JPH0210663Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0210663Y2 JPH0210663Y2 JP1981135338U JP13533881U JPH0210663Y2 JP H0210663 Y2 JPH0210663 Y2 JP H0210663Y2 JP 1981135338 U JP1981135338 U JP 1981135338U JP 13533881 U JP13533881 U JP 13533881U JP H0210663 Y2 JPH0210663 Y2 JP H0210663Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- amplifier
- collector
- output
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 12
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/34—Negative-feedback-circuit arrangements with or without positive feedback
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/32—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/181—Low-frequency amplifiers, e.g. audio preamplifiers
- H03F3/183—Low-frequency amplifiers, e.g. audio preamplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/187—Low-frequency amplifiers, e.g. audio preamplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
この考案は信号源と増幅器間に金属接点コネク
タによる信号線接続構造である金属接触部が介在
するシステムにおいて、この接触部による歪をな
くすとともに、負帰還をかけられる構成とするこ
とにより更に歪率、Ｓ／Ｎを向上させるようにし
た小信号増幅回路に関する。
タによる信号線接続構造である金属接触部が介在
するシステムにおいて、この接触部による歪をな
くすとともに、負帰還をかけられる構成とするこ
とにより更に歪率、Ｓ／Ｎを向上させるようにし
た小信号増幅回路に関する。
プレーヤにおいては、カートリツジの交換、ヘ
ツドシエルの交換、トーンアームの交換、プレー
ヤ全体の交換等ユーザーに自由度を残すため、多
数の金属接点コネクタ類が信号路に介在してい
る。通常フオノカートリツジ（特にムービングコ
イル型のもの）の出力は極めて微少な信号である
ことから、この金属接触部の電気的な特性の変化
を受けやすく、特に非線形性は即歪となる。ここ
で発生する酸化皮膜の影響も、ある程度信号レベ
ルが大きければ信号自体による絶縁破壊も期待で
きようが、ムービングコイル型カートリツジの出
力レベル（数百μV程度）では無理なことである。
ツドシエルの交換、トーンアームの交換、プレー
ヤ全体の交換等ユーザーに自由度を残すため、多
数の金属接点コネクタ類が信号路に介在してい
る。通常フオノカートリツジ（特にムービングコ
イル型のもの）の出力は極めて微少な信号である
ことから、この金属接触部の電気的な特性の変化
を受けやすく、特に非線形性は即歪となる。ここ
で発生する酸化皮膜の影響も、ある程度信号レベ
ルが大きければ信号自体による絶縁破壊も期待で
きようが、ムービングコイル型カートリツジの出
力レベル（数百μV程度）では無理なことである。
このような不都合を回避する方法として、特開
昭54−120516号公報に記載のものがある。この方
法は、信号を金属接触部を有する信号経路を介し
て伝送する際に、金属接触部における電圧−電流
特性の非直線部分が零電位付近に存在しているこ
とに着目し、信号をこの非直線部分の影響を受け
ないレベルの直流電流に重畳して伝送するように
したものである。しかしながら、そこで実施例と
して具体的に示された回路においては負帰還がか
けられないため、歪率、Ｓ／Ｎ、特性の安定性で
問題がある。Ｓ／Ｎを改善するためにトランジス
タの相互コンダクタンスgmを増せば、最大許容
入力は制限されてしまう。また、ゲインのばらつ
き、安定性は、能動素子自体の特性に依存するの
で量産性に欠けることになる。
昭54−120516号公報に記載のものがある。この方
法は、信号を金属接触部を有する信号経路を介し
て伝送する際に、金属接触部における電圧−電流
特性の非直線部分が零電位付近に存在しているこ
とに着目し、信号をこの非直線部分の影響を受け
ないレベルの直流電流に重畳して伝送するように
したものである。しかしながら、そこで実施例と
して具体的に示された回路においては負帰還がか
けられないため、歪率、Ｓ／Ｎ、特性の安定性で
問題がある。Ｓ／Ｎを改善するためにトランジス
