JPH0195527A - ワイヤボンデイング装置 - Google Patents
ワイヤボンデイング装置Info
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- JPH0195527A JPH0195527A JP62252991A JP25299187A JPH0195527A JP H0195527 A JPH0195527 A JP H0195527A JP 62252991 A JP62252991 A JP 62252991A JP 25299187 A JP25299187 A JP 25299187A JP H0195527 A JPH0195527 A JP H0195527A
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
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- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はリードフレーム上に固着された半導体素子とリ
ードフレームのインナーリードとを接続するワイヤボン
ディング装置に関し、特に、ボンディング部の酸化防止
用ガス吹出構造を備えたフレーム押え板に関するもので
ある。
ードフレームのインナーリードとを接続するワイヤボン
ディング装置に関し、特に、ボンディング部の酸化防止
用ガス吹出構造を備えたフレーム押え板に関するもので
ある。
従来、調合金製のリードフレームのインナーリードにワ
イヤボンディングを行なうにあたプ、ボンディング部の
表面酸化を防止するために酸化防止用の雰囲気ガスが半
導体素子およびインナーリード部に吹き付けられている
。この雰囲気ガスは、通常、リードフレームをヒートブ
ロック上に固定する押え板に形成された流路内を通り、
ボンディング部位に吹き付けられることになる。
イヤボンディングを行なうにあたプ、ボンディング部の
表面酸化を防止するために酸化防止用の雰囲気ガスが半
導体素子およびインナーリード部に吹き付けられている
。この雰囲気ガスは、通常、リードフレームをヒートブ
ロック上に固定する押え板に形成された流路内を通り、
ボンディング部位に吹き付けられることになる。
従来のこの種雰囲気ガス用流路を備えた押え板は第４図
ないし第６図に示すように構成されている。第４図は押
え板がリードフレームを固定した状態を示す側断面図、
第５図（ａ） 、 （ｂ）は従来の押え板本体を示す平
面図とＩＩＩ−ｎｕ線断面図、第６図（ａ＞−Ｔｏ）は
押え板本体に取付けられる蓋体を示す平面図−と■−■
線断面図である。これらの図において、符号１は半導体
素子、２はリードフレームで、この半導体素子１はリー
ドフレーム２のグイバット２ａ上に固着され、その表面
電極（図示せず）は金属細線３によってリードフレーム
２のインナーリード２ｂに接続されている。４は前記リ
ードフレーム２を支承し、かつ半導体素子（および９−
ドフレーム２を加熱するためのヒートブロックでアル。
ないし第６図に示すように構成されている。第４図は押
え板がリードフレームを固定した状態を示す側断面図、
第５図（ａ） 、 （ｂ）は従来の押え板本体を示す平
面図とＩＩＩ−ｎｕ線断面図、第６図（ａ＞−Ｔｏ）は
押え板本体に取付けられる蓋体を示す平面図−と■−■
線断面図である。これらの図において、符号１は半導体
素子、２はリードフレームで、この半導体素子１はリー
ドフレーム２のグイバット２ａ上に固着され、その表面
電極（図示せず）は金属細線３によってリードフレーム
２のインナーリード２ｂに接続されている。４は前記リ
ードフレーム２を支承し、かつ半導体素子（および９−
ドフレーム２を加熱するためのヒートブロックでアル。
５ バリー ）’フレーム２をヒートブロック４上に固
定するための押え板で、この押え板５は本体５ａと蓋体
５ｂ とから構成されておシ、本体５ａは第５図（ａ
） 、 （ｂ）に示すように、蓋体５ｂを支承する段部
５ｃが形成された凹部５ｄと、この凹部５ｄの底部に形
成され、半導体素子１およびインナーリード２ｂを囲む
窓部５ｅと、この窓部５ｅの−開ロ縁に形成された突起
部５ｆとからなｐｌまた、蓋体５ｂは第６図（ａ） 、
（ｂ）Ｋ示すように、前記本体５ａの窓部５ｅと対向
する窓部５ｇと、本体５ａの段部５ｃに当接するつば５
