JPH0156520B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0156520B2 JPH0156520B2 JP55044828A JP4482880A JPH0156520B2 JP H0156520 B2 JPH0156520 B2 JP H0156520B2 JP 55044828 A JP55044828 A JP 55044828A JP 4482880 A JP4482880 A JP 4482880A JP H0156520 B2 JPH0156520 B2 JP H0156520B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- anode
- grid
- filament
- power supply
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 10
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 5
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
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- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
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- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J35/00—X-ray tubes
- H01J35/02—Details
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は種々な分析装置に用いられるＸ線発生
装置に関する。
装置に関する。
Ｘ線発生装置はアノードと陰極フイラメントよ
りなつており、アノードは陰極フイラメント材料
の蒸着或はＸ線発生装置内の残溜ガスの付着によ
つて使用中に次第に表面が汚染されＸ線出力が低
下して来る。Ｘ線出力の低下はＸ線を用いる分析
装置の感度低下となつて表れる。Ｘ線発生装置が
開放管であれば分析装置を分解してＸ線発生装置
のアノード表面の清浄化は可能であるが実際上、
そのような作業は甚だ繁雑である。
りなつており、アノードは陰極フイラメント材料
の蒸着或はＸ線発生装置内の残溜ガスの付着によ
つて使用中に次第に表面が汚染されＸ線出力が低
下して来る。Ｘ線出力の低下はＸ線を用いる分析
装置の感度低下となつて表れる。Ｘ線発生装置が
開放管であれば分析装置を分解してＸ線発生装置
のアノード表面の清浄化は可能であるが実際上、
そのような作業は甚だ繁雑である。
従つて本発明はＸ線を用いる分析装置で、分析
装置を分解してＸ線発生装置を取出すようなこと
をしなくても、Ｘ線発生装置を分析装置に取付け
たまゝ外部からの操作のみによつてＸ線発生装置
のアノードの浄化ができるようにしたＸ線発生装
置を得ることを目的としてなされた。
装置を分解してＸ線発生装置を取出すようなこと
をしなくても、Ｘ線発生装置を分析装置に取付け
たまゝ外部からの操作のみによつてＸ線発生装置
のアノードの浄化ができるようにしたＸ線発生装
置を得ることを目的としてなされた。
本発明は陰極フイラメントの周囲にグリツドを
設け、切換えによつてアノードには陰極フイラメ
ントに対し負高圧及び正高圧の何れをも印加でき
るようにし、グリツドには陰極フイラメントに対
し正電圧を印加できるようにし、装置内にはイオ
ン生成用のガスを導入出来るようにしアノードを
イオン衝撃によつて清浄化し得るようにしたＸ線
発生装置を提供するものである。以下実施例によ
つて本発明を説明する。
設け、切換えによつてアノードには陰極フイラメ
ントに対し負高圧及び正高圧の何れをも印加でき
るようにし、グリツドには陰極フイラメントに対
し正電圧を印加できるようにし、装置内にはイオ
ン生成用のガスを導入出来るようにしアノードを
イオン衝撃によつて清浄化し得るようにしたＸ線
発生装置を提供するものである。以下実施例によ
つて本発明を説明する。
図は本発明をＸ線光電子分析装置に適用した実