タの相互コンダクタンスgmを増せば、最大許容
入力は制限されてしまう。また、ゲインのばらつ
き、安定性は、能動素子自体の特性に依存するの
で量産性に欠けることになる。
この考案は上述の点に鑑みてなされたもので、
信号に直流電流を重畳して金属接触部の歪の影響
をなくす方法を実現するうえで、負帰還がかけら
れる構成を実現することにより、歪率、Ｓ／Ｎ、
特性の安定性等の改善を図ろうとするものであ
る。特にこの考案は通常のステレオ用４端子コネ
クタを使用したヘツドシエル、アームを備えつけ
たプレーヤが使用できることを考えて、１チヤン
ネルにつき２端子出力の制約の中で帰還がかけら
れる構成を実現した点に特徴を有するものであ
る。
信号に直流電流を重畳して金属接触部の歪の影響
をなくす方法を実現するうえで、負帰還がかけら
れる構成を実現することにより、歪率、Ｓ／Ｎ、
特性の安定性等の改善を図ろうとするものであ
る。特にこの考案は通常のステレオ用４端子コネ
クタを使用したヘツドシエル、アームを備えつけ
たプレーヤが使用できることを考えて、１チヤン
ネルにつき２端子出力の制約の中で帰還がかけら
れる構成を実現した点に特徴を有するものであ
る。
この考案は信号源に第１のトランジスタを組込
むとともに、これと対になつて差動増幅器を構成
する第２のトランジスタをアンプ側に組込み、ア
ンプの出力を第２のトランジスタのベースに負帰
還させることにより上記の目的を達成している。
むとともに、これと対になつて差動増幅器を構成
する第２のトランジスタをアンプ側に組込み、ア
ンプの出力を第２のトランジスタのベースに負帰
還させることにより上記の目的を達成している。
以下、この発明を添付図面の一実施例にもとづ
いて詳しく説明する。
いて詳しく説明する。
図において符号１はカートリツジシエルに構成
された回路で、ピツクアツプカートリツジ２とそ
の出力Vgを受けるトランジスタＱ１を具えてい
る。トランジスタＱ１のエミツタおよびコレクタ
はコネクタ４，５にそれぞれ接続されている。コ
ネクタ５はリード線６およびアンプ１０側のコネ
クタ９を介してアースにつながれている。
された回路で、ピツクアツプカートリツジ２とそ
の出力Vgを受けるトランジスタＱ１を具えてい
る。トランジスタＱ１のエミツタおよびコレクタ
はコネクタ４，５にそれぞれ接続されている。コ
ネクタ５はリード線６およびアンプ１０側のコネ
クタ９を介してアースにつながれている。
アンプ１０において、トランジスタＱ２はトラ
ンジスタＱ１と差動増幅器を構成するトランジス
タで、エミツタがコネクタ８およびリード線７を
介してトランジスタＱ１のエミツタに接続されて
いる。定電流源１１はこれらの共通エミツタに一
定の電流２Ｉを供給するものである。
ンジスタＱ１と差動増幅器を構成するトランジス
タで、エミツタがコネクタ８およびリード線７を
介してトランジスタＱ１のエミツタに接続されて
いる。定電流源１１はこれらの共通エミツタに一
定の電流２Ｉを供給するものである。
トランジスタＱ２にカスコード結合したトラン
ジスタＱ３は、アースに接続されたダイオードＤ
の順方向電圧をベースに加えて、そのエミツタ電
位を接地電位とすることにより、トランジスタＱ
２のコレクタ電位を接地電位として、差動増幅器
としてトランジスタＱ１との動作のバランスを取
るためのものである。トランジスタＱ２のコレク
タにはトランジスタＱ３を介して、定電流Ｉを流
す定電流負荷１２が接続されている。
ジスタＱ３は、アースに接続されたダイオードＤ
の順方向電圧をベースに加えて、そのエミツタ電
位を接地電位とすることにより、トランジスタＱ
２のコレクタ電位を接地電位として、差動増幅器
としてトランジスタＱ１との動作のバランスを取
るためのものである。トランジスタＱ２のコレク
タにはトランジスタＱ３を介して、定電流Ｉを流
す定電流負荷１２が接続されている。
尚、差動増幅器からシングルで出力を取出す場
合（ここではトランジスタＱ２側から）、通常他
方のトランジスタは電源に接続する。しかし、こ
れは交流的に見ればアースに接続するのと同じで
あるから、この実施例のようにトランジスタＱ１
のコレクタをアースに接続しても問題はない。こ
の場合、入力が０のときコレクタ・エミツク間電
圧がベース・エミツタ間にかかるから、トランジ
スタＱ１，Ｑ２はコレクタ・エミツタ間電圧0.6v
で動作させる。
合（ここではトランジスタＱ２側から）、通常他
方のトランジスタは電源に接続する。しかし、こ
れは交流的に見ればアースに接続するのと同じで
あるから、この実施例のようにトランジスタＱ１
のコレクタをアースに接続しても問題はない。こ
の場合、入力が０のときコレクタ・エミツク間電
圧がベース・エミツタ間にかかるから、トランジ
スタＱ１，Ｑ２はコレクタ・エミツタ間電圧0.6v
で動作させる。
オペアンプ１３は電源電圧−Vcを抵抗Ｒ１，
Ｒ２で分圧した電圧を基準電圧として反転入力に
加え、トランジスタＱ３のコレクタと定電流負荷
１２との間の電圧を非反転入力に加える。ここ
で、抵抗Ｒ１，Ｒ２は無信号入力時にオペアンプ
１３の出力Voが０になるように設定する。
Ｒ２で分圧した電圧を基準電圧として反転入力に
