JPH0149208B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本願は、可変容量ダイオードを備えた同調回路
において、電界強度の強い信号が入力したときに
生じる可変容量ダイオードの飽和に伴う波形歪や
同調点の変動を解消して同調回路の安定した動作
が得られるように構成した保護回路に関するもの
である。

一般に同調回路の形式として、可変容量ダイオ
ードを専ら可変素子とするＣ可変型の同調回路
と、可変インダクタンスを専ら可変素子としこれ
にトラツキング調整用として可変容量ダイオード
を備えたＬ可変型の同調回路とが存在するが、こ
のように可変容量ダイオードを備えた同調回路特
にアンテナ同調回路において、外部から電界強度
の強い信号が入力して可変容量ダイオードにその
バイアス電圧を越える強い電圧が加つたときに、
可変容量ダイオードが飽和して出力信号波形に歪
みが生じたり或いは同調点が変動する惧れがあ
り、同調回路の安定した動作が得られないという
欠陥があつた。

そこで本願は、同調回路特にアンテナ同調回路
において、電界強度の強い入力信号が到来したと
きに可変容量ダイオードが飽和しないように
AGC電圧によつて制御されるプツシユプル回路
を用いて入力信号を抑制することにより、可変容
量ダイオードを強入力信号より保護して同調回路
の安定した動作が得られるように構成したもの
で、その実施例を以下図面について詳述すると、
アンテナ回路は第１図で示すように入力コイル１
と、同調コイル２と、伝達コイル３と抑制コイル
４とを有しており、この各コイルは第２図で示す
ように同一ボビン５に巻回されて相互に誘導結合
している。前記入力コイル１はアンテナ６に接続
され、また前記同調コイル２には可変電圧回路７
によつて可変調整される同調用の可変容量ダイオ
ード８が接続され、また前記伝達コイル３の両端
にはプツシユプル接続された１対のトランジスタ
９ａ，９ｂのベースが、前記抑制コイル４の両端
には前記１対のトランジスタ９ａ，９ｂのコレク
タが夫々接続されており、前記入力コイル１と抑
制コイル４とは逆位相の関係にある。さらに前記
伝達コイル３の中点にはＢ電源が印加され、また
前記トランジスタ９ａ，９ｂのエミツタには、ベ
ースに入力信号の増加に伴つて例えば０〜1.2V
に変化するAGC電圧を印加し、かつエミツタが
アースされた制御用トランジスタ１０のコレクタ
が共通に接続されている。また前記伝達コイル３
の両端には、１対のトランジスタ１１ａと１２ａ
に対し夫々トランジスタ１１ｂと１２ｂを差動接
続すると共にそれらのエミツタ間に誘導コイル１
３を接続し、その中点に入力信号の増加に伴つて
例えば1.2V〜0Vに変化するAGC電圧によりバイ
アスされたトランジスタ１４のコレクタを接続し
て成る出力用増幅回路１５が接続されている。１
６は１次コイル１７に可変電圧回路１８により可
変調整される同調用の可変容量ダイオード１９を
接続した同調回路と、これと誘導結合する２次コ
イル２０とから成る次段の高周波増幅回路であ
る。

しかしてアンテナ６に到来する入力信号が弱い
ときは、トランジスタ１０のベースに加わる
AGC電圧が低いので、該トランジスタは非作動
の状態にあり、このコレクタにエミツタが接続さ
れた１対のトランジスタ９ａ，９ｂも非作動の状
態に保持される。従つてこの状態においては、入
力信号は何等減衰されることなくアンテナコイル
１から同調コイル２及び伝達コイル３に伝達さ
れ、伝達コイル３からの出力信号は出力用増幅回
路１５に入力し、その増幅出力が次段の高周波増
幅回路１６に印加される。これに対しアンテナ６
に強い入力信号が到来すると、AGC電圧も増加
し、トランジスタ１０のベース電位が上がつて該
トランジスタ１０は動作状態となり、これに伴つ
てプツシユプル接続された１対のトランジスタ９
ａ，９ｂも動作状態となり、その出力は入力信号
に対し逆位相で抑制コイル４に負帰還される。そ
のため抑制コイル４に負帰還された信号によりア
ンテナ６からの入力信号が抑制され、同調コイル
２及び伝達コイル３に誘導される信号は減衰し、
この減衰度は入力信号の電界強度が強いほど大き
くなり、そのため同調回路に接続された可変容量
ダイオードは強入力信号から保護され同調回路の
安定した動作が得られる。