ｈとから構成されている。また、前記本体５ａの凹部５
ｄの深さは、との凹部５ｄ内に蓋体５ｂが挿入され段部
５Ｃによってつば５ｈが支承された際に、蓋体５ｂの底
面と凹部５ｄの底面との間に若干の間隙が生じる寸法を
もって形成されておシ、この間隙によって酸化防止用の
雰囲気ガスの流路６が′形成されている。７は雰囲気ガ
スボンベ（図示せず）に接続された雰囲気ガス吹込管で
、蓋体５ｂの上面と底面を連通する流入孔５１の開口部
分に取付けられている。すなわち、雰囲気ガスは第４図
中の矢印で示したように、雰囲気ガス吹込管１から取付
は口８、流路６を通り、窓部５ｅ、５Ｐ内に吹き出され
ることになる。９は金線を保持し、半導体素子１０表面
電極（図示せず）およびインナーリード２ｂに圧接させ
るためのキャピラリで、ＵＳホーン１０に取付けられて
いる。
定するための押え板で、この押え板５は本体５ａと蓋体
５ｂ とから構成されておシ、本体５ａは第５図（ａ
） 、 （ｂ）に示すように、蓋体５ｂを支承する段部
５ｃが形成された凹部５ｄと、この凹部５ｄの底部に形
成され、半導体素子１およびインナーリード２ｂを囲む
窓部５ｅと、この窓部５ｅの−開ロ縁に形成された突起
部５ｆとからなｐｌまた、蓋体５ｂは第６図（ａ） 、
（ｂ）Ｋ示すように、前記本体５ａの窓部５ｅと対向
する窓部５ｇと、本体５ａの段部５ｃに当接するつば５
ｈとから構成されている。また、前記本体５ａの凹部５
ｄの深さは、との凹部５ｄ内に蓋体５ｂが挿入され段部
５Ｃによってつば５ｈが支承された際に、蓋体５ｂの底
面と凹部５ｄの底面との間に若干の間隙が生じる寸法を
もって形成されておシ、この間隙によって酸化防止用の
雰囲気ガスの流路６が′形成されている。７は雰囲気ガ
スボンベ（図示せず）に接続された雰囲気ガス吹込管で
、蓋体５ｂの上面と底面を連通する流入孔５１の開口部
分に取付けられている。すなわち、雰囲気ガスは第４図
中の矢印で示したように、雰囲気ガス吹込管１から取付
は口８、流路６を通り、窓部５ｅ、５Ｐ内に吹き出され
ることになる。９は金線を保持し、半導体素子１０表面
電極（図示せず）およびインナーリード２ｂに圧接させ
るためのキャピラリで、ＵＳホーン１０に取付けられて
いる。
次に、このように構成された押え板５を使用してワイヤ
ボンディングする方法について説明する。
ボンディングする方法について説明する。
先ず、ヒートブロック４上に、あらかじめダイパラ）２
ｍに半導体素子１が固着されたリードフレーム２を載置
する。次で、半導体素子１およびインナーリード２ｂが
窓部５ｅＫよシ囲まれるように、押え板５によってリー
ドフレーム２をヒートブロック４に押付け、固定する。
ｍに半導体素子１が固着されたリードフレーム２を載置
する。次で、半導体素子１およびインナーリード２ｂが
窓部５ｅＫよシ囲まれるように、押え板５によってリー
ドフレーム２をヒートブロック４に押付け、固定する。
この際、押え板５の突起部５ｆがリードフレーム２のイ
ンナーリード部を押圧することになる。そして、雰囲気
ガスが雰囲気ガス吹込管７から流入孔Ｓｉ ｅ流路６を
介して押え板５の窓部５ｅ、５９内に吹き出され、ヒー
トブロック４の熱がリードフレーム２および半導体素子
１に伝導された後、ＵＳホー７１１およびキャピラリ９
によって押え板５の窓部５ｅ。
ンナーリード部を押圧することになる。そして、雰囲気
ガスが雰囲気ガス吹込管７から流入孔Ｓｉ ｅ流路６を
介して押え板５の窓部５ｅ、５９内に吹き出され、ヒー
トブロック４の熱がリードフレーム２および半導体素子
１に伝導された後、ＵＳホー７１１およびキャピラリ９
によって押え板５の窓部５ｅ。
５り内でワイヤボンディングが行なわれるととＫなる。
しかるに１このように構成された押え板５においては、
雰囲気ガスの流路が、押え板５の本体５ａにおける凹部
５ｄの底面と蓋体５ｂの底面との間に設けられた空間で
あるために、雰囲気ガスの流れる方向が定まらず、窓部
５ｅ、５９内に吹き出される雰囲気ガス量が場所によっ
て異なシ、また、雰囲気ガスが窓部５ｅ、５ｐ内に吹き
出される際に、窓部５９の上方の空気と混合されるため
半導体素子（およびインナーリード２ｂ付近の酸素濃度
を下げることができないので、ボンディング部の酸化を
防ぐことができず、安定したボンディングを行うことが
できないという問題があった。
雰囲気ガスの流路が、押え板５の本体５ａにおける凹部
