JPH0211137B2 - - Google Patents
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- JPH0211137B2 JPH0211137B2 JP58020786A JP2078683A JPH0211137B2 JP H0211137 B2 JPH0211137 B2 JP H0211137B2 JP 58020786 A JP58020786 A JP 58020786A JP 2078683 A JP2078683 A JP 2078683A JP H0211137 B2 JPH0211137 B2 JP H0211137B2
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- layer
- coating
- laser
- atom
- ethyl
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
- G11B7/246—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes
- G11B7/247—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes methine or polymethine dyes
- G11B7/2472—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes methine or polymethine dyes cyanine
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0664—Dyes
- G03G5/0666—Dyes containing a methine or polymethine group
- G03G5/0672—Dyes containing a methine or polymethine group containing two or more methine or polymethine groups
- G03G5/0674—Dyes containing a methine or polymethine group containing two or more methine or polymethine groups containing hetero rings
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Filters (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
本発明は、レーザ特に長波長側に発振波長を有
する半導体レーザを効果的に吸収し、別のエネル
ギーを変換しうる有機被膜を関し、詳しくは半導
体レーザを光源とした電子写真方式プリンターの
電子写真用感光被膜、半導体レーザによる書込み
と再生が可能な光デイスク用被膜あるいは赤外線
カツトフイルターなどに適用できる新規な有機被
膜に関する。 レーザを光源とした電子写真方式プリンター
は、画像情報に応じた電気信号によつて、レーザ
の変調を行なわせ、この変調されたレーザをガル
バノミラーなどによつて感光体上に光走査して静
電潜像を形成した後、トナー現像および転写を順
次施すことにより、所望の再生画像を形成するこ
とができる。この際に用いられていたレーザは、
一般にヘリウムカドミニウム（発振波長：441.6n
ｍ）やヘリウム−ネオン（発振波長：632.8nｍ）
などのガスレーザであつた。従つて、この様な光
源に対して用いられる感光体は、650nｍ程度ま
でに分光増感されていればよく、例えばポリビニ
ルカルバゾールとトリニトロフルオレノンとの電
荷移動錯体を感光層に用いたもの、セレンによつ
て増感させたテルル蒸着層を感光体に用いたも
の、電荷輪送層としてセレン蒸着層を導電層上に
形成し、このセレン蒸着層上にセレンーテルル蒸
着層を形成させたことからなる感光層を用いたも
の、増感色素によつて分光増感させた硫化カドミ
ニウムを感光層に用いたもの、また有機顔料を含
有した電荷発生層と電荷輸送層に機能分解し、そ
の感光波長域を長波長側まで増感した感光層を用
いたものなどが知られている。 一方、光デイスク技術で用いる記録被膜は、光
学的に検出可能な小さな（例えば、約1μ）ピツ
トをらせん状又は円形のトラツク形態にして、高
密度情報を記憶することができる。この様なデイ
スク情報を書込むには、レーザ感応層の表面に集
束したレーザを走査し、このレーザ光線が照射さ
れた表面のみがピツトを形成し、このピツトをら
せん状又は円形トラックの形態で形成する。レー
ザ感応層は、レーザ・エネルギーを吸収して光学
的に検出可能なピツトを形成できる。例えば、ヒ
ートモード記録方式では、レーザ感応層は熱エネ
ルギーを吸収し、その個所に蒸発又は融解により
小さな凹部（ピツト）を形成できる。また、別の
ヒートモード記録方式では、照射されたレーザ・
エネルギーの吸収により、その個所に光学的に検
出可能な濃度差を有するピツトを形成できる。 この光デイスクに記録された情報は、レーザを
トラツクに沿つて走査し、ピツトが形成された部
分とピツトが形成されていない部分の光学的変化
を読み取ることによつて検出される。例えば、レ
ーザがトラツクに沿つて走査され、デイスクによ
り反射されたエネルギーがフオトデイテクターに
よつてモニターされる。ピツトが形成されていな
い時、フオトデイテクターの出力は低下し、一方
ピツトが形成されている時はレーザ光線は下層の
反射面によつて充分に反射されフオトデイテクタ
ーの出力は大きくなる。 この様な光デイスクに用いる記録媒体として、
これまでアルミニウム蒸着膜などの金属薄膜、ビ
