JPH0145721B2 - - Google Patents
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- JPH0145721B2 JPH0145721B2 JP10639482A JP10639482A JPH0145721B2 JP H0145721 B2 JPH0145721 B2 JP H0145721B2 JP 10639482 A JP10639482 A JP 10639482A JP 10639482 A JP10639482 A JP 10639482A JP H0145721 B2 JPH0145721 B2 JP H0145721B2
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- semiconductor
- electrode
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- ohmic electrode
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- Expired
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 33
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 2
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
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- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は正特性磁器半導体素子に関するもので
ある。
ある。
従来この種の半導体素子としては、その半導体
の表裏面に例えばNi製のオーミツク電極を設け、
かつオーミツク電極の表面に、これの全域を覆う
例えばAg製のカバー電極を設けた構造である。
の表裏面に例えばNi製のオーミツク電極を設け、
かつオーミツク電極の表面に、これの全域を覆う
例えばAg製のカバー電極を設けた構造である。
かかる従来のものによれば、通電により半導体
のうちオーミツク電極間の部分が発熱するのであ
るが、この発熱によつて半導体が割れるという問
題が往々にしてある。一方、カバー電極は、オー
ミツク電極に端子を接触させた際の接触抵抗の低
減、ならびにその保護を目的とするため、その表
面積はオーミツク電極に比べて大きいので、しば
しばカバー電極間が電気的に短縮してしまうとい
う問題が生じる。
のうちオーミツク電極間の部分が発熱するのであ
るが、この発熱によつて半導体が割れるという問
題が往々にしてある。一方、カバー電極は、オー
ミツク電極に端子を接触させた際の接触抵抗の低
減、ならびにその保護を目的とするため、その表
面積はオーミツク電極に比べて大きいので、しば
しばカバー電極間が電気的に短縮してしまうとい
う問題が生じる。
そこで本発明は、半導体の表裏面に渡るカバー
電極間の絶縁距離の関係、ならびにオーミツク電
極の外縁と半導体の外縁との距離および半導体の
厚さの関係を所定の式で表わされる範囲内に設定
することにより、上述の諸問題を解決することを
目的とするものである。
電極間の絶縁距離の関係、ならびにオーミツク電
極の外縁と半導体の外縁との距離および半導体の
厚さの関係を所定の式で表わされる範囲内に設定
することにより、上述の諸問題を解決することを
目的とするものである。
以下本発明を具体的実施例によつて詳細に説明
する。まず、第１図および第２図において、半導
体素子の構造を述べると、１は円板状の正特性磁
器半導体、２は平面が真円状のオーミツク電極
で、Niの無電解メツキで形成されている。３は
平面が真円状のカバー電極で、Agペーストの塗
布焼付けにより形成されている。このカバー電極
３は上記オーミツク電極２より表面積を大きくし
てあり、このカバー電極３によつてオーミツク電
極２の全表面を覆うようにしてある。
する。まず、第１図および第２図において、半導
体素子の構造を述べると、１は円板状の正特性磁
器半導体、２は平面が真円状のオーミツク電極
で、Niの無電解メツキで形成されている。３は
平面が真円状のカバー電極で、Agペーストの塗
布焼付けにより形成されている。このカバー電極
３は上記オーミツク電極２より表面積を大きくし
てあり、このカバー電極３によつてオーミツク電
極２の全表面を覆うようにしてある。
次に、上記第２図に示す実施例において、その
各寸法、即ちオーミツク電極２の外縁と半導体１
の外縁との間の距離Ｌ、半導体１の厚みｔ、カバ
ー電極３の外縁と半導体１の外縁との間の距離を
半導体１の表裏面でl1，l2とした時の実験データ
を第３図および第４図に示す。
各寸法、即ちオーミツク電極２の外縁と半導体１
の外縁との間の距離Ｌ、半導体１の厚みｔ、カバ
ー電極３の外縁と半導体１の外縁との間の距離を
半導体１の表裏面でl1，l2とした時の実験データ
を第３図および第４図に示す。
第３図は上記Ｌ，ｔの関係により半導体１の割
れ発生率がどのように変化するかを示すもので、
条件は12V直流電源を使用し、通電を１分間、１
分後直ちに通電停止を１分間というON−OFFサ
イクルをトータルで1000時間行なつた。この第３
図から明らかなごとく、Ｌ／ｔが３mmを境にして
割れ発出率が有り、無しの全くの極端な結果を示
している。従つて、Ｌ／ｔ≦３mmがよいことがわ
かる。
れ発生率がどのように変化するかを示すもので、
条件は12V直流電源を使用し、通電を１分間、１
分後直ちに通電停止を１分間というON−OFFサ
イクルをトータルで1000時間行なつた。この第３
図から明らかなごとく、Ｌ／ｔが３mmを境にして
割れ発出率が有り、無しの全くの極端な結果を示
している。従つて、Ｌ／ｔ≦３mmがよいことがわ
かる。
一方、第４図は上記l2，l2tの間係によりカバー
電極間の絶縁抵抗がどのように変化するかを示す
もので、条件は24V直流電源を使用し、80℃、95
〜95％RHの高温、高湿度の下にチタン酸バリウ
ムよりなる絶縁体を配置し、カバー電極間の電気
絶縁抵抗を測定した。なお、上記の半導体１を用
いるとカバー電極間の電気絶縁抵抗が測定できな
いので、半導体１の代わりに上記の絶縁体を用い
