JPH0197950A - 高分子放射線感応材料 - Google Patents
高分子放射線感応材料Info
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
-
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- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10S430/143—Electron beam
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- Coating Of Shaped Articles Made Of Macromolecular Substances (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明け、ＬＳＩ（大規模集積回路）等の半導体装置の
製造に用いられる微細パターン形成に適したポジ型の高
分子放射線感応材料に関するものである。
製造に用いられる微細パターン形成に適したポジ型の高
分子放射線感応材料に関するものである。
（口１ 従来の技術
電子線、Ｘ線、その化イオン線等の放射線をポジ型放射
線感応材料に照射すると、照射された部分が現像液に可
溶となる特性を利用して、ポジ型放射線感応材料をＬＳ
Ｉ等の製造に関する微細パターンの形成に用いられるこ
とは周知である。
線感応材料に照射すると、照射された部分が現像液に可
溶となる特性を利用して、ポジ型放射線感応材料をＬＳ
Ｉ等の製造に関する微細パターンの形成に用いられるこ
とは周知である。
一般に微細パターン形成に用いられるレジストとして使
用されるポジ型放射線感応材料にけ、感−度、解像度、
エツチング耐性、塗布性、濾過性、及び安定性が良好で
あることが要求される。
用されるポジ型放射線感応材料にけ、感−度、解像度、
エツチング耐性、塗布性、濾過性、及び安定性が良好で
あることが要求される。
しかし、現在知られているポジ型放射線感応材料は全般
的に感度が悪く、上述の要求をはゾ満足するものとして
知られているポリメタクリル酸メチル（以下ＰＭＭＡと
称す）においても、感度は１０ ０〜 と悪かった。
的に感度が悪く、上述の要求をはゾ満足するものとして
知られているポリメタクリル酸メチル（以下ＰＭＭＡと
称す）においても、感度は１０ ０〜 と悪かった。
現在のポジ型放射線感応材料け、その殆んどが放射線の
照射により照射部と未照射部の平均分子量に差を設け、
この分子量の差による現像液に対する溶解速度差を利用
して微細なパターンを形成している。ところがＰＭＭＡ
を基板（マスク基板）に塗布し、乾燥のための熱処理を
施すと、ＰＭＭＡの分子が配向して、放射線を証射して
も放射線の照射部と未照射部とで現像液に対する溶解速
度の差があまり生じず（ＰＭＭＡ分子の配回によりどら
らの部分においても溶解しにくくなっている）微細なパ
ターン形成がきれないといった虞があった。つまり感度
が悪い訳で、確実にパターン形成をするには大量の放射
線の照射、十分な露光量を与えれば良いのだが、そのよ
うな露光量を与えるにけ、長い露光時間を必要とし、ス
ループットを低下させてしまうことになる。このため、
より高感度な感応材料が求められていた。
照射により照射部と未照射部の平均分子量に差を設け、
この分子量の差による現像液に対する溶解速度差を利用
して微細なパターンを形成している。ところがＰＭＭＡ
を基板（マスク基板）に塗布し、乾燥のための熱処理を
施すと、ＰＭＭＡの分子が配向して、放射線を証射して
も放射線の照射部と未照射部とで現像液に対する溶解速
度の差があまり生じず（ＰＭＭＡ分子の配回によりどら
らの部分においても溶解しにくくなっている）微細なパ
ターン形成がきれないといった虞があった。つまり感度
が悪い訳で、確実にパターン形成をするには大量の放射
線の照射、十分な露光量を与えれば良いのだが、そのよ
うな露光量を与えるにけ、長い露光時間を必要とし、ス
ループットを低下させてしまうことになる。このため、
より高感度な感応材料が求められていた。
また、感度を高めるにけ、溶解速度の差を大きくすれば
よく、このために、露光前（初期の状態）のＰＭＭＡの
分子量を大きくすることが考えられる。しかし、分子量
を大きくすると、塗布性や濾過性が損なわれてしまい、
塗布膜厚の均一化が難しくなったり、異物の除去ができ
なくなってしまうという問題点が生ずる。
よく、このために、露光前（初期の状態）のＰＭＭＡの
分子量を大きくすることが考えられる。しかし、分子量
を大きくすると、塗布性や濾過性が損なわれてしまい、
塗布膜厚の均一化が難しくなったり、異物の除去ができ
なくなってしまうという問題点が生ずる。
本件出願人け、特開昭５８−８２２４１Ｊｉ＋公報ニオ