スマス薄膜、酸化テルル薄膜やカルコゲナイト系
非晶質ガラス膜などの無機物質を主に用いたもの
が提案されている。 ところで、近年レーザとして小型でしかも低コ
ストの上、直接変調が可能な半導体レーザが開発
されているが、このレーザの発振波長が750nｍ
以上の波長を有していることが多い。従つて、こ
の様な半導体レーザを用いて記録及び（又は）再
生を行なう場合には、レーザ感応被膜の吸収特性
は長波長側に吸収ピーク（一般に750nｍ〜850n
ｍの領域）を有する必要がある。 しかし、これまでのレーザ感応被膜、特に無機
材料を主成分として形成した被膜は、レーザ光に
対する反射率が高いため、レーザの利用率が低く
なり、高感度特性が得らない欠点を有しており、
しかも感応波長域を750nｍ以上とすることは、
レーザ感応被膜の層構成を被雑化したり、特に電
子写真用感応被膜の場合では使用した増感染料が
繰り返し帯電一露光を行なつているうちに、退色
してしまうなどの欠点を有している。 この様なことから、近年750nｍ以上の波長光
に対して高感度特性を示す有機被膜が堤案されて
いる。例えば、米国特許第4315983号、「Reseach
Disclosure」20517（1981.5）に開示のピリリウム
系染料や「J.Vac.Scl.Technol.、18(1)、Jan.／
Feb.1981、P105〜P109に開示のスクエアリリウ
ム染料を含有した有機被膜が750nｍ以上のレー
ザに対して感応性であることが知られている。 しかし、一般に有機化合物は吸収特性が長波長
領域になるほど不安定で、わずかの温度上昇によ
つて分解されやすいなどの問題点を有すると同時
に電子写真方式プリンターあるいは光デイスクで
要求される各種の特性を満足する必要があるた
め、必ずしも実用性の点で十分に満足できる有機
被膜が開発されているものとは言えないのが現状
である。 従つて、本発明の第１の目的は、新規且つ有用
な有機被膜を提供することにある。 本発明の第２の目的は、長波長側、特に750n
ｍ以上に吸収帯をもつ有機被膜を提供することに
ある。 本発明の第３の目的は、熱に対して安定な有機
被膜を提供することにある。 本発明の第４の目的は、レーザを光源とした電
子写真方式プリンターの電子写真用感光被膜を提
供することにある。 本発明の第５の目的は、750nｍ以上の波長域
で高感度な特性を有する電子写真用感光被膜を提
供することにある。 本発明の第６の目的は、光デイスク記録用被膜
を提供することにある。 本発明の第７の目的は、750nｍ以上の波長域
で高感度であり、しかも十分なＳ／Ｎ比を有する
光デイスク記録用被膜を提供することにある。 本発明のかかる目的は、下記一般式(1)の示され
る化合物を含有する有機被膜に達成される。 一般式(1) Z1は、置換または未置換の含窒素複素環、例え
ば、チアゾール系列の核（例えばチアゾール、４
−メチルチアゾール、４−フエニチアゾール、５
−メチルチアゾール、５−フエニルチアゾール、
４，５−ジメチルチアゾール、４，５−ジフエニ
ルチアゾール、４−（２−チエニル）−チアゾルな
ど）、ベンゾチアゾール系列の核（例えばベンゾ
チアゾール、５−クロロベンゾチアゾール、５−
メチルベンゾチアゾール、６−メチルベンゾチア
ゾール、５，６−ジメチルベンゾチアゾール、５
−プロモベンゾチアゾール、５−フエニルベンゾ
チアゾール、５−メトキシベンゾチアゾール、６
−メトキシベンゾチアゾール、５，６−ジメトキ
シベンゾチアゾール、５，６−ジオキシメチレン
ベンゾチアゾール、５−ヒドロキシベンゾチアゾ
ール、６−ヒドロキシベンゾチアゾール、４，
５，６，７−テトラヒドロベンゾチアゾールな
ど）、ナフトチアゾール系列の核（例えばナフト
〔２，１−ｄ〕チアゾール、ナフト〔１，２−ｄ〕
チアゾール、５−メトキシナフト〔１，２−ｄ〕
チアゾール、５−エトキシナフト〔１，２−ｄ〕
チアゾール、８−メトキシナフト〔２，１−ｄ〕
チアゾール、７−メトキシナフト〔２，１−ｄ〕
チアゾールなど）、チオナフテン〔７，６−ｄ〕
チアゾール系列の核（例えば７−メトキシチオナ
フテン〔７，６−ｄ〕チアゾール）、オキサゾー
ル系例の核（例えば４−メチルオキサゾール、５
−メチルオキサゾール、４−フエニルオキサゾー
ル、４，５−ジフエニルオキサゾール、４−エチ
ルオキサゾール、４，５−ジメチルオキサゾー
ル、５−フエニルオキサゾール）、ベンゾオキサ
ゾール系列の核（例えばベンゾオキサゾール、５
−クロロベンゾオキサゾール、５−メチルベンゾ
オキサゾール、５−フエニルベンゾオキサゾー
ル、６−メチルベンゾオキサゾール、５，６−ジ
メチルベンゾオキサゾール、５−メトキシベンゾ
オキサゾール、６−メトキシベンゾオキサゾー
ル、５−ヒドロキシベンゾオキサゾール、６−ヒ
ドロキシベンゾオキサゾールなど）、ナフトオキ
サゾール系列の核（例えばナフト〔２，１−ｄ〕
オキサゾール、ナフト〔１，２−ｄ〕オキサゾー
ルなど）、セレナゾール系列の核（例えば４−メ
チルセレナゾール、４−フエニルセレナゾールな
ど）、ベンゾセレナゾール系列の核（例えばベン
ゾセレナゾール、５−クロロベンゾセレナゾー
ル、５−メチルベンゾセレナゾール、５，６−ジ
メチルベンゾセレナゾール、５−メチルキシベン
ゾセレナゾール、５−メチル−６−メトキシベン
ゾセレナゾール、５，６−ジオキシメチルベンゾ
セレナゾール、５−ヒドロキシベンゾセレナゾー
ル、４，５，６，７−テトラヒドロベンゾセレナ
ゾールなど）、ナフトセレナゾール系列の核（例
えばナフト〔２，１−ｄ〕セレナゾール、ナフト
〔１，２−ｄ〕セレナゾール）、チアゾリン系列の
核（例えばチアゾリン、４−メチルチアゾリン、
４−ヒドロキシメチル−４−メチルチアゾリン、
４，４−ビス−ヒドロキシメチルチアゾリンな
ど）、オキサゾリン系列の核（例えばオキサゾリ
ン）、セレナゾリン系列の核（例えばセレナゾリ