施例を示す。１は分析装置の本体真空容器で排気
系２が接続されている。本体１内で点線で囲んだ
部分３がＸ線発生装置である。点線はＸ線発生装
置全体を指示するための図面上の便宜手段で具体
的に存在するものではない。Ｘ線発生装置はアノ
ードＡと陰極フイラメントＦとウエネルト電極Ｗ
とフイルタ板Ｓ、それに陰極フイラメントＦを囲
んで設けられたグリツドＧ及びリペラプレートＲ
よりなつている。こゝでグリツドＧとリペラプレ
ートＲとは本発明に特有のものである。４は試料
でアノードＡから放射されるＸ線に照射される。
Ｘ線照射によつて試料４から放出された光電子は
電子エネルギー分析器５に入射し、運動エネルギ
ーによつて選別されて検出器６に入射し検出され
る。７は検出器６の出力をエネルギーを横軸にと
つて記録する記録計である。９は本体１内にイオ
ン化用ガスを導入する管で、１０は管９に設けた
バルブである。
施例を示す。１は分析装置の本体真空容器で排気
系２が接続されている。本体１内で点線で囲んだ
部分３がＸ線発生装置である。点線はＸ線発生装
置全体を指示するための図面上の便宜手段で具体
的に存在するものではない。Ｘ線発生装置はアノ
ードＡと陰極フイラメントＦとウエネルト電極Ｗ
とフイルタ板Ｓ、それに陰極フイラメントＦを囲
んで設けられたグリツドＧ及びリペラプレートＲ
よりなつている。こゝでグリツドＧとリペラプレ
ートＲとは本発明に特有のものである。４は試料
でアノードＡから放射されるＸ線に照射される。
Ｘ線照射によつて試料４から放出された光電子は
電子エネルギー分析器５に入射し、運動エネルギ
ーによつて選別されて検出器６に入射し検出され
る。７は検出器６の出力をエネルギーを横軸にと
つて記録する記録計である。９は本体１内にイオ
ン化用ガスを導入する管で、１０は管９に設けた
バルブである。
８はＸ線発生装置の電源装置でＸ線発生用高圧
電源Pxと陰極フイラメントＦの加熱用電源Pfと
グリツドＧ用電源Pgとよりなる。Ｘ線発生用高
圧電源Pxは正端子ａと負端子ｂを有し、正端子
は正の０〜数十KVの電圧を出力し、負端子は負
の０〜数十KVの電圧を出力する。これらの高電
圧は切換スイツチSw１によつて正負何れかがア
ノードＡに印加されるようになつている。グリツ
ド用電源Pgは０〜数百Ｖの正の電圧を発生し、
切換スイツチSW２を接点ｃ側に接続することに
グリツドＧにその電圧が印加される。／スイツチ
Sw１，Sw２は連動させてあり、Sw１を端子ａ
に接触させたときSw２は接点ｄ側に接しSw１を
端子ｂに接触させたときSw２は接点ｃ側に接す
る。Ｘ線を発生させる場合はスイツチSW１を端
子ａ側に切換えスイツチSW２を接点ｄ側にす
る。このときアノードＡには正の高電圧が印加さ
れフイラメントＦから放射された電子は大体図示
ｅの軌跡を画いてアノードＡに衝突する。この実
施例では今の場合グリツドＧは高抵抗ｒを通して
アースされており、フイラメントＦから出た熱電
子が付着して負電位になりそれ自身ウエネルト電
極の作用を呈する。
電源Pxと陰極フイラメントＦの加熱用電源Pfと
グリツドＧ用電源Pgとよりなる。Ｘ線発生用高
圧電源Pxは正端子ａと負端子ｂを有し、正端子
は正の０〜数十KVの電圧を出力し、負端子は負
の０〜数十KVの電圧を出力する。これらの高電
圧は切換スイツチSw１によつて正負何れかがア
ノードＡに印加されるようになつている。グリツ
ド用電源Pgは０〜数百Ｖの正の電圧を発生し、
切換スイツチSW２を接点ｃ側に接続することに
グリツドＧにその電圧が印加される。／スイツチ
Sw１，Sw２は連動させてあり、Sw１を端子ａ
に接触させたときSw２は接点ｄ側に接しSw１を
端子ｂに接触させたときSw２は接点ｃ側に接す
る。Ｘ線を発生させる場合はスイツチSW１を端
子ａ側に切換えスイツチSW２を接点ｄ側にす
る。このときアノードＡには正の高電圧が印加さ
れフイラメントＦから放射された電子は大体図示
ｅの軌跡を画いてアノードＡに衝突する。この実
施例では今の場合グリツドＧは高抵抗ｒを通して
アースされており、フイラメントＦから出た熱電
子が付着して負電位になりそれ自身ウエネルト電
極の作用を呈する。
アノードの清浄化を行う場合はスイツチSw１
を端子ｂ側に切換え、スイツチSw２を接点ｃ側
にする。このようにするとグリツドＧは数100V
の正電位になり、アノードＡは負高電位になる。