イテ、ＰＭＭＡｉＣＲ４ＮＸ （Ｒはアルキル基、Ｘは
ハロゲン基）で表わされるアルキルアンモニウムのハロ
ゲン化物を添加することで、高感度の感応材料を提供し
ている。特に、特開昭５７−１６３２３１公報でけ、ア
ルキルアンモニウムのハロゲン化物のうちの過塩素酸テ
トラアルキルアンモニウムを添加して、感度がＩ Ｘ
１Ｏ−６Ｃ／ｌ♂前後の高感度なものを提供している。
イテ、ＰＭＭＡｉＣＲ４ＮＸ （Ｒはアルキル基、Ｘは
ハロゲン基）で表わされるアルキルアンモニウムのハロ
ゲン化物を添加することで、高感度の感応材料を提供し
ている。特に、特開昭５７−１６３２３１公報でけ、ア
ルキルアンモニウムのハロゲン化物のうちの過塩素酸テ
トラアルキルアンモニウムを添加して、感度がＩ Ｘ
１Ｏ−６Ｃ／ｌ♂前後の高感度なものを提供している。
しかし、ＰＭＭＡの分子量によってけ、濾過性が悪く、
異物の除去がされない場合もあった。更にｌ′ｉＰＭＭ
Ａの溶媒として用いていたメチルエチルケトンが速乾性
のために、塗布膜の均一化がしにくく実用的ではなかっ
た。
異物の除去がされない場合もあった。更にｌ′ｉＰＭＭ
Ａの溶媒として用いていたメチルエチルケトンが速乾性
のために、塗布膜の均一化がしにくく実用的ではなかっ
た。
ｌ／１ 発明が解決しようとする問題点本発明は上述
の点に鑑みて為されたもので、高感度で、濾過性や塗布
膜の平坦性が良く、実用的な放射線感応材料を提供する
ものである。
の点に鑑みて為されたもので、高感度で、濾過性や塗布
膜の平坦性が良く、実用的な放射線感応材料を提供する
ものである。
に）問題点を解決するための手段
本発明け、酢酸セロソルブに、重量平均分子量が６０万
乃至１５０万のＰＭＭＡを、配向阻害剤としての過塩素
酸テトラアルキルアンモニウムと共に溶解させて成る高
分子放射線感応材料である。
乃至１５０万のＰＭＭＡを、配向阻害剤としての過塩素
酸テトラアルキルアンモニウムと共に溶解させて成る高
分子放射線感応材料である。
（ホ）作 用
重量平均分子量が６０万乃至１５０万のＰＭＭＡと過塩
素酸テトラアルキルアンモニラムラ酢酸セロソルブに溶
解させることで、放射線感応材料としての高感度化が図
れ、濾過性や塗布膜の平坦性が良いものとなる。
素酸テトラアルキルアンモニラムラ酢酸セロソルブに溶
解させることで、放射線感応材料としての高感度化が図
れ、濾過性や塗布膜の平坦性が良いものとなる。
（へ）実施例
本発明の高分子放射線感応材料は酢酸メチルセロソルブ
や酢酸エチルセロソルブといった酢酸セロソルブを溶媒
として、高分子材料である重量平均分子量６０分乃至１
５０万のＰＭＭＡと、配向阻害剤としてのＲ４ＮＣＬＯ
ａ（ＲはＣ，Ｆｌ、−やＣ４Ｈ，−などのアルキル基）
で表わされる過塩素酸テトラアルキルアンモニウムを溶
解させて成るものである。
や酢酸エチルセロソルブといった酢酸セロソルブを溶媒
として、高分子材料である重量平均分子量６０分乃至１
５０万のＰＭＭＡと、配向阻害剤としてのＲ４ＮＣＬＯ
ａ（ＲはＣ，Ｆｌ、−やＣ４Ｈ，−などのアルキル基）
で表わされる過塩素酸テトラアルキルアンモニウムを溶
解させて成るものである。
本発明の感応材料を基板に塗布し、ガラス転移点以上の
温度で熱処理をすると、従来のものであると、ＰＭＭＡ
分子が配向してしまうが、過塩素酸テトラアルキルアン
モニウムの含有によす、 ＰＭＭＡ分子の配向が阻害さ
れ、熱処理をした時にアモルファス化（無配向状態）す
る。このため、現像液に対する溶解性／／ｉ低下せず、
放射線の照射部と未照射部とでは溶解速度の差が大きく
なり、即ち、感度が向上する。
温度で熱処理をすると、従来のものであると、ＰＭＭＡ
分子が配向してしまうが、過塩素酸テトラアルキルアン
モニウムの含有によす、 ＰＭＭＡ分子の配向が阻害さ
れ、熱処理をした時にアモルファス化（無配向状態）す
る。このため、現像液に対する溶解性／／ｉ低下せず、
放射線の照射部と未照射部とでは溶解速度の差が大きく
なり、即ち、感度が向上する。
本発明でけ、ＰＭＭＡは重量平均分子量が６０万乃至１
５０万のものが用いられる。これは分子量が６０万未満
であると配向阻害剤の効果が減殺され高感度になら表く
々るためである。
５０万のものが用いられる。これは分子量が６０万未満
であると配向阻害剤の効果が減殺され高感度になら表く
々るためである。
例えば、配向阻害剤として過塩素酸テトラ−ｎ−プチル
アンモニウム（以下ＴｎＢＡＰと称す）をＰＭＭＡに対
し１５重量哄の割合で含有させる。
アンモニウム（以下ＴｎＢＡＰと称す）をＰＭＭＡに対
し１５重量哄の割合で含有させる。
この含有させる割合はおよそ２０重量％程度までである
。この場合、ＰＭＭＡの分子量と、パターン形成に必要
な露光Ｉｔ（感度）Ｆｉ以下のようになる。
。この場合、ＰＭＭＡの分子量と、パターン形成に必要
な露光Ｉｔ（感度）Ｆｉ以下のようになる。
以下余白
つまり、分子量が６０万未満の場合は１Ｘ１０−’Ｃ／
