JPH0195562A - 不揮発性記憶装置の製造方法 - Google Patents
不揮発性記憶装置の製造方法Info
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- JPH0195562A JPH0195562A JP62252938A JP25293887A JPH0195562A JP H0195562 A JPH0195562 A JP H0195562A JP 62252938 A JP62252938 A JP 62252938A JP 25293887 A JP25293887 A JP 25293887A JP H0195562 A JPH0195562 A JP H0195562A
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- silicon oxide
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- nitride film
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ＭＮＯＳ （金属−窒化シリコン膜−酸化シ
リコン膜−半導体）型電界効果トランジスタから成る不
揮発性記憶装置の製造方法、特に、記憶保持特性の優れ
たＭＮＯ８型不揮発性記憶装置を、安定かつ制御性良く
、しかも高い生産性をもって製造することを可能にする
製造方法を提供するものである。
リコン膜−半導体）型電界効果トランジスタから成る不
揮発性記憶装置の製造方法、特に、記憶保持特性の優れ
たＭＮＯ８型不揮発性記憶装置を、安定かつ制御性良く
、しかも高い生産性をもって製造することを可能にする
製造方法を提供するものである。
従来の技術
ＭＮＯ８型不揮発性記憶装置は、窒化シリコン膜と酸化
シリコン膜の界面、または窒化シリコン膜中に、半導体
側からトンネリング媒体となる酸化シリコン膜を介して
行なわれる電荷の注入と、その蓄積によシ、トランジス
タのしきい値電圧（ｖｔｈ）を変化させ、情報を記憶さ
せるものであり、特に、その記憶保持特性を安定に確保
することが、ＭＮＯ８型不揮発性記憶装置にとって実用
上の最大の問題となっている。
シリコン膜の界面、または窒化シリコン膜中に、半導体
側からトンネリング媒体となる酸化シリコン膜を介して
行なわれる電荷の注入と、その蓄積によシ、トランジス
タのしきい値電圧（ｖｔｈ）を変化させ、情報を記憶さ
せるものであり、特に、その記憶保持特性を安定に確保
することが、ＭＮＯ８型不揮発性記憶装置にとって実用
上の最大の問題となっている。
ＭＮＯ８型不揮発性記憶装置の記憶保持特性は一般に次
式で表わすことができる。
式で表わすことができる。
ただし、ＯＮは窒化シリコン膜中に蓄積された流れる電
流、ＩＮは熱的な励起によシ、トラップ間または窒化シ
リコンの伝導帯または価電子帯との間の遷移を経てゲー
ト電極に流れる電流である。
流、ＩＮは熱的な励起によシ、トラップ間または窒化シ
リコンの伝導帯または価電子帯との間の遷移を経てゲー
ト電極に流れる電流である。
上式かられかるように、記憶保持特性をよくするために
は、ＩＯおよびＩＮをできるだけ小さくすればよい。と
ころで、ＩＯおよびＩＮが影響を受けるパラメータとし
て、以下のものがあげられる。
は、ＩＯおよびＩＮをできるだけ小さくすればよい。と
ころで、ＩＯおよびＩＮが影響を受けるパラメータとし
て、以下のものがあげられる。
（１）酸化シリコン膜の厚さ
（２）電荷の蓄積されたトラップの分布（３）蓄積され
た電荷量 （４）窒化シリコン膜の電気伝導度 （５）酸化シリコン膜−半導体界面および、酸化シリコ
ン膜−窒化シリコン膜界面の状態上記のパラメータの中
の一つである窒化シリコン膜の電気伝導度にのみ着目し
た場合には、ゲート絶縁膜である窒化シリコン膜の電気
伝導度が低ければ低いほどＭＮＯ３型不揮発性記憶装置
の記憶保持特性が改善されると言える。しかしながら、
電荷トラップ量と窒化シリコン膜の電気伝導度とはほぼ
比例関係にあシ、十分なΔｖｔｈ （シきい値電圧の変
化量）を得るためには、電荷トラップ量の多い窒化シリ
コン膜、すなわち、電気伝導度の高い窒化シリコン膜を
用いなければならない。