５ｄの底面と蓋体５ｂの底面との間に設けられた空間で
あるために、雰囲気ガスの流れる方向が定まらず、窓部
５ｅ、５９内に吹き出される雰囲気ガス量が場所によっ
て異なシ、また、雰囲気ガスが窓部５ｅ、５ｐ内に吹き
出される際に、窓部５９の上方の空気と混合されるため
半導体素子（およびインナーリード２ｂ付近の酸素濃度
を下げることができないので、ボンディング部の酸化を
防ぐことができず、安定したボンディングを行うことが
できないという問題があった。
本発明に係るワイヤボンディング装置は、押え板の流路
を、窓部の上部周側部を囲む第一の凹溝と、窓部の周方
向に沿って複数形成され前記第一の凹溝から下方へ向か
って傾斜し窓部の下部周側部に開口する第二の凹溝とに
よって形成したものである。
を、窓部の上部周側部を囲む第一の凹溝と、窓部の周方
向に沿って複数形成され前記第一の凹溝から下方へ向か
って傾斜し窓部の下部周側部に開口する第二の凹溝とに
よって形成したものである。
酸化防止用ガスは第一の凹溝および第二の凹溝内を流れ
、半導体素子およびインナーリードに多方向から等しい
流量をもって直接吹き付けられる。
、半導体素子およびインナーリードに多方向から等しい
流量をもって直接吹き付けられる。
以下、その構成等を図に示す実施例によシ詳細に説明す
る。第１図は本発明に係る押え板がリードフレームを固
定した状態を示す側断面図、第２図（ａ） 、 （ｂ）
は押え板本体の平面図とＩ−Ｉ線断面図、第３図（ａ）
、 （ｂ）は押え板の蓋体の平面図と■−■線断面図
である。これらの図において前記従来例で説明した部材
と同一もしくは同等部材においては同一符号を付し、こ
こにおいて詳細な説明は省略する。これらの図において
、１１は本発明に係る押え板で、この押さえ板１１は本
体１１ｍ と蓋体１１ｂとから構成されておシ、本体１
１＆は第２図（ａ） 、 （ｂ）に示すように、後述す
る蓋体１１ｂのつばと対接する段部１１ｃ と、同じ
く蓋体１１ｂの傾斜面と対接する傾斜面１１ｄによって
前記段部１１ｅから下方に向うにつれ開口面積が次第に
小さく表るよう形成された凹部１１ｅと、との凹部１１
ｅ の底部に開口された窓部１１ｆ と、この窓部１１
ｆ の−開口縁に形成された突起部１１Ｆ とが形成さ
れている。また、蓋体１１ｂ は第３図（、）、缶）に
示すように、前記本体１１ａの段部１１ｃおよび傾斜面
１１ｄにそれぞれ対接するつげ１１ｈおよび傾斜面１１
ｉ が形成され、かつ本体１１ｍの窓部１１ｆに対向す
る窓部１１ｊが形成されている。なお、１１には前記つ
げ１１ｈの上面と裏面とを連通ずる流入孔である。１２
は酸化防止用の雰囲気ガスが吹き込まれる第一の凹溝で
、この第一の凹溝１２は本体１１＆の段部１１ｃに、凹
部１１ｄの周側部を囲むように途切れることなく一連に
形成されている。１３は雰囲気ガスを前記第一の凹溝１
２から窓部１１ｆ内に導くための第二 −の凹溝で
、この第二の凹溝１３は前記本体１１ｍの傾斜面１１ｄ
Ｋ沿って第一の凹溝１２と窓部１１ｆの下部局側部と
を連通ずるよう形成され、かつ窓部１１ｆの周方向に沿
って複数形成されている。
る。第１図は本発明に係る押え板がリードフレームを固
定した状態を示す側断面図、第２図（ａ） 、 （ｂ）
は押え板本体の平面図とＩ−Ｉ線断面図、第３図（ａ）
、 （ｂ）は押え板の蓋体の平面図と■−■線断面図
である。これらの図において前記従来例で説明した部材
と同一もしくは同等部材においては同一符号を付し、こ
こにおいて詳細な説明は省略する。これらの図において
、１１は本発明に係る押え板で、この押さえ板１１は本
体１１ｍ と蓋体１１ｂとから構成されておシ、本体１
１＆は第２図（ａ） 、 （ｂ）に示すように、後述す
る蓋体１１ｂのつばと対接する段部１１ｃ と、同じ
く蓋体１１ｂの傾斜面と対接する傾斜面１１ｄによって
前記段部１１ｅから下方に向うにつれ開口面積が次第に
小さく表るよう形成された凹部１１ｅと、との凹部１１
ｅ の底部に開口された窓部１１ｆ と、この窓部１１
ｆ の−開口縁に形成された突起部１１Ｆ とが形成さ
れている。また、蓋体１１ｂ は第３図（、）、缶）に
示すように、前記本体１１ａの段部１１ｃおよび傾斜面
１１ｄにそれぞれ対接するつげ１１ｈおよび傾斜面１１
ｉ が形成され、かつ本体１１ｍの窓部１１ｆに対向す
る窓部１１ｊが形成されている。なお、１１には前記つ
