JPH0194657A - 半導体装置用電極・配線 - Google Patents
半導体装置用電極・配線Info
- Publication number
- JPH0194657A JPH0194657A JP62251488A JP25148887A JPH0194657A JP H0194657 A JPH0194657 A JP H0194657A JP 62251488 A JP62251488 A JP 62251488A JP 25148887 A JP25148887 A JP 25148887A JP H0194657 A JPH0194657 A JP H0194657A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- tungsten
- wiring
- electrode
- metals
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
- H10D64/60—Electrodes characterised by their materials
- H10D64/62—Electrodes ohmically coupled to a semiconductor
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置用電極配線に係り、特に化学気相成
長法により形成するタングステンおよびモリブデンに好
適な電極配線に関する。
長法により形成するタングステンおよびモリブデンに好
適な電極配線に関する。
［従来の技術〕
超高集積回路用微細電極、配線として、広く用いられて
きたＡｆｌ系配線にかわり、微細加工性、耐久耐ストレ
スマイグレーションおよび耐エレクトロマイグレーショ
ン性に優れたタングステンおよびモリブデン電極、配線
が注目されている。従来、素子段差上での被覆性の良い
特長に着目し、化学気相成長法によりシリコンおよび絶
縁物層上に直接該金属を堆積し電極・配線を形成する方
法が試みられている。それらについてはイクステンデイ
ド アブストラクト オン ザ １８ （１９８６イン
ターナシヨナル）コンファレンス オン ソリッド ス
テート デバイシイズ アンド マテリアルズ Ａ−１
０−３，（１９８６年）第４９９頁から５０２頁（Ｅｘ
ｔｅｎｄｅｄ ＡｂＳｔｒａｃｔｓ ｏｆ ｔｈｅｌ
８ｔｈ （１９８６Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ） Ｃ
ｏｎｆｅｒｅｎｃｅｏｎ ５ｏｌｉｄ ５ｔａｔｅ Ｄ
ｅｖｉｃｅｓ ａｎｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｔｏｋｙ
ｏ 。
きたＡｆｌ系配線にかわり、微細加工性、耐久耐ストレ
スマイグレーションおよび耐エレクトロマイグレーショ
ン性に優れたタングステンおよびモリブデン電極、配線
が注目されている。従来、素子段差上での被覆性の良い
特長に着目し、化学気相成長法によりシリコンおよび絶
縁物層上に直接該金属を堆積し電極・配線を形成する方
法が試みられている。それらについてはイクステンデイ
ド アブストラクト オン ザ １８ （１９８６イン
ターナシヨナル）コンファレンス オン ソリッド ス
テート デバイシイズ アンド マテリアルズ Ａ−１
０−３，（１９８６年）第４９９頁から５０２頁（Ｅｘ
ｔｅｎｄｅｄ ＡｂＳｔｒａｃｔｓ ｏｆ ｔｈｅｌ
８ｔｈ （１９８６Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ） Ｃ
ｏｎｆｅｒｅｎｃｅｏｎ ５ｏｌｉｄ ５ｔａｔｅ Ｄ
ｅｖｉｃｅｓ ａｎｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｔｏｋｙ
ｏ 。
１９８６、Ａ−１０−３，ＰＰ４９９−５０２゜１９８
６に詳しく述べられている。
６に詳しく述べられている。
上記従来技術はシリコン半導体装置に設けられているシ
リコン酸化物、りん硅酸ガラスあるいはボロン−りん硅
酸ガラスなど絶縁物上へのタングステンあるいはモリブ
デンの堆積が難しく、また堆積した場合においても、該
金属は上記絶縁物に対する接着力が弱く、半導体製造工
程で剥離するという問題があった。また該金属からなる
電極、配線においては、８００〜１０００℃の高温熱処
理工程で、りんあるいはボロンを含有した絶縁層からこ
れら元素が容易に該金属層内を拡散し、該金属とシリコ
ン層接触部の導通不良を生じるという問題があった。た
とえばタングステン電極とｐ十拡散層との接触部では、
絶縁膜中のりんがダンゲステン層を経由し、ｐ十拡散層
まで到達し。
リコン酸化物、りん硅酸ガラスあるいはボロン−りん硅
酸ガラスなど絶縁物上へのタングステンあるいはモリブ
デンの堆積が難しく、また堆積した場合においても、該
金属は上記絶縁物に対する接着力が弱く、半導体製造工
程で剥離するという問題があった。また該金属からなる
電極、配線においては、８００〜１０００℃の高温熱処
理工程で、りんあるいはボロンを含有した絶縁層からこ
れら元素が容易に該金属層内を拡散し、該金属とシリコ
ン層接触部の導通不良を生じるという問題があった。た
とえばタングステン電極とｐ十拡散層との接触部では、
絶縁膜中のりんがダンゲステン層を経由し、ｐ十拡散層
まで到達し。
電極−拡散層間絶縁抵抗を１０″″δΩ・口から１０−
８Ω・■まで増大させた。さらに、該金属からなる電極
・配線においては、熱処理により金属とシリコン層が容
易に反応し、反応に伴う体積収縮のため反応層が剥離す
るため、電極形式後約６００℃以上の熱処理をほどこせ
ないという問題があった。
８Ω・■まで増大させた。さらに、該金属からなる電極
・配線においては、熱処理により金属とシリコン層が容
易に反応し、反応に伴う体積収縮のため反応層が剥離す
るため、電極形式後約６００℃以上の熱処理をほどこせ
