JPH0147896B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0147896B2 JPH0147896B2 JP56063746A JP6374681A JPH0147896B2 JP H0147896 B2 JPH0147896 B2 JP H0147896B2 JP 56063746 A JP56063746 A JP 56063746A JP 6374681 A JP6374681 A JP 6374681A JP H0147896 B2 JPH0147896 B2 JP H0147896B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- adhesive
- resin
- semiconductor device
- mold structure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
- H10W74/111—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition the semiconductor body being completely enclosed
- H10W74/114—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition the semiconductor body being completely enclosed by a substrate and the encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/701—Tape-automated bond [TAB] connectors
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ICチツプの表裏を別々の種類の異
なる材料で覆われた半導体装置のモールド構造に
関する。
なる材料で覆われた半導体装置のモールド構造に
関する。
従来技術のGB（ギヤングボンデイング）後に
おける半導体装置のモールド構造は第１図に示す
如く、ICチツプ１の能動面１ａと裏面１ｂとを
同じ樹脂５で覆つている。この製造方法は、まず
GBされたICチツプ１の能動面１ａ側に、モール
ド剤として、粉体のＢステージ状又は液状のエポ
キシ樹脂５又はシリコン樹脂５を供給して、ベル
ト炉又はホツトプレート又は恒温槽等で加熱して
ゲル化させ、ついで、ICチツプ１の裏面１ｂを、
裏返して同様の樹脂５又は同様の樹脂５を含む繊
維層で覆い、ゲル化後、完全硬化させるものであ
る。しかし、このようなモールド構造はモールド
時において、樹脂５の表面張力による影響を受け
てその流れ性が不均一となるので、平面方向に樹
脂５が流れてしまう範囲のバラツキや断面方向の
樹脂５の厚みのバラツキをおさえるための管理が
非常に難しいものである。また、ICチツプ１の
両面を同様の工程で２度行なわなければならない
ため、コストアツプにもつながる。そこで前述の
従来技術のモール構造を改善するために考えられ
たのが第２図に示す如く、能動面１ａのみモール
ドする半導体装置のモールド構造である。これ
は、特に、腕時計やカメラ等の高密度実装が要求
され、また厚みに関しても非常に薄いものをつく
る場合に多く用いられる。この製造方法は、前記
従来例の場合と同様で、能動面１ａ側だけの工程
で済むことから、コストも材料費も1/2になる。
ここで、このモールド剤５の能動面１ａ側だけの
コントロールはその表面張力によるもので、IC
チツプ１の裏面１ｂと側面の境界で止まるもので
ある。ところがこの方法はその流れ出しのコント
ロールが、そのモールド剤５の粘度やチキソ性、
温度等に左右されて、その管理が非常に難しく、
裏面１ｂにそのモールド剤５が流れ出してしまう
ことがしばしば発生する。さらに、能動面１ａを
覆つたモールド剤５のの硬化収縮や、ICチツプ
５との線膨張係数の違いにより発生する応力分布
の差によつて、ICチツプ５を破損することがあ
る。
おける半導体装置のモールド構造は第１図に示す
如く、ICチツプ１の能動面１ａと裏面１ｂとを
同じ樹脂５で覆つている。この製造方法は、まず
GBされたICチツプ１の能動面１ａ側に、モール
ド剤として、粉体のＢステージ状又は液状のエポ
キシ樹脂５又はシリコン樹脂５を供給して、ベル
ト炉又はホツトプレート又は恒温槽等で加熱して
ゲル化させ、ついで、ICチツプ１の裏面１ｂを、
裏返して同様の樹脂５又は同様の樹脂５を含む繊
維層で覆い、ゲル化後、完全硬化させるものであ
る。しかし、このようなモールド構造はモールド
時において、樹脂５の表面張力による影響を受け
