JPH0144217Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 産業上の利用分野 この考案は電子部品のリードなどの複数の被半
田付け部材を溶融半田に一括して浸漬して半田付
けする半田デイツプ装置に関する。

従来技術 半導体装置のICやハイブリツトICは樹脂外装
された矩形の部品本体の両側から複数のリードを
平行に定ピツチで導出して同一方向に折曲した
DIP型のものや、前記部品本体の片側から複数の
リードを平行に定ピツチで導出して同一方向に折
曲したSIP型のものがあり、これら半導体装置の
リードはプリント基板等への半田付け性を良くす
る目的で最終的に半田仕上げされる。このリード
半田仕上げは一般に複数のリードを溶融半田に一
括して浸漬して引き上げる半田デイツプ法にて行
われている。

例えば第５図を参照して上記リード半田仕上げ
を行う従来の半田デイツプ装置を説明すると、１
は半田槽、２は半田槽１に収容された溶融半田、
３は半田槽１の底部に設置されて回転することに
より溶融半田２の液面中央部を盛り上げ噴流させ
る噴流羽根である。４は半田仕上げされる半導体
装置の例えばDIP型ICで、第６図に示すように部
品本体５の両側より複数のリード６，６…を導出
する。リード６，６…は一定の間隔ａで並び、部
品本体５から導出根元部分より部品本体裏面側に
直角に折曲される。

IC４は部品本体５がチヤツク（図示せず）な
どでリード先端部を下にして保持され、第５図の
矢印方向に送られて半田仕上げされる。即ち、
IC４は先ず溶融半田２のフラツトな液面近くま
で降下してから溶融半田２の盛り上がつた噴流半
田２′に向け水平移動する。この水平移動はリー
ド６，６…の配列方向と直交する方向で、且つ部
品本体５が噴流半田２′より若干高い高さ位置で
行われ、この水平移動の間にリード６，６…の先
端部が噴流半田２′に浸漬してリード先端部に溶
融半田２が付着する。噴流半田２′を出たIC４は
上昇して取出される。このような動作が複数の
ICに対して連続して行われる。

考案が解決しようとする問題点 上記半田デイツプ装置はリード半田仕上げの量
産化を可能にするが、IC４のリード間隔ａが大
きいものは問題無いが、リード間隔ａが小さくな
る程に次の半田ブリツジ発生の問題が生じ易かつ
た。つまり、IC４のリード先端部を噴流半田
２′中に通して引き上げると、第７図に示すよう
に各リード６，６…の先端に溶融半田２が付着す
るが、リード間隔ａが小さいと隣接するリード
６，６に付着した溶融半田２，２の間隔が狭くな
つて両者間に半田ブリツジ２″が生じることがあ
つた。このような半田ブリツジ２″の発生はリー
ド間隔ａが２mm程度以下で多発する傾向にあつ
た。そこでリード間隔ａが小さくて半田ブリツジ
２″が生じる恐れのあるIC４に対しては溶融半田
２から引き上げた直後に上下に振動を加えて半田
ブリツジ２″を取り除くようにしているが効果薄
であり、最終的に硬化した半田ブリツジ２″を作
業者の手で取り除いて修正する必要があつて、リ
ード半田仕上げ工程の作業性を悪くしていた。

問題点を解決するための手段 本考案は上記問題点に鑑みこれを解決したもの
で、半田槽内の溶融半田に所定ピツチで並ぶ複数
の被半田付け部材を一括して浸漬して取出す装置
において、前記複数の被半田付け部材が入る間隔
で立設された半田とのなじみ性の悪い複数の仕切
板を前記半田槽の溶融半田に下部を浸漬させ上部
間に溶融半田を保有させて配設した半田デイツプ
装置を提供する。

作 用 上記本考案の半田デイツプ装置は上記仕切板上
部間で保有された溶融半田に仕切板上より仕切板
間に挿入された被半田付け部材を浸漬して半田付
けするもので、このように仕切板を利用すると、
複数の被半田付け部材の間隔が狭くても半田付け
時に被半田付け部材間に仕切板が在るので、被半
田付け部材間で半田ブリツジが発生する心配が皆
無となる。

実施例 以下本考案の一実施例を第１図乃至第３図に基
づき説明する。

第１図の実施例は第６図のDIP型IC４のリード
半田仕上げに使用される第５図の噴流式半田デイ
ツプ装置に本考案を適用したものの一例を示すも
ので、第５図と同一のものとは同一参照符号を付
して説明は省略する。相違点は半田槽１内の溶融
半田２の噴流半田部分に複数の仕切板７，７…を
立設配置したことのみである。

