JPS615582A - 多層シヨツトキ電極の形成方法 - Google Patents
多層シヨツトキ電極の形成方法Info
- Publication number
- JPS615582A JPS615582A JP59127872A JP12787284A JPS615582A JP S615582 A JPS615582 A JP S615582A JP 59127872 A JP59127872 A JP 59127872A JP 12787284 A JP12787284 A JP 12787284A JP S615582 A JPS615582 A JP S615582A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- schottky
- bonding
- recess
- evaporation source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D8/00—Diodes
- H10D8/60—Schottky-barrier diodes
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕 ・
この発明はショットキ電界効果トランジスタやショット
キダイオードなどに用いられる多層ショットキ電極を形
成する方法に関するものである０〔従来技術〕 ショットキ電界効果トランジスタやショットキダイオー
ドにおいては、逆方向破壌電圧（ＶＢ）の大きいショッ
トキ電極°が性能的にも信頼性的にも望ましいことは周
部のとおシである。
キダイオードなどに用いられる多層ショットキ電極を形
成する方法に関するものである０〔従来技術〕 ショットキ電界効果トランジスタやショットキダイオー
ドにおいては、逆方向破壌電圧（ＶＢ）の大きいショッ
トキ電極°が性能的にも信頼性的にも望ましいことは周
部のとおシである。
このショットキ電極のＶＢを大きくするには、ショット
キ電極として、仕事関数の大きい金属を用いることが有
利であるので、仕事関数が大きくかつ下地半導体基板と
の接着力の大きい高融点金属が用いられているｏしかし
ながら、高融点金属は電気抵抗が大きく、しかもボンデ
ィングワづヤとの接着性が悪いという欠点がある０そこ
で、この欠点を償うために、仕事関数が小さいが、電気
抵抗が小さくかつポンディングワイヤとの接着性のよい
金属層を仕事関数の大きいショットキ接合用金属膜の表
面上に形成した多層ショットキ電極が用いられている。
キ電極として、仕事関数の大きい金属を用いることが有
利であるので、仕事関数が大きくかつ下地半導体基板と
の接着力の大きい高融点金属が用いられているｏしかし
ながら、高融点金属は電気抵抗が大きく、しかもボンデ
ィングワづヤとの接着性が悪いという欠点がある０そこ
で、この欠点を償うために、仕事関数が小さいが、電気
抵抗が小さくかつポンディングワイヤとの接着性のよい
金属層を仕事関数の大きいショットキ接合用金属膜の表
面上に形成した多層ショットキ電極が用いられている。
第１図（Ａ）は多層ショットキを極を形成する従来の方
法の一例？ｉ−説明するための平面図、第１図（Ｂ）は
第１図（４）のＩＢ −ＩＢ線での断面図、第１図（６
）は第１図（４）でのＩＣ−ＩＣでの断面図である。
法の一例？ｉ−説明するための平面図、第１図（Ｂ）は
第１図（４）のＩＢ −ＩＢ線での断面図、第１図（６
）は第１図（４）でのＩＣ−ＩＣでの断面図である。
まず、半導体基板（１）の一方の主面上に横断面形状が
互いに直交するＸ方向およびＹ方向の辺からなる正方形
状の開口ｓ珈）を有するレジスト膜（２）を形成し、こ
のレジスト膜（２）をマスクとしたエツチングによって
半導体基板（１）の主面部に凹部（以下「リセス」と呼
ぶ）（３）を形成する。
互いに直交するＸ方向およびＹ方向の辺からなる正方形
状の開口ｓ珈）を有するレジスト膜（２）を形成し、こ
のレジスト膜（２）をマスクとしたエツチングによって
半導体基板（１）の主面部に凹部（以下「リセス」と呼
ぶ）（３）を形成する。
一方、真空蒸着装置の真空チャンバー（図示せず）内に
、Ｘ方向およびＹ方向の辺からなる正方形状の蒸発面を
有し仕事関数の大きいショットキ接合用金属を蒸発する