たのである。従つて、図中、ｔはこの絶縁体の厚
みとしてあり、カバー電極の材質はAgとしてあ
る。なお、この実験にはオーミツク電極は形成し
てない。
電極間の絶縁抵抗がどのように変化するかを示す
もので、条件は24V直流電源を使用し、80℃、95
〜95％RHの高温、高湿度の下にチタン酸バリウ
ムよりなる絶縁体を配置し、カバー電極間の電気
絶縁抵抗を測定した。なお、上記の半導体１を用
いるとカバー電極間の電気絶縁抵抗が測定できな
いので、半導体１の代わりに上記の絶縁体を用い
たのである。従つて、図中、ｔはこの絶縁体の厚
みとしてあり、カバー電極の材質はAgとしてあ
る。なお、この実験にはオーミツク電極は形成し
てない。
第４図から、l1＋l2＋ｔが２mm以上であると絶
縁抵抗は100MΩと大きく、安定している。これ
に対し、l1＋l2＋ｔが２mmを下回ると絶縁抵抗が
小さくなり、電極間が電気的に短絡しやすくなる
ことがわかる。故に、l1＋l2＋ｔの関係はl1＋l2＋
ｔ≧２mmがよいことがわかる。
縁抵抗は100MΩと大きく、安定している。これ
に対し、l1＋l2＋ｔが２mmを下回ると絶縁抵抗が
小さくなり、電極間が電気的に短絡しやすくなる
ことがわかる。故に、l1＋l2＋ｔの関係はl1＋l2＋
ｔ≧２mmがよいことがわかる。
なお、本発明において、カバー電極３が半導体
１の軸心よりずれた第５図の場合、l1は第５図の
寸法をいう（l2も同じこと）。また、半導体１は
第６図のごとく四角形状でもよく、この場合の
l1，l2は図示のとおりである。カバー電極３は半
導体１の表裏面で対称配置しなくて互いにずれて
いもよい。
１の軸心よりずれた第５図の場合、l1は第５図の
寸法をいう（l2も同じこと）。また、半導体１は
第６図のごとく四角形状でもよく、この場合の
l1，l2は図示のとおりである。カバー電極３は半
導体１の表裏面で対称配置しなくて互いにずれて
いもよい。
また、オーミツク電極２は、このオーミツク電
極間に挟まれた半導体部分を発熱させるのである
から、半導体１の表裏面で対称位置に設ける。こ
のオーミツク電極２に関係する前記Ｌは第５，６
図のカバー電極３をオーミツク電極とすれば、そ
のl1，l2がＬとなる。
極間に挟まれた半導体部分を発熱させるのである
から、半導体１の表裏面で対称位置に設ける。こ
のオーミツク電極２に関係する前記Ｌは第５，６
図のカバー電極３をオーミツク電極とすれば、そ
のl1，l2がＬとなる。
本発明の用途は発熱装置、例えば内燃機関の燃
料霧化促進装置、あるいは温風発生装置、抵抗器
などあらゆるものに適している。
料霧化促進装置、あるいは温風発生装置、抵抗器
などあらゆるものに適している。
以上要するに、本発明は半導体の割れをなく
し、かつ半導体表裏のカバー電極間の電気的短絡
を防止できるという点で実用上の効果は大きい。
し、かつ半導体表裏のカバー電極間の電気的短絡
を防止できるという点で実用上の効果は大きい。
第１図は本発明の一実施例を示す平面図、第２
図は第１図の側面断面図、第３図および第４図は
本発明の効果の説明に供する特性図、第５図およ
び第６図は本発明の他の実施例を示す平面図であ
る。 １……半導体、２……オーミツク電極、３……
カバー電極。
図は第１図の側面断面図、第３図および第４図は
本発明の効果の説明に供する特性図、第５図およ
び第６図は本発明の他の実施例を示す平面図であ
る。 １……半導体、２……オーミツク電極、３……
カバー電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 正特性磁器半導体素子の表裏面に、互いに対
向する位置においてオーミツク電極を設け、かつ
このオーミツク電極の表面に該オーミツク電極よ
り表面積の大きいカバー電極を設け、このカバー
電極により前記オーミツク電極の全表面を覆つた
構造の正特性磁器半導体素子であつて、 前記オーミツク電極の外縁と前記半導体の外縁
との間の距離をＬとし、前記半導体の厚みをｔと
した時、Ｌ／ｔ≦３mmの関係を満足するよう前記
オーミツク電極を前記半導体の表裏面の対称位置
に設け、かつ 前記カバー電極の外縁と前記半導体の外縁との
間の距離を該半導体の表裏面でl1，l2とした時、
前記ｔの関連でl1＋l2＋ｔ≧２mmの寸法関係を満
足して前記カバー電極を前記オーミツク電極の表
面に設けた正特性磁器半導体素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10639482A JPS58223303A (ja) | 1982-06-21 | 1982-06-21 | 正特性磁器半導体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10639482A JPS58223303A (ja) | 1982-06-21 | 1982-06-21 | 正特性磁器半導体素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58223303A JPS58223303A (ja) | 1983-12-24 |
| JPH0145721B2 true JPH0145721B2 (ja) | 1989-10-04 |
Family
ID=14432469
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10639482A Granted JPS58223303A (ja) | 1982-06-21 | 1982-06-21 | 正特性磁器半導体素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58223303A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01125802A (ja) * | 1987-11-10 | 1989-05-18 | Murata Mfg Co Ltd | 正特性サーミスタ |
-
1982
- 1982-06-21 JP JP10639482A patent/JPS58223303A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58223303A (ja) | 1983-12-24 |
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