JPH0146863B2 - - Google Patents
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- JPH0146863B2 JPH0146863B2 JP826681A JP826681A JPH0146863B2 JP H0146863 B2 JPH0146863 B2 JP H0146863B2 JP 826681 A JP826681 A JP 826681A JP 826681 A JP826681 A JP 826681A JP H0146863 B2 JPH0146863 B2 JP H0146863B2
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- Japan
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- present
- methacrylate
- dry etching
- methacrylic acid
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D133/00—Coating compositions based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Coating compositions based on derivatives of such polymers
- C09D133/04—Homopolymers or copolymers of esters
- C09D133/06—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, the oxygen atom being present only as part of the carboxyl radical
- C09D133/10—Homopolymers or copolymers of methacrylic acid esters
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Description
本発明はドライエツチング性に優れ且つ電子
線、Ｘ線等の高エネルギー線に対して高い感度を
有する微細加工用ポジ形レジスト材料を提供せん
とするものである。 一般にICやLSIなど数ミクロン以下のパターン
寸法をもつ微細加工を行う場合、従来の湿式エツ
チング法ではアンダーカツトの量が精度に対して
無視出来ない値を示すため専らドライエツチング
法が採用されるようになつてきた。これに伴つて
これらの微細加工に使用されるレジスト材料にお
いてもドライエツチング耐性が重要な性能として
要求されてきた。 而してレジスト材料の内ネガ形材料においては
分子設計上、放射線に対する感度、解像度とドラ
イエツチング耐性を分離して考えることが可能で
あるが、ポジ形材料においてはドライエツチング
耐性と放射線に対する感度がどちらも主鎖の分解
し易さに関係する。このようにこれら両性能が相
反する傾向を有するため、これらを同時に満足せ
しめるレジスト材料は実現されていない。このた
めやむなく高感度であるが、ドライエツチング耐
性の低い材料もしくはドライエツチング耐性は高
いが感度の低い材料により加工を行うため、ポジ
形レジストを用いなければならないドライプロセ
スにおいてはこれの改善が要望されていたもので
あつた。 一方ベンゼン環を側鎖にもつポリフエニルメタ
アクリレートやポリベンジルメタクリレートなど
は高いドライエイツチング耐性を示すことはよく
知られているが低感度である上に分子量による溶
解度の変化がポリメチルメタクリレートなどに比
して小さいため、強溶媒を用いる高感度現像を行
うと解像性の劣化が著しいため、実用的解像性は
低感度でしか得られない欠点があつた。 本発明はかかる現状に鑑み鋭意研究を行つた結
果、ポジ形レジスト材料として、ドライエツチン
グ耐性の高いベンゼン環含有ポリメタアクリレー
トを基体とし、これにメタアリルル酸を共重合せ
しめたものを使用することにより高像性にして高
感度を有する耐ドライエツチング性ポジ形レジス
ト材料を得ることが出来たものである。 本発明においてベンゼン環含有のメタアクリレ
ートとメタアクリル酸との共重合体をうるには、
通常の塊状重合法、溶液重合法或は乳化重合法等
