JPH02103131A - 複合体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野〕 本発明は耐熱性の優れた複合体に関する。

〔従来の技術〕

現在、フレキシブル印刷配線板用の基板はポリイミドフ
ィル１１と金属箔とを接着剤層を介して接着させてｌｌ
造している。

そのため接着剤の耐熱性が十分でないのでポリイミドフ
ィル１１の耐熱性を十分に発揮することが出来ず、基板
の半Ｆｆｌ耐熱性は２６０℃程度である。

また持分（ｌ（（３９−３４８号公報にはピロメリット
酸なとのテ１−ラカルボン酸と４．４′−ジアミノジフ
ェニルエーテルなどの芳香族ジアミンから得られた芳香
族ポリアミド酸溶液を金属箔に塗布して基板とする方法
が記載されているが、得られた基板がカールする問題が
ある。

一方、半導体ａ造に用いられているシリコンウェハやセ
ラミック基板にポリアミド酸をコートし、加熱してイミ
ド化するとポリイミド膜の厚さが薄い場合は全く問題な
いが、膜厚が厚くなると、シリコンウェハやセラミック
板にそりが発生し問題となる。これらは金訊、シリコン
、セラミックなどの無機材料とポリイミドの膨張係数の
不一致に基づくものである。

〔発明の目的〕

本発明は特殊なジアミンを用いたポリアミド酸ワニスを
使用することにより耐熱性にすぐれ、カールしないフレ
キシブル印刷配線用基板、ポリイミドをコートしたそり
のないシリコンウェハやセラミック基板等の複合体を提
供することを［１的とする。

〔発明の構成］ すなわち、本発明は３，３′−ジメＩ・キシベンジジン
と４，４′−ジアミノジフェニルエーテルとのモル比が
５０：５０−　９５：５から成るジアミン成分とピロメ
リト酸二無水物を５０モル％以上含むテトラカルボンＦ
ｔ１１ブ、無水物成分とを重合してなるポリイミドの膜
を無機材料−１−に形成し又は該ポリイミドの膜とＳ機
材料若しくは無機材料を含む層とを一体化してなる複合
体に関する。

本発明に係る複合体は、前記芳香族ジアミン成分と前記
テトラカルボン酸二無水物成分とを非プロトン性極性溶
媒中で反応させて得られるポリアミド酸ワニスを無機材
料に塗布し、または該ポリアミド酸ワニスに無機材料を
粉状で添加した後適当な基材上に塗布し１次いで、イミ
ド化することによって製造することができる。なお、イ
ミド化の前にエツチング、もう一つの無機材料、ポリイ
ミドフィル！１等の有機材料などの積層等を行なっても
よい。

本発明において、３．３′−ジメトキシベンジジンと４
，４′−ジアミノジフェニルエーテルモル比は，前者／
後者が５　０　／　５　０〜９５１５であり、好ましく
は６　５　／　３　５〜９０／１０である。

３、３′−ジメトキシベンジジンが５０モル％より少な
いと複合体としたときカールやそりが発生する．また９
５モル％より多いともろくなる。

本発明において用いられるピロメリト酸二無水物以外の
テトラカルボン酸二無水物成分としては３、３’　、４
．４’　−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物，
３．３’　、４．４’　−ジフェニルエーテルテトラカ
ルボン醸二無水物、２，３。

３’　、４’　−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物
，３．３’　、４，／１’　−ビフェニルテトラカルボ
ン酸二無水物、２，３．６．７−ナフタリンテトラカル
ボン酸二無水物、１，２，５．６−ナフタリンテトラカ
ルボン酸二無水物、ｌ，４，５。

８−ナフタリンテトラカルボン酸二無水物、ペリレンテ
トラカルボン酸二無水物、３，３，４。

４′−ジフェニルプロパンテトラカルボン酸二無水物、
３．３’　、４．４’　−ジフェニルへキサフルオロプ
ロパンテトラカルボン階二無水物、３。

３’　、４．４’　−ジフェニルスルホンテトラカルボ
ン喝二無水物，ブタンテトラカルボン酸二無水物，シク
ロペンタンテ１ーラカルボン酸二無水物、エチレンビス
トリメリテートテｊ−ラカルボン酸二無水物などがあり
，これらの成分は５０モル％以下使用するのがよい。

全アミン成分に対して５モル％以下ならば接着性を向上
させる目的でシロキサン含有ジアミンを添加することが
できる。

前記非プロトン性極性溶媒としてはＮ−メチル−２−ピ
ロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジ
メチルネル１１アミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド
、ジメチルスルホキサイド、スルホラン、メチルスルホ
ラン、テｌ〜ラメチル尿素，ヘキサメチルホスホルアミ
ド、ブチルラフ１−ン等が好ましい，これらは２種以Ｊ
−．混合して用いてもよい．また、これらとキシレン、
トルエン。

フェノール、アセトン、メチルエチルケｌ−ン，ジアセ
トンアルコール、セロソルブ類，セロソルブアセテート
類，カルピトール類，メチルイソブチルケ１−ン，クレ
ゾール、キシレノール、ジオキサン、シクロヘキサノン
、ヘキサフルオロイソプロパツール等の溶媒をポリアミ
ド酸が析出しない範囲で添加して使用することができる
。