ないという問題があった。
本発明の目的は上記技術の問題点を解決したタングステ
ンあるいはモリブデン電極・配線を実現することにある
。
ンあるいはモリブデン電極・配線を実現することにある
。
上記目的は、シリコン層および絶縁層上にＮ ａ 。
Ｖａ、ＶＩａ族およびコバルト、テラケルなどの遷移金
属あるいはそれらのシリコン化合物を窒化物なしめた層
をあらかじめ形成した後、その上に化学蒸着法によりタ
ングステンあるいはモリブデンを堆積し、該金属と上記
窒化物を所望の電極・配線形状に加工することにより、
達成される。
属あるいはそれらのシリコン化合物を窒化物なしめた層
をあらかじめ形成した後、その上に化学蒸着法によりタ
ングステンあるいはモリブデンを堆積し、該金属と上記
窒化物を所望の電極・配線形状に加工することにより、
達成される。
該金属窒化物層はスパッタ法により所望窒化物からなる
スパッタ・ターゲットを用いて形成することができる。
スパッタ・ターゲットを用いて形成することができる。
また所定金属あるいはシリコン化合物ターゲットを用い
、−坦これらの層を形成した後、窒素ガスもしくはアン
モニアガス雰囲気で熱処理することにより金属窒化物が
得られる。またスパッタ法により形成した膜は、その形
成状件を最適化することにより絶縁物に対し強力な接着
力を有するようにできる。なおＩＶａ族金属あるいはそ
の化合物はシリコン酸化物系絶縁膜に対する接着力が強
いため、化学気相成長法により形成しても絶縁物層から
剥離することはない。このような金属窒化物膜上に化学
気相成長法で形成したタングステンおよびモリブデンは
接着力が強いため、従来技術の欠点であったこれら金属
からなる電極・配線の剥離の問題を生じない。また該金
属窒化物では、それを構成する金属あるいはシリコン化
合物と比較し、りんおよびボロンの拡散速度が１〜４桁
小さい。このため、該窒化物はりん、ボロン含有シリコ
ン酸化物からりん、ボロンのタングステンおよびモリブ
デン層への拡散の障壁となり、電極−拡散層間接触抵抗
の熱処理による増大を防止することができる。
、−坦これらの層を形成した後、窒素ガスもしくはアン
モニアガス雰囲気で熱処理することにより金属窒化物が
得られる。またスパッタ法により形成した膜は、その形
成状件を最適化することにより絶縁物に対し強力な接着
力を有するようにできる。なおＩＶａ族金属あるいはそ
の化合物はシリコン酸化物系絶縁膜に対する接着力が強
いため、化学気相成長法により形成しても絶縁物層から
剥離することはない。このような金属窒化物膜上に化学
気相成長法で形成したタングステンおよびモリブデンは
接着力が強いため、従来技術の欠点であったこれら金属
からなる電極・配線の剥離の問題を生じない。また該金
属窒化物では、それを構成する金属あるいはシリコン化
合物と比較し、りんおよびボロンの拡散速度が１〜４桁
小さい。このため、該窒化物はりん、ボロン含有シリコ
ン酸化物からりん、ボロンのタングステンおよびモリブ
デン層への拡散の障壁となり、電極−拡散層間接触抵抗
の熱処理による増大を防止することができる。
さらに、タングステンおよびモリブデン層とシリコン層
間に該金属窒化物層を設けることにより９００〜１００
０℃の高温熱処理によっても該金属層とシリコン層の反
応を抑止できる。これは１０００℃程度の高温熱処理を
経ても、該金属窒化物がシリコンおよびタングステン、
そしてモリブデンと急激な反応を生じないためである。
間に該金属窒化物層を設けることにより９００〜１００
０℃の高温熱処理によっても該金属層とシリコン層の反
応を抑止できる。これは１０００℃程度の高温熱処理を
経ても、該金属窒化物がシリコンおよびタングステン、
そしてモリブデンと急激な反応を生じないためである。
以下、本発明の実施例を第１図により説明する。
［実施例１コ
シリコン基板に設けられたｎウェル１ｙＰウエル２内の
所定領域にボロンを拡散したｐ十拡散層３およびひ素を
拡散したｎ十拡散層４を形成し、次に層間絶縁膜層６と
して、ボロンを１０ｍｏ１％。
所定領域にボロンを拡散したｐ十拡散層３およびひ素を
拡散したｎ十拡散層４を形成し、次に層間絶縁膜層６と
して、ボロンを１０ｍｏ１％。
りんを５ｍｏ１％含有したシリコン酸化物を６００ｎｍ
堆積した後、９００℃、３０分の窒素雰囲気中熱処理を
行なった０次にホトリソグラフィ技術、ドライエツチン
グ技術により０．５μｍから１．０μｍ径のコンタクト
孔を絶縁膜に開けた後、窒素ガスによりチタンターゲッ
トからチタンをスパッタ法により飛翔させ、コンタク孔
内の拡散層および上記絶縁膜上にチタン窒化物７を１１
００ｎ堆積した。
堆積した後、９００℃、３０分の窒素雰囲気中熱処理を
行なった０次にホトリソグラフィ技術、ドライエツチン
グ技術により０．５μｍから１．０μｍ径のコンタクト
孔を絶縁膜に開けた後、窒素ガスによりチタンターゲッ
トからチタンをスパッタ法により飛翔させ、コンタク孔
内の拡散層および上記絶縁膜上にチタン窒化物７を１１
００ｎ堆積した。
次に上記試料を化学気相成長装置の反応用真空室内に装
填し３００℃に加熱した後、真空室内にタングステン弗
化物ガスと水素を導入し、それらのガスを化学反応させ
、試料上に５００ｎｍのタングステン８を堆積した。こ
のように形成したタングステンとチタン窒化物層を通常
のホトリソグラフイ技術とイオウ弗化物を主成分とした
反応ガスを用いた異方性ドライエツチング技術により電
極・配線形状に加工した。最後にアルゴンガス中で、９
５０℃、３０分の熱処理を行ない半導体装置を作製した
。この装置作製過程の熱処理工程でタングステンの剥離
は生せず、チタン窒化物とタングステンおよびシリコン
基板との顕著な反応は観察されなかった。またタングス
テン電極・配線とｎ＋およびｐ十拡散層間の接触抵抗は
ともに５×１０−７Ω・ｄ以下と良好な値を示し、オー
ミック特性を示した。これはチタン窒化物のりん、ボロ
ン含有シリコン酸化物からタングステン層への不純物拡