により製造しうるものである。 又重合体中のベンゼン環含有のメタアクリレー
トとメタアクリル酸との組成比については特に限
定するものではないが、通常メタアクリル酸の含
有量が５〜15％が望ましく、重合仕込比によりこ
れを行つているものであり、重合仕込時の単量体
モル比にほとんど等しいものがえられる。又本発
明における共重合体の分子量についても特に限定
するものではないが、通常ｗ＝７×103〜７×
107程度のものを使用しその分子量制御は、重合
開始剤の濃度及び重合温度を調製して行うことに
より容易に所望のものをうることができる。 本発明においてベンゼン環を含有するメタアク
リレートとしては、例えばフエニルメタアクリレ
ート、ｐ−フルオロフエニルメタアクリレート、
２，４，６―トリクロルフエニルメタアクリレー
トなどのハロゲン置換体、ジフエニルメチルメタ
アクリレート、ｐ―フエニルメタアクリレートな
どのベンゼン環を含むメタアクリレートを使用す
るものである。 次に本発明による共重合体ポリマを使用して被
加工体の微細加工を行う工程について説明する。 まず本発明により得た共重合体ポリマを適当な
溶媒例えばモノクロルベンゼン、メチルイソブチ
ルケトン、キシレンまたはこれらの混合溶媒に溶
解して溶液した後、スピンコーテイングにより被
加工体面に均一に被膜を形成する。次いでプリベ
ーキング処理を行い、電子線またはマスクを用い
てＸ―線にてパターン描画を行つた後、現像処理
を行つて被加工体表面にレジストパターンを形成
する。このレジストをマスクにしてドライエツチ
ング加工を行うと被加工体表面にレジストパター
ンが転写加工される。 なお上記の熱処理条件は170℃附近以上で効果
が現れ始めるが、その効果を十分に発揮せしめる
には200℃以上で30分間程度が最適である。 次に本発明の実施例について説明する。 実施例 (1) 精製したフエニルメタアクリレート30重量部、
メタアクリル酸３重量部、トルエン50重量部に重
合開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルを単
量体に対して0.05％加え、真空中にて凍結脱気を
十分行つた後、ガラス管内に封入し、50℃におい
て10時間重合させた後、多量のｎ―ヘキサン中に
注入してポリマをえた。数回通常の方法にて精製
したものについて赤外吸収スペクトルをとつたと
ころ第１図に示す如きスペクトルがえられた。こ
の場合ポリフエニルメタアクリレート及びポリア
クリル酸のホモポリマーを適当な重量比で混合し
たものの赤外吸収スペクトルのフエニル基吸収
（1590cm-1附近）とカルボニル吸収（1704cm-1附
近）から作成した検量線によると、フエニルメタ
アクリレートとメタアクリル酸の組成比は91.7：
8.3であつた。またプロトンNMRによる分析した
ポリマ中のフエニルメタアクリレートとメタアク
リル酸のモル組成比は70：30であつた。更にゲル
パーミエーシヨンクロマトグラフイにより分子量
を測定したところ、重量平均分子量ｗ＝3.1×
106、分子量分散ｗ／ｍ＝3.7であつた。 斯くしてえた本発明共重合体をモノクロルベン
ゼン１重量部、メチルイソブチルケトン１重量部
よりなる混合溶媒に50％溶解してレジスト溶液を
作成し、表面熱酸化シリコンウエハ上にスピンコ
ーテイングを施しして厚さ約1μmの均一被膜を形
成した後、200℃にて１時間熱処理を行つた。な
お熱処理後のレジスト膜は上記溶媒中に10分間浸
漬しても何等変化が認められなかつた。 次いで電子線を照射し、現像処理を行つて所望
のパターンを形成せる基板をえた。 第２図は本発明共重合体によるレジストの感電
子線特性を示したものである。なおこの場合の現
像はジイソブチルケトン13重量部、モノクロルベ
ンゼン７重量部よりなる混合溶媒中に室温で浸漬
した。 実施例 (2) 精製したベンジルメタクリーレート30重量部、
メタクリル酸３重量部、トルエン50重量部の混合
物に重合開始剤としてアゾビスイソブチロニトリ
ルを単量体に対して0.05％加え、実施例(1)と同様
な方法により50℃にて５時間重合せしめて本発明
ポリマーをえた。 斯くしてえた本発明共重合体におけるベンジル
メタアクリレートとメタアクリル酸との組成比は
実施例(1)と同様な方法にて測定した結果、ベンジ
ルメタアクリレート：メタアクルル酸＝91.2：
8.8“プロントンNMR分析では72：28”でありそ
の分子量をゲルパーミエーシヨンクロマトグラフ
