JPH0319621B2 - - Google Patents
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- JPH0319621B2 JPH0319621B2 JP56187560A JP18756081A JPH0319621B2 JP H0319621 B2 JPH0319621 B2 JP H0319621B2 JP 56187560 A JP56187560 A JP 56187560A JP 18756081 A JP18756081 A JP 18756081A JP H0319621 B2 JPH0319621 B2 JP H0319621B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- magnetic
- thickness
- vapor deposition
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/85—Coating a support with a magnetic layer by vapour deposition
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、強磁性層が蒸着薄膜である磁気記録
媒体の製造方法に関し、抗磁力の制御を幅方向に
均一化するとともに長手方向にも均一化する技術
の提供を目的とするものである。
媒体の製造方法に関し、抗磁力の制御を幅方向に
均一化するとともに長手方向にも均一化する技術
の提供を目的とするものである。
更に具体的には、真空雰囲気の制御により高抗
磁力を達成する技術の改良であつて、外部より、
強制的にガスを導入する方法の改良に関するもの
である。
磁力を達成する技術の改良であつて、外部より、
強制的にガスを導入する方法の改良に関するもの
である。
更に本発明は強磁性層を構成する元素の酸化物
により保護効果を改善した媒体を得るに適した方
法の提供を目指すものである。
により保護効果を改善した媒体を得るに適した方
法の提供を目指すものである。
一般に磁気記録に於て、短波長記録に、強磁性
金属薄膜を磁気記録層として用いることの有用性
は1960年代の後半より実験的に確認され、良く知
られるところである。
金属薄膜を磁気記録層として用いることの有用性
は1960年代の後半より実験的に確認され、良く知
られるところである。
しかしかかる媒体を実用レベルで利用する時、
問題は抗磁力を中心とした磁気特性の生産性を配
慮した領域での制御と、得られる媒体の腐食摩耗
に対する耐性の改良があげられる。従来この種の
問題は湿式めつき法、蒸着法のいずれの方法で得
た強磁性膜についても共通の課題であり、抗磁力
の制御には湿式めつき法では主としてめつき浴の
化学組成の安定化、蒸着法では、いわゆる斜方蒸
着が主としてとられていた。
問題は抗磁力を中心とした磁気特性の生産性を配
慮した領域での制御と、得られる媒体の腐食摩耗
に対する耐性の改良があげられる。従来この種の
問題は湿式めつき法、蒸着法のいずれの方法で得
た強磁性膜についても共通の課題であり、抗磁力
の制御には湿式めつき法では主としてめつき浴の
化学組成の安定化、蒸着法では、いわゆる斜方蒸
着が主としてとられていた。
しかし両者に共通していえる欠点は、生産性が
極めて低い点にある。例えば蒸着でCo100％の磁
性層で抗磁力800〔‥Ｏｅ〕を実現するには、入射角
の制限を75゜〜80゜にする必要があり、電子ビーム
を集束して突沸寸前の電力密度を投入して、蒸発
速度を高めても、厚さ0.15μmの磁性層を得るに
は、２〜3m／minの基板移動速度にしかならな
いことから伺い知れる。
極めて低い点にある。例えば蒸着でCo100％の磁
性層で抗磁力800〔‥Ｏｅ〕を実現するには、入射角
の制限を75゜〜80゜にする必要があり、電子ビーム
を集束して突沸寸前の電力密度を投入して、蒸発
速度を高めても、厚さ0.15μmの磁性層を得るに
は、２〜3m／minの基板移動速度にしかならな
いことから伺い知れる。
又一方、耐蝕性、耐摩耗性の問題の解決のため