た電荷量 （４）窒化シリコン膜の電気伝導度 （５）酸化シリコン膜−半導体界面および、酸化シリコ
ン膜−窒化シリコン膜界面の状態上記のパラメータの中
の一つである窒化シリコン膜の電気伝導度にのみ着目し
た場合には、ゲート絶縁膜である窒化シリコン膜の電気
伝導度が低ければ低いほどＭＮＯ３型不揮発性記憶装置
の記憶保持特性が改善されると言える。しかしながら、
電荷トラップ量と窒化シリコン膜の電気伝導度とはほぼ
比例関係にあシ、十分なΔｖｔｈ （シきい値電圧の変
化量）を得るためには、電荷トラップ量の多い窒化シリ
コン膜、すなわち、電気伝導度の高い窒化シリコン膜を
用いなければならない。
従来は、窒化シリコン膜として単層膜を用いておシ、上
記の相反する関係にある要件を満足させることができず
、このため、記憶保持特性の大幅な改善は期待できない
現状にある。
記の相反する関係にある要件を満足させることができず
、このため、記憶保持特性の大幅な改善は期待できない
現状にある。
また、従来は酸化シリコン膜成長炉と窒化シリコン膜を
成長させるにあたり異なる炉を使用しているため、酸化
シリコン膜形成後の半導体基板が一度炉外の雰囲気にさ
らされることになる。
成長させるにあたり異なる炉を使用しているため、酸化
シリコン膜形成後の半導体基板が一度炉外の雰囲気にさ
らされることになる。
発明が解決しようとする問題点
不揮発性記憶装置にとって重要な特性である大きなしき
い値電圧の変化量Δｖｔｈと、良好な記憶保持特性を得
るには、窒化シリコン膜の電気伝導度特性として相反す
る特性が必要とされる。このため、単相膜の構造によっ
てΔｖｔｈと記憶保持特性をともに改善することは、現
状では困難となっている。
い値電圧の変化量Δｖｔｈと、良好な記憶保持特性を得
るには、窒化シリコン膜の電気伝導度特性として相反す
る特性が必要とされる。このため、単相膜の構造によっ
てΔｖｔｈと記憶保持特性をともに改善することは、現
状では困難となっている。
さらに、酸化シリコン膜の形成後に半導体基板が炉外の
雰囲気にさらされると、酸化シリコン膜表面に新た彦自
然酸化膜が形成され、目標とする膜厚を超過すること、
酸化シリコン膜表面が汚染され、表面状態に化学的組成
変化が生じること、酸化シリコン膜表面にダスト等の微
粒子が付着し、局部的な界面状態の異常が発生すること
などの問題点を生じる可能性が高い。従って、製造され
たＭＮＯ８型不揮発性記憶装置の記憶保持特性の悪化お
よび、製造ロフト間あるいは、各製品ごと間における記
憶保持特性の大きなばらつきなどの問題の発生が避けら
れず、記憶保持特性のすぐれたＭＮＯＢ型不揮型性揮発
性記憶装置御性および再現性良く、安定に供給すること
が困難となっていた。
雰囲気にさらされると、酸化シリコン膜表面に新た彦自
然酸化膜が形成され、目標とする膜厚を超過すること、
酸化シリコン膜表面が汚染され、表面状態に化学的組成
変化が生じること、酸化シリコン膜表面にダスト等の微
粒子が付着し、局部的な界面状態の異常が発生すること
などの問題点を生じる可能性が高い。従って、製造され
たＭＮＯ８型不揮発性記憶装置の記憶保持特性の悪化お
よび、製造ロフト間あるいは、各製品ごと間における記
憶保持特性の大きなばらつきなどの問題の発生が避けら
れず、記憶保持特性のすぐれたＭＮＯＢ型不揮型性揮発
性記憶装置御性および再現性良く、安定に供給すること
が困難となっていた。
問題点を解決するための手段
本発明の製造方法では、前記第１の問題点に対処するた
めに、窒化シリコン膜の形成にあたシ、化学組成比の異
なる比較的電気伝導度の高い窒化シリコン膜と、比較的
電気伝導度の低い窒化シリコン膜を積層させる工程を含
み、また、前記第２の問題点に対処するために半導体基
板上に極薄の酸化シリコン膜を成長した後、半導体基板
を炉外に出すことなく、同一炉内で連続して窒化シリコ
ン膜を気相成長させる工程を含むことを特徴とするもの
である。
めに、窒化シリコン膜の形成にあたシ、化学組成比の異
なる比較的電気伝導度の高い窒化シリコン膜と、比較的
電気伝導度の低い窒化シリコン膜を積層させる工程を含
み、また、前記第２の問題点に対処するために半導体基
板上に極薄の酸化シリコン膜を成長した後、半導体基板
を炉外に出すことなく、同一炉内で連続して窒化シリコ