イにて測定したところ重量平均分子量ｗ＝9.8
×105、分子量分散はｗ／ｍ＝2.4であつた。 又本発明共重合体を実施例(1)と同様な方法によ
り被膜を形成し、170℃、１時間熱処理を行つた
後、電子線を照射し現像処理を行つて所望のパタ
ーンを形成せる基板をえた。その感電子線特性を
測定した結果は第３図に示す如くであつた。又こ
の場合の現象はジイソブチルケトン９重量部、モ
ノクロルベンゼン１重量部よりなる混合溶媒中に
室温にて10分間浸漬して行つたものである。 次いで実施例(1)及び実施例(2)によりレジストパ
タンを形成した基板についてドライエツチング加
工を行つた。即ち該基板を100℃にて30分間熱処
理した試料について５％の酸素を含むCF4ガスに
よるトンネル形プラズマエツチング（Ａ法）、
CF4ガスによる平行平板形反応性スパツタエツチ
ング（Ｂ法）及びCCl4ガスによる平行平板形反
応性スパツタエツチング（Ｃ法）を同一条件にて
行つてレジストの膜減り速度を測定した。その結
果は第１表に示す通りである。 又本発明と比較するために電子線レジストとし
てよく知られているポリメチルアクリレート（重
量平均分子量ｗ＝3.7×105、分子量分散ｗ／
Ｍｍ＝2.8）について膜厚1μmの膜形成後、170℃
にて30分間熱処理し、電子線照射後、メチルイソ
ブチルケトン１重量部、イソプロピルアルコール
１重量部よりなる現像液中に２分間浸漬して現像
を行つた後、更に100℃にて30分間熱処理して得
た試料についても上記同様の方法によりエツチン
グ加工を行つて、そのレジスト膜減り速度を測定
した。その結果は第１表に併記した。
線、Ｘ線等の高エネルギー線に対して高い感度を
有する微細加工用ポジ形レジスト材料を提供せん
とするものである。 一般にICやLSIなど数ミクロン以下のパターン
寸法をもつ微細加工を行う場合、従来の湿式エツ
チング法ではアンダーカツトの量が精度に対して
無視出来ない値を示すため専らドライエツチング
法が採用されるようになつてきた。これに伴つて
これらの微細加工に使用されるレジスト材料にお
いてもドライエツチング耐性が重要な性能として
要求されてきた。 而してレジスト材料の内ネガ形材料においては
分子設計上、放射線に対する感度、解像度とドラ
イエツチング耐性を分離して考えることが可能で
あるが、ポジ形材料においてはドライエツチング
耐性と放射線に対する感度がどちらも主鎖の分解
し易さに関係する。このようにこれら両性能が相
反する傾向を有するため、これらを同時に満足せ
しめるレジスト材料は実現されていない。このた
めやむなく高感度であるが、ドライエツチング耐
性の低い材料もしくはドライエツチング耐性は高
いが感度の低い材料により加工を行うため、ポジ
形レジストを用いなければならないドライプロセ
スにおいてはこれの改善が要望されていたもので
あつた。 一方ベンゼン環を側鎖にもつポリフエニルメタ
アクリレートやポリベンジルメタクリレートなど
は高いドライエイツチング耐性を示すことはよく
知られているが低感度である上に分子量による溶
解度の変化がポリメチルメタクリレートなどに比
して小さいため、強溶媒を用いる高感度現像を行
うと解像性の劣化が著しいため、実用的解像性は
低感度でしか得られない欠点があつた。 本発明はかかる現状に鑑み鋭意研究を行つた結
果、ポジ形レジスト材料として、ドライエツチン
グ耐性の高いベンゼン環含有ポリメタアクリレー
トを基体とし、これにメタアリルル酸を共重合せ
しめたものを使用することにより高像性にして高
感度を有する耐ドライエツチング性ポジ形レジス
ト材料を得ることが出来たものである。 本発明においてベンゼン環含有のメタアクリレ
ートとメタアクリル酸との共重合体をうるには、
通常の塊状重合法、溶液重合法或は乳化重合法等
により製造しうるものである。 又重合体中のベンゼン環含有のメタアクリレー
トとメタアクリル酸との組成比については特に限
定するものではないが、通常メタアクリル酸の含
有量が５〜15％が望ましく、重合仕込比によりこ
れを行つているものであり、重合仕込時の単量体
モル比にほとんど等しいものがえられる。又本発
明における共重合体の分子量についても特に限定
するものではないが、通常ｗ＝７×103〜７×
107程度のものを使用しその分子量制御は、重合
開始剤の濃度及び重合温度を調製して行うことに
より容易に所望のものをうることができる。 本発明においてベンゼン環を含有するメタアク