に従来とられた方法の多くは、強磁性層の上に更
に別の保護層を設けるものであつた。
に従来とられた方法の多くは、強磁性層の上に更
に別の保護層を設けるものであつた。
例えばNi・Ｗ合金（特開昭51−43110号）、
Ni・Ｂ合金（特開昭52−2405公報）、Ni合金層を
熱処理により硬度をあげたもの（特開昭51−
102605号）、Ni・Cr合金（特開昭53−73108号）
等の合金薄膜を保護層とするもの、酸化物、炭化
物（特開昭50−104602号）、酸化物磁性体上にα
−Fe2O3系薄膜を保護層として配したもの（特開
昭51−59606号）、Si−Si酸化物（特開昭52−
127203号）、磁性層との間にCrを介してのSi−Si
酸化物（特開昭52−127204号）、窒化ケイ素化合
物（特開昭55−73931号）、Laの硼化物層（特開
昭56−11626号）を保護層とするもの、有機物を
保護層とするもの、例えば飽和脂肪酸の単分子層
（特開昭50−7500号）、滑性液体層中に酸化防止剤
を含有させたもの（特開昭51−20805号）等が提
案されている。
Ni・Ｂ合金（特開昭52−2405公報）、Ni合金層を
熱処理により硬度をあげたもの（特開昭51−
102605号）、Ni・Cr合金（特開昭53−73108号）
等の合金薄膜を保護層とするもの、酸化物、炭化
物（特開昭50−104602号）、酸化物磁性体上にα
−Fe2O3系薄膜を保護層として配したもの（特開
昭51−59606号）、Si−Si酸化物（特開昭52−
127203号）、磁性層との間にCrを介してのSi−Si
酸化物（特開昭52−127204号）、窒化ケイ素化合
物（特開昭55−73931号）、Laの硼化物層（特開
昭56−11626号）を保護層とするもの、有機物を
保護層とするもの、例えば飽和脂肪酸の単分子層
（特開昭50−7500号）、滑性液体層中に酸化防止剤
を含有させたもの（特開昭51−20805号）等が提
案されている。
ところでこれらの技術も記録波長が数μmの間
は有効なものの、1μm以下の記録波長になると、
スペーシングロスの制約から、これらの保護層は
極めて薄く仕上げることが要求されることから保
護効果が急激に失われてくる。
は有効なものの、1μm以下の記録波長になると、
スペーシングロスの制約から、これらの保護層は
極めて薄く仕上げることが要求されることから保
護効果が急激に失われてくる。
即ち50Å〜100Å程度の前記保護層の厚みでは、
耐蝕性と耐摩耗性の両者に優れた改善を与えにく
く、このことは、相対速度3m／sec〜5m／secと
いう高速で回転するヘツドとの摺動に於て、より
深酷化しているのである。
耐蝕性と耐摩耗性の両者に優れた改善を与えにく
く、このことは、相対速度3m／sec〜5m／secと
いう高速で回転するヘツドとの摺動に於て、より
深酷化しているのである。
これらは強磁性層と保護層とが異なる材質であ
る点と、強磁性層の形成と独立の工程により保護
膜の形成を行つていることに改善すべき問題点を
有している。
る点と、強磁性層の形成と独立の工程により保護
膜の形成を行つていることに改善すべき問題点を
有している。
即ち自然環境下で長期間保存、使用されること
により媒体の受ける損傷は、目視かん察上、何の
変化もみられなくても、前記したように、高速回
転するヘツドに当接した時、保護層のはくりを引
き起すことが多く、この事実は異なる物質間の界
面の破壊を示しており改善が望まれるのである。
により媒体の受ける損傷は、目視かん察上、何の
変化もみられなくても、前記したように、高速回
転するヘツドに当接した時、保護層のはくりを引
き起すことが多く、この事実は異なる物質間の界
面の破壊を示しており改善が望まれるのである。
本発明は、前記した２点に主として考察を加
え、改良実験を重ねることによりなされたもの
で、強磁性層そのものの酸化物層を表面に形成す
る方法によるものである。
え、改良実験を重ねることによりなされたもの
で、強磁性層そのものの酸化物層を表面に形成す
る方法によるものである。
この方法は、付加的な物質を使用しないことか
ら安定性、信頼性の面で後述する利点を有してい
る。
ら安定性、信頼性の面で後述する利点を有してい
