JPS61177751A - マイクロ波増幅装置 - Google Patents
マイクロ波増幅装置Info
- Publication number
- JPS61177751A JPS61177751A JP60018052A JP1805285A JPS61177751A JP S61177751 A JPS61177751 A JP S61177751A JP 60018052 A JP60018052 A JP 60018052A JP 1805285 A JP1805285 A JP 1805285A JP S61177751 A JPS61177751 A JP S61177751A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- microwave
- electromagnetic wave
- module
- wave absorber
- metal
- Prior art date
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- Granted
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W42/00—Arrangements for protection of devices
- H10W42/20—Arrangements for protection of devices protecting against electromagnetic or particle radiation, e.g. light, X-rays, gamma-rays or electrons
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W42/00—Arrangements for protection of devices
- H10W42/20—Arrangements for protection of devices protecting against electromagnetic or particle radiation, e.g. light, X-rays, gamma-rays or electrons
- H10W42/281—Arrangements for protection of devices protecting against electromagnetic or particle radiation, e.g. light, X-rays, gamma-rays or electrons characterised by their materials
- H10W42/287—Arrangements for protection of devices protecting against electromagnetic or particle radiation, e.g. light, X-rays, gamma-rays or electrons characterised by their materials materials for magnetic shielding, e.g. ferromagnetic materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W44/00—Electrical arrangements for controlling or matching impedance
- H10W44/20—Electrical arrangements for controlling or matching impedance at high-frequency [HF] or radio frequency [RF]
Landscapes
- Waveguides (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、マイクロ波増幅装置に係わり、特に直列に接
続した複数のマイクロ波半導体アンプモジュール（ガリ
ウム、砒素化合物のＦＥＴ等を使用）を収納したマイク
ロ波増幅装置の信号電力が、金属容器内に設けられた電
磁波吸収体によって減衰される減衰量を小にするような
構造に関するものである。
続した複数のマイクロ波半導体アンプモジュール（ガリ
ウム、砒素化合物のＦＥＴ等を使用）を収納したマイク
ロ波増幅装置の信号電力が、金属容器内に設けられた電
磁波吸収体によって減衰される減衰量を小にするような
構造に関するものである。
近時、半導体装置をパッケージにしてアンプモジュール
とし、複数のパッケージを接続することによって単数の
パンケージの利得を複数倍にして使用する、簡易なマイ
クロ波増幅装置が開発され、広範囲に利用されている。
とし、複数のパッケージを接続することによって単数の