ｄからだいぶ隔った値になると考えられ高感度とけ言い
難いものとなる。
ｄからだいぶ隔った値になると考えられ高感度とけ言い
難いものとなる。
ＰＭＭＡの分子量が増加していくと、感度は増加してい
く傾向にあるが、それと共に粘度も高くなり塗布膜の平
坦性が悪くなる。また、重量平均分子量が１５０万を越
えると孔径０，２μｍ以下のフィルタによる濾過が困難
になり、異物の除去ができなくなる。つまり、ＰＭＭＡ
の重量平均分子量として＃−１６０万乃至１５０万が適
当なものとなる。
く傾向にあるが、それと共に粘度も高くなり塗布膜の平
坦性が悪くなる。また、重量平均分子量が１５０万を越
えると孔径０，２μｍ以下のフィルタによる濾過が困難
になり、異物の除去ができなくなる。つまり、ＰＭＭＡ
の重量平均分子量として＃−１６０万乃至１５０万が適
当なものとなる。
ＰＭＭＡの溶媒としてけ、重量平均分子量が６０万乃至
１５０万のＰＭＭＡの溶解性が良好であるのは勿論のこ
と、配向阻害剤の相溶性や塗布の容易さを観点とした塗
布膜の平坦性や乾燥速度（過変な遅乾性）が良好である
ことが必要とされる。
１５０万のＰＭＭＡの溶解性が良好であるのは勿論のこ
と、配向阻害剤の相溶性や塗布の容易さを観点とした塗
布膜の平坦性や乾燥速度（過変な遅乾性）が良好である
ことが必要とされる。
各種溶媒に、重ご平均分子量が１０５万のＰＭＭＡと配
向阻害剤としてＴｎＢＡＰを用いた場合の夫々の溶液の
特性について評価したものを下表に示す。
向阻害剤としてＴｎＢＡＰを用いた場合の夫々の溶液の
特性について評価したものを下表に示す。
以下余白
ここで◎は状態が良好なもの、○は普通、Δは劣る、×
けひどく劣ることを表す。溶媒の沸点は乾燥速度の目安
となるもので、沸点が低いと蒸気圧が高いので速乾性と
なり、沸点が高いと蒸気圧が低いので遅乾性となるが、
あまり沸点が高すぎると乾燥に長時間を要したり、ＰＭ
ＭＡの溶解にも長時間を要するので、およそ１４０℃前
後の沸点であれば、連室な乾燥速度が得られると考えら
れる。
けひどく劣ることを表す。溶媒の沸点は乾燥速度の目安
となるもので、沸点が低いと蒸気圧が高いので速乾性と
なり、沸点が高いと蒸気圧が低いので遅乾性となるが、
あまり沸点が高すぎると乾燥に長時間を要したり、ＰＭ
ＭＡの溶解にも長時間を要するので、およそ１４０℃前
後の沸点であれば、連室な乾燥速度が得られると考えら
れる。
而して、ＰＭＭＡ及び配向阻害剤としてのＴｎＢＡＰが
良く溶け、塗布膜の平坦性（但し、これは粘度や沸点に
左右される）が良好となる溶媒は酢酸セロソルブが適当
であることがわかる。尚、塗布膜の平坦性が沸点にも左
右されるのけ、基板上に回転塗布する場合に、遠心力で
感応材料が基板上に展延され、沸点が低いために均一な
膜厚になる前に乾燥して固化（もしくはそれに近い状態
）してしまう虞があるからである。
良く溶け、塗布膜の平坦性（但し、これは粘度や沸点に
左右される）が良好となる溶媒は酢酸セロソルブが適当
であることがわかる。尚、塗布膜の平坦性が沸点にも左
右されるのけ、基板上に回転塗布する場合に、遠心力で
感応材料が基板上に展延され、沸点が低いために均一な
膜厚になる前に乾燥して固化（もしくはそれに近い状態
）してしまう虞があるからである。
さて、本発明の一実施例としてけ、重量平均分子量１０
５万（±１０万）のＰＭＭＡを３８１に対して、配向阻
害剤としてＴｎＢＡＰを５．７０ｆ添加し、溶媒として
酢酸メチルセロソルブ１０１００Ｏに溶解して、高分子
放射線感応材料を得る。
５万（±１０万）のＰＭＭＡを３８１に対して、配向阻
害剤としてＴｎＢＡＰを５．７０ｆ添加し、溶媒として
酢酸メチルセロソルブ１０１００Ｏに溶解して、高分子
放射線感応材料を得る。
この感応材料の粘度は２０℃で５０ＣＰであった。
また、この感応材料を孔径０．２μｍのミリボア社製フ
ローレックスフィルタを用いて０．４ ｋｌ／ｄの圧力
で濾過したところ、約３０分で全量を濾過することがで
き、良好な濾過性が得られた。
ローレックスフィルタを用いて０．４ ｋｌ／ｄの圧力
で濾過したところ、約３０分で全量を濾過することがで
き、良好な濾過性が得られた。
次にこの感応材料を用いてのフォトマスクの製造につい
て第１図Ａ乃至Ｅを参照しつつ以下に説明する。まずク
ロム蒸着層（２）を有するガラス基板（１）上に、本発
明感応材料（３）を、７５０ｒｐｍで回転塗布し、１８
０℃で６０分間の熱処理（プリベーク）を施す、（第１
図Ａ）。この時、前述の説明の如（、ＰＭＭＡ分子の配
向けなされない。また、感応材料（３）の膜厚１５１０
０±１００人であり、良好な塗布均一性を呈した。
て第１図Ａ乃至Ｅを参照しつつ以下に説明する。まずク
ロム蒸着層（２）を有するガラス基板（１）上に、本発
明感応材料（３）を、７５０ｒｐｍで回転塗布し、１８
０℃で６０分間の熱処理（プリベーク）を施す、（第１