げ１１ｈの上面と裏面とを連通ずる流入孔である。１２
は酸化防止用の雰囲気ガスが吹き込まれる第一の凹溝で
、この第一の凹溝１２は本体１１＆の段部１１ｃに、凹
部１１ｄの周側部を囲むように途切れることなく一連に
形成されている。１３は雰囲気ガスを前記第一の凹溝１
２から窓部１１ｆ内に導くための第二 −の凹溝で
、この第二の凹溝１３は前記本体１１ｍの傾斜面１１ｄ
Ｋ沿って第一の凹溝１２と窓部１１ｆの下部局側部と
を連通ずるよう形成され、かつ窓部１１ｆの周方向に沿
って複数形成されている。
すなわち、この第二の凹溝１３．１３・・・は第一の凹
？１１１２から窓部１１ｆの幅方向および長手方向と平
行にかつ傾斜面１１ｄ上に沿って斜めに下降するよう形
成されている。
？１１１２から窓部１１ｆの幅方向および長手方向と平
行にかつ傾斜面１１ｄ上に沿って斜めに下降するよう形
成されている。
このように形成された押え板１１は、本体１１ａの段部
１１ｃ上に蓋体１１ｂのつば１１ｈを、凹部１１ｅの傾
斜面１１ｄ上に蓋体１１ｂの傾斜面１１ｉをそれぞれ当
接させて、本体１１ａの凹部１１ｅ内に蓋体１１ｂ を
取付けることによって組立てられ、この状態で、本体１
１ａ に形成された第一の凹溝１２および第二の凹溝１
３は蓋体１１ｂ によって上側開口部を閉塞されること
になシ、第一の凹溝１２および第二の凹溝１３からなる
雰囲気ガスの流路が形成されることになる。
１１ｃ上に蓋体１１ｂのつば１１ｈを、凹部１１ｅの傾
斜面１１ｄ上に蓋体１１ｂの傾斜面１１ｉをそれぞれ当
接させて、本体１１ａの凹部１１ｅ内に蓋体１１ｂ を
取付けることによって組立てられ、この状態で、本体１
１ａ に形成された第一の凹溝１２および第二の凹溝１
３は蓋体１１ｂ によって上側開口部を閉塞されること
になシ、第一の凹溝１２および第二の凹溝１３からなる
雰囲気ガスの流路が形成されることになる。
すなわち、雰囲気ガスは第１図中矢印で示したように、
雰囲気ガス吹込管７から流入孔１１ｋ。
雰囲気ガス吹込管７から流入孔１１ｋ。
第一の凹溝１２および第二の凹溝１３を通シ、押え板１
１の窓部１１ｆの下部周側部へ吹き出されるととＫなる
。したがって、この雰囲気ガスは半導体素子１およびイ
ンナーリード２ｂに多方向から等しい流量をもって直接
吹き付けられるととＫなる。
１の窓部１１ｆの下部周側部へ吹き出されるととＫなる
。したがって、この雰囲気ガスは半導体素子１およびイ
ンナーリード２ｂに多方向から等しい流量をもって直接
吹き付けられるととＫなる。
なお、本実施例では押え板１１０本体１１ａ Ｋ第一の
凹溝１２と第二の凹溝１３を形成した例を示したが、こ
れら第一、第二の凹溝１２ 、１’３は蓋体１１ｂ側に
形成してもよく、また、本体１１ｍか蓋体１１ｂのどち
らか一方に第一の凹溝１２を、他方に第二の凹溝１３を
形成してもよく、かつその逆に形成しても上記実施例と
同等の効果が得られる。
凹溝１２と第二の凹溝１３を形成した例を示したが、こ
れら第一、第二の凹溝１２ 、１’３は蓋体１１ｂ側に
形成してもよく、また、本体１１ｍか蓋体１１ｂのどち
らか一方に第一の凹溝１２を、他方に第二の凹溝１３を
形成してもよく、かつその逆に形成しても上記実施例と
同等の効果が得られる。
以上説明したように本発明によれば、押え板の酸化防止
用ガス流路を、窓部の上部周側部を囲む第一の凹溝と、
窓部の周方向に沿って複数形成され前記第一の凹溝から
下方へ向かって傾斜し窓部の下部周側部に開口する第二
の凹溝とによって形成したため、酸化防止用ガスは第一
の凹溝から第二の凹溝内を流れ、半導体素子およびイン
ナーリードに多方向から等しい流量をもって直接吹き付
けられることになるから、半導体素子およびインナーリ
ード付近の残留酸素濃度を均一に、かつ５００ｐｐｍ以
下に低く抑えることができるので、ボンディング部分の
酸化を窓部内金域にわたり防止でき、安定したボンディ
ングを行なうことができる。
用ガス流路を、窓部の上部周側部を囲む第一の凹溝と、
窓部の周方向に沿って複数形成され前記第一の凹溝から
下方へ向かって傾斜し窓部の下部周側部に開口する第二
の凹溝とによって形成したため、酸化防止用ガスは第一
の凹溝から第二の凹溝内を流れ、半導体素子およびイン
ナーリードに多方向から等しい流量をもって直接吹き付
けられることになるから、半導体素子およびインナーリ
ード付近の残留酸素濃度を均一に、かつ５００ｐｐｍ以