パンケージの利得を複数倍にして使用する、簡易なマイ
クロ波増幅装置が開発され、広範囲に利用されている。
然しながら、このようなマイクロ波増幅器は、伝送され
るマイクロ波信号に対し、金属筐体が一種の導波管のよ
うな作用をするために、その金属筐体に周波数特性がで
き、信号が広帯域の周波数帯を減衰がなく一様に伝送す
るためには多くの問題がある。
るマイクロ波信号に対し、金属筐体が一種の導波管のよ
うな作用をするために、その金属筐体に周波数特性がで
き、信号が広帯域の周波数帯を減衰がなく一様に伝送す
るためには多くの問題がある。
例えば、金属筐体が伝送周波数帯域の特定周波数で共振
周波数を有すると、マイクロ波増幅器の周波数特性が不
均一になり、又金属筐体のなかに配置された複数のアン
プモジュールで、出力端子側からのマイクロ波出力が入
力側に帰還されると発振をするという不都合がある。
周波数を有すると、マイクロ波増幅器の周波数特性が不
均一になり、又金属筐体のなかに配置された複数のアン
プモジュールで、出力端子側からのマイクロ波出力が入
力側に帰還されると発振をするという不都合がある。
この対策として、通常金属筐体の金属蓋の内側にマイク
ロ波吸収体を設けることにより、マイク口波増幅器の動
作を不安定にする電磁波を吸収するようにしているが、
反面そのマイクロ波吸収体のために、マイクロ波電力が
減衰するという欠点があり、これの改善が要望されてい
る。
ロ波吸収体を設けることにより、マイク口波増幅器の動
作を不安定にする電磁波を吸収するようにしているが、
反面そのマイクロ波吸収体のために、マイクロ波電力が
減衰するという欠点があり、これの改善が要望されてい
る。
第２図は、マイクロ波モジュールの斜視図であるが、マ
イクロ波モジュール１は外形が小型でハーメチック構造
であり、周波数帯域が８ ＧＨｚ〜１８ＧＨｚにわたっ
て、利得が５ｄＢ以上の特性を有するように設計され、
且つ複数のマイクロ波モジュールが容易にカスケード接
続が可能のように、パッケージ２の側面に、ＤＣ及びＲ
Ｆの端子３が設けられている。
イクロ波モジュール１は外形が小型でハーメチック構造
であり、周波数帯域が８ ＧＨｚ〜１８ＧＨｚにわたっ
て、利得が５ｄＢ以上の特性を有するように設計され、
且つ複数のマイクロ波モジュールが容易にカスケード接
続が可能のように、パッケージ２の側面に、ＤＣ及びＲ
Ｆの端子３が設けられている。
第３図（ａｌは、マイクロ波モジュールの平面図、第３
図（ｂ）は、その正面図、第３図（Ｃ）は、その側面図
であるが、符合は第２図と同様である。
図（ｂ）は、その正面図、第３図（Ｃ）は、その側面図
であるが、符合は第２図と同様である。
第４図（ａ）〜第４図（Ｃ１は、マイクロ波モジュール
が縦続に接続されて金属筐体の内部に配置された状態を
説明するためのマイクロ波増幅装置を示している。
が縦続に接続されて金属筐体の内部に配置された状態を
説明するためのマイクロ波増幅装置を示している。
第４図（ａ）は、複数のマイクロ波モジュール１が縦続
に接続されて金属筺体１１の内部に収納されており、１
個のモジュールの利得を５ｄｂとすると、４個のモジュ
ールが直列に接続されると、約２０ｄＢの利得が得られ
る。
に接続されて金属筺体１１の内部に収納されており、１
個のモジュールの利得を５ｄｂとすると、４個のモジュ
ールが直列に接続されると、約２０ｄＢの利得が得られ
る。
金属の筺体１１の両端には入力端子１２と出力端子１３
が設けてあり、そのらの端子は両端部に位置するマイク
ロ波モジュールに接続され、又それぞれのマイクロ波モ
ジュールは、マイクロ波モジュールの端子部１４で接続
されている。
が設けてあり、そのらの端子は両端部に位置するマイク
ロ波モジュールに接続され、又それぞれのマイクロ波モ
ジュールは、マイクロ波モジュールの端子部１４で接続
されている。
第４図（ｂ）は、マイクロ波モジュールの金属蓋の断面
図、第４図（Ｃ）は、マイクロ波モジュールの金属蓋の
平面図を示している。
図、第４図（Ｃ）は、マイクロ波モジュールの金属蓋の
平面図を示している。
金属蓋１５が取りつけられた筐体は、一種の導波管にな
るために、マイクロ波増幅装置の周波数特性や、又入出
力端子間の電磁波の帰還による発振とか、利得の周波数
特性が劣化することになるために、出来るだけ筐体を小
型構造にして、周波数帯に共振周波数が存在しない小型
構造に設計されている。
るために、マイクロ波増幅装置の周波数特性や、又入出
力端子間の電磁波の帰還による発振とか、利得の周波数
特性が劣化することになるために、出来るだけ筐体を小
型構造にして、周波数帯に共振周波数が存在しない小型
構造に設計されている。
従来は、このような電磁波の帰還等を防止するために、
金属蓋１５の内側にはフェライトゴムのような電磁波吸
収体１６を被着することにより、漏洩電磁波を吸収させ
て、比較的安定に動作できるようにしている。