フイラメントＦはウエネルト電極Ｗ、リペラプレ
ートＲと共に０電位（フイラメントはウエネルト
やリペラより平均して２〜3V高い）であり、フ
イラメントＦから放出された熱電子はグリツドＧ
に引かれて加速され、一部はグリツドＧに吸収さ
れるが大部分はグリツドＧを通過し、ウエネルト
Ｗ及びリペラＲ付近に至り反射される。かくして
電子はフイラメントＦとウエネルトＷ及びリペラ
Ｒとの間で往復振動を行いながら次第にグリツド
Ｇに流入して行く。他方アノード清浄化の場合は
バルブ１０を開いてイオン化用希ガスを本体１内
に導入する（排気系２は作動させたまゝにしてお
く）。導入されたガス分子はフイラメントＦとウ
エネルトＷ及びリペラＲとの間で振動している電
子と衝突しイオン化される。この場合電子が往復
運動を行つているので、導入ガスの本体１内の圧
力が低くてもイオン化される機会が増加してい
る。イオンの発生はグリツドＧの周辺で多く、グ
リツドＧがイオン光学的なイオン源となる。導入
ガスの圧力が余り高いと、イオン発生が過多とな
り、フイラメントＦの周囲に鞘を作るので却つて
好ましくない。導入ガスの本体１内の適当な圧力
は10-5torr位である。上述したようにしてイオン
発生源はイオン光学的にはグリツドＧと見なせ
る。このことは次のような意味を持つている。Ｘ
線発生の際グリツドＧは電子の付着によつて負電
位になつており、フイラメントＦから或る初速度
分布を持つて飛出した電子はグリツドＧの周辺に
溜つて空間電荷を形成し、そこが電位の谷になつ
て電子光学的な電子線源となつている。従つてＸ
線発生時の電子線源とアノード清浄化の場合のイ
オン源の位置が同じになる。そこでＸ線発生時と
絶対値が同じて負極性の電圧をアノードＡに印加
すると、イオンは電子と略同し軌道を画きイオン
はＸ線発生時の電子と同じ位置でアノードと衝突
することになる。アノードの清浄化はイオン衝撃
によるアノード表面のエツチング作用によつてい
るのであるから、実際にＸ線が発生している部位
を選択的にイオンエツチングできることによつて
アノードの清浄化が能率的に行えることになる。
を端子ｂ側に切換え、スイツチSw２を接点ｃ側
にする。このようにするとグリツドＧは数100V
の正電位になり、アノードＡは負高電位になる。
フイラメントＦはウエネルト電極Ｗ、リペラプレ
ートＲと共に０電位（フイラメントはウエネルト
やリペラより平均して２〜3V高い）であり、フ
イラメントＦから放出された熱電子はグリツドＧ
に引かれて加速され、一部はグリツドＧに吸収さ
れるが大部分はグリツドＧを通過し、ウエネルト
Ｗ及びリペラＲ付近に至り反射される。かくして
電子はフイラメントＦとウエネルトＷ及びリペラ
Ｒとの間で往復振動を行いながら次第にグリツド
Ｇに流入して行く。他方アノード清浄化の場合は
バルブ１０を開いてイオン化用希ガスを本体１内
に導入する（排気系２は作動させたまゝにしてお
く）。導入されたガス分子はフイラメントＦとウ
エネルトＷ及びリペラＲとの間で振動している電
子と衝突しイオン化される。この場合電子が往復
運動を行つているので、導入ガスの本体１内の圧
力が低くてもイオン化される機会が増加してい
る。イオンの発生はグリツドＧの周辺で多く、グ
リツドＧがイオン光学的なイオン源となる。導入
ガスの圧力が余り高いと、イオン発生が過多とな
り、フイラメントＦの周囲に鞘を作るので却つて
好ましくない。導入ガスの本体１内の適当な圧力
は10-5torr位である。上述したようにしてイオン
発生源はイオン光学的にはグリツドＧと見なせ
る。このことは次のような意味を持つている。Ｘ
線発生の際グリツドＧは電子の付着によつて負電
位になつており、フイラメントＦから或る初速度
分布を持つて飛出した電子はグリツドＧの周辺に
溜つて空間電荷を形成し、そこが電位の谷になつ
て電子光学的な電子線源となつている。従つてＸ
線発生時の電子線源とアノード清浄化の場合のイ
オン源の位置が同じになる。そこでＸ線発生時と
絶対値が同じて負極性の電圧をアノードＡに印加
すると、イオンは電子と略同し軌道を画きイオン
はＸ線発生時の電子と同じ位置でアノードと衝突
することになる。アノードの清浄化はイオン衝撃
によるアノード表面のエツチング作用によつてい
るのであるから、実際にＸ線が発生している部位
を選択的にイオンエツチングできることによつて
