JPH02109401A - マイクロ波集積回路の不要モードの吸収構造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は誘電体基板の面上にマイクロ波回路を設けたマ
イクロ波集積回路に係り、特にマイクロ波集積回路を収
容する筐体の不要モードの吸収構造に関する。

３、発明の詳細な説明 〔概要〕 マイクロ波集積回路の不要モードの吸収構造に関し、 吸収構造の構成部材から発生するガスの量が規定値に対
して十分に少なくすることと該吸収構造〔従来の技術〕 誘電体基板の面上にマイクロ波回路を設けたマイクロ波
集積回路（例えば増幅回路）を筐体に収容実装する場合
に、筐体の構造に依存する不要モードが発生し、そのた
め予期しない共振や帰還が起きることがある。これらを
防止する為に、不要モードを吸収するための特別の構造
が必要となる。

従来のマイクロ波集積回路の不要モードの吸収構造は、
第４図の構造図に示す如く、不要モードを吸収するため
に、筺体４のフタ５の内側に例えばゴムフェライトの如
き電波吸収体８を接着剤や両面粘着テープ９で固定する
構造をとっていた。

Ｃ発明が解決しようとする課題〕 しかしながら、上記のマイクロ波集積回路を宇宙環境で
使用する場合には、回路素材が発生するガスの量を制限
する脱ガス性の要求規格を満足するものである事が必要
となり、また、搭載ロケットの打上げ時の振動にも耐え
られる耐振構造でなければならないが、従来例は上述の
如く、接着剤や粘着剤を使用しているので必ずしもこれ
らの要求規格を満足していないという問題があった。

本発明はマイクロ波集積回路の脱ガス性と耐振性の問題
を解決することをその課題とする。

〔課題を解決するための手段〕

この課題は、第１図に示す如く、誘電体基板ｌの少なく
とも一方の面上に抵抗膜２を蒸着し更にその抵抗膜の一
部分に導体膜３を重ねて蒸着した素子１０を筺体４のフ
タ５の内側に設けた溝６に金スズまたは半田により溶着
する本発明の構造によって解決される。

本発明のマイクロ波集積回路の不要モードの吸収構造を
示す第１図の原理図において、■は、フタ５を具えた筺
体４内の誘電体！＋７ｉである。

２は、誘電体基板１の少なくとも一方の面上に蒸着した
不要モードの吸収用の抵抗膜である。

３は、抵抗膜２の一部分に重ねて蒸着した導体膜であっ
て素子１０を形成する。

４は、マイクロ波集積回路を収容する筐体である。

５は、筐体４のフタである。

６は、筐体４のフタ５の内側に設けた溝である。

１０は、抵抗膜２の一部分に導体ＩＩ！３を重ねて蒸着
した素子である。

そして素子１０を筺体４のフタ５の内側に設けたｆｆ６
に金スズまたは半田により溶着するように構成する。

〔作用〕

本発明のマイクロ波集積回路の不要モードの吸収構造は
、吸収用の抵抗膜２を誘電体基板１の少なくとも一方の
面上に真空蒸着し、更に吸収用の抵抗膜２の一部分に４
体膜３を重ねて蒸着した素子１０を形成し、該素子１０
を筐体４のフタ５の内側に設けた溝６に半田付けなどで
溶着するので、搭載ロケットの打上げ時の振動に対する
耐振性の問題は無くなる。また、吸収用の抵抗膜２を回
路基板１へ固定するのに、金スズまたは半田により溶着
して接着剤などの有機材料を使用しなくて済むので、ガ
ス発生は無（なり脱ガス性の問題が解決される。

〔実施例〕

第２図は本発明の第１の実施例のマイクロ波集積回路の
不要モードの吸収構造を示す構造図であり、第３図は本
発明の第２の実施例の構造図である。

第２図において、誘電体基Ｆｉ、ｉは例えばアルミナで
構成され、その少なくとも一方の面上に抵抗膜２を真空
蒸着技術で形成する。

抵抗膜２は例えば窒化タンタルＴａｔＮで構成され、更
にその抵抗膜２の一部分に導体膜３を重ねて蒸着し素子
１０を形成する。

導体１１！３は例えばニッケルクロウムＮｉＣｒと金Ａ
ｕで構成され、抵抗１１！２の一部分に重ねて蒸着され
素子１０を形成し、その素子１０がマイクロ波集積回路
７を収容する筺体４のフタ５の内側に設けられた溝６に
金スズ、または、半田で溶着し固定される。

マイクロ波集積回路７からは僅かのマイクロ波が筺体４
内の空間に漏れ出して不要モードを誘起するが、この不
要モードは素子１０の抵抗膜２によって吸収される。

従って第２図の実施例のマイクロ波集積回路の不要モー
ドの吸収構造は、吸収用の抵抗膜２の窒化タンタルＴａ
２Ｎ膜を、誘電体基板１のアルミナ板の少なくとも一方
の面上に真空蒸着し、更にその吸収用の抵抗膜２の一部
分に、導体膜３のニッケルクロウムＮｉＣｒと金Ａｕの
導体膜を重ねて蒸着して素子１０を形成し、該素子１０
を筐体４のフタ５の内側に設けた溝６に半田付けなど溶
着するので、搭載ロケ・ノドの打上げ時の振動に対する
耐振性の問題は無い。

また、吸収用の抵抗膜２の窒化タンタルＴａ、Ｎ膜を回
路基板１へ固定するのに金スズまたは半田により溶着し
て接着剤などの有機材料を使用しないので、ガス発生は
無く脱ガス性の問題が無くて不要モードを吸収し寄生共
振や予期しない帰還を防止することが出来て問題が無い
。

第３図の第２の実施例は、誘電体基板１１の少なくとも
一方の面上に、導体膜Ｉ３および４体Ｍｉ＋４を間隔１
５を開けて形成し、先ず導体膜１３の側をフタ５の内側
に設けた溝６に金スズで固定した後に、４体膜１３およ
び導体膜１４をチップ抵抗１２を半田付けし橋渡して導
体２０を形成する場合である。この実施例の組立手順は
半田の溶融温度が金スズの溶融温度より低いことを考慮
したものである。

〔発明の効果〕

以上説明した如く、本発明によれば、不要モードを吸収
する効果は従来例と同等であるが接着剤や粘着剤などの
有機材料を使用しないので脱ガス性を向上する効果があ
り、また、素子を固定する方法として溝を設けてその溝
に金スズまたは半田付けなど溶着するので耐振性を向上
する効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のマイクロ波集積回路の不要モードの吸
収構造を示す原理図、 第２図は本発明の第１の実施例のマイクロ波集積回路の
不要モードの吸収構造を示す構造図、第３図は本発明の
第２の実施例のマイクロ波集積回路の不要モードの吸収
構造を示す構造図、第４図は従来のマイクロ波集積回路
の不要モードの吸収構造の構造図である。 図において、 １は誘電体基板、２は抵抗膜、３は導体膜、４は筐体、
５はフタ、６は溝、７はマイクロ波集積回路、１０は素
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Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. フタ（５）を具備した筐体（４）内にマイクロ波集積回
   路（７）を収容する実装構造において、誘電体基板（１
   ）の少なくとも一方の面に抵抗膜（２）を蒸着し更に該
   抵抗膜（２）の一部分の上に導体膜（３）を重ねて蒸着
   した素子（１０）を該筐体（４）のフタ（５）の内側に
   設けた溝（６）に溶着したことを特徴としたマイクロ波
   集積回路の不要モードの吸収構造。