金属蓋１５の内側にはフェライトゴムのような電磁波吸
収体１６を被着することにより、漏洩電磁波を吸収させ
て、比較的安定に動作できるようにしている。
然しなから、筐体の大きさが小型であるために、電磁波
吸収体１６がマイクロ波モジュールの接続部１４にかな
り接近することになり、この電磁波吸収体によって、マ
イクロ波の漏洩電磁波のみでなく、それぞれのマイクロ
波モジュールの接続した段間部における信号電力が、近
接している電磁波吸収体に吸収されることになり、マイ
クロ波の伝送効率が減衰するという欠点がある。
吸収体１６がマイクロ波モジュールの接続部１４にかな
り接近することになり、この電磁波吸収体によって、マ
イクロ波の漏洩電磁波のみでなく、それぞれのマイクロ
波モジュールの接続した段間部における信号電力が、近
接している電磁波吸収体に吸収されることになり、マイ
クロ波の伝送効率が減衰するという欠点がある。
導波管モードを吸収するために、金属蓋に設けられた電
磁波吸収体によって、高周波信号のエネルギの一部が吸
収されることが問題点であり、そのために高周波増幅器
の利得が低下するという不具合を生ずる。
磁波吸収体によって、高周波信号のエネルギの一部が吸
収されることが問題点であり、そのために高周波増幅器
の利得が低下するという不具合を生ずる。
本発明は上記問題点を解消したマイクロ波増幅回路を提
供するもので、その手段は、縦続に接続された複数の半
導体アンプモジュールが、入力端子と出力端子を有する
金属容器内に格納され、°該金属容器は上面が電磁波吸
収体を被着した金属蓋によってシールがなされるマイク
ロ波増幅装置において、上記複数の半導体アンプモジュ
ールが接続される段間部分に対応する該電磁波吸収体に
開口部を設け、半導体アンプモジュールで伝送される信
号の減衰を少なくなるようにしたマイクロ波増幅装置に
よって達成できる。
供するもので、その手段は、縦続に接続された複数の半
導体アンプモジュールが、入力端子と出力端子を有する
金属容器内に格納され、°該金属容器は上面が電磁波吸
収体を被着した金属蓋によってシールがなされるマイク
ロ波増幅装置において、上記複数の半導体アンプモジュ
ールが接続される段間部分に対応する該電磁波吸収体に
開口部を設け、半導体アンプモジュールで伝送される信
号の減衰を少なくなるようにしたマイクロ波増幅装置に
よって達成できる。
本発明は、複数のマイクロ波モジュールが接続されて筐
体に収納されている状態で、それぞれのマイクロ波モジ
ュールの接続部分が導体が露出しているために、電磁波
吸収体がこれに接近していると、信号電力が吸収されて
しまって利得を減少することを防止するために、それぞ
れのマイクロ波モジュールの接続部分に最も接近してい
る電磁波吸収体の部分に、電磁波を吸収しないように、
開口部を設けることにより、電磁波が吸収されることを
防止するように考慮したものである。
体に収納されている状態で、それぞれのマイクロ波モジ
ュールの接続部分が導体が露出しているために、電磁波
吸収体がこれに接近していると、信号電力が吸収されて
しまって利得を減少することを防止するために、それぞ
れのマイクロ波モジュールの接続部分に最も接近してい
る電磁波吸収体の部分に、電磁波を吸収しないように、
開口部を設けることにより、電磁波が吸収されることを
防止するように考慮したものである。
第１図（ａ）と第１図世）は本発明の詳細な説明するた
めのマイクロ波増幅装置の筐体部と金属蓋との模式平面
図を示している。
めのマイクロ波増幅装置の筐体部と金属蓋との模式平面
図を示している。
第１図（ａ）で、複数のマイクロ波パッケージ１が縦続
に接続されているが、その接続部分１４では、それぞれ
のマイクロ波モジュールの接続端子３が露出している。
に接続されているが、その接続部分１４では、それぞれ
のマイクロ波モジュールの接続端子３が露出している。
入出力信号の周波数がマイクロ波になる程、この露出し
た接続端子３からマイクロ波の電磁波を輻射することに
なり、その近傍に抵抗体があると通常その分だけ輻射損
失として、次段のマイクロ波パッケージへの入力が減少
する。
た接続端子３からマイクロ波の電磁波を輻射することに
なり、その近傍に抵抗体があると通常その分だけ輻射損
失として、次段のマイクロ波パッケージへの入力が減少
する。
本発明は、その露出した接続導体からの輻射損失を可能
な限り減少させるために、露出している接続端子部１４
の位置に対向して、金属蓋１５に取りつけられたマイク
ロ波吸収体１６に、開口部１７を設けたものであって、
その結果、マイクロ波増幅装置における損失が、従来は
１ｄＢ程度であったが、本発明のマイクロ波吸収体に開
口部を設けた結果０．１ ｄＢ程度の損失迄に改善され
、著しい効果が認められた。
な限り減少させるために、露出している接続端子部１４
の位置に対向して、金属蓋１５に取りつけられたマイク
ロ波吸収体１６に、開口部１７を設けたものであって、