ン）、２−キノリン系列の核（例えばキノリン、
６−メチルキノリン、６−クロロキノリン、６−
メトキシキノリン、６−エトキシキノリン、６−
ヒドロキシキノリン）、４−キノリン系列の核、
（例えばキノリン、６−メトキシキノリン、７−
メチルキノリン、８−メチルキノリン）、１−イ
ソキノリン系列の核（例えばイソキノリン、３，
４−ジヒドロイソキノリン）、３−イソキノリン
系列の核（例えばイソキノリン）、３，３−ジア
ルキルインドレニン系列の核（例えば３，３−ジ
メチルインドレニン、３，３−ジメチル−５−ク
ロロインドレニン、３，３，５−トリメチルイン
ドレニン、３，３，７−トリメチルインドレニ
ン）、ピリジン系列の核（例えばピリジン、５−
メチルピリジン）、ベンゾイミダゾール系列の核
（例えば１−エチル−５，６−ジクロロベンゾイ
ミダゾール、１−ヒドロキシエチル−５，６−ジ
クロロベンゾイミダゾール、１−エチル−クロロ
ベンゾイミダゾール、１−エチル−５，６−ジプ
ロモベンゾイミダゾール、１−エチル−５−フエ
ニルベンゾイミダゾール、１−エチル−５−フエ
オロベンゾイミダゾール、１−エチル−５−シア
ノベンゾイミダゾール、１−（β−アセトキシエ
チル）−５−シアノベンゾイミダゾール、１−エ
チル−５−クロロ−６−シアノベンゾイミダゾー
ル、１−エチル−５−フルオロ−６−シアノベン
ゾイミダゾール、１−エチル−５−アセチルベン
ゾイミダゾール、１−エチル−５−カルボキシベ
ンゾイミダゾール、１−エチル−５−エトキシカ
ルボニルベンゾイミダゾール、１−エチル−５−
スルフアミルベンゾイミダゾール、１−エチル−
５−Ｎ−エチルスルフアミルベンゾイミダゾー
ル、１−エチル−５，６−ジフルオロベンゾイミ
ダゾール、１−エチル−５，６−ジシアノベンゾ
イミダゾール、１−エチル−５−エチルスルホニ
ルベンゾイミダゾール、１−エチル−５−メチル
スルホニルベンゾイミダゾール、１−エチル−５
−トリフルオロメチルベンゾイミダゾール、１−
エチル−５−トリフルオロメチルスルホニルベン
ゾイミダゾール、１−エチル−５−トリフルオロ
メチルスルフイニルベンゾイミダゾールなど）を
完成するに必要な非金属原子群を表わす。 Z2は、置換されてもよいピラン、チアピラン、
セレナピラン、ベンゾピラン、ベンゾチアピラ
ン、ベンゾセレナピラン、ナフトピラン、ナフト
チアピラン又はナフトセレナピランを完成するに
必要な原子群を示し、Ｘは硫黄原子、酸素原子又
はセレン原子である。置換基としては、下述の
R2およびR3に示す水素原子以外のものを具体的
に挙げることができる。 Z3は、置換又は未置換の５員若しくは６員環を
形成する２価の炭化水素基（−CH2−CH2−、−
CH2−CH2−CH2−、
する半導体レーザを効果的に吸収し、別のエネル
ギーを変換しうる有機被膜を関し、詳しくは半導
体レーザを光源とした電子写真方式プリンターの
電子写真用感光被膜、半導体レーザによる書込み
と再生が可能な光デイスク用被膜あるいは赤外線
カツトフイルターなどに適用できる新規な有機被
膜に関する。 レーザを光源とした電子写真方式プリンター
は、画像情報に応じた電気信号によつて、レーザ
の変調を行なわせ、この変調されたレーザをガル
バノミラーなどによつて感光体上に光走査して静
電潜像を形成した後、トナー現像および転写を順
次施すことにより、所望の再生画像を形成するこ
とができる。この際に用いられていたレーザは、
一般にヘリウムカドミニウム（発振波長：441.6n
ｍ）やヘリウム−ネオン（発振波長：632.8nｍ）
などのガスレーザであつた。従つて、この様な光
源に対して用いられる感光体は、650nｍ程度ま
でに分光増感されていればよく、例えばポリビニ
ルカルバゾールとトリニトロフルオレノンとの電
荷移動錯体を感光層に用いたもの、セレンによつ
て増感させたテルル蒸着層を感光体に用いたも
の、電荷輪送層としてセレン蒸着層を導電層上に
形成し、このセレン蒸着層上にセレンーテルル蒸
着層を形成させたことからなる感光層を用いたも
の、増感色素によつて分光増感させた硫化カドミ
ニウムを感光層に用いたもの、また有機顔料を含
有した電荷発生層と電荷輸送層に機能分解し、そ
の感光波長域を長波長側まで増感した感光層を用
いたものなどが知られている。 一方、光デイスク技術で用いる記録被膜は、光
学的に検出可能な小さな（例えば、約1μ）ピツ
トをらせん状又は円形のトラツク形態にして、高
密度情報を記憶することができる。この様なデイ
スク情報を書込むには、レーザ感応層の表面に集
束したレーザを走査し、このレーザ光線が照射さ
れた表面のみがピツトを形成し、このピツトをら
せん状又は円形トラックの形態で形成する。レー
ザ感応層は、レーザ・エネルギーを吸収して光学
的に検出可能なピツトを形成できる。例えば、ヒ
ートモード記録方式では、レーザ感応層は熱エネ
ルギーを吸収し、その個所に蒸発又は融解により
小さな凹部（ピツト）を形成できる。また、別の
ヒートモード記録方式では、照射されたレーザ・
エネルギーの吸収により、その個所に光学的に検
出可能な濃度差を有するピツトを形成できる。 この光デイスクに記録された情報は、レーザを
トラツクに沿つて走査し、ピツトが形成された部
分とピツトが形成されていない部分の光学的変化
を読み取ることによつて検出される。例えば、レ
ーザがトラツクに沿つて走査され、デイスクによ
り反射されたエネルギーがフオトデイテクターに
よつてモニターされる。ピツトが形成されていな
い時、フオトデイテクターの出力は低下し、一方
ピツトが形成されている時はレーザ光線は下層の
反射面によつて充分に反射されフオトデイテクタ
ーの出力は大きくなる。 この様な光デイスクに用いる記録媒体として、
これまでアルミニウム蒸着膜などの金属薄膜、ビ
スマス薄膜、酸化テルル薄膜やカルコゲナイト系
非晶質ガラス膜などの無機物質を主に用いたもの