てその流れ性が不均一となるので、平面方向に樹
脂５が流れてしまう範囲のバラツキや断面方向の
樹脂５の厚みのバラツキをおさえるための管理が
非常に難しいものである。また、ICチツプ１の
両面を同様の工程で２度行なわなければならない
ため、コストアツプにもつながる。そこで前述の
従来技術のモール構造を改善するために考えられ
たのが第２図に示す如く、能動面１ａのみモール
ドする半導体装置のモールド構造である。これ
は、特に、腕時計やカメラ等の高密度実装が要求
され、また厚みに関しても非常に薄いものをつく
る場合に多く用いられる。この製造方法は、前記
従来例の場合と同様で、能動面１ａ側だけの工程
で済むことから、コストも材料費も1/2になる。
ここで、このモールド剤５の能動面１ａ側だけの
コントロールはその表面張力によるもので、IC
チツプ１の裏面１ｂと側面の境界で止まるもので
ある。ところがこの方法はその流れ出しのコント
ロールが、そのモールド剤５の粘度やチキソ性、
温度等に左右されて、その管理が非常に難しく、
裏面１ｂにそのモールド剤５が流れ出してしまう
ことがしばしば発生する。さらに、能動面１ａを
覆つたモールド剤５のの硬化収縮や、ICチツプ
５との線膨張係数の違いにより発生する応力分布
の差によつて、ICチツプ５を破損することがあ
る。
本発明は斯かる欠点を除去したもので、その目
的とするところは、ICチツプを薄くかつ高品質
にモールドするところにある。
的とするところは、ICチツプを薄くかつ高品質
にモールドするところにある。
本発明の要旨は、ICチツプの電極とフレキシ
ブル基板に形成される複数のインナーリードとを
同時にボンデイングした後モールドされる半導体
装置のモールド構造において、前記ICチツプの
製造途中工程でウエハーを接着する際に使用され
接着された状態で前記ICチツプの裏面に残存す
ると共に前記ICチツプの側面方向にも突出する
ように残存する接着剤又は粘着剤と、前記ICチ
ツプの能動面をモールドするエポキシ樹脂又はシ
リコン樹脂とを有し、前記ICチツプが２種類以
上の材料で覆われることを特徴とする。
ブル基板に形成される複数のインナーリードとを
同時にボンデイングした後モールドされる半導体
装置のモールド構造において、前記ICチツプの
製造途中工程でウエハーを接着する際に使用され
接着された状態で前記ICチツプの裏面に残存す
ると共に前記ICチツプの側面方向にも突出する
ように残存する接着剤又は粘着剤と、前記ICチ
ツプの能動面をモールドするエポキシ樹脂又はシ
リコン樹脂とを有し、前記ICチツプが２種類以
上の材料で覆われることを特徴とする。
以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明す
る。第３図は本発明の実施例を示すものであり、
GB後にICチツプの能動面側からのみモールドし
た半導体装置のモールド構造の断面図である。
る。第３図は本発明の実施例を示すものであり、
GB後にICチツプの能動面側からのみモールドし
た半導体装置のモールド構造の断面図である。
第３図に示す本発明の半導体装置のモールド構
造は、第２図に示した従来技術の片側（能動面）
のみモールドする半導体装置のモールド構造に加
えて、ICチツプの裏面にも別の樹脂でモールド
したもである。これは特に、その材料を別途供給
するものではない。すなわち、ICチツプ１とフ
レキシブル基板３に形成される複数のインナーリ
ード２とをボンデイングするGBにおいて、ICチ
ツプ１の供給方法としてはウエハーからダイシン
グしたものを１個１個単体で供給する方法で、も
う１つはウエハーをガラス又は樹脂性の平滑板
に、高温でその効果を失う接着剤６又は粘着剤６
で粘りつけ、そのウエハーを粘着剤６と平滑板を
一緒にダイシングし、ウエハーのままGBする方
法があるが、特に後者におけるその接着剤６（従
来技術においては通常接着剤又は粘着剤の厚さは
10〜20μmである）をそのまま使用するものであ
る。通常、これはGB後に洗浄されるものである
が、特に耐湿性及び純度にすぐれたワツクス又は
接着剤を選んで行なえば、その洗浄工程も不必要
となる。接着剤６はICチツプの裏面１ｂに残存
すると共にICチツプ側面方向にも突出して残存
しているでモールド樹脂５の裏面１ｂへの流れ防
止にも役立つ。さらに、モールド樹脂の厚さは
ICチツプの全体を覆うような従来技術とすれば、
著しく薄くできるので、モールド樹脂５の硬化収
縮時にICチツプ１との線膨張係数の違いにより
発生する応力も小さくなることから、例えば発生
する内部応力の差が大きいことによつて、ICチ
ツプ１が破損してしまうような品質不良特性を減
少させることができる。また、裏面１ｂを接着剤
６で薄く覆う事から、例えば、裏面１ｂに外力が