加え、トランジスタＱ３のコレクタと定電流負荷
１２との間の電圧を非反転入力に加える。ここ
で、抵抗Ｒ１，Ｒ２は無信号入力時にオペアンプ
１３の出力Voが０になるように設定する。
オペアンプ１３の出力Voはアンプ１０の出力
として取出されるとともに、その電圧Voを帰還
抵抗Zf，Ｒ３でトランジスタＱ２のベースに加え
る。
として取出されるとともに、その電圧Voを帰還
抵抗Zf，Ｒ３でトランジスタＱ２のベースに加え
る。
以上の構成においては、ピツクアツプカートリ
ツジ２の出力Vgが０のとき、トランジスタＱ１，
Ｑ２のコレクタには電流Ｉがそれぞれ流れる。こ
のとき、オペアンプ１３の非反転入力の電圧は反
転入力の電圧と等しく、その出力電圧Voは０と
なつている。
ツジ２の出力Vgが０のとき、トランジスタＱ１，
Ｑ２のコレクタには電流Ｉがそれぞれ流れる。こ
のとき、オペアンプ１３の非反転入力の電圧は反
転入力の電圧と等しく、その出力電圧Voは０と
なつている。
Vgが＋になるとトランジスタＱ１のベースは
正方向へバイアスされるのでトランジスタＱ２の
コレクタ電流は増加しようとする。しかし、定電
流負荷１２により規定されているので、オペアン
プ１３の非反転入力の電圧を上昇させてその出力
を上昇させることにより、トランジスタＱ２のベ
ース電位を上昇させて平衡を保つ。したがつて、
このとき、出力Voには入力Vgに応じた電圧が現
われる。
正方向へバイアスされるのでトランジスタＱ２の
コレクタ電流は増加しようとする。しかし、定電
流負荷１２により規定されているので、オペアン
プ１３の非反転入力の電圧を上昇させてその出力
を上昇させることにより、トランジスタＱ２のベ
ース電位を上昇させて平衡を保つ。したがつて、
このとき、出力Voには入力Vgに応じた電圧が現
われる。
Vgが−となつたときはこれと逆に、トランジ
スタＱ１のベースが負方向にバイアスされるの
で、トランジスタＱ２のコレクタ電流が減少しよ
うとする。しかし、定電流負荷１２により規定さ
れているため、オペアンプ１３の非反転入力の電
圧を低下させてその出力を低下させることによ
り、トランジスタＱ２のベース電位を低下させて
平衡を保つ。したがつて、このとき、出力Voに
は入力Vgに応じた電圧が現われる。
スタＱ１のベースが負方向にバイアスされるの
で、トランジスタＱ２のコレクタ電流が減少しよ
うとする。しかし、定電流負荷１２により規定さ
れているため、オペアンプ１３の非反転入力の電
圧を低下させてその出力を低下させることによ
り、トランジスタＱ２のベース電位を低下させて
平衡を保つ。したがつて、このとき、出力Voに
は入力Vgに応じた電圧が現われる。
以上のような動作によれば、特開昭54−120516
号公報に記載の方法と同様に、信号は直流電流に
重畳されて金属接触部（図の実施例ではコネクタ
４，８および５，９）を通過するので、この接触
部による歪をなくすことができる。また、負帰還
がかけられているので、ゲインは帰還抵抗によつ
て決まり（図の実施例では電圧ゲインGVは GV＝Vo／Vg＝１＋Zf／R3 となる）、ゲインの設定が容易になり、差動増幅
器を構成するトランジスタとしても特性を選ばな
いのでコストも安価にある。
号公報に記載の方法と同様に、信号は直流電流に
重畳されて金属接触部（図の実施例ではコネクタ
４，８および５，９）を通過するので、この接触
部による歪をなくすことができる。また、負帰還
がかけられているので、ゲインは帰還抵抗によつ
て決まり（図の実施例では電圧ゲインGVは GV＝Vo／Vg＝１＋Zf／R3 となる）、ゲインの設定が容易になり、差動増幅
器を構成するトランジスタとしても特性を選ばな
いのでコストも安価にある。
尚、上記実施例においてはフオノカートリツジ
をアンプにつなぐ場合について示したが、この考
案はこのほかにも例えばテープレコーダにおける
再生ヘツドの信号経路等小信号を金属接触部を介
して伝送する他の経路にも適用することができ
る。
をアンプにつなぐ場合について示したが、この考
案はこのほかにも例えばテープレコーダにおける
再生ヘツドの信号経路等小信号を金属接触部を介
して伝送する他の経路にも適用することができ
る。
図はこの考案の一実施例を示す回路図である。
１……カートリツジシエルに構成された回路、
２……ピツクアツプカートリツジ、Ｑ１，Ｑ２…
…差動増幅器を構成するトランジスタ、４，５，
８，９……金属接触部（コネクタ）、６，７……
リード線、１０……アンプ（増幅器）、Ｑ３……
カスコードトランジスタ、Zf，Ｒ３……帰還抵
抗。
２……ピツクアツプカートリツジ、Ｑ１，Ｑ２…
…差動増幅器を構成するトランジスタ、４，５，
８，９……金属接触部（コネクタ）、６，７……
リード線、１０……アンプ（増幅器）、Ｑ３……
カスコードトランジスタ、Zf，Ｒ３……帰還抵
抗。
Claims (1)
- 信号源がベース・コレクタ間に接続される第１
のトランジスタと、前記第１のトランジスタのエ
ミツタおよびコレクタを金属接点コネクタによる
信号路接続構造である金属接触部を介して増幅器
の入力端子間に接続する手段と、前記増幅器に配
置され、前記入力端子の一方にエミツタが接続さ
れて前記第１のトランジスタとともに差動増幅器