ン膜を気相成長させる工程を含むことを特徴とするもの
である。
作 用
本発明の製造方法によれば、Δｖｔｈを大きくするため
に必要とされる比較的電気伝導度の高い窒化シリコン膜
と、記憶保持特性を向上させるために必要とされる比較
的電気伝導度の低い窒化シリコン膜を、連続して積層さ
せることができる。また、極薄の酸化シリコン膜と窒化
シリコン膜を、同一成長炉内で連続して成長することに
より、酸化シリコン膜の形成後に外部雰囲気にさらされ
ることもない。
に必要とされる比較的電気伝導度の高い窒化シリコン膜
と、記憶保持特性を向上させるために必要とされる比較
的電気伝導度の低い窒化シリコン膜を、連続して積層さ
せることができる。また、極薄の酸化シリコン膜と窒化
シリコン膜を、同一成長炉内で連続して成長することに
より、酸化シリコン膜の形成後に外部雰囲気にさらされ
ることもない。
実施例
、以下に本発明の製造方法の具体的な実施例を図面を用
いて説明する。第１図は、本発明の一実施例を説明する
ための工程図である。第１図Ａに示すように、例えばＮ
型シリコン基板１に、Ｐ型不純物を選択的に拡散してソ
ース領域２とドレイン領域３を形成し、さらに、この拡
散時に形成された酸化シリコン膜４の所定部分をフォト
エツチングして開孔を形成する。次に、温度７５０℃の
酸累算囲気中で酸化して第１図Ｂに示すように、上記の
開孔部内に２０Ａ程度の薄い酸化シリコン膜６を形成す
る。次いで、同一炉内を減圧し、酸化シリコン膜５の上
に、ジクロルシラン（ａｉｌ（２（Ｊ２）とアンモニア
（ＮＩ（３）の化学反応に基づく気相成長法によって、
膜質の異なる窒化シリコン膜６及び７を連続して形成す
る。本実施例では、まず、温度７５０’Ｃ１ＮＨ３／５
ｉＨ２（Ｊ２＝５ 、圧力３００〜４００ｍＴｏｒｒ
の減圧下で比較的電気伝導度の高い第１の窒化シリコン
膜６を約２００人の厚さニ成長シ、続イテ、温度７６０
℃、 ＮＨ３／５ｉＨ２（Ｊ２＝５０．圧力５００〜６
００ ｍ Ｔｏｒｒ ｃ７）減圧下で比較的電気伝導度
の低い第２の窒化シリコン膜７を、約３００人の厚さに
成長させた。次に、第１図Ｃに示すように、ゲート電極
としてアルミニウム薄膜８を通常の蒸着法により約１．
０μｍの厚さ被着させた。この後は、通常のＭＯＳプロ
セスに従って、ＭＮＯ８型不揮発性記憶装置を完成させ
た。
いて説明する。第１図は、本発明の一実施例を説明する
ための工程図である。第１図Ａに示すように、例えばＮ
型シリコン基板１に、Ｐ型不純物を選択的に拡散してソ
ース領域２とドレイン領域３を形成し、さらに、この拡
散時に形成された酸化シリコン膜４の所定部分をフォト
エツチングして開孔を形成する。次に、温度７５０℃の
酸累算囲気中で酸化して第１図Ｂに示すように、上記の
開孔部内に２０Ａ程度の薄い酸化シリコン膜６を形成す
る。次いで、同一炉内を減圧し、酸化シリコン膜５の上
に、ジクロルシラン（ａｉｌ（２（Ｊ２）とアンモニア
（ＮＩ（３）の化学反応に基づく気相成長法によって、
膜質の異なる窒化シリコン膜６及び７を連続して形成す
る。本実施例では、まず、温度７５０’Ｃ１ＮＨ３／５
ｉＨ２（Ｊ２＝５ 、圧力３００〜４００ｍＴｏｒｒ
の減圧下で比較的電気伝導度の高い第１の窒化シリコン
膜６を約２００人の厚さニ成長シ、続イテ、温度７６０
℃、 ＮＨ３／５ｉＨ２（Ｊ２＝５０．圧力５００〜６
００ ｍ Ｔｏｒｒ ｃ７）減圧下で比較的電気伝導度
の低い第２の窒化シリコン膜７を、約３００人の厚さに
成長させた。次に、第１図Ｃに示すように、ゲート電極
としてアルミニウム薄膜８を通常の蒸着法により約１．
０μｍの厚さ被着させた。この後は、通常のＭＯＳプロ
セスに従って、ＭＮＯ８型不揮発性記憶装置を完成させ
た。
以上のようにして形成したＭＮＯ８型不揮発性記憶装置
の記憶保持特性の一例と他の方法で形成したＭＮＯ８型
不揮発性記憶装置の記憶保持特性を第２図に示す。なお
、図の横軸は、しきい値電圧、縦軸は蓄積された電荷の
減衰率（２Ｖｔｈ／２１層ｇｔ 、 Ｖｔｈ ； Ｌ
きい値電圧、ｔ；時間）であシ、この図の直線の傾きが
小さいほど記憶保持特性が優れている。本発明の製造方
法によ膜形成された不揮発性記憶装置の記憶保持特性（
直線９）は、常圧下の気相成長法のみを用いて単層の窒
化シリコン膜を形成した不揮発性記憶装置の記憶保持特