作用する場合でもICチツプ１はこの接着剤１ｂ
により保護されているので、外力を緩和し直接的
に損傷することがない。
造は、第２図に示した従来技術の片側（能動面）
のみモールドする半導体装置のモールド構造に加
えて、ICチツプの裏面にも別の樹脂でモールド
したもである。これは特に、その材料を別途供給
するものではない。すなわち、ICチツプ１とフ
レキシブル基板３に形成される複数のインナーリ
ード２とをボンデイングするGBにおいて、ICチ
ツプ１の供給方法としてはウエハーからダイシン
グしたものを１個１個単体で供給する方法で、も
う１つはウエハーをガラス又は樹脂性の平滑板
に、高温でその効果を失う接着剤６又は粘着剤６
で粘りつけ、そのウエハーを粘着剤６と平滑板を
一緒にダイシングし、ウエハーのままGBする方
法があるが、特に後者におけるその接着剤６（従
来技術においては通常接着剤又は粘着剤の厚さは
10〜20μmである）をそのまま使用するものであ
る。通常、これはGB後に洗浄されるものである
が、特に耐湿性及び純度にすぐれたワツクス又は
接着剤を選んで行なえば、その洗浄工程も不必要
となる。接着剤６はICチツプの裏面１ｂに残存
すると共にICチツプ側面方向にも突出して残存
しているでモールド樹脂５の裏面１ｂへの流れ防
止にも役立つ。さらに、モールド樹脂の厚さは
ICチツプの全体を覆うような従来技術とすれば、
著しく薄くできるので、モールド樹脂５の硬化収
縮時にICチツプ１との線膨張係数の違いにより
発生する応力も小さくなることから、例えば発生
する内部応力の差が大きいことによつて、ICチ
ツプ１が破損してしまうような品質不良特性を減
少させることができる。また、裏面１ｂを接着剤
６で薄く覆う事から、例えば、裏面１ｂに外力が
作用する場合でもICチツプ１はこの接着剤１ｂ
により保護されているので、外力を緩和し直接的
に損傷することがない。
本発明は、腕時計、カメラ、マイクロカセツト
等の小さなメカトロニクスの製品に特に有効であ
り、デザイン、品質面ですぐれた効果を有するも
のである。
等の小さなメカトロニクスの製品に特に有効であ
り、デザイン、品質面ですぐれた効果を有するも
のである。
本発明の主旨を逸脱する事のない範囲でなされ
る構造の変更は、すべて本発明に含まれるものと
する。
る構造の変更は、すべて本発明に含まれるものと
する。
以上述べたように本発明によれば、ICチツプ
の裏面にICチツプの製造途中工程でウエハーを
ボンデイングする際に使用された接着剤又は粘着
剤がそのまま残存する状態で使用されるので、従
来技術において実施されていた前記接着剤又は粘
着剤を除去していた洗浄工程が不必要となり、実
質工数が低減される効果を有すると共に、前述の
如き接着剤又は粘着剤がICチツプの裏面に残存
すると共にICチツプの側面方向にも突出して残
存しているので、この残存する接着剤又は粘着剤
によつて、ICチツプの能動面をモールドする際
のエポキシ樹脂又はシリコン樹脂の前記ICチツ
プ裏面への流出が防止されることから、例えば前
記エポキシ樹脂又はシリコン樹脂の注入量をIC
チツプの裏面を除く全体を覆うだけの適性量とす
れば、そのモールド厚さが不必要に厚くならない
という効果を有する。またエポキシ樹脂又はシリ
コン樹脂の両面からのモールドによつてICチツ
プの全体を覆うような従来技術と比較すれば著し
く薄くできるので、モールド樹脂の硬化収縮や、
ICチツプとの膨張係数の差に対する影響が軽減
され、例えば発生する内部応力の差が大きいこと
によつて、ICチツプが破損してしまうような品
質不良特性が減少するという効果も有する。
の裏面にICチツプの製造途中工程でウエハーを
ボンデイングする際に使用された接着剤又は粘着
剤がそのまま残存する状態で使用されるので、従
来技術において実施されていた前記接着剤又は粘
着剤を除去していた洗浄工程が不必要となり、実
質工数が低減される効果を有すると共に、前述の
如き接着剤又は粘着剤がICチツプの裏面に残存
すると共にICチツプの側面方向にも突出して残
存しているので、この残存する接着剤又は粘着剤
によつて、ICチツプの能動面をモールドする際
のエポキシ樹脂又はシリコン樹脂の前記ICチツ
プ裏面への流出が防止されることから、例えば前
記エポキシ樹脂又はシリコン樹脂の注入量をIC
チツプの裏面を除く全体を覆うだけの適性量とす
れば、そのモールド厚さが不必要に厚くならない
という効果を有する。またエポキシ樹脂又はシリ
コン樹脂の両面からのモールドによつてICチツ
プの全体を覆うような従来技術と比較すれば著し
く薄くできるので、モールド樹脂の硬化収縮や、
ICチツプとの膨張係数の差に対する影響が軽減
され、例えば発生する内部応力の差が大きいこと
によつて、ICチツプが破損してしまうような品