を構成する第２のトランジスタとを具え、前記入
力端子の他方を前記増幅器の基準電位に接続し、
前記増幅器の出力を前記第２のトランジスタのベ
ースに負帰還してなる小信号増幅回路。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1981135338U JPS5840920U (ja) | 1981-09-11 | 1981-09-11 | 小信号増幅回路 |
| US06/411,329 US4512008A (en) | 1981-09-11 | 1982-08-25 | Small signal amplifying circuit for a pickup cartridge |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1981135338U JPS5840920U (ja) | 1981-09-11 | 1981-09-11 | 小信号増幅回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5840920U JPS5840920U (ja) | 1983-03-17 |
| JPH0210663Y2 true JPH0210663Y2 (ja) | 1990-03-16 |
Family
ID=15149428
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1981135338U Granted JPS5840920U (ja) | 1981-09-11 | 1981-09-11 | 小信号増幅回路 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4512008A (ja) |
| JP (1) | JPS5840920U (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR3125668B1 (fr) | 2021-07-26 | 2024-02-16 | Eldora Productions | Préamplificateur audio à cartouche interchangeable pour microphone et kit le comprenant |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3522390A (en) * | 1965-04-12 | 1970-07-28 | Harry H Wieder | Magnetoresistive transducer having microscopic hall field shorting |
| US3624315A (en) * | 1967-01-23 | 1971-11-30 | Max E Broce | Transducer apparatus and transducer amplifier system utilizing insulated gate semiconductor field effect devices |
| JPS54120516A (en) * | 1978-03-10 | 1979-09-19 | Nippon Gakki Seizo Kk | Transmission system for alternating current signal |
| JPS54137262A (en) * | 1978-04-18 | 1979-10-24 | Sony Corp | Gain switching type negative feedback amplifier circuit |
| FR2426360A1 (fr) * | 1978-05-16 | 1979-12-14 | Trt Telecom Radio Electr | Amplificateur symetriseur |
| US4293823A (en) * | 1979-08-28 | 1981-10-06 | Logitek Electronic Systems, Inc. | Balanced input phonograph preamplifier circuit |
| US4328573A (en) * | 1980-05-12 | 1982-05-04 | Nad International | Precision phonocartridge interface |
-
1981
- 1981-09-11 JP JP1981135338U patent/JPS5840920U/ja active Granted
-
1982
- 1982-08-25 US US06/411,329 patent/US4512008A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5840920U (ja) | 1983-03-17 |
| US4512008A (en) | 1985-04-16 |
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