JPH0166700U - - Google Patents

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JPH0166700U
JPH0166700U JP1987162768U JP16276887U JPH0166700U JP H0166700 U JPH0166700 U JP H0166700U JP 1987162768 U JP1987162768 U JP 1987162768U JP 16276887 U JP16276887 U JP 16276887U JP H0166700 U JPH0166700 U JP H0166700U
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  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】 第１図は本考案の一実施例のブロツク図、第２
図は試験対象メモリ上のテストパターンを示すテ
ストパターン表示図、第３図は第１回目の書込み
で試験対象メモリ上に書込まれる情報を示す書込
みパターン表示図、第４図は第２回目の書込みで
試験対象メモリ上に書込まれる情報を示す書込み
パターン表示図である。 １……試験対象メモリ、２……メモリテスタ、
３……Ｘ側高電圧検出回路、４……Ｙ側高電圧検
出回路、５……Ｘ側最下位信号供給回路、６……
Ｙ側最下位信号供給回路、Ｘ０……Ｘアドレス最
下位回路、Ｙ０……Ｙアドレス最下位回路。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (A) Ｘ，Ｙの二次元アドレスで選択される位置
    にそれぞれ２値信号を記憶でき、すべてのアドレ
    スの情報を“１”にした当初の状態から、最小ア
    ドレスから最大アドレスまでの情報を交互に“０
    ”と“１”にしたテストパターンを書込んだ最終
    の状態に推移する試験対象メモリ、 (B) 最小アドレスから最大アドレスまでを順々
    に発生させて、それらのアドレスに情報“０”を
    書込む動作を２回実行し、その第１回目の動作中
    はＸアドレスの最下位ビツト線だけに平常の“１
    ”を示すアドレス信号より高い電圧を供給し、そ
    の第２回目の動作中はＹアドレスの最下位ビツト
    線だけに平常の“１”を示すアドレス信号より高
    い電圧を供給するメモリテスタ。 (C) 前記メモリテスタのＸアドレスの最下位ビ
    ツト線に接続して、前記第１回目の書込みで前記
    メモリテスタからＸアドレスの最下位ビツト線だ
    けに供給される平常の“１”を示すアドレス信号
    より高い供給電圧を検出して出力するＸ側高電圧
    検出回路、 (D) 前記メモリテスタのＹアドレスの最下位ビ
    ツト線に接続して、前記第２回目の書込みで前記
    メモリテスタからＹアドレスの最下位ビツト線だ
    けに供給される平常の“１”を示すアドレス信号
    より高い供給電圧を検出して出力するＹ側高電圧
    検出回路、 (E) 前記Ｘ側高電圧検出回路に出力がある前記
    第１回目の書込みでは、前記試験対象メモリのＸ
    アドレスの最下位ビツト線に“０”を示す信号を
    供給し、前記Ｙ側高電圧検出回路に出力がある前
    記第２回目の書込みでは、前記試験対象メモリの
    Ｘアドレスの最下位ビツト線に“１”を示す信号
    を供給するＸ側最下位信号供給回路、 (F) 前記Ｘ側高電圧検出回路に出力がある前記
    第１回目の書込みでは、前記試験対象メモリのＹ
    アドレスの最下位ビツト線に“０”を示す信号を
    供給し、前記Ｙ側高電圧検出回路に出力がある前
    記第２回目の書込みでは、前記試験対象メモリの
    Ｙアドレスの最下位ビツト線に“１”を示す信号
    を供給するＹ側最下位信号供給回路、 を備えることを特徴とするテストパターン書込み
    回路。
JP16276887U 1987-10-23 1987-10-23 Expired JPH0445200Y2 (ja)

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JP16276887U JPH0445200Y2 (ja) 1987-10-23 1987-10-23

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Publication Number Publication Date
JPH0166700U true JPH0166700U (ja) 1989-04-28
JPH0445200Y2 JPH0445200Y2 (ja) 1992-10-23

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ID=31446894

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JP16276887U Expired JPH0445200Y2 (ja) 1987-10-23 1987-10-23

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JPH0445200Y2 (ja) 1992-10-23

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