質不良特性が減少するという効果も有する。
さらに、例えば前述のICチツプの能動面のみ
を覆う片側モールド構造の従来技術と比較すれ
ば、従来技術の片側モールド構造では、ICチツ
プの裏面は裸であつてICチツプ全体がモールド
されていないので、ICチツプと樹脂との境界よ
り入水しやすいことから著しく耐水性に劣りIC
チツプの能動面を腐食させてしまうというな品質
不良を発生させること、またICチツプ裏面に外
力が作用した場合には、その外力がICチツプに
直接的に作用することとなるので、ICチツプが
損傷しやすいという問題点を有するものである
が、本発明の半導体装置のモールド構造は、IC
チツプ全体が樹脂と接着剤とにより覆われている
ので、前述の如き従来技術の問題点を回避できる
という効果を有する。
を覆う片側モールド構造の従来技術と比較すれ
ば、従来技術の片側モールド構造では、ICチツ
プの裏面は裸であつてICチツプ全体がモールド
されていないので、ICチツプと樹脂との境界よ
り入水しやすいことから著しく耐水性に劣りIC
チツプの能動面を腐食させてしまうというな品質
不良を発生させること、またICチツプ裏面に外
力が作用した場合には、その外力がICチツプに
直接的に作用することとなるので、ICチツプが
損傷しやすいという問題点を有するものである
が、本発明の半導体装置のモールド構造は、IC
チツプ全体が樹脂と接着剤とにより覆われている
ので、前述の如き従来技術の問題点を回避できる
という効果を有する。
第１図は、従来技術の実施例を示す半導体装置
のモールド構造の断面図。第２図は、従来技術の
他の実施例を示す半導体装置のモールド構造の断
面図。第３図は、本発明の実施例を示す半導体装
置のモールド構造の断面図。 １……ICチツプ、１ａ……能動面、１ｂ……
裏面、２……インナーリード、３……フレキシブ
ル基板、４……電極、５……モールド樹脂、６…
…ウエハーの接着剤。
のモールド構造の断面図。第２図は、従来技術の
他の実施例を示す半導体装置のモールド構造の断
面図。第３図は、本発明の実施例を示す半導体装
置のモールド構造の断面図。 １……ICチツプ、１ａ……能動面、１ｂ……
裏面、２……インナーリード、３……フレキシブ
ル基板、４……電極、５……モールド樹脂、６…
…ウエハーの接着剤。
Claims (1)
- １ ICチツプの電極とフレキシブル基板に形成
される複数のインナーリードとを同時にボンデイ
ングした後モールドされる半導体装置のモールド
構造において、前記ICチツプの製造途中工程で
ウエハーを接着する際に使用され接着された状態
で前記ICチツプの裏面に残存すると共に前記IC
チツプの側面方向にも突出するように残存する接
着剤又は粘着剤と、前記ICチツプの能動面をモ
ールドするエポキシ樹脂又はシリコン樹脂とを有
し、前記ICチツプが２種類以上の材料で覆われ
ることを特徴とする半導体装置のモールド構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56063746A JPS57178346A (en) | 1981-04-27 | 1981-04-27 | Molded structure of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56063746A JPS57178346A (en) | 1981-04-27 | 1981-04-27 | Molded structure of semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57178346A JPS57178346A (en) | 1982-11-02 |
| JPH0147896B2 true JPH0147896B2 (ja) | 1989-10-17 |
Family
ID=13238268
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56063746A Granted JPS57178346A (en) | 1981-04-27 | 1981-04-27 | Molded structure of semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57178346A (ja) |
-
1981
- 1981-04-27 JP JP56063746A patent/JPS57178346A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57178346A (en) | 1982-11-02 |
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