性（直線１０）および減圧下の気相成長法のみを用いて
単層の窒化シリコン膜を形成した不揮発性記憶装置の記
憶保持特性（直線１１）のいずれと比較しても傾きが小
さく、優れた記憶保持特性を有していることがわかる。
の記憶保持特性の一例と他の方法で形成したＭＮＯ８型
不揮発性記憶装置の記憶保持特性を第２図に示す。なお
、図の横軸は、しきい値電圧、縦軸は蓄積された電荷の
減衰率（２Ｖｔｈ／２１層ｇｔ 、 Ｖｔｈ ； Ｌ
きい値電圧、ｔ；時間）であシ、この図の直線の傾きが
小さいほど記憶保持特性が優れている。本発明の製造方
法によ膜形成された不揮発性記憶装置の記憶保持特性（
直線９）は、常圧下の気相成長法のみを用いて単層の窒
化シリコン膜を形成した不揮発性記憶装置の記憶保持特
性（直線１０）および減圧下の気相成長法のみを用いて
単層の窒化シリコン膜を形成した不揮発性記憶装置の記
憶保持特性（直線１１）のいずれと比較しても傾きが小
さく、優れた記憶保持特性を有していることがわかる。
また、本発明の製造方法によシ得られたＭＮＯ３型不揮
発性記憶装置と、極薄の酸化シリコン膜形成後、炉外の
雰囲気にさらし、あらためて別の成長炉にて、減圧気相
成長法によシ窒化シリコン膜を積層して成長させたＭＮ
Ｏ８型不揮発性記憶装置について、集積回路としての歩
留シを比較したところ、同一成長炉内で連続して酸化シ
リコン膜と窒化シリコン膜を形成した本発明の製造方法
による場合の方が、６〜１ｏｔｓ程度高い歩留シを示し
た。この差は、酸化シリコン膜形成後に一度炉外の雰囲
気にさらした場合、酸化シリコン膜表面に自然酸化膜が
成長すること、表面状態に化学的組成変化が起ること、
あるいは、表面に微粒子が付着して局部的な界面状態の
異常が発生することが原因となシ、メモリ特性に不良が
生じることによシもたらされるものと考えられる。本発
明の製造方法では、酸化シリコン膜の形成後に同一炉内
で連続して窒化シリコン膜が形成されるため、記憶特性
が極めて安定で、かつ、制御性がよく、しかも生産性の
高い半導体記憶装置の製造が可能となる。
発性記憶装置と、極薄の酸化シリコン膜形成後、炉外の
雰囲気にさらし、あらためて別の成長炉にて、減圧気相
成長法によシ窒化シリコン膜を積層して成長させたＭＮ
Ｏ８型不揮発性記憶装置について、集積回路としての歩
留シを比較したところ、同一成長炉内で連続して酸化シ
リコン膜と窒化シリコン膜を形成した本発明の製造方法
による場合の方が、６〜１ｏｔｓ程度高い歩留シを示し
た。この差は、酸化シリコン膜形成後に一度炉外の雰囲
気にさらした場合、酸化シリコン膜表面に自然酸化膜が
成長すること、表面状態に化学的組成変化が起ること、
あるいは、表面に微粒子が付着して局部的な界面状態の
異常が発生することが原因となシ、メモリ特性に不良が
生じることによシもたらされるものと考えられる。本発
明の製造方法では、酸化シリコン膜の形成後に同一炉内
で連続して窒化シリコン膜が形成されるため、記憶特性
が極めて安定で、かつ、制御性がよく、しかも生産性の
高い半導体記憶装置の製造が可能となる。
ところで、窒化シリコン膜成長時の温度、反応圧および
反応ガス流量比がＭＮＯ８型不揮発性記憶装置の記憶特
性に影響を及ぼすことは周知の事実であるが、本実施例
以外に減圧下で、温度Ｔｏ。
反応ガス流量比がＭＮＯ８型不揮発性記憶装置の記憶特
性に影響を及ぼすことは周知の事実であるが、本実施例
以外に減圧下で、温度Ｔｏ。
”Ｃ〜８００”Ｃ，流量比（ＮＨ３／Ｓ ＝ｋ１２Ｃ１
２）を第１層目の窒化シリコン膜の形成時に０．１〜１
００、第２層目の窒化シリコン膜の形成時に１０〜１０
０゜とし、この範囲内多種の窒化シリコン膜を積層した
場合と、常圧下で、温度７００”Ｃ〜８００’Ｃ。
２）を第１層目の窒化シリコン膜の形成時に０．１〜１
００、第２層目の窒化シリコン膜の形成時に１０〜１０
０゜とし、この範囲内多種の窒化シリコン膜を積層した
場合と、常圧下で、温度７００”Ｃ〜８００’Ｃ。
流量比（ＮＨ３／８ｔＨ４）を第１層目の窒化シリコン
膜の形成時に１〜１００、第２層目の窒化シリコン膜の
形成時に１００〜６０００とし、この範囲内で多種の窒
化シリコン膜を積層した場合について比較検討を行なっ
たが、いずれの場合でも本発明の効果が見い出された。