る。
ここで通常の磁気テープの製造工程では、50cm
以上の広幅の基材上に連続して磁性層を形成して
から所定の幅寸法にスリツトするのであるから、
本発明の別の目的は、幅方向、長手方向に酸化層
の厚み、質の制御を均一たらしめる方法の提供に
あることも前述の通りである。
以上の広幅の基材上に連続して磁性層を形成して
から所定の幅寸法にスリツトするのであるから、
本発明の別の目的は、幅方向、長手方向に酸化層
の厚み、質の制御を均一たらしめる方法の提供に
あることも前述の通りである。
なお本発明でいう蒸着には、真空蒸着、イオン
プレーテイング、スパツタリング等を含むもので
ある。
プレーテイング、スパツタリング等を含むもので
ある。
以下に図面を用い本発明を説明する。図は本発
明の実施例において用いられる蒸着装置を示す。
明の実施例において用いられる蒸着装置を示す。
なお図においては上室１６、下室１７の二室分
り形の捲き取り式蒸着機と類似の構成例を示して
あるが、これによらずとも後述の要件を満たす別
の装置によつても実施できるのは勿論である。
り形の捲き取り式蒸着機と類似の構成例を示して
あるが、これによらずとも後述の要件を満たす別
の装置によつても実施できるのは勿論である。
さて図に示すように、高分子成形物からなる基
板１は、送り出し軸１１より、捲き取り軸１２へ
移動する途中で、冷却用支持体に治つた状態で、
蒸着される。図では回転キヤン４が支持と冷却の
作用を行つている場合を示す。これに代るもので
エンドレスの回転ベルトに治わせることも可能で
あり、本発明に含まれる。
板１は、送り出し軸１１より、捲き取り軸１２へ
移動する途中で、冷却用支持体に治つた状態で、
蒸着される。図では回転キヤン４が支持と冷却の
作用を行つている場合を示す。これに代るもので
エンドレスの回転ベルトに治わせることも可能で
あり、本発明に含まれる。
蒸発源は蒸発源容器３と蒸発材料２で構成され
る。加熱は、誘導加熱、レーザビーム加熱、抵抗
加熱等があるが、電子ビーム加熱が最も適してい
る。蒸発材料２は電子ビーム衝撃により加熱気化
し、基板１へ差し向けられる。基板１は矢印Ａ方
向に移動しながら、高入射で蒸着されはじめ徐々
に入射角が小さくなり、磁性体の種類により必要
な抗磁力、角形比の選択を行い決定される入射角
で蒸着が終るよう仕組まれる。１８はそのための
マスクである。２０は仕切板、１９は遮へい板で
ある。上室１６、下室１７はそれぞれ独立した排
気系１５と１４で排気される。上室１６には必要
に応じてグロー処理を施すためのグロー処理装置
を配することもできるが、図では略してある。
る。加熱は、誘導加熱、レーザビーム加熱、抵抗
加熱等があるが、電子ビーム加熱が最も適してい
る。蒸発材料２は電子ビーム衝撃により加熱気化
し、基板１へ差し向けられる。基板１は矢印Ａ方
向に移動しながら、高入射で蒸着されはじめ徐々
に入射角が小さくなり、磁性体の種類により必要
な抗磁力、角形比の選択を行い決定される入射角
で蒸着が終るよう仕組まれる。１８はそのための
マスクである。２０は仕切板、１９は遮へい板で
ある。上室１６、下室１７はそれぞれ独立した排
気系１５と１４で排気される。上室１６には必要
に応じてグロー処理を施すためのグロー処理装置
を配することもできるが、図では略してある。
さて本発明の主眼点は、下室１７へのガス導入
にある。それは、複数個のノズルを用いることに
より達成される。即ち、図ではノズル５一個で代
表して示したが、フイルム基板１の幅方向に対し
て、以下に述べるように必要数複数組の導入機構
が配設されるのである。
にある。それは、複数個のノズルを用いることに
より達成される。即ち、図ではノズル５一個で代
表して示したが、フイルム基板１の幅方向に対し
て、以下に述べるように必要数複数組の導入機構
が配設されるのである。
ノズル５は、導入パイプ６の先端に配される。
導入パイプは大気側へ真空槽１３を貫通してお
り、バリアブルリーク弁７を通じて、導入量看視
部８を介して、ガス源１０へ接続される。９はガ
ス導入量のセンサで、具体的にはフローメータ８
のフロートを例えば磁性体で構成し、それを磁気
的に感知するようにしてある。