ショットキ接合用金属蒸発源（４）と、この蒸発源（４
）と同一形状の蒸発面を有し仕事関数が小さいが電気抵
抗の小さいワイヤボーディング用金属を蒸発するワイヤ
ボンディング用金属蒸発源（５）とを互いの間に間隔を
おいて設け、これらの蒸発源（４） 、 （６）の蒸発
面が同一平面上にあるようにする。
、Ｘ方向およびＹ方向の辺からなる正方形状の蒸発面を
有し仕事関数の大きいショットキ接合用金属を蒸発する
ショットキ接合用金属蒸発源（４）と、この蒸発源（４
）と同一形状の蒸発面を有し仕事関数が小さいが電気抵
抗の小さいワイヤボーディング用金属を蒸発するワイヤ
ボンディング用金属蒸発源（５）とを互いの間に間隔を
おいて設け、これらの蒸発源（４） 、 （６）の蒸発
面が同一平面上にあるようにする。
次に、真空蒸着装置の真空チャンバー内に、半導体基板
（１）を、第１図に示すように、リセス（３）の中、６
部がワイヤボンディング用金属蒸発源（５）との間に距
離をおいて蒸発源（５）の中心部と対向するように設置
する。
（１）を、第１図に示すように、リセス（３）の中、６
部がワイヤボンディング用金属蒸発源（５）との間に距
離をおいて蒸発源（５）の中心部と対向するように設置
する。
このような状態にしたのちに、ショットキ接合用金属蒸
発源（４）から開口部（２ａ）を通してショットキ接合
用金属をリセス（３）の底面上に蒸着すると、ショット
チ接合用並４がリセス（３）の底面の四角形（イ）、
（−）、 （−９，（→の部分上に蒸着される。一方、
ワイヤボンディング用金属蒸発源（５）から開口部（２
ａ）を通してワイヤボンディング用金属をリセス（３）
の底面上に蒸着すると、ワイヤボンディング用金属かり
ｔス（３）の底面の四角形（ホ）、（→、（））、（→
の部分上に蒸着される。
発源（４）から開口部（２ａ）を通してショットキ接合
用金属をリセス（３）の底面上に蒸着すると、ショット
チ接合用並４がリセス（３）の底面の四角形（イ）、
（−）、 （−９，（→の部分上に蒸着される。一方、
ワイヤボンディング用金属蒸発源（５）から開口部（２
ａ）を通してワイヤボンディング用金属をリセス（３）
の底面上に蒸着すると、ワイヤボンディング用金属かり
ｔス（３）の底面の四角形（ホ）、（→、（））、（→
の部分上に蒸着される。
従って、この従来例の方法では、リセス（３）の底面上
に開口部（２ａ）を通して形成された仕事関数の大きい
ショットキ接合用金属膜（図示せず）の表面上に開口部
仇）を通して仕事関数の小さいワイヤボンディング用金
属膜（図示せず）を形成する場合には、ワイヤボンディ
ング用金属膜がショットキ接合用金属膜の表面上からリ
セス（３）の底面の四角形（イ）、←）、（→、（−）
の部分にはみ出しこの部分とと直接接触して形成される
ので、この従来例の方法により形成されたショットキ接
合用金属膜とワイヤボンディング用金属膜とからなる多
層ショットキ電極は逆方向破壊電圧（ＶＢ）が小さくな
るという欠点があった。
に開口部（２ａ）を通して形成された仕事関数の大きい
ショットキ接合用金属膜（図示せず）の表面上に開口部
仇）を通して仕事関数の小さいワイヤボンディング用金
属膜（図示せず）を形成する場合には、ワイヤボンディ
ング用金属膜がショットキ接合用金属膜の表面上からリ
セス（３）の底面の四角形（イ）、←）、（→、（−）
の部分にはみ出しこの部分とと直接接触して形成される
ので、この従来例の方法により形成されたショットキ接
合用金属膜とワイヤボンディング用金属膜とからなる多
層ショットキ電極は逆方向破壊電圧（ＶＢ）が小さくな
るという欠点があった。
この発明は、かかる欠点を除去するためになされたもの
で、半導体基板の主面上に形成され開口部を有するレジ
スト膜をマスクとしたエツチングによって半導体基板の
主面部にリセスを形成し、このリセスの底面との間に距
離をおいてリセスの底面と対向する部位にショットキ接
合用金属を蒸発する第１および第２のショットキ接合用
金属蒸発源を互いの間に間隔をお輪て設けるとともに、
第１および第２のショットキ接合用金属蒸発源の間の部
分内にワイヤボンディング用金属を蒸発するワイヤボン
ディング用、金属蒸発源を設けることによって、逆方向
破壊電圧（ＶＢ ）が小さくなるおそれが全くない多層