膜の形成時に１〜１００、第２層目の窒化シリコン膜の
形成時に１００〜６０００とし、この範囲内で多種の窒
化シリコン膜を積層した場合について比較検討を行なっ
たが、いずれの場合でも本発明の効果が見い出された。
なお、第１層目および第２層目の窒化シリコン膜として
上記の範囲内で条件設定を行うならば、常圧法及び減圧
法による窒化シリコン膜を組み合わせて積層してもよい
。
上記の範囲内で条件設定を行うならば、常圧法及び減圧
法による窒化シリコン膜を組み合わせて積層してもよい
。
本実施例では、化学組成比の異なる２層の窒化シリコン
膜を積層した例を示したが、同様な効果をさらに向上す
る目的で３層以上の窒化シリコン膜を積層させてもよい
。
膜を積層した例を示したが、同様な効果をさらに向上す
る目的で３層以上の窒化シリコン膜を積層させてもよい
。
なお、酸化シリコン膜成長時の温度についても、窒化シ
リコン膜成長時の温度に合わせＴｏｏ℃〜８００’Ｃの
範囲内検討を行なったが、酸素流量、もしくは希釈率（
希釈酸化の場合）ならびに酸化時間を適当に制御するこ
とで、常に同一の酸化シリコン膜厚に調整でき、いずれ
の温度でも本発明の効果が見い出された。
リコン膜成長時の温度に合わせＴｏｏ℃〜８００’Ｃの
範囲内検討を行なったが、酸素流量、もしくは希釈率（
希釈酸化の場合）ならびに酸化時間を適当に制御するこ
とで、常に同一の酸化シリコン膜厚に調整でき、いずれ
の温度でも本発明の効果が見い出された。
また、本実施例では、ソース、ドレインを選択拡散で形
成したＰチャネル型のＭＮＯ８型不揮発性記憶装置を形
成する場合について説明を行なってきたが、Ｎチャネル
型のＭＮＯ８型不揮発性記憶装置でも使用できることは
もちろんであり、さらに、ゲート電極としてポリシリコ
ン、タングステンシリサイド等の高融点金属を用いると
ともに、本発明の製造方法によシゲート絶縁膜を形成し
て、周知のセル７アライン技術によシ、ソース、ドレイ
ンを形成してもよいことは言うまでもない。
成したＰチャネル型のＭＮＯ８型不揮発性記憶装置を形
成する場合について説明を行なってきたが、Ｎチャネル
型のＭＮＯ８型不揮発性記憶装置でも使用できることは
もちろんであり、さらに、ゲート電極としてポリシリコ
ン、タングステンシリサイド等の高融点金属を用いると
ともに、本発明の製造方法によシゲート絶縁膜を形成し
て、周知のセル７アライン技術によシ、ソース、ドレイ
ンを形成してもよいことは言うまでもない。
発明の効果
ご
以上のように、本発明の製造方法では、ＭＮＯ８型不揮
発性記憶装置のゲート絶縁膜である窒化シリコン膜を形
成するにあたシ、化学組成比の異なる比較的電気伝導度
の高い窒化シリコン膜と比較的電気伝導度の低い窒化シ
リコン膜、すなわち、化学組成の異なる窒化シリコン膜
を連続して積層することによシ、記憶保持特性の著しく
優れたものを作製することができるばかシで々く、ゲー
ト絶縁膜である極薄の酸化シリコン膜と窒化シリコン膜
を形成するにあたシ、酸化シリコン膜と窒化シリコン膜
とを同一成長炉内で連続して形成することにより、酸化
シリコン膜形成後に半導体基板が一度外部の雰囲気下に
さらされることに起因する問題点すなわち、酸化シリコ
ン膜上への自然酸化膜の成長、酸化シリコン膜の表面状
態の化学的組成変化および微粒子の付着による局部釣力
界面状態の異常などがことごとく阻止され、記憶特性の
安定した高性能のＭＯ８型不揮発性記憶装置を制御性よ
く、しかも、高い歩留シで製造できる効果も奏される。
発性記憶装置のゲート絶縁膜である窒化シリコン膜を形
成するにあたシ、化学組成比の異なる比較的電気伝導度
の高い窒化シリコン膜と比較的電気伝導度の低い窒化シ
リコン膜、すなわち、化学組成の異なる窒化シリコン膜
を連続して積層することによシ、記憶保持特性の著しく
優れたものを作製することができるばかシで々く、ゲー
ト絶縁膜である極薄の酸化シリコン膜と窒化シリコン膜
を形成するにあたシ、酸化シリコン膜と窒化シリコン膜
とを同一成長炉内で連続して形成することにより、酸化
シリコン膜形成後に半導体基板が一度外部の雰囲気下に
さらされることに起因する問題点すなわち、酸化シリコ
ン膜上への自然酸化膜の成長、酸化シリコン膜の表面状
態の化学的組成変化および微粒子の付着による局部釣力