導入パイプは大気側へ真空槽１３を貫通してお
り、バリアブルリーク弁７を通じて、導入量看視
部８を介して、ガス源１０へ接続される。９はガ
ス導入量のセンサで、具体的にはフローメータ８
のフロートを例えば磁性体で構成し、それを磁気
的に感知するようにしてある。
センサ９からの感知信号を、弁７に連結した例
えばサーボモータに入力せしめ、ガス導入量を精
密に制御できるよう構成されている。ガス源１０
の定圧制御も行うがこれは略してある。
えばサーボモータに入力せしめ、ガス導入量を精
密に制御できるよう構成されている。ガス源１０
の定圧制御も行うがこれは略してある。
なおガス導入量の制御はこれによらずとも良い
が、それぞれ独立に制御するよう構成するのが良
い。幅方向のノズルの配設数は、ノズル位置にも
よるが、ひとつの目安は基板の幅10cmに対して１
個の割合ぐらいであれば、充分幅方向の均一性を
確保できるように構成できる。ノズルの位置の選
択には特別の限定はない。
が、それぞれ独立に制御するよう構成するのが良
い。幅方向のノズルの配設数は、ノズル位置にも
よるが、ひとつの目安は基板の幅10cmに対して１
個の割合ぐらいであれば、充分幅方向の均一性を
確保できるように構成できる。ノズルの位置の選
択には特別の限定はない。
なお各要素の位置説明の便宜上、図においてノ
ズルの孔位置を原点にしたＸ，Ｚ座標を表示す
る。
ズルの孔位置を原点にしたＸ，Ｚ座標を表示す
る。
次に具体的に本発明の実施例の説明を行う。
なおここで後述の実施例１〜実施例３に共通な
条件を列記する。
条件を列記する。
回転キヤン径：500mm、入射角90゜〜0゜、蒸発源
位置（300mm、−100mm）、蒸着の終る位置をPo
とするとPo（300mm、200mm）、フイルム幅500
mm、ノズル孔径1.0mm、ノズル幅方向配置数７
個（等間隔、即ち中心に１個配置しその左右に
100mm間隔で配置する。） 実施例 １ ポリエチレンテレフタレートフイルム（厚さ
10.5μm）を25m／minの速度で捲き取りながら
Co100％を電子ビーム加熱により蒸発させ、酸素
を各ノズルより、圧力1.5Kg／cm2で0.035／min
導入し、0.15μmの磁性層を形成した。回転キヤ
ンの温度は循環冷媒を−３℃に保持して制御し
た。
位置（300mm、−100mm）、蒸着の終る位置をPo
とするとPo（300mm、200mm）、フイルム幅500
mm、ノズル孔径1.0mm、ノズル幅方向配置数７
個（等間隔、即ち中心に１個配置しその左右に
100mm間隔で配置する。） 実施例 １ ポリエチレンテレフタレートフイルム（厚さ
10.5μm）を25m／minの速度で捲き取りながら
Co100％を電子ビーム加熱により蒸発させ、酸素
を各ノズルより、圧力1.5Kg／cm2で0.035／min
導入し、0.15μmの磁性層を形成した。回転キヤ
ンの温度は循環冷媒を−３℃に保持して制御し
た。
得られた磁性層を幅方向12点、長さ方向10点サ
ンプリングして、磁気特性、酸化層厚み、酸化層
の質、耐蝕性、耐摩耗性を調べたところ、抗磁
力、角形比は±５％以内、酸化層厚みは、±８％
で、酸化層の質は同じであつた。その結果耐蝕性
は例えば60℃95％RH環境下で８週間以上何の変
化もなかつた。
ンプリングして、磁気特性、酸化層厚み、酸化層
の質、耐蝕性、耐摩耗性を調べたところ、抗磁
力、角形比は±５％以内、酸化層厚みは、±８％
で、酸化層の質は同じであつた。その結果耐蝕性
は例えば60℃95％RH環境下で８週間以上何の変
化もなかつた。
実施例 ２
ポリエチレンテレフタレートフイルム（厚さ
12.5μm）を30m／minの速度で捲きとりながら
Co85％Ni15％を電子ビーム加熱により蒸発させ、
酸素を各ノズルより圧力２Kg／cm2で0.03／min
導入し、0.13μm厚の磁性層を形成した。回転キ
ヤンの循環冷媒温度は０℃とした。
12.5μm）を30m／minの速度で捲きとりながら
Co85％Ni15％を電子ビーム加熱により蒸発させ、
酸素を各ノズルより圧力２Kg／cm2で0.03／min
導入し、0.13μm厚の磁性層を形成した。回転キ
ヤンの循環冷媒温度は０℃とした。