全ジアミン成分と全テトラカルボン酸二無水物成分との
モル比は等当量が好ましいが、いずれかー・方の成分が
５モル％以内で過不足であっても差しつかえない。

ポリアミド酸ワニスの濃度は３〜２５重量％の間が粘度
や加工性の点でよい。

ポリアミド酸ワニスを得るための反応温度は０〜５０℃
がよいが、最終的に粘度を調整する場合は一旦高粘度に
なった後，７０〜８０℃で反応させるのがよい。

このようにして得られたポリアミド酸ワニスと無機材料
と組み合せて複合体とするのであるがその例としては以
下のものがある。

すなわち、 （１）銅、鉄、アルミ、ステンレス等の金属箔に塗布し
たＦＰＣ用基板基板モルファス太陽電池用基板、 （２）シリ゛コン、ガリウムヒ素等のチップ上に塗布し
多層配線層間絶縁膜として利用した多層配線ＬＳＩ　、 （３）Ｉ、Ｓｌチップ」二に塗布し、パッシベーション
膜やα線じゃへい膜として利用する半導体装置。

（４）銅、鉄、アルミ、ステンレス、ニッケル。

４２７０イ、アンバー等の金夙板と配線間の絶縁のため
に絶縁膜としてｆｌ用する金Ｘ基板、（５）ガラス板上
に塗布して液晶配向膜として利用する液晶表示装置、 （６）アルミナ、炭化ケイ素、ジルコン、ベリリア。

サファイア等の基板１−にポリイミドをＲ４Ａ縁膜とし
て塗布した多Ｐ基板、 （７）銅線等の導電膜の絶縁被覆材として利用するエナ
メル繰。

（８）ポリイミドフィル１１上に蒸着またはスパッタリ
ングにより形成された薄膜を有する磁気記録媒体又はＥ
Ｔ、表示装置。

（９）ポリイミドフィルム上に磁粉を含んだフェスを塗
布してなる磁気テープ、磁気ディスク等である。

フレキシブル印刷配線板用に使用する場合には。

銅箔にコーター、ダイス等の手段で塗布し、加熱により
溶媒を除去すると共に閉環させてイミド化を行なう、イ
ミド化の際、金Ｒ箔の酸化を防ぐために不活性ガス中で
行なうのがよい。

シリコンウェハ、セラミック板などヘコートする場合は
スピンナーによるコートがよい。

（実施例） 実施例１ 温度計、攪拌機および塩化カルシウム管をつけた５Ｑの
四［」フラスコに３．３′−ジメトキシベンジジン２０
７．４ｇ　　、４．４’　−ジアミノジフェニルエーテ
ル３０ｇ、Ｎ−メチルピロリドン２０００ｇ、Ｎ、Ｎ−
ジメチルアセトアミド２０００ｇを入れて、内容物を攪
拌し、フラスコを氷冷する。ピロメリト酸二無水物２１
８ｇを徐々に加え、１０（で９時間反応させた。生成し
たポリアミド醗の還元粘度は１．８５ｄ　０７ｇ＜溶媒
Ｎ−メチルピロリドン、濃度０．１ｇ／１００ｍｊ！　
　、温度２５℃）″であった。このｔＲＭを３５μｍの
圧延銅箔に塗布し、窒素雰囲気中で１００℃で３０分加
熱し、次に銅箔を固定して２５０℃１０分、４００℃、
１０分熱処理し、塗膜厚２５メ目ｎのフレキシブル印刷
配線板用の基板を得た。この基板は初期、エツチング後
共にカールしなかった。半田耐熱試験の結果３５０℃で
もふくれの発生はなかった。

実施例２ 実施例１と同様の組成のポリアミド酸溶液（粘度２０ポ
イズ）をシリコンウェハに繰り返しスピンコードした後
、熱処理して原さ２０μｍｎのポリイミド皮膜を形成さ
せ、この上にアルミニウムをＡ、？？し、エツチングし
て線幅１００μｍｎのラインを作成し、さらに、この上
にポリアミド酸溶液を塗布し、２０　／１　ｒｎ厚さの
ポリイミド膜を形成させ、ホトレジストを塗布後、さら
にアルミニウムを蒸着し、エツチングし、これをくりか
えすことにより、ポリイミドの厚さ２００μｍのモデル
基板を作製したが、従来のポリアミド酸溶液（４，４’
−ジアミノジフェニルエーテルとピロメリト酸二無水物
から得られるもの）を用いたものに比べそりがきわめて
すくなかった。

〔発明の効果〕

本発明により耐熱性に優れ、カールを防止し、そりが少
ない複合体が得られた。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １．３，３′−ジメトキシベンジジンと４，４′−ジア
   ミノジフェニルエーテルとのモル比が５０：５０〜９５
   ：５から成るジアミン成分とピロメリト酸二無水物を５
   ０モル％以上含むテトラカルボン酸二無水物成分とを重
   合してなるポリイミドの膜を無機材料上に形成し又は該
   ポリイミドの膜と無機材料若しくは無機材料を含む層と
   を一体化してなる複合体。