が提案されている。 ところで、近年レーザとして小型でしかも低コ
ストの上、直接変調が可能な半導体レーザが開発
されているが、このレーザの発振波長が750nｍ
以上の波長を有していることが多い。従つて、こ
の様な半導体レーザを用いて記録及び（又は）再
生を行なう場合には、レーザ感応被膜の吸収特性
は長波長側に吸収ピーク（一般に750nｍ〜850n
ｍの領域）を有する必要がある。 しかし、これまでのレーザ感応被膜、特に無機
材料を主成分として形成した被膜は、レーザ光に
対する反射率が高いため、レーザの利用率が低く
なり、高感度特性が得らない欠点を有しており、
しかも感応波長域を750nｍ以上とすることは、
レーザ感応被膜の層構成を被雑化したり、特に電
子写真用感応被膜の場合では使用した増感染料が
繰り返し帯電一露光を行なつているうちに、退色
してしまうなどの欠点を有している。 この様なことから、近年750nｍ以上の波長光
に対して高感度特性を示す有機被膜が堤案されて
いる。例えば、米国特許第4315983号、「Reseach
Disclosure」20517（1981.5）に開示のピリリウム
系染料や「J.Vac.Scl.Technol.、18(1)、Jan.／
Feb.1981、P105〜P109に開示のスクエアリリウ
ム染料を含有した有機被膜が750nｍ以上のレー
ザに対して感応性であることが知られている。 しかし、一般に有機化合物は吸収特性が長波長
領域になるほど不安定で、わずかの温度上昇によ
つて分解されやすいなどの問題点を有すると同時
に電子写真方式プリンターあるいは光デイスクで
要求される各種の特性を満足する必要があるた
め、必ずしも実用性の点で十分に満足できる有機
被膜が開発されているものとは言えないのが現状
である。 従つて、本発明の第１の目的は、新規且つ有用
な有機被膜を提供することにある。 本発明の第２の目的は、長波長側、特に750n
ｍ以上に吸収帯をもつ有機被膜を提供することに
ある。 本発明の第３の目的は、熱に対して安定な有機
被膜を提供することにある。 本発明の第４の目的は、レーザを光源とした電
子写真方式プリンターの電子写真用感光被膜を提
供することにある。 本発明の第５の目的は、750nｍ以上の波長域
で高感度な特性を有する電子写真用感光被膜を提
供することにある。 本発明の第６の目的は、光デイスク記録用被膜
を提供することにある。 本発明の第７の目的は、750nｍ以上の波長域
で高感度であり、しかも十分なＳ／Ｎ比を有する
光デイスク記録用被膜を提供することにある。 本発明のかかる目的は、下記一般式(1)の示され
る化合物を含有する有機被膜に達成される。 一般式(1) Z1は、置換または未置換の含窒素複素環、例え
ば、チアゾール系列の核（例えばチアゾール、４
−メチルチアゾール、４−フエニチアゾール、５
−メチルチアゾール、５−フエニルチアゾール、
４，５−ジメチルチアゾール、４，５−ジフエニ
ルチアゾール、４−（２−チエニル）−チアゾルな
ど）、ベンゾチアゾール系列の核（例えばベンゾ
チアゾール、５−クロロベンゾチアゾール、５−
メチルベンゾチアゾール、６−メチルベンゾチア
ゾール、５，６−ジメチルベンゾチアゾール、５
−プロモベンゾチアゾール、５−フエニルベンゾ
チアゾール、５−メトキシベンゾチアゾール、６
−メトキシベンゾチアゾール、５，６−ジメトキ
シベンゾチアゾール、５，６−ジオキシメチレン
ベンゾチアゾール、５−ヒドロキシベンゾチアゾ
ール、６−ヒドロキシベンゾチアゾール、４，
５，６，７−テトラヒドロベンゾチアゾールな
ど）、ナフトチアゾール系列の核（例えばナフト
〔２，１−ｄ〕チアゾール、ナフト〔１，２−ｄ〕
チアゾール、５−メトキシナフト〔１，２−ｄ〕
チアゾール、５−エトキシナフト〔１，２−ｄ〕
チアゾール、８−メトキシナフト〔２，１−ｄ〕
チアゾール、７−メトキシナフト〔２，１−ｄ〕
チアゾールなど）、チオナフテン〔７，６−ｄ〕
チアゾール系列の核（例えば７−メトキシチオナ
フテン〔７，６−ｄ〕チアゾール）、オキサゾー
ル系例の核（例えば４−メチルオキサゾール、５
−メチルオキサゾール、４−フエニルオキサゾー
ル、４，５−ジフエニルオキサゾール、４−エチ
ルオキサゾール、４，５−ジメチルオキサゾー
ル、５−フエニルオキサゾール）、ベンゾオキサ
ゾール系列の核（例えばベンゾオキサゾール、５
−クロロベンゾオキサゾール、５−メチルベンゾ
オキサゾール、５−フエニルベンゾオキサゾー
ル、６−メチルベンゾオキサゾール、５，６−ジ
メチルベンゾオキサゾール、５−メトキシベンゾ
オキサゾール、６−メトキシベンゾオキサゾー
ル、５−ヒドロキシベンゾオキサゾール、６−ヒ
ドロキシベンゾオキサゾールなど）、ナフトオキ
サゾール系列の核（例えばナフト〔２，１−ｄ〕
オキサゾール、ナフト〔１，２−ｄ〕オキサゾー
ルなど）、セレナゾール系列の核（例えば４−メ
チルセレナゾール、４−フエニルセレナゾールな
ど）、ベンゾセレナゾール系列の核（例えばベン
ゾセレナゾール、５−クロロベンゾセレナゾー
ル、５−メチルベンゾセレナゾール、５，６−ジ
メチルベンゾセレナゾール、５−メチルキシベン
ゾセレナゾール、５−メチル−６−メトキシベン
ゾセレナゾール、５，６−ジオキシメチルベンゾ
セレナゾール、５−ヒドロキシベンゾセレナゾー
ル、４，５，６，７−テトラヒドロベンゾセレナ
ゾールなど）、ナフトセレナゾール系列の核（例
えばナフト〔２，１−ｄ〕セレナゾール、ナフト
〔１，２−ｄ〕セレナゾール）、チアゾリン系列の
核（例えばチアゾリン、４−メチルチアゾリン、
４−ヒドロキシメチル−４−メチルチアゾリン、
４，４−ビス−ヒドロキシメチルチアゾリンな
ど）、オキサゾリン系列の核（例えばオキサゾリ
ン）、セレナゾリン系列の核（例えばセレナゾリ
ン）、２−キノリン系列の核（例えばキノリン、