実施例１の場合と同じサンプリングをして調べ
た結果、磁性層の抗磁力、角形比は±５％以内、
酸化層厚みは±７％で酸化層の質は同一で、耐蝕
性は60℃95％RHで９週間以上何の変化もなかつ
た。
た結果、磁性層の抗磁力、角形比は±５％以内、
酸化層厚みは±７％で酸化層の質は同一で、耐蝕
性は60℃95％RHで９週間以上何の変化もなかつ
た。
実施例 ３
ポリイミドフイルム（厚さ25μm）上に30m／
minの速度で、酸素を0.1／min（圧力１Kg／cm2）
導入しながら0.1μmの厚さに形成したCo75％
Ni25％から成る磁性層の抗磁力角形比の安定性
は±６％、酸化層厚みは±６％で酸化層の質は同
じであつた。
minの速度で、酸素を0.1／min（圧力１Kg／cm2）
導入しながら0.1μmの厚さに形成したCo75％
Ni25％から成る磁性層の抗磁力角形比の安定性
は±６％、酸化層厚みは±６％で酸化層の質は同
じであつた。
その結果耐蝕性は60℃95％OHで９週間以上何
の変化もなかつた。
の変化もなかつた。
以上の実施例１〜３で説明した磁性層を有する
媒体を1/4″幅のテープとしあらかじめλ＝0.8μ
の記録を行い100mずつリールに巻き込んで、そ
れぞれ前記環境下に放置したのち、６週間、12週
間の時点で再生を行つたが、目づまり、ドロツプ
アウトの増加もなく、耐摩耗性も極めて安定して
いた。
媒体を1/4″幅のテープとしあらかじめλ＝0.8μ
の記録を行い100mずつリールに巻き込んで、そ
れぞれ前記環境下に放置したのち、６週間、12週
間の時点で再生を行つたが、目づまり、ドロツプ
アウトの増加もなく、耐摩耗性も極めて安定して
いた。
次に回転キヤン径1000mm、入射角90゜〜20゜、蒸
発源位置（250mm、−100mm）、Po（300mm、200mm）、
フイルム幅500mm、ノズル孔径0.9mm、ノズル幅方
向配置数６個（端〜端間600mm）、の条件下で、ポ
リエチレンテレフタレートフイルム（厚さ12μm）
上に、Co80％Ni20％、Co70％Ni30％、Co50％
Fe50％、Co95％Rh5％、Co95％V5％のそれぞれ
について酸素導入量を0.02〜0.15／minの範囲
で変化させて、それぞれ厚さ0.06μm〜0.16μmの
範囲の磁性層を形成した。
発源位置（250mm、−100mm）、Po（300mm、200mm）、
フイルム幅500mm、ノズル孔径0.9mm、ノズル幅方
向配置数６個（端〜端間600mm）、の条件下で、ポ
リエチレンテレフタレートフイルム（厚さ12μm）
上に、Co80％Ni20％、Co70％Ni30％、Co50％
Fe50％、Co95％Rh5％、Co95％V5％のそれぞれ
について酸素導入量を0.02〜0.15／minの範囲
で変化させて、それぞれ厚さ0.06μm〜0.16μmの
範囲の磁性層を形成した。
以上のようにして形成したそれぞれの磁性層の
性能は実施例１〜３の場合とほぼ同一であつた。
性能は実施例１〜３の場合とほぼ同一であつた。
又、回転キヤンの代りに、SUS304からなる0.6
mm厚のエンドレスベルト（幅60cm、周長2m）を
冷却用支持体として、それに沿わせて高分子成形
物基板を移動させて、磁性層を形成しても効果は
同じであつた。
mm厚のエンドレスベルト（幅60cm、周長2m）を
冷却用支持体として、それに沿わせて高分子成形
物基板を移動させて、磁性層を形成しても効果は
同じであつた。
又、イオンプレーテイングとして、高周波コイ
ル（２ターン、直径40cm）を直径300mmのキヤン
と蒸発源とのほぼ中間位置に配設し、フイルム幅
25cmでCo80％Ni220％、Co95％W5％、Co100％
について、それぞれ導入酸素条件0.015／min、
入射角15゜以上とし、0.1μm厚の磁性層を形成し
た。その時のフイルム速度は15m／min、高周波
電力は13.56MHzで450Wであつた。
ル（２ターン、直径40cm）を直径300mmのキヤン
と蒸発源とのほぼ中間位置に配設し、フイルム幅
25cmでCo80％Ni220％、Co95％W5％、Co100％
について、それぞれ導入酸素条件0.015／min、
入射角15゜以上とし、0.1μm厚の磁性層を形成し