その結果、マイクロ波増幅装置における損失が、従来は
１ｄＢ程度であったが、本発明のマイクロ波吸収体に開
口部を設けた結果０．１ ｄＢ程度の損失迄に改善され
、著しい効果が認められた。
以上詳細に説明したように、本発明のマイクロ波増幅装
置は、広帯域の周波数特性に桝し、高利得で、且つ利得
の変動が少ない優れた特性を有するマイクロ波増幅装置
を供し得るという効果大なるものがある。
置は、広帯域の周波数特性に桝し、高利得で、且つ利得
の変動が少ない優れた特性を有するマイクロ波増幅装置
を供し得るという効果大なるものがある。
第１図（ａ）、第１図（ｂ）は、第１図（Ｃ）は本発明
のマイクロ波増幅装置の正面図と断面図、 第２図は、マイクロ波モジュールを示す斜視図第３図ｔ
８）、第３図ｔｂ＞、第３図（ｃ）は、？４りｔｌ１ｍ
モジュールを示すそれぞれ正面図、側面図、と平面図、 第４図（ａｌ、第４図（ｂｌ、第４図（Ｃ）は、従来の
マイクロ波増幅装置の断面図と平面図、 図において、 ■はマイクロ波パッケージ、３は接続端子、１４はマイ
クロ波パフケージの接続部分、１５は金属蓋、
１６はマイクロ波吸収体、１７は開口部、 をそれぞれ示している。 第１ＦＭ 第２図 ｊ （ｂ）
のマイクロ波増幅装置の正面図と断面図、 第２図は、マイクロ波モジュールを示す斜視図第３図ｔ
８）、第３図ｔｂ＞、第３図（ｃ）は、？４りｔｌ１ｍ
モジュールを示すそれぞれ正面図、側面図、と平面図、 第４図（ａｌ、第４図（ｂｌ、第４図（Ｃ）は、従来の
マイクロ波増幅装置の断面図と平面図、 図において、 ■はマイクロ波パッケージ、３は接続端子、１４はマイ
クロ波パフケージの接続部分、１５は金属蓋、
１６はマイクロ波吸収体、１７は開口部、 をそれぞれ示している。 第１ＦＭ 第２図 ｊ （ｂ）
Claims (1)
- 直列に接続された複数の半導体アンプモジュールが、
入力端子と出力端子を有する金属容器内に格納され、該
金属容器は上面が電磁波吸収体を被着した金属蓋によっ
てシールがなされるマイクロ波増幅装置において、上記
複数の半導体アンプモジュールが接続される段間部分に
対応する該電磁波吸収体に開口部を設けたことを特徴と
するマイクロ波増幅装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60018052A JPS61177751A (ja) | 1985-01-31 | 1985-01-31 | マイクロ波増幅装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60018052A JPS61177751A (ja) | 1985-01-31 | 1985-01-31 | マイクロ波増幅装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61177751A true JPS61177751A (ja) | 1986-08-09 |
| JPH022322B2 JPH022322B2 (ja) | 1990-01-17 |
Family
ID=11960925
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60018052A Granted JPS61177751A (ja) | 1985-01-31 | 1985-01-31 | マイクロ波増幅装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61177751A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02109401A (ja) * | 1988-10-19 | 1990-04-23 | Fujitsu Ltd | マイクロ波集積回路の不要モードの吸収構造 |
| JPH03123202A (ja) * | 1989-10-06 | 1991-05-27 | Nec Corp | 電界効果トランジスタ |
-
1985
- 1985-01-31 JP JP60018052A patent/JPS61177751A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02109401A (ja) * | 1988-10-19 | 1990-04-23 | Fujitsu Ltd | マイクロ波集積回路の不要モードの吸収構造 |
| JPH03123202A (ja) * | 1989-10-06 | 1991-05-27 | Nec Corp | 電界効果トランジスタ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH022322B2 (ja) | 1990-01-17 |
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