ショットキ電極の形成方法を提供するものである。
で、半導体基板の主面上に形成され開口部を有するレジ
スト膜をマスクとしたエツチングによって半導体基板の
主面部にリセスを形成し、このリセスの底面との間に距
離をおいてリセスの底面と対向する部位にショットキ接
合用金属を蒸発する第１および第２のショットキ接合用
金属蒸発源を互いの間に間隔をお輪て設けるとともに、
第１および第２のショットキ接合用金属蒸発源の間の部
分内にワイヤボンディング用金属を蒸発するワイヤボン
ディング用、金属蒸発源を設けることによって、逆方向
破壊電圧（ＶＢ ）が小さくなるおそれが全くない多層
ショットキ電極の形成方法を提供するものである。
第２図囚はこの発明による多層ショットキ電極夏
の形成方法の一実施例柱説明するための平面図、第２図
の）は第２図（４）のＩＩＢ−１１Ｂ線での断面図、第
３図Ωは第２図ＮのＩＣ−ＨＣ線での断面図である。
の）は第２図（４）のＩＩＢ−１１Ｂ線での断面図、第
３図Ωは第２図ＮのＩＣ−ＨＣ線での断面図である。
図において、第１図に示した符号と同一符号は同等部分
を示す。
を示す。
まず、真空蒸着装置の真空チャンバー（図示せず）内に
、Ｘ方向の短辺お・よびＹ方向の長辺からなる長方形状
の蒸発面を有し仕事関数の大きいショットキ接合用金属
を蒸発する第１のショットキ接合用金属蒸発源（４ａ）
および第２のショットキ接合用金属蒸発源（４ｂ）を互
いの間に間隔をおいて設け、ワイヤボンディング用金属
蒸発源（５）を蒸発源（４ａ） 、 （４ｂ）の間の中
心部に設け、蒸発源（４ａ） 、 （４ｂ） 。
、Ｘ方向の短辺お・よびＹ方向の長辺からなる長方形状
の蒸発面を有し仕事関数の大きいショットキ接合用金属
を蒸発する第１のショットキ接合用金属蒸発源（４ａ）
および第２のショットキ接合用金属蒸発源（４ｂ）を互
いの間に間隔をおいて設け、ワイヤボンディング用金属
蒸発源（５）を蒸発源（４ａ） 、 （４ｂ）の間の中
心部に設け、蒸発源（４ａ） 、 （４ｂ） 。
（５）の蒸発面が同一平面上にあるようにする。なお、
蒸発源（４ａ） 、 （４ｂ）の蒸発面のＸ方向の短辺
の長さが蒸発源（５）の蒸発面の一辺の長さに等しく、
Ｙ方向の長辺の長さが蒸発源（５）の蒸発面の一辺の長
さより長くなるように設定されている。
蒸発源（４ａ） 、 （４ｂ）の蒸発面のＸ方向の短辺
の長さが蒸発源（５）の蒸発面の一辺の長さに等しく、
Ｙ方向の長辺の長さが蒸発源（５）の蒸発面の一辺の長
さより長くなるように設定されている。
次に、真空蒸着装置の真空チャンバー内に、半導体基板
（１）を、第２図に示すように、リセス（３）の中心部
がワイヤボンディング用金属蒸発源（５）との間に距離
をおいて蒸発源（５）の中心部と対向するように設置す
る。
（１）を、第２図に示すように、リセス（３）の中心部
がワイヤボンディング用金属蒸発源（５）との間に距離
をおいて蒸発源（５）の中心部と対向するように設置す
る。
このような状態にしたのちに、ショットキ接合用金属蒸
発源（４ａ）、 （４ｂ）から開口部α）を通してショ
ットキ接合用金属をリセス（３）の底面上に同時に蒸着
すると、ショットキ接合用金属がリセス（３）の底面の
四角形に）、 Ｐ） 、 ｌ１ｊ） 、に）の部分上に
蒸着される。一方、ワイヤボンティング用金属蒸発源（
５）から開口部（２Ｌ）を通してワイヤボンディング用
金属をリセス（３）の底面上に蒸着すると、ワイヤボン
ディング用金属がリセス（３）の底面の四角形（い）。
発源（４ａ）、 （４ｂ）から開口部α）を通してショ
ットキ接合用金属をリセス（３）の底面上に同時に蒸着
すると、ショットキ接合用金属がリセス（３）の底面の
四角形に）、 Ｐ） 、 ｌ１ｊ） 、に）の部分上に
蒸着される。一方、ワイヤボンティング用金属蒸発源（
５）から開口部（２Ｌ）を通してワイヤボンディング用
金属をリセス（３）の底面上に蒸着すると、ワイヤボン
ディング用金属がリセス（３）の底面の四角形（い）。
（ろ）、（は）、（に）の部分の内側の四角形（よ）、
（へ）（と）、（ち）の部分上に蒸着される。
（へ）（と）、（ち）の部分上に蒸着される。
従って、この実施例の方法では、リセス（３）の底面上
に開口部（至））を通して形成された仕事関数の大きい