リレートとしては、例えばフエニルメタアクリレ
ート、ｐ−フルオロフエニルメタアクリレート、
２，４，６―トリクロルフエニルメタアクリレー
トなどのハロゲン置換体、ジフエニルメチルメタ
アクリレート、ｐ―フエニルメタアクリレートな
どのベンゼン環を含むメタアクリレートを使用す
るものである。 次に本発明による共重合体ポリマを使用して被
加工体の微細加工を行う工程について説明する。 まず本発明により得た共重合体ポリマを適当な
溶媒例えばモノクロルベンゼン、メチルイソブチ
ルケトン、キシレンまたはこれらの混合溶媒に溶
解して溶液した後、スピンコーテイングにより被
加工体面に均一に被膜を形成する。次いでプリベ
ーキング処理を行い、電子線またはマスクを用い
てＸ―線にてパターン描画を行つた後、現像処理
を行つて被加工体表面にレジストパターンを形成
する。このレジストをマスクにしてドライエツチ
ング加工を行うと被加工体表面にレジストパター
ンが転写加工される。 なお上記の熱処理条件は170℃附近以上で効果
が現れ始めるが、その効果を十分に発揮せしめる
には200℃以上で30分間程度が最適である。 次に本発明の実施例について説明する。 実施例 (1) 精製したフエニルメタアクリレート30重量部、
メタアクリル酸３重量部、トルエン50重量部に重
合開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルを単
量体に対して0.05％加え、真空中にて凍結脱気を
十分行つた後、ガラス管内に封入し、50℃におい
て10時間重合させた後、多量のｎ―ヘキサン中に
注入してポリマをえた。数回通常の方法にて精製
したものについて赤外吸収スペクトルをとつたと
ころ第１図に示す如きスペクトルがえられた。こ
の場合ポリフエニルメタアクリレート及びポリア
クリル酸のホモポリマーを適当な重量比で混合し
たものの赤外吸収スペクトルのフエニル基吸収
（1590cm-1附近）とカルボニル吸収（1704cm-1附
近）から作成した検量線によると、フエニルメタ
アクリレートとメタアクリル酸の組成比は91.7：
8.3であつた。またプロトンNMRによる分析した
ポリマ中のフエニルメタアクリレートとメタアク
リル酸のモル組成比は70：30であつた。更にゲル
パーミエーシヨンクロマトグラフイにより分子量
を測定したところ、重量平均分子量ｗ＝3.1×
106、分子量分散ｗ／ｍ＝3.7であつた。 斯くしてえた本発明共重合体をモノクロルベン
ゼン１重量部、メチルイソブチルケトン１重量部
よりなる混合溶媒に50％溶解してレジスト溶液を
作成し、表面熱酸化シリコンウエハ上にスピンコ
ーテイングを施しして厚さ約1μmの均一被膜を形
成した後、200℃にて１時間熱処理を行つた。な
お熱処理後のレジスト膜は上記溶媒中に10分間浸
漬しても何等変化が認められなかつた。 次いで電子線を照射し、現像処理を行つて所望
のパターンを形成せる基板をえた。 第２図は本発明共重合体によるレジストの感電
子線特性を示したものである。なおこの場合の現
像はジイソブチルケトン13重量部、モノクロルベ
ンゼン７重量部よりなる混合溶媒中に室温で浸漬
した。 実施例 (2) 精製したベンジルメタクリーレート30重量部、
メタクリル酸３重量部、トルエン50重量部の混合
物に重合開始剤としてアゾビスイソブチロニトリ
ルを単量体に対して0.05％加え、実施例(1)と同様
な方法により50℃にて５時間重合せしめて本発明
ポリマーをえた。 斯くしてえた本発明共重合体におけるベンジル
メタアクリレートとメタアクリル酸との組成比は
実施例(1)と同様な方法にて測定した結果、ベンジ
ルメタアクリレート：メタアクルル酸＝91.2：
8.8“プロントンNMR分析では72：28”でありそ
の分子量をゲルパーミエーシヨンクロマトグラフ
イにて測定したところ重量平均分子量ｗ＝9.8
×105、分子量分散はｗ／ｍ＝2.4であつた。 又本発明共重合体を実施例(1)と同様な方法によ
り被膜を形成し、170℃、１時間熱処理を行つた
後、電子線を照射し現像処理を行つて所望のパタ
ーンを形成せる基板をえた。その感電子線特性を
測定した結果は第３図に示す如くであつた。又こ
の場合の現象はジイソブチルケトン９重量部、モ
ノクロルベンゼン１重量部よりなる混合溶媒中に
室温にて10分間浸漬して行つたものである。 次いで実施例(1)及び実施例(2)によりレジストパ
タンを形成した基板についてドライエツチング加