散に対する障壁効果による。なお上記チタン窒化物のか
わりにジルコニウム、ハフニウム。
填し３００℃に加熱した後、真空室内にタングステン弗
化物ガスと水素を導入し、それらのガスを化学反応させ
、試料上に５００ｎｍのタングステン８を堆積した。こ
のように形成したタングステンとチタン窒化物層を通常
のホトリソグラフイ技術とイオウ弗化物を主成分とした
反応ガスを用いた異方性ドライエツチング技術により電
極・配線形状に加工した。最後にアルゴンガス中で、９
５０℃、３０分の熱処理を行ない半導体装置を作製した
。この装置作製過程の熱処理工程でタングステンの剥離
は生せず、チタン窒化物とタングステンおよびシリコン
基板との顕著な反応は観察されなかった。またタングス
テン電極・配線とｎ＋およびｐ十拡散層間の接触抵抗は
ともに５×１０−７Ω・ｄ以下と良好な値を示し、オー
ミック特性を示した。これはチタン窒化物のりん、ボロ
ン含有シリコン酸化物からタングステン層への不純物拡
散に対する障壁効果による。なお上記チタン窒化物のか
わりにジルコニウム、ハフニウム。
タンタルバナジウム、ニオビウムの窒化物についても同
様の実験を試みた結果、はとんど同様の効果が得られた
。
様の実験を試みた結果、はとんど同様の効果が得られた
。
［実施例２］
本実例では実施例１のタングステンのかわりに、モリブ
デン塩化物源を用い化学気相成長法により、モリブデン
暎８を金属窒化物７上に堆積した。窒化物としてはコバ
ルトを５０ｎｍスパッタ法で堆積した後、アンモニアガ
ス雰囲気中で熱処理し、コバルト窒化物を形成した。電
極・配線形成にあたっては、レジストをマスクとし、イ
オウ弗化物ガスを用いた異方性ドライエツチング技術に
より、まずモリブデン層を加工した。次に、これらをマ
スクとして、イオンシリング装置を用い、モリブデン層
と同一の形状にコバルト窒化物を加工し、電極・配線と
した。本実施例のコバルト窒化物も実施例１と同様の効
果を示した。またニッケル窒化物を同様の方法で形成し
、本発明の効果を確認した。がお、スパッタ法で形成し
たクロム、タングステン、モリブデンの窒化物は本実施
例と同様アンモニアガス熱処理により形成したが、その
電極・配線への加工は、その上に化学気相成長法で形成
したモリブデンあるいはタングステンと同時に加工した
。
デン塩化物源を用い化学気相成長法により、モリブデン
暎８を金属窒化物７上に堆積した。窒化物としてはコバ
ルトを５０ｎｍスパッタ法で堆積した後、アンモニアガ
ス雰囲気中で熱処理し、コバルト窒化物を形成した。電
極・配線形成にあたっては、レジストをマスクとし、イ
オウ弗化物ガスを用いた異方性ドライエツチング技術に
より、まずモリブデン層を加工した。次に、これらをマ
スクとして、イオンシリング装置を用い、モリブデン層
と同一の形状にコバルト窒化物を加工し、電極・配線と
した。本実施例のコバルト窒化物も実施例１と同様の効
果を示した。またニッケル窒化物を同様の方法で形成し
、本発明の効果を確認した。がお、スパッタ法で形成し
たクロム、タングステン、モリブデンの窒化物は本実施
例と同様アンモニアガス熱処理により形成したが、その
電極・配線への加工は、その上に化学気相成長法で形成
したモリブデンあるいはタングステンと同時に加工した
。
本発明によれば半導体装置上に化学的気相成長法により
形成したタングステンあるいはモリブデンの剥離を防止
でき、また層間絶縁膜およびシリコン基板内拡散層に含
有させたボロン、りん不純物の該金属内への拡散を抑止
できるため、電極−拡散層間の接触抵抗増大を防止でき
る効果がある。
形成したタングステンあるいはモリブデンの剥離を防止
でき、また層間絶縁膜およびシリコン基板内拡散層に含
有させたボロン、りん不純物の該金属内への拡散を抑止
できるため、電極−拡散層間の接触抵抗増大を防止でき
る効果がある。
さらに金属窒化物とシリコン層は１０００℃程度の高温
まで顕著な反応を示さないため、タングステンあるいは
モリブデン電極・配線を用いた半導体装置作製において
も、高温熱処理工程が可能となり、製造プロセスの自由
度が向上するという効果がある。
まで顕著な反応を示さないため、タングステンあるいは
モリブデン電極・配線を用いた半導体装置作製において
も、高温熱処理工程が可能となり、製造プロセスの自由
度が向上するという効果がある。
第１図は本発明の実施例を示す断面図である。
１・・・Ｓｉ基板に設けられたｎ型ウェル、２・・・ｐ
型ウェル、３・・・ｐ十拡散層、４・・・ｎ÷拡散層、
５・・・素子間分離絶縁膜、６・・・層間絶縁膜、７・
・・金属窒化物層、８・・・化学気相成長法により形成
したタンーテ゛９ う ／、、、ｆｌ’！ｌ−ウェル ８・−・ル砧方薯讐寄讐°゛
型ウェル、３・・・ｐ十拡散層、４・・・ｎ÷拡散層、
５・・・素子間分離絶縁膜、６・・・層間絶縁膜、７・
・・金属窒化物層、８・・・化学気相成長法により形成
したタンーテ゛９ う ／、、、ｆｌ’！ｌ−ウェル ８・−・ル砧方薯讐寄讐°゛
Claims (1)
- １、元素同期律表のIVａ、Ｖａ、VIａ族に属する金属、
ならびにコバルト、ニッケルなどの金属あるいはそれら
のシリコン化合物を窒化物ならしめ層上に化学的気相成
長法によりタングステンもしくはモリブデンを堆積し、
これらの層を所望の形状に加工したことを特徴とする半
導体装置用電極・配線。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62251488A JPH0194657A (ja) | 1987-10-07 | 1987-10-07 | 半導体装置用電極・配線 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62251488A JPH0194657A (ja) | 1987-10-07 | 1987-10-07 | 半導体装置用電極・配線 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0194657A true JPH0194657A (ja) | 1989-04-13 |