複数の仕切板７，７…は半田とのなじみ性の悪
いステンレス板やテフロン（登録商標）板などで
形成された矩形板で、各々はIC４のリード６，
６…の先端部が隙間をもつて入る一定の間隔ｂで
平行に対峙し、各々は下部の例えば３箇所を貫通
する連結棒８，８…でもつて連結一体化される。
連結棒８，８…は仕切板７，７…を長さｂの円筒
状スペーサ９，９…を間に１つずつ置いて貫通し
て両端仕切板７，７の外面より突出する両端部に
ナツト１０，１０が締結され、仕切板７，７…を
スペーサ９，９…で決まる間隔ｂで一体化する。
また例えば連結棒８，８…の両端をナツト締めす
る時に同時に横に延びる支持アーム１１，１１…
が共に連結される。この支持アーム１１，１１…
は先端部が半田槽１の上端部に引掛けられて仕切
板７，７…を半田槽１内の定位置に保持する。こ
のような仕切板連結部材や保持部材はステンレス
等の半田とのなじみ性の悪いもので構成される。

仕切板７，７…はIC４の部品本体５の片側か
ら導出されたリード６，６…の数より１枚多く、
溶融半田２にはリード半田付け時におけるリード
水平移動方向に平行にして仕切板下部を浸漬して
設置される。また仕切板７，７…は噴流半田２′
の部分に設置されるが、この時の半田噴流は第２
図に示すように噴流半田２′が仕切板７，７…の
上端をオーバフローしない一定の高さＨまで仕切
板７，７…間を噴流するよう制御される。

而して、IC４のリード半田仕上げはIC４を第
１図の矢印方向に移動させて行われる。先ずIC
４をリード６，６…を下にして仕切板７，７…の
前方定位置まで下降させ、そのまま仕切板７，７
…の方向に移動させて２列のリード６，６…を一
列毎に仕切板７，７…の間に挿入して第３図に示
すように仕切板７，７…間の噴流半田２′，２′…
に浸漬する。そしてIC４を更に横移動させて仕
切板７，７…の間からリード６，６…を列毎に抜
き、そのまま上昇させる。このようにすると半田
デイツプ前から半田デイツプ後まで一貫して、隣
接するリード先端部間に仕切板７，７…が介在す
るので、リード先端部間に半田ブリツジが発生す
る余地が全く無く、従つてリード間隔ａが狭くて
もリード先端部間に半田ブリツジは生じない。

上記IC４のリード間隔ａが小さくて仕切板７，
７…の間隔ｂが小さく、溶融半田２の粘度が小さ
い場合は次のことが可能である。即ち、仕切板
７，７…間に溶融半田２を上昇させ保有させるに
上記実施例は噴流羽根３による噴流力を使用した
が、前述ａ，ｂ、粘度の条件が揃えば第４図に示
すように噴流無しの溶融半田２に仕切板７，７…
の下部を浸漬するだけで溶融半田２は仕切板７，
７…の間に毛細管現象、表面張力でもつて一定の
高さまで上昇し保有される。これにより本考案は
噴流式半田デイツプ装置に限らず適用できること
が分る。

また本考案装置によるリード半田仕上げ動作は
上記例に限らず、例えば仕切板７，７…の上方か
らIC４を垂直降下させてリード６，６…の先端
部を仕切板間の溶融半田２に浸漬してから、垂直
方向に引き上げるようにしてもよい。更に本考案
は仕切板７，７…の数を増やして一度に複数の
IC４，４…のリード半田仕上げを行うようにす
ることも可能である。

また本考案はDIP型ICの半田デイツプ装置に限
らず、他の電子部品、電気機械類などの要は狭い
間隔で並ぶ複数の被半田付け部材を有するものを
半田デイツプ法にて半田付けする装置であれば有
効に適用できる。

考案の効果 本考案によれば一括して半田デイツプされる複
数の被半田付け部材の間隔が狭くても、被半田付
け部材間に半田ブリツジが生じる心配が皆無とな
るので、半田デイツプ後に半田ブリツジを取り除
く手間が省けて、電子部品のリード半田仕上げな
どの工程の作業能率を上げることができる。また
半田槽内の溶融半田に仕切板を浸漬するだけでよ
いので、実施が容易であり、また既設の半田デイ
ツプ装置がそのまま利用できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案の一実施例を示す概略側断面
図、第２図は第１図のＸ−Ｘ線に沿う拡大断面
図、第３図は第２図の部分における被半田付け部
材半田デイツプ時の断面図である。第４図は本考
案の他の実施形態を説明するための要部断面図で
ある。第５図は従来の半田デイツプ装置の概略側
断面図、第６図は電子部品の一例を示す斜視図、
第７図は第５図の装置で半田付けされた第６図の
電子部品の拡大側面図である。 １……半田槽、２，２′……溶融半田、６……
被半田付け部材（リード）、７……仕切板。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 半田槽内の溶融半田に所定ピツチで並ぶ複数の
   被半田付け部材を一括して浸漬して取出す装置に
   おいて、前記複数の被半田付け部材が入る間隔で
   立設された半田とのなじみ性の悪い複数の仕切板
   を前記半田槽の溶融半田に下部を浸漬させ上部間
   に溶融半田を保有させて配設したことを特徴とす
   る半田デイツプ装置。