７目ットギ接合用金属膜（図示せｔ’）の表面上に開口
部（２ａ）を通して仕事関数の小さいワイヤボンディン
グ用金属膜（図示せず）を形成する場合には、ワイヤボ
ンディング用金属膜が、第１図（示した従来例のように
、・／ヨツト上接合用金属膜の表面上からはみ出すこと
がなａので、実施例の方法により形成されたショットキ
接合用金属膜とワイヤボンディング用金属膜とからなる
多層／ヨットキ゛戒極は逆方向破壊電圧（ＶＢ）が小さ
くなりたが、必ずしもこれは正方形である必要がなぐ、
その他の形状であっても、この実施例と同様の効果があ
る。
に開口部（至））を通して形成された仕事関数の大きい
７目ットギ接合用金属膜（図示せｔ’）の表面上に開口
部（２ａ）を通して仕事関数の小さいワイヤボンディン
グ用金属膜（図示せず）を形成する場合には、ワイヤボ
ンディング用金属膜が、第１図（示した従来例のように
、・／ヨツト上接合用金属膜の表面上からはみ出すこと
がなａので、実施例の方法により形成されたショットキ
接合用金属膜とワイヤボンディング用金属膜とからなる
多層／ヨットキ゛戒極は逆方向破壊電圧（ＶＢ）が小さ
くなりたが、必ずしもこれは正方形である必要がなぐ、
その他の形状であっても、この実施例と同様の効果があ
る。
また、この実施例では、ショットキ接合用金属蒸発＃
（４ａ） 、 （４ｂ）の蒸発面の形状が長方形であり
（たが、必ずしもこれは長方形である必要がな
く、 □その他の形状であってもよい０ 更に、この実施例では、ワイヤボンディング用金属蒸発
源（５）の蒸発面の形状が正方形であったが、必ずしも
これは正方形である必要がなく、その他の形状であって
もよい。
（４ａ） 、 （４ｂ）の蒸発面の形状が長方形であり
（たが、必ずしもこれは長方形である必要がな
く、 □その他の形状であってもよい０ 更に、この実施例では、ワイヤボンディング用金属蒸発
源（５）の蒸発面の形状が正方形であったが、必ずしも
これは正方形である必要がなく、その他の形状であって
もよい。
なお、この実施例では、ワイヤボンディング用金属蒸発
源（５）を７ヨツトキ接合用金属蒸発源（４ａ）（４ｂ
）の間の中心部に設けたが、必ずしもこれは中心部に限
定する必要がなく、ショットキ接合用金属蒸発源（４ａ
）、（４ｂ）の間の部分内のいずれの部分に設けてもよ
い。
源（５）を７ヨツトキ接合用金属蒸発源（４ａ）（４ｂ
）の間の中心部に設けたが、必ずしもこれは中心部に限
定する必要がなく、ショットキ接合用金属蒸発源（４ａ
）、（４ｂ）の間の部分内のいずれの部分に設けてもよ
い。
以上、説明したように、この発明の多層ショットキ電極
の形成方法では、半導体基板の主面上に形成され開口部
を有するレジスト膜をマスクとしたエツチングによって
半導体基板の主面部にリセスを形成し、このリセスの底
面との間に距離をおいてリセスの底面と対向する部位に
ショットキ接合用金属を蒸発する第１および第２の７ヨ
ツトキ接合用金属蒸発源を互いの間に間隔をおいて設け
るとともに、上記部位の第１および第２０シヨツトキ接
合用金属蒸発源の間の部分内にワイヤボンディング用金
属を蒸発するワイヤボンディング用金属蒸発源を設ける
ので、リセスの底面上に開口部を通して形成されたショ
ットキ接合用金属膜の表面上に開口部を通して形成され
たワイヤボンディング用金属膜がショットキ接合用金属
膜の表面上からはみ出すことがない。従って、この発明
の方法によ°り形成されたショットキ接合用金属膜とワ
イヤボンディング用金属膜とからなる多層ショットキ電
極は逆方向破壊電圧（ＶＢ ）が小さくなるおそれが全
くない。
の形成方法では、半導体基板の主面上に形成され開口部
を有するレジスト膜をマスクとしたエツチングによって
半導体基板の主面部にリセスを形成し、このリセスの底
面との間に距離をおいてリセスの底面と対向する部位に
ショットキ接合用金属を蒸発する第１および第２の７ヨ
ツトキ接合用金属蒸発源を互いの間に間隔をおいて設け
るとともに、上記部位の第１および第２０シヨツトキ接
合用金属蒸発源の間の部分内にワイヤボンディング用金
属を蒸発するワイヤボンディング用金属蒸発源を設ける
ので、リセスの底面上に開口部を通して形成されたショ
ットキ接合用金属膜の表面上に開口部を通して形成され