Family
ID=17223547
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62251488A Pending JPH0194657A (ja) | 1987-10-07 | 1987-10-07 | 半導体装置用電極・配線 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0194657A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03175626A (ja) * | 1989-12-04 | 1991-07-30 | Nmb Semiconductor:Kk | 集積回路およびその製法 |
| US6197702B1 (en) | 1997-05-30 | 2001-03-06 | Hitachi, Ltd. | Fabrication process of a semiconductor integrated circuit device |
| US7049187B2 (en) | 2001-03-12 | 2006-05-23 | Renesas Technology Corp. | Manufacturing method of polymetal gate electrode |
| US7053459B2 (en) | 2001-03-12 | 2006-05-30 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor integrated circuit device and process for producing the same |
| US7221056B2 (en) | 2003-09-24 | 2007-05-22 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor integrated circuit device and manufacturing method thereof |
| WO2021166935A1 (ja) | 2020-02-17 | 2021-08-26 | 保土谷化学工業株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| KR20210143110A (ko) | 2020-05-19 | 2021-11-26 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 성막 방법 및 성막 장치 |
-
1987
- 1987-10-07 JP JP62251488A patent/JPH0194657A/ja active Pending
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03175626A (ja) * | 1989-12-04 | 1991-07-30 | Nmb Semiconductor:Kk | 集積回路およびその製法 |
| US7122469B2 (en) | 1997-05-30 | 2006-10-17 | Hitachi, Ltd. | Fabrication process of a semiconductor integrated circuit device |
| US6503819B2 (en) | 1997-05-30 | 2003-01-07 | Hitachi, Ltd. | Fabrication process of a semiconductor integrated circuit device |
| US6528403B2 (en) | 1997-05-30 | 2003-03-04 | Hitachi, Ltd. | Fabrication process of a semiconductor integrated circuit device |
| US6784116B2 (en) | 1997-05-30 | 2004-08-31 | Hitachi, Ltd. | Fabrication process of a semiconductor integrated circuit device |
| US6987069B2 (en) | 1997-05-30 | 2006-01-17 | Hitachi, Ltd. | Fabrication process of a semiconductor integrated circuit device |
| US6197702B1 (en) | 1997-05-30 | 2001-03-06 | Hitachi, Ltd. | Fabrication process of a semiconductor integrated circuit device |
| US7300833B2 (en) | 2001-03-12 | 2007-11-27 | Renesas Technology Corp. | Process for producing semiconductor integrated circuit device |
| US7144766B2 (en) | 2001-03-12 | 2006-12-05 | Renesas Technology Corp. | Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device having polymetal gate electrode |
| US7049187B2 (en) | 2001-03-12 | 2006-05-23 | Renesas Technology Corp. | Manufacturing method of polymetal gate electrode |