なお上記において、１対のトランジスタ９ａ，
９ｂのベースにトランジスタ１０のコレクタを接
続し、かつ前記トランジスタ９ａ，９ｂのエミツ
タをアースしてもよく、この場合も入力信号電圧
が或る値以上になつたときにトランジスタ１０を
介して１対のトランジスタ９ａ，９ｂが動作し、
そのベース・エミツタの電位差が高くなるほど即
ち入力信号の電界強度が増すほど入力信号は大き
く抑制される。

第３図は第１図に示す構成において、同調コイ
ル２と可変容量ダイオード８とから成る同調回路
の同調信号をFET２３を介して次段回路に出力
すると共に、前記FET２３のソースに誘導１次
コイル２４ａを接続し、これと誘導結合した誘導
２次コイル２４ｂの両端をプツシユプル接続され
た１対のトランジスタ９ａ，９ｂのベースに夫々
接続した場合の他の実施例を示しており、その作
用は第１図に示す構成の場合と同様である。

第４図は上記した第１図に示す構成において、
抑制コイル４と同調コイル２とを共用し、プツシ
ユプル接続された１対のトランジスタ９ａ，９ｂ
の出力を同調コイル２に負帰還して入力信号を抑
制した場合の他の実施例を、また第５図は上記し
た第３図に示す構成において、アンテナ６に接続
した入力コイル１に可変電圧回路７によつて可変
される可変容量ダイオード８を接続して同調回路
を構成することにより同調コイル２を省略し、か
つ前記同調回路にFET２３のゲートを接続した
場合の他の実施例を、また第６図はアンテナ６に
接続した入力コイル１に、可変電圧回路７により
可変される可変容量ダイオード８を接続して同調
回路を構成し、この同調回路からの同調信号を直
接次段回路に導びくと共に、前記入力コイル１と
誘導結合する誘起コイル３′と抑制コイル４とを
設けて、誘起コイル３′の両端をプツシユプル接
続した１対のトランジスタ９ａ，９ｂのベースに
接続してその出力を抑制コイル４に負帰還した場
合の他の実施例を、また第７図は上記した第４図
において、入力コイル１を省略してアンテナ６に
接続したFET２６のドレーンを同調コイル２に
接続した場合の他の実施例を夫々示しており、そ
の作用は第１図に示す構成の場合と同様である。
図中Ｅはチユーニング電圧を示している。

なお上記した実施例はいずれも可変容量ダイオ
ードを同調可変素子としたＣ可変型の同調回路即
ち電子同調回路について示したが、第８、第９図
は可変インダクタンスを同調可変素子としたＬ可
変型の同調回路を示しており、第８図において可
変インダクタンス素子２７はその１次側にアンテ
ナ６がまたその２次側に同調用のコンデンサ２８
のほかに可変電圧回路２９によつて可変されるト
ラツキング調整用の可変容量ダイオード３０が接
続されており、その同調回路にFET３１のゲー
トが接続されている。このFET３１のソースは
伝達コイル３２に接続され、このコイル３２と誘
導結合した出力コイル３３の両端にプツシユプル
接続された１対のトランジスタ９ａ，９ｂのベー
スと次段増幅回路３４とが夫々接続されている。
前記１対のトランジスタ９ａ，９ｂのエミツタに
は、入力電圧の増加に伴つて例えば０〜1.2Vに
変化するAGC電圧をベース電圧とする制御用ト
ランジスタ３５のコレクタが、また前記出力コイ
ル３３の中点には入力電圧の増加に伴つて例えば
1.2〜0Vに変化するAGC電圧をベース電圧とする
トランジスタ３６のコレクタが夫々接続されてい
る。また前記１対のトランジスタ９ａ，９ｂのコ
レクタには、前記同調回路に設けた誘導コイル３
７と逆位相で誘導結合する抑制コイル３８が接続
されている。

しかしてアンテナ６からの入力信号の電界強度
が弱い場合には、プツシユプル接続された１対の
トランジスタ９ａ，９ｂのベース電位は低く、そ
のエミツタ電位が高いので、該トランジスタ９
ａ，９ｂは非動作の状態におかれる。これに対し
アンテナ６からの入力信号の電界強度が強くなつ
て１対のトランジスタ９ａ，９ｂのベース電位が
高くそのエミツタ電位が低くなると、該トランジ
スタ９ａ，９ｂが動作状態となり、そのコレクタ
から得られる信号は抑制コイル３８に負帰還さ
れ、これを誘導結合している誘導コイル３７を介
して入力信号が抑制され、出力用増幅回路３４え
の信号伝達特性は減衰する。この減衰度はトラン
ジスタ９ａ，９ｂにおけるベースとエミツタとの
電位差に相応し、その電位差が大きいほど減衰度
も大きくなり、これによつて可変容量ダイオード
３０は強入力信号から保護される。

