JPH0159522B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0159522B2 JPH0159522B2 JP54057126A JP5712679A JPH0159522B2 JP H0159522 B2 JPH0159522 B2 JP H0159522B2 JP 54057126 A JP54057126 A JP 54057126A JP 5712679 A JP5712679 A JP 5712679A JP H0159522 B2 JPH0159522 B2 JP H0159522B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wavelength
- wafer
- laser beam
- optical system
- reflected light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/94—Investigating contamination, e.g. dust
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、検出点に対してその周囲の４方向の
斜め上方より偏向レーザを照射し、検出点からの
反射光の内特定偏向成分を抽出して回路パターン
が形成されたウエハ上に存在する異物を検出する
ようにしたウエハ異物検出装置に関するものであ
る。
斜め上方より偏向レーザを照射し、検出点からの
反射光の内特定偏向成分を抽出して回路パターン
が形成されたウエハ上に存在する異物を検出する
ようにしたウエハ異物検出装置に関するものであ
る。
一般にウエハには各種の回路パターンが存在す
るが、場合によつては異物も同時に存在すること
から、歩留り向上のためにもその異物を短時間内
に効率的に検出することが望まれている。従来こ
の種の検出にはレーザ光が用いられることが多い
が、第１図に示す如く単にレーザ光４をウエハ１
面に対し一定角度傾けて照射しただけでは、回路
パターン２からもまた異物３からも同時にレーザ
光４がそれぞれ反射光５，６として反射されるこ
とから、反射光５，６の区別が困難で、したがつ
て、異物３を検出することができない。そこで、
照射レーザ光としてＳ偏光レーザ光を使用し、回
路パターン２を有するウエハ上に存在する異物を
検瞬することが試みられていた。第２図ａ，ｂは
その原理を示したもので、第２図ａに示す如くウ
エハ７上に存する回路パターン８にＳ偏光レーザ
光１０を照射すれば回路パターン８の表面は滑ら
かであるところから、反射光１１もＳ偏光レーザ
光のままであり、したがつて、反射経路途中にＳ
偏光カツトフイルタ１３を配置すれば、反射光１
１は全てＳ偏向カツトフイルタ１３で遮断され、
透過光は存在しない。一方、第２図ｂに示す如く
異物９に対しても同様にＳ偏向レーザ光１０を照
射すれば、反射光中にはＳ偏光レーザ光の他にＰ
偏光レーザ光１２を含まれるようになる。これ
は、異物９表面は一般に粗いので、偏光が乱され
る結果Ｐ偏光レーザ光が発生するようになるから
である。したがつて、反射経路途中にＳ偏向カツ
トフイルタ１３を配置すれば、Ｓ偏向カツトフイ
ルタ１３を介する透過レーザ光１４はＰ偏光レー
ザ光１２のみとなり、これを検出すれば異物９の
検出が可能となるわけである。
るが、場合によつては異物も同時に存在すること
から、歩留り向上のためにもその異物を短時間内
に効率的に検出することが望まれている。従来こ
の種の検出にはレーザ光が用いられることが多い
が、第１図に示す如く単にレーザ光４をウエハ１
面に対し一定角度傾けて照射しただけでは、回路
パターン２からもまた異物３からも同時にレーザ
光４がそれぞれ反射光５，６として反射されるこ
とから、反射光５，６の区別が困難で、したがつ
て、異物３を検出することができない。そこで、
照射レーザ光としてＳ偏光レーザ光を使用し、回
路パターン２を有するウエハ上に存在する異物を
検瞬することが試みられていた。第２図ａ，ｂは
その原理を示したもので、第２図ａに示す如くウ
エハ７上に存する回路パターン８にＳ偏光レーザ
光１０を照射すれば回路パターン８の表面は滑ら
かであるところから、反射光１１もＳ偏光レーザ
光のままであり、したがつて、反射経路途中にＳ