たワイヤボンディング用金属膜がショットキ接合用金属
膜の表面上からはみ出すことがない。従って、この発明
の方法によ°り形成されたショットキ接合用金属膜とワ
イヤボンディング用金属膜とからなる多層ショットキ電
極は逆方向破壊電圧（ＶＢ ）が小さくなるおそれが全
くない。
第１図囚は多層ショットキ電極を形成する従来の方法の
一例を説明するための平面図、第１図（８）は第１図囚
のＩＢ −ＩＢ線での断面図、第１図（Ｃ）は第１図（
４）のＩＣ−ＩＣ線での断面図、第２図（４）はこの発
明による多層ショットキ電極の形成方法の一実施例を説
明するための平面図、第２図の）は第２図（４）のＪＩ
Ｂ −１１Ｂ線での断面図、第２図（Ｏは第２図囚のｎ
ｃ −１０線での断面図である。 図において、（１）は半導体基板、（２）はレジスト膜
、慟）は開口部、（３）はリセス（凹部）、（４Ｌ）お
よび（４ｂ）はそれぞれｓｌおよび第２の７ヨツトキ接
合用金属蒸発源、（５）はワイヤポンディング用金属蒸
発源である。 なお、図中同一符号はそれぞれ同一または相当部分を示
す。
一例を説明するための平面図、第１図（８）は第１図囚
のＩＢ −ＩＢ線での断面図、第１図（Ｃ）は第１図（
４）のＩＣ−ＩＣ線での断面図、第２図（４）はこの発
明による多層ショットキ電極の形成方法の一実施例を説
明するための平面図、第２図の）は第２図（４）のＪＩ
Ｂ −１１Ｂ線での断面図、第２図（Ｏは第２図囚のｎ
ｃ −１０線での断面図である。 図において、（１）は半導体基板、（２）はレジスト膜
、慟）は開口部、（３）はリセス（凹部）、（４Ｌ）お
よび（４ｂ）はそれぞれｓｌおよび第２の７ヨツトキ接
合用金属蒸発源、（５）はワイヤポンディング用金属蒸
発源である。 なお、図中同一符号はそれぞれ同一または相当部分を示
す。
Claims (1)
- （１）半導体基板の主面上に形成され開口部を有するレ
ジスト膜をマスクとしたエッチングによつて上記半導体
基板の主面部に凹部を形成し、この凹部の底面上に上記
開口部を通してショットキ接合用金属およびワイヤボン
ディング用金属を順次蒸着して多層ショットキ電極を形
成する方法において、上記凹部の底面との間に距離をお
いて上記底面に対向する部位に上記ショットキ接合用金
属を蒸発する第１および第２のショットキ接合用金属蒸
発源を互いの間に間隔おいて設けるとともに上記部位の
上記第１および第２のショットキ接合用金属蒸発源の間
の部分内に上記ワイヤボンディング用金属を蒸発するワ
イヤボンディン用金属蒸発源を設けることを特徴とする
多層ショットキ電極の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59127872A JPS615582A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | 多層シヨツトキ電極の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59127872A JPS615582A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | 多層シヨツトキ電極の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS615582A true JPS615582A (ja) | 1986-01-11 |
Family
ID=14970727
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59127872A Pending JPS615582A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | 多層シヨツトキ電極の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS615582A (ja) |
-
1984
- 1984-06-19 JP JP59127872A patent/JPS615582A/ja active Pending
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