JPH0149015B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0149015B2 JPH0149015B2 JP58206890A JP20689083A JPH0149015B2 JP H0149015 B2 JPH0149015 B2 JP H0149015B2 JP 58206890 A JP58206890 A JP 58206890A JP 20689083 A JP20689083 A JP 20689083A JP H0149015 B2 JPH0149015 B2 JP H0149015B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- metal
- pattern
- thickness
- lift
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は、リフトオフ法によつて、基体上に金
属パターンを形成する方法に関する。
属パターンを形成する方法に関する。
（背景技術）
半導体装置の電極や配線などの金属パターンを
形成する一つの方法としてリフトオフ法が知られ
ている。
形成する一つの方法としてリフトオフ法が知られ
ている。
典形的なリフトオフ法においては、金属パター
ンの所望厚さの３倍程度に、レジストを被着し、
リングラフイー法によつてパターンニングして金
属パターン形成予定部を開口する。次に垂直方向
から全面に金属を蒸着し、その後、レジストのみ
を溶かす溶剤を用いてレジストを除去する。その
際、レジスト上の金属も一緒に除去され、所定の
金属パターンのみ基体上に残り、金属パターンの
形成は完了する。
ンの所望厚さの３倍程度に、レジストを被着し、
リングラフイー法によつてパターンニングして金
属パターン形成予定部を開口する。次に垂直方向
から全面に金属を蒸着し、その後、レジストのみ
を溶かす溶剤を用いてレジストを除去する。その
際、レジスト上の金属も一緒に除去され、所定の
金属パターンのみ基体上に残り、金属パターンの
形成は完了する。
リフトオフ法による金属パターンの形成におい
ては、一般に、金属パターンの縁部に突起（ひ
げ）が残り易い。
ては、一般に、金属パターンの縁部に突起（ひ
げ）が残り易い。
この様な欠点は、レジストの厚さを金属パター
ンのそれよりも十分厚くすることによつて、軽減
されるが、レジスト厚が厚くなるほどレジストの
加工精度は低くなる。
ンのそれよりも十分厚くすることによつて、軽減
されるが、レジスト厚が厚くなるほどレジストの
加工精度は低くなる。
従つて、単層レジストによるリフトオフ法は比
較的簡易な方法であるが、一般に微細で厚い金属
パターンの形成には適していない。
較的簡易な方法であるが、一般に微細で厚い金属
パターンの形成には適していない。
半導体デバイスの配線は微細で厚い金属パター
ンを必要とする代表であるが、本発明者らは、そ
こで用いられる典型的な材料であるAuやAlは蒸
着時におけるマイグレーシヨン効果が大きく、蒸
着が進むにつれ蒸着方向と直交する方向に張り出
してゆき、その再現性も良好であるとの知見を得
た。
ンを必要とする代表であるが、本発明者らは、そ
こで用いられる典型的な材料であるAuやAlは蒸
着時におけるマイグレーシヨン効果が大きく、蒸
着が進むにつれ蒸着方向と直交する方向に張り出
してゆき、その再現性も良好であるとの知見を得
た。
（発明の目的）
本発明はこのような知見に基いて達成されたも
のであり、その目的は、レジスト厚を薄くして、
当該レジスト厚以上の厚さで且つ微細な金属パタ
ーンをリフトオフ法によつて形成する方法を提供
することにある。
のであり、その目的は、レジスト厚を薄くして、
当該レジスト厚以上の厚さで且つ微細な金属パタ
ーンをリフトオフ法によつて形成する方法を提供
することにある。
（発明の構成）
本発明は基体上にノボラツク樹脂のキノンジア
ジドスルフオン酸エステルからなるネガ型レジス
ト膜を形成すべき金属パターンの厚さよりも薄く
形成する工程と、 このレジスト膜を遠紫外線で露光したのち、現
像してオーバーハンク状の断面を有したレジスト
パターンを形成する工程と、 しかる後この基体上にAuあるいはAlのどちら
か一方を被着する工程と、 しかる後前記レジストパターンを除去して金属
パターンを形成する工程とを含むリフトオフ金属
パターン形成方法である。
ジドスルフオン酸エステルからなるネガ型レジス
ト膜を形成すべき金属パターンの厚さよりも薄く
形成する工程と、 このレジスト膜を遠紫外線で露光したのち、現
像してオーバーハンク状の断面を有したレジスト
パターンを形成する工程と、 しかる後この基体上にAuあるいはAlのどちら
か一方を被着する工程と、 しかる後前記レジストパターンを除去して金属