偏光カツトフイルタ１３を配置すれば、反射光１
１は全てＳ偏向カツトフイルタ１３で遮断され、
透過光は存在しない。一方、第２図ｂに示す如く
異物９に対しても同様にＳ偏向レーザ光１０を照
射すれば、反射光中にはＳ偏光レーザ光の他にＰ
偏光レーザ光１２を含まれるようになる。これ
は、異物９表面は一般に粗いので、偏光が乱され
る結果Ｐ偏光レーザ光が発生するようになるから
である。したがつて、反射経路途中にＳ偏向カツ
トフイルタ１３を配置すれば、Ｓ偏向カツトフイ
ルタ１３を介する透過レーザ光１４はＰ偏光レー
ザ光１２のみとなり、これを検出すれば異物９の
検出が可能となるわけである。
第３図は、上記原理に係る２方向照射方式ウエ
ハ異物検出装置の概念を示したものである。図示
の如くウエハ１５上に存する異物９に対し２方向
斜め上方よりＳ偏光レーザ光１６，１７を照射す
れば、異物９からはＳ＋Ｐ偏光レーザ光１８が反
射されるので、これを対物レンズ１９で集光した
後Ｓ偏向カツトフイルタ２０でＳ偏光レーザ光の
みを遮断すれば、Ｐ偏光レーザ光２１のみが視野
限定用の絞り２２を介して光電変換素子２３で検
出され得、この検出出力をもつて異物の存在を知
ることができる。
ハ異物検出装置の概念を示したものである。図示
の如くウエハ１５上に存する異物９に対し２方向
斜め上方よりＳ偏光レーザ光１６，１７を照射す
れば、異物９からはＳ＋Ｐ偏光レーザ光１８が反
射されるので、これを対物レンズ１９で集光した
後Ｓ偏向カツトフイルタ２０でＳ偏光レーザ光の
みを遮断すれば、Ｐ偏光レーザ光２１のみが視野
限定用の絞り２２を介して光電変換素子２３で検
出され得、この検出出力をもつて異物の存在を知
ることができる。
しかし、本発明においては照射方向が一方向
（紙面内）であるところから、異物の向き如何に
よつては反射光の量が変化するという欠点があ
る。そこで第４図に示す如くＸ、Y4方向からＳ
偏光レーザ光２５，２６（他の２方向についても
同様）をウエハ２４上の異物２８に対して照射す
れば、そのような欠点は解消されると考えられ
る。しかしながら、反射光量は大きくなつてもＸ
方向のＳ偏光レーザ光２５が照射された異物２８
からはＳ偏光レーザ光２９とＰ偏光レーザ光２７
が反射され、また、Ｙ方向のＳ偏光レーザ光２６
に対しても異物２８からはＳ＋Ｐ偏光レーザ光
（Ｐは異物２８によつて乱された成分）が反射さ
れることになる。ここで注意すべきはＸ方向とＹ
方向とは直交するので、Ｙ方向におけるＳ、Ｐの
偏光レーザ光をＸ方向に置換すれば、90゜方向が
変化してそれぞれＰ、Ｓの偏光レーザ光となるこ
とである。即ち、Ｘ方向レーザ光照射においては
Ｓ＋Ｐ偏光レーザ光の中から異物２８によつて乱
された成分であるＰ偏光レーザ光を検出し、Ｙ方
向照射においてはＳ＋Ｐ偏光レーザ光の中からＳ
偏光レーザ光を検出する必要がある。しかし、Ｐ
偏光レーザ光とＳ偏光レーザ光とを抽出し得るフ
イルタ手段は存しないので、Ｘ方向、Ｙ方向から
同時にレーザ光を照射した状態では異物を検出す
ることはできないことになる。
（紙面内）であるところから、異物の向き如何に
よつては反射光の量が変化するという欠点があ
る。そこで第４図に示す如くＸ、Y4方向からＳ
偏光レーザ光２５，２６（他の２方向についても
同様）をウエハ２４上の異物２８に対して照射す
れば、そのような欠点は解消されると考えられ
る。しかしながら、反射光量は大きくなつてもＸ
方向のＳ偏光レーザ光２５が照射された異物２８
からはＳ偏光レーザ光２９とＰ偏光レーザ光２７
が反射され、また、Ｙ方向のＳ偏光レーザ光２６
に対しても異物２８からはＳ＋Ｐ偏光レーザ光
（Ｐは異物２８によつて乱された成分）が反射さ
れることになる。ここで注意すべきはＸ方向とＹ
方向とは直交するので、Ｙ方向におけるＳ、Ｐの
偏光レーザ光をＸ方向に置換すれば、90゜方向が
変化してそれぞれＰ、Ｓの偏光レーザ光となるこ
とである。即ち、Ｘ方向レーザ光照射においては
Ｓ＋Ｐ偏光レーザ光の中から異物２８によつて乱
された成分であるＰ偏光レーザ光を検出し、Ｙ方
向照射においてはＳ＋Ｐ偏光レーザ光の中からＳ
偏光レーザ光を検出する必要がある。しかし、Ｐ
偏光レーザ光とＳ偏光レーザ光とを抽出し得るフ
イルタ手段は存しないので、Ｘ方向、Ｙ方向から
同時にレーザ光を照射した状態では異物を検出す
ることはできないことになる。