界面状態の異常などがことごとく阻止され、記憶特性の
安定した高性能のＭＯ８型不揮発性記憶装置を制御性よ
く、しかも、高い歩留シで製造できる効果も奏される。
第１図は、本発明の一実施例を説明するための工程図、
第２図は、本発明の詳細な説明するための特性比較図で
ある。 １・・・・・・Ｎ型シリコン基板、２，３・・・・・・
ソース及びドレイン（Ｐ型）、４・・・・・・酸化シリ
コン膜、６・・・・・・極薄酸化シリコン膜、６，７・
・・・・・窒化シリコン膜、８・・・・・・アルミニウ
ム膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名Ｊ−
Ｎ型シリコン遣１反
第２図は、本発明の詳細な説明するための特性比較図で
ある。 １・・・・・・Ｎ型シリコン基板、２，３・・・・・・
ソース及びドレイン（Ｐ型）、４・・・・・・酸化シリ
コン膜、６・・・・・・極薄酸化シリコン膜、６，７・
・・・・・窒化シリコン膜、８・・・・・・アルミニウ
ム膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名Ｊ−
Ｎ型シリコン遣１反
Claims (1)
- 一導電型の半導体基板面上に、正孔または電子のトン
ネリング媒体となる薄い酸化シリコン膜を形成するとと
もに、同酸化シリコン膜上に、同一成長炉内で化学組成
比の異なる少なくとも２層の窒化シリコン膜を、連続し
て気相成長させることを特徴とする不揮発性記憶装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62252938A JPH0195562A (ja) | 1987-10-07 | 1987-10-07 | 不揮発性記憶装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62252938A JPH0195562A (ja) | 1987-10-07 | 1987-10-07 | 不揮発性記憶装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0195562A true JPH0195562A (ja) | 1989-04-13 |
Family
ID=17244248
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62252938A Pending JPH0195562A (ja) | 1987-10-07 | 1987-10-07 | 不揮発性記憶装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0195562A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009123335A1 (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-08 | 東京エレクトロン株式会社 | Ｍｏｓ型半導体メモリ装置の製造方法およびプラズマｃｖｄ装置 |
| JP2009246210A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Tokyo Electron Ltd | 窒化珪素膜の製造方法、窒化珪素膜積層体の製造方法、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体およびプラズマｃｖｄ装置 |
| US8431061B2 (en) | 2011-02-07 | 2013-04-30 | Pratt & Whitney Rocketdyne, Inc. | Method for manufacturing a ceramic composite article |
-
1987
- 1987-10-07 JP JP62252938A patent/JPH0195562A/ja active Pending
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|---|---|---|---|---|
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