工を行つた。即ち該基板を100℃にて30分間熱処
理した試料について５％の酸素を含むCF4ガスに
よるトンネル形プラズマエツチング（Ａ法）、
CF4ガスによる平行平板形反応性スパツタエツチ
ング（Ｂ法）及びCCl4ガスによる平行平板形反
応性スパツタエツチング（Ｃ法）を同一条件にて
行つてレジストの膜減り速度を測定した。その結
果は第１表に示す通りである。 又本発明と比較するために電子線レジストとし
てよく知られているポリメチルアクリレート（重
量平均分子量ｗ＝3.7×105、分子量分散ｗ／
Ｍｍ＝2.8）について膜厚1μmの膜形成後、170℃
にて30分間熱処理し、電子線照射後、メチルイソ
ブチルケトン１重量部、イソプロピルアルコール
１重量部よりなる現像液中に２分間浸漬して現像
を行つた後、更に100℃にて30分間熱処理して得
た試料についても上記同様の方法によりエツチン
グ加工を行つて、そのレジスト膜減り速度を測定
した。その結果は第１表に併記した。
【表】
上表より明らかの如く本発明によるレジスト材
料を使用した場合には、膜減り速度が極めて小さ
く、高いドライエツチング耐性を有することが認
められた。 又本発明に共重合体と従来のフエニルメタアク
リレート（ゲルパーミエーシヨンクロマトグラフ
イによる分子量は重量平均分子量ｗ＝1.1×
106、分子量分散ｗ／ｍ＝2.6）とについて
夫々前記の如くプリベーキング処理を行つた場合
について、その効果を比較すると次の如くであ
る。 即ち本発明共重合体を200℃にて１時間熱処理
後の赤外吸収スペクトルを示すと第４図の如くな
り、1704cm-1附近のカルボニルによる吸収がきえ
て、新たに1805cm-1附近に吸収があらわれる。こ
の1805cm-1の吸収はポリマにある２個の−COOH
基が酸無水物
料を使用した場合には、膜減り速度が極めて小さ
く、高いドライエツチング耐性を有することが認
められた。 又本発明に共重合体と従来のフエニルメタアク
リレート（ゲルパーミエーシヨンクロマトグラフ
イによる分子量は重量平均分子量ｗ＝1.1×
106、分子量分散ｗ／ｍ＝2.6）とについて
夫々前記の如くプリベーキング処理を行つた場合
について、その効果を比較すると次の如くであ
る。 即ち本発明共重合体を200℃にて１時間熱処理
後の赤外吸収スペクトルを示すと第４図の如くな
り、1704cm-1附近のカルボニルによる吸収がきえ
て、新たに1805cm-1附近に吸収があらわれる。こ
の1805cm-1の吸収はポリマにある２個の−COOH
基が酸無水物
【式】を生成することによ
り現われるスペクトルであり、このスペクトルは
膜として空気中に10日間放置してもその強度に変
化はみられない。 然しながら従来のポリフエニルメタアクリレー
ト単独ポリマは第５図に示す如く200℃、１時間
熱処理を行つても熱処理前と全く同じ赤外吸収ス
ペクトルを示した。 又第６図は本発明によるフエニルメタアクリレ
ート―メタアクリル酸共重合体を示差熱分析した
ものである。図において１は１回目の昇温で上記
酸無水物生成反応の吸熱反応ピークである。又２
は１度250℃に昇温し10分間保温して冷却後、再
び昇温したもので142℃にガラス転移温度が現わ
れる。ポリフエニルメタアクリレートのガラス転
移温度は110℃であることが知られているが、本
発明の共重合体のガラス転移温度が142℃まで上
昇することはLSIなどの加工工程において、かな
り高温になるも、パタン変形などのおこらないこ
とを示しているものである。 而して上記の酸無水物生成の条件はポリマ中の
メタアクリル酸含有量及び熱処理条件にて決定さ
れるものであり、メタアクリル酸含有量が１％以
下“プロトンNMR分析では10％モル％以下”で
も酸無水物生成は認められるが、あまり微量のた
めその効果は極めて低い。又メタアクリル酸の量
が20％程度“プロトンNMR分析では40％モル％
以上”をこえるとドライエツチング耐性の低下及
び感度の低下が生じはじめる。従つてメタアクリ
ル酸の含有有量は前記の如く５〜15重量％“プロ
トンNMR分析では10〜40％モル％”の範囲が望
ましい。 このように本発明によるレジスト材料をプリベ
ーキング処理することによりポリマ間に酸無水物
生成による架橋を生じ、ガラス転移温度が上昇す
る。従つてレジスト膜とした場合溶媒に対して溶
解や膨潤のおこりにくい性質となり、第２図に示
す如く強現像液により長時間現象を行うも解像性