本発明の目的は、回路パターン等が形成された
ウエハ上の表面に異物が存在するか否かを、上記
回路パターンを異物と誤認識することなく、異物
の向き、方向に殆ど無関係に見逃すことなく安定
して、しかもウエハ全面に亘つて連続して迅速に
高信頼度でもつて簡単に検出できるようにしたウ
エハ異物検出装置を提供することにある。
ウエハ上の表面に異物が存在するか否かを、上記
回路パターンを異物と誤認識することなく、異物
の向き、方向に殆ど無関係に見逃すことなく安定
して、しかもウエハ全面に亘つて連続して迅速に
高信頼度でもつて簡単に検出できるようにしたウ
エハ異物検出装置を提供することにある。
即ち、本発明は上記目的を達成するために、ウ
エハ上面に亘つて検出点を走査する走査手段と、
第１の波長λ1を有し、且つ第１の直線偏向成分を
有するレーザ光を、Ｘ軸の相対向する２方向の斜
め上方より上記検出点に向けて照射する第１のレ
ーザ光照射手段と、上記第１の波長λ1と異なる第
２の波長λ2を有し、且つ第２の直線偏向成分を有
するレーザ光を、Ｙ軸の相対向する２方向の斜め
上方より上記検出点に向けて照射する第２のレー
ザ光照射手段と、上記ウエハ上の検出点から得ら
れる反射光を集光すべくウエハ面に略垂直な光軸
を有する集光光学系と、該集光光学系によつて集
光された反射光を第１の波長と第２の波長とに分
離する波長分離光学系と、該波長分離光学系によ
つて分離された第１の波長を有する反射光に対し
て第１の直線偏向成分を遮光する第１の偏向カツ
トフイルタと、該第１の偏向カツトフイルタを通
過した反射光を受光する第１の光電変換素子と、
上記波長分離光学系によつて分離された第２の波
長を有する反射光に対して第２の直線偏向成分を
遮光する第２の偏向カツトフイルタと、該第２の
偏向カツトフイルタを通過した反射光を受光する
第２の光電変換素子と、上記第１及び第２の光電
変換素子の各々から得られる出力信号を加算する
加算手段とを備え付け、該加算手段から得られる
信号によつてウエハ表面に存在する異物を検出す
るように構成したことを特徴とするウエハ異物検
出装置である。
エハ上面に亘つて検出点を走査する走査手段と、
第１の波長λ1を有し、且つ第１の直線偏向成分を
有するレーザ光を、Ｘ軸の相対向する２方向の斜
め上方より上記検出点に向けて照射する第１のレ
ーザ光照射手段と、上記第１の波長λ1と異なる第
２の波長λ2を有し、且つ第２の直線偏向成分を有
するレーザ光を、Ｙ軸の相対向する２方向の斜め
上方より上記検出点に向けて照射する第２のレー
ザ光照射手段と、上記ウエハ上の検出点から得ら
れる反射光を集光すべくウエハ面に略垂直な光軸
を有する集光光学系と、該集光光学系によつて集
光された反射光を第１の波長と第２の波長とに分
離する波長分離光学系と、該波長分離光学系によ
つて分離された第１の波長を有する反射光に対し
て第１の直線偏向成分を遮光する第１の偏向カツ
トフイルタと、該第１の偏向カツトフイルタを通
過した反射光を受光する第１の光電変換素子と、
上記波長分離光学系によつて分離された第２の波
長を有する反射光に対して第２の直線偏向成分を
遮光する第２の偏向カツトフイルタと、該第２の
偏向カツトフイルタを通過した反射光を受光する
第２の光電変換素子と、上記第１及び第２の光電
変換素子の各々から得られる出力信号を加算する
加算手段とを備え付け、該加算手段から得られる
信号によつてウエハ表面に存在する異物を検出す
るように構成したことを特徴とするウエハ異物検
出装置である。
以下、本発明を第５図、第６図により説明す
る。
る。
先ず第５図は、本発明に検出装置の一例での機
械的構成を示したものである。図示の如くＸ方向
照射系に１対の波長λ1のＳ偏光レーザ発振器（例
えば波長6328ÅのHe−Neレーザ発振器）３０
を、また、Ｙ方向照射系に１対の波長λ2偏光レー
ザ発振器（例えば波長8333Åの半導体レーザ発振
器）３１を用い、これらからのＳ偏光レーザ光
（但し、Ｓ偏光レーザ発振器３１からのレーザ光
はＸ方向からみてＰ偏光レーザ光）をウエハ３２
上の検出点４３に照射すれば、ウエハ３２上から
はパターンや異物によつてレーザ光が乱反射され
ることになる。これを対物レンズ３３、検出領域
制限用のスリツト３４、リレーレンズ３５を介し
て集光した後、ダイクロイツクミラー３６によつ