図Ａ）。この時、前述の説明の如（、ＰＭＭＡ分子の配
向けなされない。また、感応材料（３）の膜厚１５１０
０±１００人であり、良好な塗布均一性を呈した。
その後、感応材料（３）上を巾０．７５μｍ％露光址１
．２Ｘ１０−’Ｃ／ｄの電子線で所定のパターンに走査
する（同図Ｂ）。そしてメチルセロソルブとイソプロピ
ルアルコールを容量比８：２で混合した現像液（２２℃
）を用いて８分間現像して、露光部分を除去する（同図
Ｃ）。定着のための熱処理（ボストベーク）後、感応材
料の開孔部Ｃ３Ｙから露出しているクロム蒸着層（２）
をエツチング除去しく同図Ｄ）、その後０２プラズマを
用いて感応材料（３）を除去して（同図Ｅ）、フォトマ
スクが完成する。
．２Ｘ１０−’Ｃ／ｄの電子線で所定のパターンに走査
する（同図Ｂ）。そしてメチルセロソルブとイソプロピ
ルアルコールを容量比８：２で混合した現像液（２２℃
）を用いて８分間現像して、露光部分を除去する（同図
Ｃ）。定着のための熱処理（ボストベーク）後、感応材
料の開孔部Ｃ３Ｙから露出しているクロム蒸着層（２）
をエツチング除去しく同図Ｄ）、その後０２プラズマを
用いて感応材料（３）を除去して（同図Ｅ）、フォトマ
スクが完成する。
こうして得られたフォトマスクのパターンの線幅は０．
７５μｍであり、つまりけ、本発明の感応材料の高いエ
ツチング耐性及び高解像度を示している。
７５μｍであり、つまりけ、本発明の感応材料の高いエ
ツチング耐性及び高解像度を示している。
（ト）発明の効果
本発明は以上の説明から明らかな如く、酢酸セロソルブ
に、重量平均分子量６０万乃至１５０万のＰＭＭＡと、
過塩素酸テトラアルキルアンモニア ラムを溶解させて高分子放射線感応材料を構成−おり、
高感度、高解像度、高エツチング耐性、良好な塗布性及
び濾過性等、レジストとして用いられる放射性感応材料
に要求される性能を十分溝たした感応材料を提供してい
る。従って、この感応材料を用いれば、わずかな露光量
で欠陥が少なく微細なパターンを有する高品位のフォト
マスクの作製が可能となる。
に、重量平均分子量６０万乃至１５０万のＰＭＭＡと、
過塩素酸テトラアルキルアンモニア ラムを溶解させて高分子放射線感応材料を構成−おり、
高感度、高解像度、高エツチング耐性、良好な塗布性及
び濾過性等、レジストとして用いられる放射性感応材料
に要求される性能を十分溝たした感応材料を提供してい
る。従って、この感応材料を用いれば、わずかな露光量
で欠陥が少なく微細なパターンを有する高品位のフォト
マスクの作製が可能となる。
第１図Ａ乃至Ｅは本発明の感応材料を用いたフォトマス
クの製造工程図である。 （１）・・・ガラス基板、（２）−・・クロム蒸着層、
（３）・・・感応材料。
クの製造工程図である。 （１）・・・ガラス基板、（２）−・・クロム蒸着層、
（３）・・・感応材料。
Claims (2)
- （１）溶媒としての酢酸セロソルブに、重量平均分子量
が６０万乃至１５０万のポリメタクリル酸メチルと、配
向阻害剤として過塩素酸テトラアルキルアンモニウムを
溶解させて成る高分子放射線感応材料。 - （２）前記過塩素酸テトラアルキルアンモニウムけ、過
塩素酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムである特許請求
の範囲第１項記載の高分子放射線感応材料。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62144430A JPH0197950A (ja) | 1986-09-01 | 1987-06-09 | 高分子放射線感応材料 |
| KR1019870009433A KR910001290B1 (ko) | 1986-09-01 | 1987-08-28 | 고분자 방사선 감응재료 |
| CH3330/87A CH673462A5 (ja) | 1986-09-01 | 1987-08-31 | |
| US07/090,992 US4855214A (en) | 1986-09-01 | 1987-08-31 | Radiation-sensitive high-polymeric material |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20528386 | 1986-09-01 | ||
| JP61-205283 | 1986-09-01 | ||
| JP62144430A JPH0197950A (ja) | 1986-09-01 | 1987-06-09 | 高分子放射線感応材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0197950A true JPH0197950A (ja) | 1989-04-17 |