は低下せず高感度現像を可能にするものである。 これに対し従来のポリフエニルメタアクリレー
ト単独によるレジスト材料による場合には、現像
液としてジイソブルケトン17重量部、モノクロル
ベンゼン３重量部よりなる弱現像液を使用して現
像したにもかかわらず現像時間を長くすると第７
図に示す如く解像性は著しく低下する。本発明の
レジスト材料がかかる優れた効果を発揮する理由
は熱処理により架橋した部分と電子線により分解
した部分の溶媒溶解速度が極端に異なるためであ
る。更に現像液選択の範囲や現像条件に対して極
めて有効である。 以上詳述した如く本発明によれば優れたドライ
エツチング耐性並に高感度を有するポジ形レジス
トをえる等顕著な効果を有する。
膜として空気中に10日間放置してもその強度に変
化はみられない。 然しながら従来のポリフエニルメタアクリレー
ト単独ポリマは第５図に示す如く200℃、１時間
熱処理を行つても熱処理前と全く同じ赤外吸収ス
ペクトルを示した。 又第６図は本発明によるフエニルメタアクリレ
ート―メタアクリル酸共重合体を示差熱分析した
ものである。図において１は１回目の昇温で上記
酸無水物生成反応の吸熱反応ピークである。又２
は１度250℃に昇温し10分間保温して冷却後、再
び昇温したもので142℃にガラス転移温度が現わ
れる。ポリフエニルメタアクリレートのガラス転
移温度は110℃であることが知られているが、本
発明の共重合体のガラス転移温度が142℃まで上
昇することはLSIなどの加工工程において、かな
り高温になるも、パタン変形などのおこらないこ
とを示しているものである。 而して上記の酸無水物生成の条件はポリマ中の
メタアクリル酸含有量及び熱処理条件にて決定さ
れるものであり、メタアクリル酸含有量が１％以
下“プロトンNMR分析では10％モル％以下”で
も酸無水物生成は認められるが、あまり微量のた
めその効果は極めて低い。又メタアクリル酸の量
が20％程度“プロトンNMR分析では40％モル％
以上”をこえるとドライエツチング耐性の低下及
び感度の低下が生じはじめる。従つてメタアクリ
ル酸の含有有量は前記の如く５〜15重量％“プロ
トンNMR分析では10〜40％モル％”の範囲が望
ましい。 このように本発明によるレジスト材料をプリベ
ーキング処理することによりポリマ間に酸無水物
生成による架橋を生じ、ガラス転移温度が上昇す
る。従つてレジスト膜とした場合溶媒に対して溶
解や膨潤のおこりにくい性質となり、第２図に示
す如く強現像液により長時間現象を行うも解像性
は低下せず高感度現像を可能にするものである。 これに対し従来のポリフエニルメタアクリレー
ト単独によるレジスト材料による場合には、現像
液としてジイソブルケトン17重量部、モノクロル
ベンゼン３重量部よりなる弱現像液を使用して現
像したにもかかわらず現像時間を長くすると第７
図に示す如く解像性は著しく低下する。本発明の
レジスト材料がかかる優れた効果を発揮する理由
は熱処理により架橋した部分と電子線により分解
した部分の溶媒溶解速度が極端に異なるためであ
る。更に現像液選択の範囲や現像条件に対して極
めて有効である。 以上詳述した如く本発明によれば優れたドライ
エツチング耐性並に高感度を有するポジ形レジス
トをえる等顕著な効果を有する。
第１図は本発明の１例における赤外吸収スペク
トル図、第２図及び第３図は本発明の１例による
被膜上に電子線を照射し現像した場合の感電子線
特性図、第４図は本発明の共重合体を熱処理した
後の赤外吸収スペクトル図、第５図は従来のポリ
フエニルメタアクリレートを熱処理した後の赤外
吸収スペクトル図、第６図は本発明の１例による
示差熱分析図、第７図は従来のポリフエニルアク
リレートによる被膜上に電子線を照射し現像した
場合の感電子線特性図である。
トル図、第２図及び第３図は本発明の１例による
被膜上に電子線を照射し現像した場合の感電子線
特性図、第４図は本発明の共重合体を熱処理した
後の赤外吸収スペクトル図、第５図は従来のポリ
フエニルメタアクリレートを熱処理した後の赤外
吸収スペクトル図、第６図は本発明の１例による
示差熱分析図、第７図は従来のポリフエニルアク
リレートによる被膜上に電子線を照射し現像した
場合の感電子線特性図である。
Claims (1)
- １ ベンゼン環を有するメタアクリル酸エステル
とメタアクリル酸との共重合体からなることを特
徴とする耐ドライエツチング性ポジ形レジスト材