アノードの清浄化が能率的に行えることになる。
本発明Ｘ線発生装置は構造上は陰極の周囲にグ
リツドを設けて正電圧を印加できるようにし、ア
ノードに正負の高圧を印加できるようにすると共
に本体真空容器にイオン化用ガスを導入できるよ
うにしたもので、従来のＸ線発生装置に比し構造
上複雑化する程度は少なく、スイツチ切換えとバ
ルブ操作だけでアノードの清浄化が行えるので、
装置を一々分解してアノードを研磨すると云つた
方法に比し清浄化作業は著しく簡略化、能率化さ
れる。
リツドを設けて正電圧を印加できるようにし、ア
ノードに正負の高圧を印加できるようにすると共
に本体真空容器にイオン化用ガスを導入できるよ
うにしたもので、従来のＸ線発生装置に比し構造
上複雑化する程度は少なく、スイツチ切換えとバ
ルブ操作だけでアノードの清浄化が行えるので、
装置を一々分解してアノードを研磨すると云つた
方法に比し清浄化作業は著しく簡略化、能率化さ
れる。
図面は本発明の一実施例装置の縦断側面図であ
る。 １…本体真空容器、２…排気系、３…Ｘ線源、
４…試料、５…電子エネルギー分析器、６…検出
器、７…記録計、８…Ｘ線発生装置電源、９…イ
オン化用ガス導入管、Ａ…アノード、Ｆ…陰極フ
イラメント、Ｓ…フイルタ、Ｗ…ウエネルト電
極、Ｒ…リペラプレート、Ｇ…グリツド。
る。 １…本体真空容器、２…排気系、３…Ｘ線源、
４…試料、５…電子エネルギー分析器、６…検出
器、７…記録計、８…Ｘ線発生装置電源、９…イ
オン化用ガス導入管、Ａ…アノード、Ｆ…陰極フ
イラメント、Ｓ…フイルタ、Ｗ…ウエネルト電
極、Ｒ…リペラプレート、Ｇ…グリツド。
Claims (1)
- １ 排気系に接続された本体真空容器に任意にイ
オン化用ガスを導入し得る管を設け、上記本体内
にアノードと陰極フイラメントと、アノードと陰
極フイラメントとの間に設けたウエネルト電極
と、陰極フイラメントとウエネルト電極との間に
設けたグリツドとによつてＸ線発生部を構成し、
上記アノードに正負の電圧を任意に切換えて印加
し得る高圧電源と、フイラメント電源と、アノー
ドに負高圧を印加したときオンとなるスイツチを
介して上記グリツドに正電圧を印加する電源を設
けたＸ線発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4482880A JPS56141157A (en) | 1980-04-04 | 1980-04-04 | X-ray generator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4482880A JPS56141157A (en) | 1980-04-04 | 1980-04-04 | X-ray generator |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56141157A JPS56141157A (en) | 1981-11-04 |
| JPH0156520B2 true JPH0156520B2 (ja) | 1989-11-30 |
Family
ID=12702309
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4482880A Granted JPS56141157A (en) | 1980-04-04 | 1980-04-04 | X-ray generator |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56141157A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6558908B2 (ja) * | 2015-02-09 | 2019-08-14 | 株式会社大阪真空機器製作所 | Ｘ線発生装置用ターゲットマウントおよびこれを備えたｘ線発生装置 |
-
1980
- 1980-04-04 JP JP4482880A patent/JPS56141157A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56141157A (en) | 1981-11-04 |
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