また第９図は、可変インダクタンス素子２７の
１次側と可変電圧回路２９によつて可変されるト
ラツキング調整用の可変容量ダイオード３０とを
接続したアンテナ６からFET４１を介して入力
信号を次段回路に導びくと共に、その入力信号の
一部を誘導結合回路４２を介してプツシユプル回
路のトランジスタ９ａ，９ｂのベースに印加し、
そのコレクタ間の信号を前記可変インダクタンス
素子２７の２次側に負帰還して入力信号を抑制す
る場合の他の実施例を示しており、図中３９は入
力信号の増加に伴つて例えば1.2V〜0Vに変化す
るAGC電圧をベース電圧としそのエミツタ電位
を前記１対のトランジスタ９ａ，９ｂのベースと
する制御用トランジスタ、４０は入力信号の増加
に伴つて例えば0V〜1.2Vに変化するAGC電圧を
ベース電圧としてそのコレクタ電位を前記トラン
ジスタ９ａ，９ｂのエミツタ電位とする制御用ト
ランジスタである。

そしてプツシユプル回路のトランジスタ９ａ，
９ｂがAGC電圧をベース電位とするトランジス
タ３９，４０により制御され、それによつて入力
信号が強電界のときに抑制されることはさききに
述べたと同様である。

尚、実施例はバラポーラトランジスターで示し
てあるが、FETを用いても良いことは説明する
までも無い。

又、実施例の配線図に限らず、多くの帰還回路
も本説明から分る様にプツシユプル回路を介して
行うことが可能である。

以上のように本願によれば、入力信号の強度に
相応して入力信号を抑制する構成であるので、可
変容量ダイオードは強入力信号から保護され、同
調回路の安定した動作が期待でき、しかもその抑
制はプツシユプル回路によつて行うので波形歪の
生じる惧れはなく、さらにプツシユプル回路を
AGC電圧によつて制御する構成であるから電界
強度の大きな変化にも充分対応し得るなどの利点
を有する。

【図面の簡単な説明】

図面は本願の実施例を示すもので、第１図は電
気回路図、第２図は各コイルを巻回したボビンの
平面図、第３図乃至第９図は本願の他の実施例を
示す電気回路図である。 図中１は入力コイル、２は同調コイル、３は伝
達コイル、４は抑制コイル、８，３０は可変容量
ダイオード、９ａ，９ｂ，１０はトランジスタ、
１５，３４は出力用増幅回路、１６は高周波増幅
回路、２７は可変インダクタンス素子である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 可変容量ダイオードを備えた同調回路におい
   て、該同調回路の出力信号をAGC電圧によつて
   制御されるプツシユプル回路を介して入力信号に
   対し逆位相となるように帰還せしめたことを特徴
   とする保護回路。 ２ 同調回路が、電子同調回路である特許請求の
   範囲第１項記載の同調回路における保護回路。 ３ 同調回路が、トラツキング調整用の可変容量
   ダイオードを備えた可変インダクタンス回路であ
   る特許請求の範囲第１項記載の同調回路における
   保護回路。 ４ 同調回路が、アンテナ同調回路である特許請
   求の範囲第１項、第２項または第３項記載の同調
   回路における保護回路。 ５ プツシユプル回路を構成する１対のトランジ
   スタのベース間に入力信号を増加に伴つてベー
   ス、エミツタ間の電位差が大きくなるように
   AGC電圧を印加し、かつ前記１対のトランジス
   タのコレクタから出力信号を帰還せしめて成る特
   許請求の範囲第１項、第２項、第３項または第４
   項記載の同調回路における保護回路。 ６ プツシユプル回路を構成する１対のトランジ
   スタのエミツタ間に入力信号の増加に伴つてベー
   ス、エミツタ間の電位差が大きくなるように
   AGC電圧を印加し、かつ前記１対のトランジス
   タのコレクタから出力信号を帰還せしめて成る特
   許請求の範囲第１項、第２項、第３項または第４
   項記載の同調回路における保護回路。