下に低く抑えることができるので、ボンディング部分の
酸化を窓部内金域にわたり防止でき、安定したボンディ
ングを行なうことができる。
第１図は本発明に係る押え板がリードフレームを固定し
た状態を示す側断面図、第２図（、） 、 （ｂ）は押
え板本体の平面図と！−１線断面図、第３図（、）、缶
）は押え板の蓋体の平面図と■−■線断面図、第４図は
従来の押え板がリードフレームを固定した状態を示す側
断面図、第５図（ａ） 、 （ｂ）は従来の押え板本体
を示す平面図と■−■線断面図、第６図（、） 、 （
ｂ）は押え板本体に取付けられる蓋体を示す平面図とｆ
Ｖ−ＩＶ線断面図である。 １・・・・半導体素子、２・・・・リードフレーム、２
ｂ ・・・・インナーリード、１１・・・・押え板、１
１ａ＠・Φ・本体、１１ｂ−、φ・蓋体、１１ｆ、１１
ｊ ・・・・窓部、１２・・Φ・第一の凹溝、１３・・
・・第二の凹溝。
た状態を示す側断面図、第２図（、） 、 （ｂ）は押
え板本体の平面図と！−１線断面図、第３図（、）、缶
）は押え板の蓋体の平面図と■−■線断面図、第４図は
従来の押え板がリードフレームを固定した状態を示す側
断面図、第５図（ａ） 、 （ｂ）は従来の押え板本体
を示す平面図と■−■線断面図、第６図（、） 、 （
ｂ）は押え板本体に取付けられる蓋体を示す平面図とｆ
Ｖ−ＩＶ線断面図である。 １・・・・半導体素子、２・・・・リードフレーム、２
ｂ ・・・・インナーリード、１１・・・・押え板、１
１ａ＠・Φ・本体、１１ｂ−、φ・蓋体、１１ｆ、１１
ｊ ・・・・窓部、１２・・Φ・第一の凹溝、１３・・
・・第二の凹溝。
Claims (1)
- 本体および蓋体とからなり、リードフレーム上の半導
体素子とインナーリードとを囲む窓部および前記本体と
蓋体との間に形成され窓部に酸化防止用ガスを供給する
流路を有し、かつリードフレームを固定する押え板を備
えたワイヤボンディング装置において、前記流路を、前
記窓部の上部周側部を囲む第一の凹溝と、窓部の周方向
に沿つて複数形成され前記第一の凹溝から下方へ向かつ
て傾斜し窓部の下部周側部に開口する第二の凹溝とによ
つて形成したことを特徴とするワイヤボンディング装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62252991A JPH0195527A (ja) | 1987-10-07 | 1987-10-07 | ワイヤボンデイング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62252991A JPH0195527A (ja) | 1987-10-07 | 1987-10-07 | ワイヤボンデイング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0195527A true JPH0195527A (ja) | 1989-04-13 |
Family
ID=17244979
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62252991A Pending JPH0195527A (ja) | 1987-10-07 | 1987-10-07 | ワイヤボンデイング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0195527A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5014900A (en) * | 1990-03-08 | 1991-05-14 | Texas Instruments Incorporated | Deep access bond head |
| JP2003007760A (ja) * | 2001-06-27 | 2003-01-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 認識装置、ボンディング装置および回路装置の製造方法 |
| CN100383911C (zh) * | 2004-01-22 | 2008-04-23 | 先进科技新加坡有限公司 | 用于减少电子器件氧化的系统 |
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