６−メチルキノリン、６−クロロキノリン、６−
メトキシキノリン、６−エトキシキノリン、６−
ヒドロキシキノリン）、４−キノリン系列の核、
（例えばキノリン、６−メトキシキノリン、７−
メチルキノリン、８−メチルキノリン）、１−イ
ソキノリン系列の核（例えばイソキノリン、３，
４−ジヒドロイソキノリン）、３−イソキノリン
系列の核（例えばイソキノリン）、３，３−ジア
ルキルインドレニン系列の核（例えば３，３−ジ
メチルインドレニン、３，３−ジメチル−５−ク
ロロインドレニン、３，３，５−トリメチルイン
ドレニン、３，３，７−トリメチルインドレニ
ン）、ピリジン系列の核（例えばピリジン、５−
メチルピリジン）、ベンゾイミダゾール系列の核
（例えば１−エチル−５，６−ジクロロベンゾイ
ミダゾール、１−ヒドロキシエチル−５，６−ジ
クロロベンゾイミダゾール、１−エチル−クロロ
ベンゾイミダゾール、１−エチル−５，６−ジプ
ロモベンゾイミダゾール、１−エチル−５−フエ
ニルベンゾイミダゾール、１−エチル−５−フエ
オロベンゾイミダゾール、１−エチル−５−シア
ノベンゾイミダゾール、１−（β−アセトキシエ
チル）−５−シアノベンゾイミダゾール、１−エ
チル−５−クロロ−６−シアノベンゾイミダゾー
ル、１−エチル−５−フルオロ−６−シアノベン
ゾイミダゾール、１−エチル−５−アセチルベン
ゾイミダゾール、１−エチル−５−カルボキシベ
ンゾイミダゾール、１−エチル−５−エトキシカ
ルボニルベンゾイミダゾール、１−エチル−５−
スルフアミルベンゾイミダゾール、１−エチル−
５−Ｎ−エチルスルフアミルベンゾイミダゾー
ル、１−エチル−５，６−ジフルオロベンゾイミ
ダゾール、１−エチル−５，６−ジシアノベンゾ
イミダゾール、１−エチル−５−エチルスルホニ
ルベンゾイミダゾール、１−エチル−５−メチル
スルホニルベンゾイミダゾール、１−エチル−５
−トリフルオロメチルベンゾイミダゾール、１−
エチル−５−トリフルオロメチルスルホニルベン
ゾイミダゾール、１−エチル−５−トリフルオロ
メチルスルフイニルベンゾイミダゾールなど）を
完成するに必要な非金属原子群を表わす。 Z2は、置換されてもよいピラン、チアピラン、
セレナピラン、ベンゾピラン、ベンゾチアピラ
ン、ベンゾセレナピラン、ナフトピラン、ナフト
チアピラン又はナフトセレナピランを完成するに
必要な原子群を示し、Ｘは硫黄原子、酸素原子又
はセレン原子である。置換基としては、下述の
R2およびR3に示す水素原子以外のものを具体的
に挙げることができる。 Z3は、置換又は未置換の５員若しくは６員環を
形成する２価の炭化水素基（−CH2−CH2−、−
CH2−CH2−CH2−、
【式】−
CH＝CH−などを示し、これらの５員又は６員
環はベンゼン環、ナフタレン環などを縮合さてい
てもよい。 R1は、水素原子又はアルキル基（例えば、メ
チル、エチル、ｎ−プロピル、iso−プロピル、
ｎ−ブチル、sec−ブチル、iso−ブチル、ｔ−ブ
チル、ｎ−アミル、ｔ−アミル、ｎ−ヘキシル、
ｎ−オクチル、ｔ−オクチル基など）を示し、さ
らに他のアルキル基、例えば置換アルル基（例え
ば、２−ヒドロキシエチル、３−ヒドロキシプロ
ピル、４−ヒドロキシブチル、２−アセトキシエ
チル、カルボキシメチル、２−カルボキシエル、
３−カルボキシプロピル、２−スルホエチル、３
−スルホプロピル、４−スルホブチル、３−スル
フエートプロビル、４−スルフエートブチル、Ｎ
−（メチルスルホニル）−カルバミルメチル、３−
（アセチルスルフアミル）プロピル、４−（アセチ
ルスルフアミル）ブチルなど）、環式アルキル基
（例えば、シクロヘキシルなど）、アリル基（CH2
＝CH−CH2−）、アラルキル基（例えば、ベンジ
ル、フエネチル、α−ナフチルメチル、β−ナフ
チルメチルなど、）置換アラキル基（例えば、カ
ルボキシベンジル、スルホベンジル、ヒドロキシ
ベンジルなど）を包含する。 R2およびR3は、各々 (a) 水素原子、 (b) ハロゲン原子：塩素原子、臭素原子、沃素原
子又は１価の有機残基、例えば (c) アルキル基、特に炭素原子数１〜15のアルキ
ル基：例えば、メチル、エチル、プロピル、イ
ソプロピル、ブチル、ｔ−ブチル、アミル、イ
ソアミル、ヘキシル、オクチル、ノニル、ドデ
シル (d) アルコキシ基：例えば、メトキシ、エトキ
シ、プロポキシ、ブトキシ、アミロキシ、ヘキ
ソキシ、オクトキシ (e) アリール基：フエニル、α−ナフチル、β−
ナフチル (f) 置換アリール基：トリル、キシリル、ビフエ
ニル、エチルフエニル、メトキシフエニル、エ
トキシフエニル、アミロキシフエニル、ジメト
ロキシフエニル、ジエトキシフエニル、ヒドロ
キシフエニル、クロロフエニル、ジクロロフエ
ニル、プロモフエニル、ジブロモフエニル、ニ
トロフエニル、ジエチルアミノフエニル、ジメ
チルアミノフエニル、ジベンジルアミノフエニ
ル (g) スチリル (h) 置換スチリル基：メトキシスチリル、ジメト
キシスチリル、エトキシスチリル、ジエトキシ
スチリル、ジメチルアミノスチリル、ジエチル
アミノスチリル (i) 置換又は未置換の複数環基：例えば３−カル
バゾリル、９−メチル−３−カルバゾリル、９
−エチル−３−カルバゾリル、９−カルバゾリ
ル環を形成することができる。 R4は、水素原子又はハロゲン原子（例えば、
塩素原子、臭素原子、沃素原子）を示す。 Ａ は、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化
物イオン、過塩素酸塩イオン、ベンゼンスルホン
酸塩イオン、Ｐ−トルエンスルホン酸塩イオン、
メチル硫酸塩イオン、エチル硫酸塩イオン、プロ
ピル硫酸塩イオンなどの陰イオンを表わし、Ａ
はR1自体が陰イオン基、例えば−SO3 、OSC3
、−COO 、SO2 NH−、
環はベンゼン環、ナフタレン環などを縮合さてい