て波長λ1のレーザ光成分を透過させ、波長λ2のレ
ーザ光成分を反射させるようにする。これが波長
別のレーザ光の分離抽出である。このうち、波長
λ1の透過レーザ光成分に対してはＳ偏向カツトフ
イルタ３９によつてそのうちより更にＰ偏光レー
ザ光成分３７のみを抽出し、光電素子４１によつ
て検出されるようにする。また、波長λ2の反射レ
ーザ光成分についても同様にそのうちより更にＰ
偏光（Ｘ方向に対して）カツトフイルタ４０によ
つてＳ偏光レーザ光成分３８のみを抽出し、光電
素子４２によつて検出されるようにする。このよ
うにすれば各光電素子４１，４２の出力はＸ方
向、Ｙ方向からの異物検出出力を表わすので、こ
れらを単純に加算することによつてその大きさよ
り異物の存否を判断し得るものである。
械的構成を示したものである。図示の如くＸ方向
照射系に１対の波長λ1のＳ偏光レーザ発振器（例
えば波長6328ÅのHe−Neレーザ発振器）３０
を、また、Ｙ方向照射系に１対の波長λ2偏光レー
ザ発振器（例えば波長8333Åの半導体レーザ発振
器）３１を用い、これらからのＳ偏光レーザ光
（但し、Ｓ偏光レーザ発振器３１からのレーザ光
はＸ方向からみてＰ偏光レーザ光）をウエハ３２
上の検出点４３に照射すれば、ウエハ３２上から
はパターンや異物によつてレーザ光が乱反射され
ることになる。これを対物レンズ３３、検出領域
制限用のスリツト３４、リレーレンズ３５を介し
て集光した後、ダイクロイツクミラー３６によつ
て波長λ1のレーザ光成分を透過させ、波長λ2のレ
ーザ光成分を反射させるようにする。これが波長
別のレーザ光の分離抽出である。このうち、波長
λ1の透過レーザ光成分に対してはＳ偏向カツトフ
イルタ３９によつてそのうちより更にＰ偏光レー
ザ光成分３７のみを抽出し、光電素子４１によつ
て検出されるようにする。また、波長λ2の反射レ
ーザ光成分についても同様にそのうちより更にＰ
偏光（Ｘ方向に対して）カツトフイルタ４０によ
つてＳ偏光レーザ光成分３８のみを抽出し、光電
素子４２によつて検出されるようにする。このよ
うにすれば各光電素子４１，４２の出力はＸ方
向、Ｙ方向からの異物検出出力を表わすので、こ
れらを単純に加算することによつてその大きさよ
り異物の存否を判断し得るものである。
第６図は、その存否判断のための光電素子出力
信号処理回路の例を示したものである。図示の如
く光電素子４９，５０（第５図における光電素子
４１，４２に相当）の出力をそれぞれ増幅器５
１，５２によつて増幅してから加算増幅器５３で
加算し、この加算出力にしきい値５４をかけ、コ
ンパレータ５５で値化して存否判断出力を２値化
信号５６として得るようにしたものである。この
２値化信号５６の出力状態をウエハ３２全面を走
査中監視すれば、異物がウエハ上に存しているか
否かが知り得るわけである。
信号処理回路の例を示したものである。図示の如
く光電素子４９，５０（第５図における光電素子
４１，４２に相当）の出力をそれぞれ増幅器５
１，５２によつて増幅してから加算増幅器５３で
加算し、この加算出力にしきい値５４をかけ、コ
ンパレータ５５で値化して存否判断出力を２値化
信号５６として得るようにしたものである。この
２値化信号５６の出力状態をウエハ３２全面を走
査中監視すれば、異物がウエハ上に存しているか
否かが知り得るわけである。
さて、異物がウエハ上に存しているか否かをウ
エハ全面に亘つて知るには、ウエハ全面をレーザ
光によつて走査する必要がある。本例での走査は
以下のようにして行なわれている。即ち、第５図
に示す如くベース４４上に電動機４６が取付され
た方向送りテーブル４５を設け、このＸ方向送り
テーブル４５上に電動機４６で回転駆動され、軸
受４７で支持されるウエハ台４８を設けるように
するものである。したがつて、ウエハ３２を載置
するウエハ台は回転されつつＸ方向に駆動される
が、その際顕微鏡やレーザ発振器３０，３１等は
ベース４４に対して相対的に固定されているの
で、検出点４３はウエハ３２全面を螺旋状に全面
走査することになる。
エハ全面に亘つて知るには、ウエハ全面をレーザ
光によつて走査する必要がある。本例での走査は
以下のようにして行なわれている。即ち、第５図
に示す如くベース４４上に電動機４６が取付され
た方向送りテーブル４５を設け、このＸ方向送り
テーブル４５上に電動機４６で回転駆動され、軸