| US7053459B2 (en) | 2001-03-12 | 2006-05-30 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor integrated circuit device and process for producing the same |
| US7375013B2 (en) | 2001-03-12 | 2008-05-20 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor integrated circuit device and process for manufacturing the same |
| US7632744B2 (en) | 2001-03-12 | 2009-12-15 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor integrated circuit device and process for manufacturing the same |
| US7221056B2 (en) | 2003-09-24 | 2007-05-22 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor integrated circuit device and manufacturing method thereof |
| WO2021166935A1 (ja) | 2020-02-17 | 2021-08-26 | 保土谷化学工業株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| KR20210143110A (ko) | 2020-05-19 | 2021-11-26 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 성막 방법 및 성막 장치 |
| US11549179B2 (en) | 2020-05-19 | 2023-01-10 | Tokyo Electron Limited | Film forming method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5893752A (en) | Process for forming a semiconductor device | |
| KR0172772B1 (ko) | 반도체 장치의 확산장벽용 산화루테늄막 형성 방법 | |
| JPH0736403B2 (ja) | 耐火金属の付着方法 | |
| JPS58115855A (ja) | 半導体装置およびその製造法 | |
| JP2809196B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH09186102A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0194657A (ja) | 半導体装置用電極・配線 | |
| EP0192646B1 (en) | Diffusion barrier layer for integrated-circuit devices | |
| US5013526A (en) | Superconducting alloys comprising tungsten, molybdenum, silicon and oxygen | |
| JP2950555B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0464226A (ja) | 金属フッ化膜を備えた電子装置 | |
| JPH05129231A (ja) | 電極配線 | |
| JPH06204170A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| US6579614B2 (en) | Structure having refractory metal film on a substrate | |
| JPH03147328A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02177427A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2542617B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3206527B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2932484B2 (ja) | 高融点金属多層膜形成法 | |
| US5350711A (en) | Method of fabricating high temperature refractory metal nitride contact and interconnect structure | |
| JPS6384154A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02235372A (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
| JPS62118525A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03278431A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0410572A (ja) | 半導体集積回路装置及びその製造方法 |