てもよい。 R1は、水素原子又はアルキル基（例えば、メ
チル、エチル、ｎ−プロピル、iso−プロピル、
ｎ−ブチル、sec−ブチル、iso−ブチル、ｔ−ブ
チル、ｎ−アミル、ｔ−アミル、ｎ−ヘキシル、
ｎ−オクチル、ｔ−オクチル基など）を示し、さ
らに他のアルキル基、例えば置換アルル基（例え
ば、２−ヒドロキシエチル、３−ヒドロキシプロ
ピル、４−ヒドロキシブチル、２−アセトキシエ
チル、カルボキシメチル、２−カルボキシエル、
３−カルボキシプロピル、２−スルホエチル、３
−スルホプロピル、４−スルホブチル、３−スル
フエートプロビル、４−スルフエートブチル、Ｎ
−（メチルスルホニル）−カルバミルメチル、３−
（アセチルスルフアミル）プロピル、４−（アセチ
ルスルフアミル）ブチルなど）、環式アルキル基
（例えば、シクロヘキシルなど）、アリル基（CH2
＝CH−CH2−）、アラルキル基（例えば、ベンジ
ル、フエネチル、α−ナフチルメチル、β−ナフ
チルメチルなど、）置換アラキル基（例えば、カ
ルボキシベンジル、スルホベンジル、ヒドロキシ
ベンジルなど）を包含する。 R2およびR3は、各々 (a) 水素原子、 (b) ハロゲン原子：塩素原子、臭素原子、沃素原
子又は１価の有機残基、例えば (c) アルキル基、特に炭素原子数１〜15のアルキ
ル基：例えば、メチル、エチル、プロピル、イ
ソプロピル、ブチル、ｔ−ブチル、アミル、イ
ソアミル、ヘキシル、オクチル、ノニル、ドデ
シル (d) アルコキシ基：例えば、メトキシ、エトキ
シ、プロポキシ、ブトキシ、アミロキシ、ヘキ
ソキシ、オクトキシ (e) アリール基：フエニル、α−ナフチル、β−
ナフチル (f) 置換アリール基：トリル、キシリル、ビフエ
ニル、エチルフエニル、メトキシフエニル、エ
トキシフエニル、アミロキシフエニル、ジメト
ロキシフエニル、ジエトキシフエニル、ヒドロ
キシフエニル、クロロフエニル、ジクロロフエ
ニル、プロモフエニル、ジブロモフエニル、ニ
トロフエニル、ジエチルアミノフエニル、ジメ
チルアミノフエニル、ジベンジルアミノフエニ
ル (g) スチリル (h) 置換スチリル基：メトキシスチリル、ジメト
キシスチリル、エトキシスチリル、ジエトキシ
スチリル、ジメチルアミノスチリル、ジエチル
アミノスチリル (i) 置換又は未置換の複数環基：例えば３−カル
バゾリル、９−メチル−３−カルバゾリル、９
−エチル−３−カルバゾリル、９−カルバゾリ
ル環を形成することができる。 R4は、水素原子又はハロゲン原子（例えば、
塩素原子、臭素原子、沃素原子）を示す。 Ａ は、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化
物イオン、過塩素酸塩イオン、ベンゼンスルホン
酸塩イオン、Ｐ−トルエンスルホン酸塩イオン、
メチル硫酸塩イオン、エチル硫酸塩イオン、プロ
ピル硫酸塩イオンなどの陰イオンを表わし、Ａ
はR1自体が陰イオン基、例えば−SO3 、OSC3
、−COO 、SO2 NH−、
【式】を含む
ときには存在しない。ｍおよびｎは、０又は１を
示し、ｌは０、１又は２を示す。 前記一般式(1)の化合物は、下記一般式(2)で示す
化合物と共鳴体を形成するが、本発明はかかる共
鳴体を包含するものである。 一般式(2) （式中、Z1〜Z3、R1〜R4、Ｘ、Ａ 、ｌ、ｍお
よびｎは前記と同一の意味である。但し、Z2はピ
リリウム、チアピリリウム、セレナピリリウム、
ベンゾピリリウム、ベンゾチアピリリウム、ベン
ゾセレナピリリウム、ナフトピリリウム、ナフト
チアピリリウム又はナフトセレナピリリウムの如
くピリリウム塩系列で表現される。） 次に、前記一般式(1)で示されるシアニン化合物
の代表例を挙げる。
示し、ｌは０、１又は２を示す。 前記一般式(1)の化合物は、下記一般式(2)で示す
化合物と共鳴体を形成するが、本発明はかかる共
鳴体を包含するものである。 一般式(2) （式中、Z1〜Z3、R1〜R4、Ｘ、Ａ 、ｌ、ｍお
よびｎは前記と同一の意味である。但し、Z2はピ
リリウム、チアピリリウム、セレナピリリウム、
ベンゾピリリウム、ベンゾチアピリリウム、ベン
ゾセレナピリリウム、ナフトピリリウム、ナフト
チアピリリウム又はナフトセレナピリリウムの如
くピリリウム塩系列で表現される。） 次に、前記一般式(1)で示されるシアニン化合物
の代表例を挙げる。
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
これらのシアニン化合物は、米国特許第
2734900号公報に記載されている方法によつて合
成することができる。 一般式(1)において、ｌ＝０の化合物は一般式(3)
で示される化合物と 一般式(3) （式中Z1、Z3、R1、R4、Ａ およびｎは前述で
定義したものと同様のものを表わす。） 一般式(4)または一般式(5)で示される化合物とを 一般式(4) （式中Z2、Ｘ、R2、R3、Ａ およびｍは前述で
定義したものと同様のものを表わし、R5はメチ
ル基、エチル基などのアルキル基を表わす。） 一般式(5) （式中Z2、R2、R3、Ｘおよびｍは前述で定義し
たものと同様ものを表わす。） 適当な溶媒中で加熱することにより得られる。 一般式(1)において、ｌ＝１又は２である化合物
は、前述した一般式(3)で示される化合物と、一般
式(6)で 一般式(6) （式中Z2、R2、R3、Ｘ、Ａ およびｍは前述で
定義したものと同様のものを表わし、R6はアセ
チル基、プロピオニル基、ベンゾイル基などのア
シル基を表わし、R7は、フエニル基、トルイル
基などのフエニル基を表わす。ｋは１又は２を表
わす。） 示される化合物とを適当な溶媒中で加熱すること
により得られる。 これら一般式(1)または一般式(2)で表わされる化
合物は重合体と共晶錯体を形成することができ、
これらの共晶錯体は本発明に包含されるものであ