受４７で支持されるウエハ台４８を設けるように
するものである。したがつて、ウエハ３２を載置
するウエハ台は回転されつつＸ方向に駆動される
が、その際顕微鏡やレーザ発振器３０，３１等は
ベース４４に対して相対的に固定されているの
で、検出点４３はウエハ３２全面を螺旋状に全面
走査することになる。
以上説明したように本発明によれば、従来異物
検出が不可能であつた回路パターンが形成された
ウエハ上に存在する異物を、上記回路パターンを
異物と誤認識することなく、異物の向き、方向に
殆ど無関係に見逃すことなく安定して、しかもウ
エハ全面に亘つて連続して迅速に高信頼度でもつ
て簡単に検出できるという効果を奏する。
検出が不可能であつた回路パターンが形成された
ウエハ上に存在する異物を、上記回路パターンを
異物と誤認識することなく、異物の向き、方向に
殆ど無関係に見逃すことなく安定して、しかもウ
エハ全面に亘つて連続して迅速に高信頼度でもつ
て簡単に検出できるという効果を奏する。
第１図は、偏光レーザ光によらない従来の異物
検出方式の説明図、第２図ａ，ｂは、偏光レーザ
光による異物検出方式の原理説明図、第３図は、
その原理に係る従来の２方向照射方式ウエハ異物
検出装置の概念図、第４図は、４方向照射方式の
ウエハ異物検出方式の説明図、第５図、第６図
は、本発明によるウエハ異物検出装置の一例での
機械的構成と光電検出信号処理回路を示す図であ
る。 ３０，３１……Ｓ偏光レーザ発振器、３２……
ウエハ、３３，３５……レンズ、３６……ダイク
ロイツクミラー、３９，４０……偏向カツトフイ
ルタ、４１，４２，４９，５０……光電素子、５
５……コンパレータ。
検出方式の説明図、第２図ａ，ｂは、偏光レーザ
光による異物検出方式の原理説明図、第３図は、
その原理に係る従来の２方向照射方式ウエハ異物
検出装置の概念図、第４図は、４方向照射方式の
ウエハ異物検出方式の説明図、第５図、第６図
は、本発明によるウエハ異物検出装置の一例での
機械的構成と光電検出信号処理回路を示す図であ
る。 ３０，３１……Ｓ偏光レーザ発振器、３２……
ウエハ、３３，３５……レンズ、３６……ダイク
ロイツクミラー、３９，４０……偏向カツトフイ
ルタ、４１，４２，４９，５０……光電素子、５
５……コンパレータ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ウエハ上面に亘つて検出点を走査する走査手
段と、第１の波長を有し、且つ第１の直線偏向成
分を有するレーザ光を、Ｘ軸の相対向する２方向
の斜め上方より上記検出点に向けて照射する第１
のレーザ光照射手段と、上記第１の波長と異なる
第２の波長を有し、且つ第２の直線偏向成分を有
するレーザ光を、Ｙ軸の相対向する２方向の斜め
上方より上記検出点に向けて照射する第２のレー
ザ光照射手段と、上記ウエハ上の検出点から得ら
れる反射光を集光すべくウエハ面に略垂直な光軸
を有する集光光学系と、該集光光学系によつて集
光された反射光を第１の波長と第２の波長とに分
離する波長分離光学系と、該波長分離光学系によ
つて分離された第１の波長を有する反射光に対し
て第１の直線偏向成分を遮光する第１の偏光カツ
トフイルタと、該第１の偏光カツトフイルタを通
過した反射光を受光する第１の光電変換素子と、
上記波長分離光学系によつて分離された第２の波
長を有する反射光に対して第２の直線偏向成分を
遮光する第２の偏向カツトフイルタと、該第２の
偏向カツトフイルタを通過した反射光を受光する
第２の光電変換素子と、上記第１及び第２の光電
変換素子の各々から得られる出力信号を加算する
加算手段とを備え付け、該加算手段から得られる
信号によつてウエハ表面に存在する異物を検出す
るように構成したことを特徴とするウエハ異物検
出装置。 ２ 上記走査手段は、上記試料を回転させながら
試料の半径方向に移動するように構成したことを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載のウエハ異