パターンを形成する工程とを含むリフトオフ金属
パターン形成方法である。
（実施例）
第１図ないし第３図は、本発明の実施例の説明
図であり、図面に沿つて説明する。
図であり、図面に沿つて説明する。
先づ基体１上にノボラツク樹脂のナフトキノン
１，２−ジアジド−Ｓ−スルフオン酸エステルか
らなるネガ型の遠紫外レジストを全面に被着し、
遠紫外線を照射して表面部を変質させた後、酢酸
エステルを含有する溶液で現像して電極形成予定
部を開口することにより、第１図の如くオーバー
ハング状の断面を有するレジスト層２を形成す
る。
１，２−ジアジド−Ｓ−スルフオン酸エステルか
らなるネガ型の遠紫外レジストを全面に被着し、
遠紫外線を照射して表面部を変質させた後、酢酸
エステルを含有する溶液で現像して電極形成予定
部を開口することにより、第１図の如くオーバー
ハング状の断面を有するレジスト層２を形成す
る。
次に第２図に示した如く、レジストパターン２
を有する基体１上の垂直上部方向から金を蒸着す
る。この際レジストパターン２はオーバーハング
状の断面であるため、レジストパターン２の側面
に金は付着しないのは当然であるが、金の蒸着が
進むにつれ、レジストパターン２上の金属３ａは
そのマイグレーシヨン効果により、その蒸着方向
を横切る方向に張り出してゆく。それにつれ、基
板１上の金属３ｂは僅かづつ頂面が狭くなつてゆ
き、レジストパターン２の層の厚さよりも十分厚
く金を蒸着しても両金属３ａ，３ｂ間での短絡は
生じない。
を有する基体１上の垂直上部方向から金を蒸着す
る。この際レジストパターン２はオーバーハング
状の断面であるため、レジストパターン２の側面
に金は付着しないのは当然であるが、金の蒸着が
進むにつれ、レジストパターン２上の金属３ａは
そのマイグレーシヨン効果により、その蒸着方向
を横切る方向に張り出してゆく。それにつれ、基
板１上の金属３ｂは僅かづつ頂面が狭くなつてゆ
き、レジストパターン２の層の厚さよりも十分厚
く金を蒸着しても両金属３ａ，３ｂ間での短絡は
生じない。
所定の厚さに金を蒸着したのち、レジスト２を
除去することにより、第３図に示すように余分の
突起のない金属パターンが形成される。
除去することにより、第３図に示すように余分の
突起のない金属パターンが形成される。
第４図はレジストパターンの開口径を2.0μｍと
し、レジストパターン厚を6000Å〜7000Åとした
場合について、金パターンの蒸着厚さｈと頂面幅
Ｗとの関係を示したものである。
し、レジストパターン厚を6000Å〜7000Åとした
場合について、金パターンの蒸着厚さｈと頂面幅
Ｗとの関係を示したものである。
この第４図から明らかなように、約11.3゜とい
う比較的急激な傾斜で金パターンが形成され、こ
の傾斜はレジストパターン厚を変えても殆んど同
じである。
う比較的急激な傾斜で金パターンが形成され、こ
の傾斜はレジストパターン厚を変えても殆んど同
じである。
（実施例の効果）
以上説明したように、本実施例においては、レ
ジストがオーバーハング状の断面の形状であるた
め、電極部上の金属は最初からレジストの側面に
接触することがなく、金属パターンの突起は発生
しない。
ジストがオーバーハング状の断面の形状であるた
め、電極部上の金属は最初からレジストの側面に
接触することがなく、金属パターンの突起は発生
しない。
またマイグレーシヨン効果の高いAu、Alなど
の金属においては、レジスト上の金属はしだいに
蒸着方向を横切る方向に対して張り出してくるた
め、電極上の金属パターンはその張り出しと同傾
斜をもつて蒸着されレジスト厚以上の金属を蒸着
しても、電極部上の金属とレジスト上の金属は、
レジスト厚みの段差を有したまま接触しない結果
となり、リフトオフは極めて容易となる。従つて
マイグレーシヨン効果の高いAuやAlは通常厚く
して配線などに用いられ、レジストもこの金属厚
みに比例して厚くなつているが、本発明によれば
レジストを薄くすることが可能となり、レジスト
厚が厚い場合に比べレジストのパターンニングは
容易でバラツキが小さくなる。そのため微細加工
性のある遠紫外レジストを逆台形断面の薄いレジ
ストパターン形状に容易に形成することができ
る。しかも薄いレジストパターンを利用して厚い
金属をリフトオフ形成可能となるため、高集積、
微細化及び配線抵抗の低減化への効果は確実に向
上する利点がある。
の金属においては、レジスト上の金属はしだいに
蒸着方向を横切る方向に対して張り出してくるた
め、電極上の金属パターンはその張り出しと同傾
斜をもつて蒸着されレジスト厚以上の金属を蒸着
しても、電極部上の金属とレジスト上の金属は、
レジスト厚みの段差を有したまま接触しない結果
となり、リフトオフは極めて容易となる。従つて
マイグレーシヨン効果の高いAuやAlは通常厚く