る。 本発明の有機被膜は、光デイスク記録に用いる
ことができる。例えば、第１図に示す様な基板１
に前述の有機被膜２を形成した記録媒体とするこ
とができる。かかる有機被膜２は、前述のシアニ
ン化合物を真空蒸着によつて形成でき、またバイ
ンダー中に前述のシアニン化合物を含有させた塗
工液を塗布することによつても形成することがで
きる。塗工によつて被膜を形成する際、前述の化
物はバインダー中に分散状態で含有されていても
よく、あるいは非晶質状態で含有されていてもよ
い。好適なバインダーとしては、広範な樹脂から
選択することができる。具体的には、ニトロセル
ロース、リン酸セルロース、硫酸セルロース、酢
酸セルロース、プロピオン酸セルロース、酪酸セ
ルロース、ミリスチン酸セルロース、パルミチン
酸セルロース、酢酸・プロピオン酸セルロース、
酢酸・酪酸セルロースなどのセルロースエステル
類、メチルセルロース、エチルセルロース、プロ
ピルセルロース、ブチルセルロースなどのセルロ
ースエーテル類、ポリスチレン、ポリ塩化ビニ
ル、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルブチラール、ポ
リビニルアセタール、ポリビニルアルコール、ポ
リビニルピロリドンなどのビニル樹脂類、スチレ
ン−ブタジエンコポリマー、スチレン−アクリロ
ニトリルコポリマー、スチレン−ブタジエン−ア
クリロニトリルポリマー、塩化ビニル−酢酸ビニ
ルポリマーなどの共重合体樹脂類、ポリメチルメ
タクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリブ
チルアクリレート、ポリアクリル酸、ポリメタク
リル酸、ポリアクリルアミド、ポリアクリロニト
リルなどのアクリル樹脂類、ポリエチレンテレフ
タレートなどのポリエステル類、ポリ（４，4′−
イソプロピリデンジフエニレン−コ−１，４−シ
クロヘキシレンジメチレンカ−ボネート）、ポリ
（エチレンジオキシ−３，3′−フエニレンチオカ
ーボネート）、ポリ、（４，4′−イソプロピリデン
ジフエニレンカーボネート−コ−テレフタレー
ト）、ポリ（４，4′−イソプロピリデンジフエニ
レンカーボネート）、ポリ（４，4′−sec−ブチリ
デンジフエニレンカーボネート）、ポリ（４，
4′−イソプロピリデンジフエニレンカーボネート
−ブロツク−オキシエチレン）などのポリアリレ
ート樹脂類、あるいはポリアミド類、ポリイミド
類、エポキシ樹脂類、フエノール樹脂類、ポリエ
チレン、ポリプロピレン、塩素化ポリエチレンな
どのポリオレフイン類などを用いることができ
る。 塗工の際に使用できる有機溶剤は、バインダー
の種類や前述の化合物をバインダー中に含有させ
る際、分散状態とするか、あるいは非晶質状態と
するかによつて異なつてくるが、一般には、メタ
ノール、エタノール、イソプロパノールなどのア
ルコール類、アセトン、メチルエチルケトン、シ
クロヘキサノンなどのケトン類、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトンアミ
ドなどのアミド類、ジメチルスルホキシドなどの
スルホキシド類、テトラヒドロフラン、ジオキサ
ン、エチレングリコールモノメチルエーテルなど
のエーテル類、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブ
チルなどのエステル類、クロロホルム、塩化メチ
レン、ジクロルエチレン、四塩化炭素、トリクロ
ルエチレンなどの脂肪族ハロゲン化炭化水素類あ
るいはベンゼン、トルエン、キシレン、リグロイ
ン、モノクロルベンゼン、ジクロルベンゼンなど
の芳香族類などを用いることができる。 塗工は、浸漬コーテイング法、スプレーコーテ
イング法、スピンナーコーテイング法、ビードコ
ーテイング法、マイヤーバーコーテイング法、ブ
レードコーテイング法、ローラーコーテイング
法、カーテンコーテイング法などのコーテイング
法を用いて行なうことができる。 バインダーとともに有機被膜２を形成する際、
前述のシアニン化合物の含有量は、有機被膜２中
において１〜90重量％、好ましくは、20〜70重量
％である。また、有機被膜２の乾燥膜厚あるいは
蒸着膜厚は、10ミクロン以下、好ましくは２ミク
ロン以下である。 基板１としては、ポリエステル、アクリル樹
脂、ポリオレフイン樹脂、フエノール樹脂、エポ
キシ樹脂、ポリアミド、ポリイミドなどのプラス
チツク、ガラスあるいは金属類などを用いること
ができる。 また、本発明は、第２図に示す様に基板１と有
機被膜２の間に反射層３を設けることができる。
反射層３は、アルミニウム、銀、クロムなどの反
射性金属の蒸着層又はラミネート層とすることが
できる。 有機被膜２は、第３図に示す集束されたレーザ
光線４の照射によつてピツト５を形成することが
できる。ピツト５の深さを有機被膜２の膜厚と同
一にすると、ピツト領域における反射率を増加さ
せることができる。読み出しの際、書込みに用い
たレーザ光線の波長を有するが、強度の小さいレ
ーザ光線を用いれば、読み出し光がピツト領域で
大きく反射されるが、非ピツト領域においては吸
収される。また、別の方法は有機被膜２が吸収す
る第１の波長のレーザ光線で実時間書込みを行な
い、読み出しに有機被膜２を実質的に透過する第
２の波長のレーザ光線を用いることである。読み
出しレーザ光線は、ピツト領域とピツト領域にお
ける異なる膜厚によつて生じる反射相の変化に応
対することができる。 本発明の有機被膜は、アルゴンレーザ（発振波
長488nｍ）、ヘリウム−ネオンレーザ（発振波長
633nｍ）、ヘリウム−カドミウムレーザ（発振波
長442nｍ）などのガスレーザーの照射によつて
記録することも可能であるが、好ましくは750n
ｍ以上の波長を有するレーザ、特にガリウム−ア
ルミニウム−ヒ素半導体レーザ（発振波長780n