| JPH054664B2 JPH054664B2 (ja) | 1993-01-20 |
Family
ID=26475841
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62144430A Granted JPH0197950A (ja) | 1986-09-01 | 1987-06-09 | 高分子放射線感応材料 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4855214A (ja) |
| JP (1) | JPH0197950A (ja) |
| KR (1) | KR910001290B1 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| DE10160662A1 (de) * | 2001-12-11 | 2003-06-18 | Baerlocher Gmbh | Stabilisatorzusammensetzung, deren Herstellung und Verwendung |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51147324A (en) * | 1975-06-13 | 1976-12-17 | Fujitsu Ltd | Solvent for electronic wire resist |
| JPS57162430A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-06 | Sanyo Electric Co Ltd | Process for positive type fine pattern formation |
| JPS57163233A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-07 | Sanyo Electric Co Ltd | Radiation sensitive positive type polymer |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54118776A (en) * | 1978-03-08 | 1979-09-14 | Fujitsu Ltd | Pattern forming method |
| JPS5882241A (ja) * | 1981-11-11 | 1983-05-17 | Sanyo Electric Co Ltd | ポジ型放射線感応材料 |
-
1987
- 1987-06-09 JP JP62144430A patent/JPH0197950A/ja active Granted
- 1987-08-28 KR KR1019870009433A patent/KR910001290B1/ko not_active Expired
- 1987-08-31 CH CH3330/87A patent/CH673462A5/de not_active IP Right Cessation
- 1987-08-31 US US07/090,992 patent/US4855214A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51147324A (en) * | 1975-06-13 | 1976-12-17 | Fujitsu Ltd | Solvent for electronic wire resist |
| JPS57162430A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-06 | Sanyo Electric Co Ltd | Process for positive type fine pattern formation |
| JPS57163233A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-07 | Sanyo Electric Co Ltd | Radiation sensitive positive type polymer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR910001290B1 (ko) | 1991-02-28 |
| JPH054664B2 (ja) | 1993-01-20 |
| US4855214A (en) | 1989-08-08 |
| CH673462A5 (ja) | 1990-03-15 |
| KR880004544A (ko) | 1988-06-07 |
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