して配線などに用いられ、レジストもこの金属厚
みに比例して厚くなつているが、本発明によれば
レジストを薄くすることが可能となり、レジスト
厚が厚い場合に比べレジストのパターンニングは
容易でバラツキが小さくなる。そのため微細加工
性のある遠紫外レジストを逆台形断面の薄いレジ
ストパターン形状に容易に形成することができ
る。しかも薄いレジストパターンを利用して厚い
金属をリフトオフ形成可能となるため、高集積、
微細化及び配線抵抗の低減化への効果は確実に向
上する利点がある。
また、多層構成の金属パターンの形成において
も、最上層の金属のマイグレーシヨン効果が大き
いものであれば、本発明を採用することができ
る。
も、最上層の金属のマイグレーシヨン効果が大き
いものであれば、本発明を採用することができ
る。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明においてはノボラ
ツク樹脂のキノンジアジドスルフオン酸エステル
からなるネガ型のレジスト膜を形成し、このレジ
スト膜を遠紫外線で露光したのち、酢酸エステル
又はシクロヘキサノン系の現像液に水とアルコー
ルを添加して現像することによりオーバーハング
状の断面を有したレジストパターンを形成してい
るため、容易にレジストパターンを形成できる。
このレジストがオーバーハング状の断面形状であ
るため、それ以上の厚みの金属を容易にリフトオ
フ形成することを可能にしたものであり、Si及び
化合物半導体などによる集積回路上の配線、ゲー
トなどにおけるAu系、Al系などのマイグレーシ
ヨン効果の高い金属のパターン形成に極めて有効
な方法である。
ツク樹脂のキノンジアジドスルフオン酸エステル
からなるネガ型のレジスト膜を形成し、このレジ
スト膜を遠紫外線で露光したのち、酢酸エステル
又はシクロヘキサノン系の現像液に水とアルコー
ルを添加して現像することによりオーバーハング
状の断面を有したレジストパターンを形成してい
るため、容易にレジストパターンを形成できる。
このレジストがオーバーハング状の断面形状であ
るため、それ以上の厚みの金属を容易にリフトオ
フ形成することを可能にしたものであり、Si及び
化合物半導体などによる集積回路上の配線、ゲー
トなどにおけるAu系、Al系などのマイグレーシ
ヨン効果の高い金属のパターン形成に極めて有効
な方法である。
第１図〜第３図は本発明によるリフトオフ工程
図、第４図は頂面幅Ｗと金属の厚さｈとの関係を
示した図である。 １……基体、２……レジスト、３ａ……レジス
ト上の金属、３ｂ……電極金属。
図、第４図は頂面幅Ｗと金属の厚さｈとの関係を
示した図である。 １……基体、２……レジスト、３ａ……レジス
ト上の金属、３ｂ……電極金属。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基体上にノボラツク樹脂のキノンジアジドス
ルフオン酸エステルからなる単層のネガ型レジス
ト膜を形成する工程と、 このレジスト膜を遠紫外線で露光した後、現像
してオーバーハング状の断面を有したレジストパ
ターンを形成する工程と、 しかる後この基体上に、蒸着時におけるマイグ
レーシヨン効果の高い金属として、Auあるいは
Alのどちらか一方を前記レジスト膜より厚く被
着する工程と、 しかる後前記レジストパターンを除去して金属
パターンを形成する工程。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58206890A JPS60100432A (ja) | 1983-11-05 | 1983-11-05 | リフトオフ金属パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58206890A JPS60100432A (ja) | 1983-11-05 | 1983-11-05 | リフトオフ金属パタ−ン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60100432A JPS60100432A (ja) | 1985-06-04 |
| JPH0149015B2 true JPH0149015B2 (ja) | 1989-10-23 |
Family
ID=16530741
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58206890A Granted JPS60100432A (ja) | 1983-11-05 | 1983-11-05 | リフトオフ金属パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60100432A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5017459A (en) * | 1989-04-26 | 1991-05-21 | Eastman Kodak Company | Lift-off process |
