回路用リ−ドフレ−ム | |
| JPS6048252U (ja) | リ−ドフレ−ム | |
| JPS6025159U (ja) | リ−ドフレ−ム | |
| JPS59117160U (ja) | 絶縁物封止半導体装置 | |
| JPS5892763U (ja) | 厚膜多層基板 | |
| JPS5853160U (ja) | 非晶質半導体装置 | |
| JPS5834737U (ja) | 半導体ウエ−ハ | |
| JPS5899841U (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6094836U (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6013737U (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPS6127302U (ja) | タンタル薄膜抵抗配線基板 | |
| JPS5996851U (ja) | 半導体装置 | |
| JPS5986095U (ja) | 磁気バブルメモリデバイス | |
| JPS5844844U (ja) | 半導体装置 | |
| JPS5889932U (ja) | 半導体装置 | |
| JPS5856452U (ja) | ハイブリツド型電子部品 | |
| JPS631340U (ja) | ||
| JPS606231U (ja) | 混成集積回路の構造 | |
| JPS58111959U (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6061729U (ja) | 半導体装置 | |
| JPS58105167U (ja) | アルミパイプ付きフレキシブル回路基板 | |
| JPS6049663U (ja) | 配線基板 | |
| JPS6054331U (ja) | 半導体装置の実装基板 | |
| JPS5851442U (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JPS5963916U (ja) | フレキシブルケ−ブル |