料。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP826681A JPS57122430A (en) | 1981-01-22 | 1981-01-22 | Positive type resist material with dry etching resistance |
| US06/339,414 US4430419A (en) | 1981-01-22 | 1982-01-15 | Positive resist and method for manufacturing a pattern thereof |
| GB8201246A GB2093048B (en) | 1981-01-22 | 1982-01-18 | Positive resist copolymer and method for manufacturing a pattern therewith |
| CA000394565A CA1211600A (en) | 1981-01-22 | 1982-01-20 | Positive resist and method for manufacturing a pattern thereof |
| NLAANVRAGE8200211,A NL186119C (nl) | 1981-01-22 | 1982-01-21 | Werkwijze voor het vormen van een patroon voor een positieve resist. |
| FR8200936A FR2498198B1 (fr) | 1981-01-22 | 1982-01-21 | Revetement resistant positif et procede pour la formation d'un dessin de ce revetement sur un substrat |
| DE19823201815 DE3201815A1 (de) | 1981-01-22 | 1982-01-21 | Positives resistmaterial und verfahren zur herstellung eines musters daraus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP826681A JPS57122430A (en) | 1981-01-22 | 1981-01-22 | Positive type resist material with dry etching resistance |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57122430A JPS57122430A (en) | 1982-07-30 |
| JPH0146863B2 true JPH0146863B2 (ja) | 1989-10-11 |
Family
ID=11688348
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP826681A Granted JPS57122430A (en) | 1981-01-22 | 1981-01-22 | Positive type resist material with dry etching resistance |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57122430A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5868743A (ja) * | 1981-10-21 | 1983-04-23 | Hitachi Ltd | 放射線感応性有機高分子材料 |
| JPH0816783B2 (ja) * | 1989-09-11 | 1996-02-21 | 工業技術院物質工学工業技術研究所長 | 可視光記録材料 |
-
1981
- 1981-01-22 JP JP826681A patent/JPS57122430A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57122430A (en) | 1982-07-30 |
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