| JPH06140434A (ja) * | 1992-10-26 | 1994-05-20 | Mitsubishi Electric Corp | 電界効果型トランジスタの製造方法 |
| JP3119957B2 (ja) * | 1992-11-30 | 2000-12-25 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
| GB2485089B (en) * | 2009-08-24 | 2014-03-12 | Fuji Chemical Company Ltd | Acrylic resin composition, method of manufacturing the same, and architectural material, fashion accessory and optical material formed using the same |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6032350B2 (ja) * | 1977-06-21 | 1985-07-27 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JPS5646536A (en) * | 1979-09-22 | 1981-04-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Formation of microminiature electrode |
-
1983
- 1983-11-05 JP JP58206890A patent/JPS60100432A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60100432A (ja) | 1985-06-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4256816A (en) | Mask structure for depositing patterned thin films | |
| JPH04115515A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPS6216534B2 (ja) | ||
| JPS5842276B2 (ja) | ビサイキンゾク マタハ ゴウキンコウゾウ ノ セイゾウホウホウ | |
| JPH0149015B2 (ja) | ||
| JPS60117723A (ja) | 微細パタ−ンの形成方法 | |
| JPH04348030A (ja) | 傾斜エッチング法 | |
| JPH04111422A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS604221A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6086543A (ja) | 微細パタ−ン形成方法 | |
| JPH041492B2 (ja) | ||
| JPH04291733A (ja) | ＧａＡｓデバイス及びＴ字型ゲート電極の作成方法 | |
| JPS58100434A (ja) | リフトオフ用スペ−サ−の形成方法 | |
| JPH06112119A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JPS5918643A (ja) | マスクパタ−ンの形成方法 | |
| JPS593953A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0822947A (ja) | パターン形成方法及び半導体装置の製造方法 | |
| JPS61187294A (ja) | 導電パタ−ンの形成方法 | |
| JPH0620064B2 (ja) | 多層配線基板の製造方法 | |
| JPH02172234A (ja) | 微細電極の形成法 | |
| JPS59103343A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS60167431A (ja) | めつき膜の製造方法 | |
| JPS6212502B2 (ja) | ||
| JPS61288426A (ja) | アルミニウム膜のテ−パエツチング方法 | |
| JPS61150326A (ja) | 半導体装置の製造方法 |