物検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5712679A JPS55149829A (en) | 1979-05-11 | 1979-05-11 | Detector for foreign matter in wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5712679A JPS55149829A (en) | 1979-05-11 | 1979-05-11 | Detector for foreign matter in wafer |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55149829A JPS55149829A (en) | 1980-11-21 |
| JPH0159522B2 true JPH0159522B2 (ja) | 1989-12-18 |
Family
ID=13046862
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5712679A Granted JPS55149829A (en) | 1979-05-11 | 1979-05-11 | Detector for foreign matter in wafer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS55149829A (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57128834A (en) * | 1981-02-04 | 1982-08-10 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Inspecting apparatus of foreign substance |
| JPS5887819A (ja) * | 1981-11-20 | 1983-05-25 | Hitachi Ltd | マスクパタ−ン欠陥検査装置 |
| JPS5982727A (ja) * | 1982-11-04 | 1984-05-12 | Hitachi Ltd | 異物検出方法及びその装置 |
| JPS60220940A (ja) * | 1983-05-20 | 1985-11-05 | Hitachi Ltd | 異物自動検査装置 |
| US4740079A (en) * | 1984-10-29 | 1988-04-26 | Hitachi, Ltd. | Method of and apparatus for detecting foreign substances |
| JPS61104659A (ja) * | 1984-10-29 | 1986-05-22 | Hitachi Ltd | 半導体固体撮像素子アレイ |
| JPS61104658A (ja) * | 1984-10-29 | 1986-05-22 | Hitachi Ltd | 半導体固体撮像素子アレイ |
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| JP3671822B2 (ja) | 2000-07-26 | 2005-07-13 | 株式会社日立製作所 | 欠陥検査方法および欠陥検査システム |
| US7480050B2 (en) * | 2006-02-09 | 2009-01-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic system, sensor, and method of measuring properties of a substrate |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52154688A (en) * | 1976-06-18 | 1977-12-22 | Nippon Steel Corp | Detection of faults on surface of metal plate moving at high speed |
-
1979
- 1979-05-11 JP JP5712679A patent/JPS55149829A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55149829A (en) | 1980-11-21 |
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