た。その時のフイルム速度は15m／min、高周波
電力は13.56MHzで450Wであつた。
このようににして得られた磁性膜も全く同様の
性能を示すことを確かめることができた。
性能を示すことを確かめることができた。
なお導入ガスの種類は酸素100％の場合につい
て詳述したがこれにこだわらないのは勿論であ
る。
て詳述したがこれにこだわらないのは勿論であ
る。
本発明は、蒸着長さが1000m以上になると更に
有用性が明確であり2000mについてλ＝0.8μの記
録再生により、出力の安定性±0.2dBを、3000m
については±0.3dB、4000mについても±0.2dB
を達成できることが各実施例について確認してい
る。
有用性が明確であり2000mについてλ＝0.8μの記
録再生により、出力の安定性±0.2dBを、3000m
については±0.3dB、4000mについても±0.2dB
を達成できることが各実施例について確認してい
る。
以上述べたように本発明によると、均質性およ
び耐蝕性にすぐれる磁気記録媒体が容易に得ら
れ、したがつて本発明は、特に高密度磁気記録に
用いる磁気記録媒体の製造に極めて有用である。
び耐蝕性にすぐれる磁気記録媒体が容易に得ら
れ、したがつて本発明は、特に高密度磁気記録に
用いる磁気記録媒体の製造に極めて有用である。
図は本発明の実施例において用いられる製造装
置を示す図である。 １……基板、２……蒸発材料、４……回転キヤ
ン、５……ノズル、７……リーク弁、１１……送
り出し軸、１２……捲き取り軸、１３……真空
槽、１６……上室、１７……下室。
置を示す図である。 １……基板、２……蒸発材料、４……回転キヤ
ン、５……ノズル、７……リーク弁、１１……送
り出し軸、１２……捲き取り軸、１３……真空
槽、１６……上室、１７……下室。
Claims (1)
- １ 真空系内において、冷却用支持体に沿つて移
動する高分子成形物基板上に、強磁性層を蒸着法
により形成する際、酸化性ガスを前記基板の幅方
向に配設され、個別に制御された複数個のノズル
を通し前記真空系内に導入することを特徴とする
磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56187560A JPS5888834A (ja) | 1981-11-20 | 1981-11-20 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56187560A JPS5888834A (ja) | 1981-11-20 | 1981-11-20 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5888834A JPS5888834A (ja) | 1983-05-27 |
| JPH0319621B2 true JPH0319621B2 (ja) | 1991-03-15 |
Family
ID=16208214
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56187560A Granted JPS5888834A (ja) | 1981-11-20 | 1981-11-20 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5888834A (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5841443A (ja) * | 1981-09-04 | 1983-03-10 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体の製法 |
-
1981
- 1981-11-20 JP JP56187560A patent/JPS5888834A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5888834A (ja) | 1983-05-27 |
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