ｍ）なぉの近赤外あるいは赤外領域に発振波長を
有するレーザ光線の照射によつて記録する方法が
適している。また、読み出しのためには、前述の
レーザ光線を用いることができる。この際、書込
みと読み出しを同一波長のレーザで行なうことが
でき、また異なる波長のレーザで行なうことがで
きる。 本発明の別の具体例では、電子写真感光体の感
光層として適用することができる。また、かかる
感光層を電荷発生層と電荷輪送層に機能分離した
電子写真感光体における電荷発生層としても適用
することができる。 電荷発生層は、十分な吸光度を得るために、で
きる限り多くの前述のシアニン化合物を含有し、
且つ発生した電荷キヤリアの飛程を短かくするた
めに薄膜層、例えば５ミクロン以下、好ましくは
0.01ミクロン〜１ミクロンの膜厚をもつ薄膜層と
することが好ましい。このことは、入射光量の大
部分が電荷発生層で吸収されて、多くのキヤリア
を生成すること、さらに発生した電荷キリヤリア
を再結合や補獲（トラツプ）により失活すること
なく電荷輸送層に注入する必要があることに帰因
している。 電荷発生層は、前述のシアニル化合物を適当な
バインダーに分散させ、これを基体の上に塗工す
ることによつて形成でき、また真空蒸着装置によ
り蒸着膜を形成することによつて得ることができ
る。電荷発生層を塗工によつて形成する際に用い
うるバインダーとしては広範な絶縁性樹脂から選
択でき、またポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポ
リビニルアントラセンやポリビニルプレンなどの
有機光導電性ポリマーから選択できる。好ましく
は、ポリビニルブチラール、ポリアリレート（ブ
スフエノールＡとフタル酸の縮重合体など、ポリ
カーボネート、ポリエステル、フエノキシ樹脂、
ポリ酢酸ピニル、アクリル樹脂、ポリアクリルア
ミド樹脂、ポリアミド、ポリビニルピリジン、セ
ルロース系樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、
カゼイン、ポリビニルアルコール、ポリビニルピ
ロリドンなどの絶縁性樹脂を挙げることがきる。
電荷発生層中に含有する樹脂は、80重量％下、好
ましくは40重量％以下が適している。 これらの樹脂を溶解する溶剤は、樹脂の種類に
よつて異なり、また下述の電荷輸送層や下引層を
溶解しないものから選択することが好ましい。具
体的な有機溶剤としては、メタノール、エタノー
ル、イソプロパノールなどのアルコール類、アセ
トン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンな
どのケトン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドなどのアミド類、
ジメチスルホキシドなどのスルホキシド類、テト
ラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコー
ルモノメチルエーテルなどのエーテル類、酢酸メ
チル、酢酸エチルなどのエステル類、クロロホル
ム、塩化メチレン、ジクロルエチレン、四塩化炭
素、トリクロルエチレンなどの脂肪族ハロゲン化
炭化水素類あるいはベンゼン、トルエン、キシレ
ン、リグロイン、モノクロルベンゼン、ジクロル
ベンゼンなどの芳香族類などを用いることができ
る。 塗工は、浸漬コーテイング法、スプレーコーテ
イング法、スピンナーコーテイング法、ビードコ
ーテイング法、マイヤーバーコーテイング法、ブ
レードコーテイング法、ローラーコーテイング
法、カーテンコーテイング法などのコーテイング
法を用いて行なうことができる。乾燥は、室温に
おける指触乾燥後、加熱乾燥する方法が好まし
い。加熱乾燥は、30℃〜200℃の温度で５分〜２
時間の範囲の時間で、静止または送風下で行なう
ことができる。 電荷輸送層は、前述の電荷発生層と電気的に接
続されており、電界の存在下で電荷発生層から注
入された電荷キヤリアを受け取るとともに、これ
らの電荷キヤリアを表面まで輸送できる機能を有
している。この際、この電荷輸送層は、電荷発生
層の上に積層されていてもよくまたその下に積層
されていてもよい。しかし、電荷輸送層は、電荷
発生層の上に積層されていることが望ましい。 電荷輸送層における電荷キヤリアを輸送する物
質（以下、単に電荷輸送物質という）は、前述の
電荷発生層が感応する電磁波の波長域に実質的に
非感応性であること好ましい。ここで言う「電磁
波」とは、ｒ線、Ｘ線、紫外線、可視光線、近赤
外線、赤外線、遠赤外線などを包含する広義の
「光線」の定義を包含する。電荷輸送層の光感応
性波長域が電荷発生層のそれと一致またはオーバ
ーラツプする時には、両者で発生した電荷キヤリ
アが相互に補獲し合い、結果的には感度の低下の
原因となる。 電荷輸送物質としては電子輸送性物質と正孔輸
送性物質があり、電子輸送性物質としては、クロ
ルアニル、ブロモアニル、テトラシアノエチレ
ン、テトラシアノキノジメタン、２，４，７−ト
リニトロ−９−フルオレノン、２，４，５，７−
テトラニトロ−９−フルオレノン、２，４，７，
−トリニトロ−９−ジシアノメチレンフルオレノ
ン、２，４，５，７−テトラニトロキサントン、
２，４，８−トリニトロチオキサントン等の電子
吸引性物質やこれら電子吸引物質を高分子化した
もの等がある。 正孔輸送性物質としては、ピレン、Ｎ−エチル
カルバゾーン、Ｎ−イソプロピルカルバーゾー
ン、Ｎ−メチル−Ｎ−フエニルヒドラジノ−３−
メチリデン−９−エチルカルバゾール、Ｎ，Ｎ−
ジフエニルヒドラジノ−３−メチリデン−９−エ
チルカルバゾール、Ｎ，Ｎ−ジフエニルヒドラジ
ノ−３−メチリデン−10−エチルフエノチアジ
ン、Ｎ，Ｎ−ジフエニルヒドラジノ−３−メチリ
デン−10−エチルフエノキサジン、Ｐ−ジエチル
アミノベンズアルデヒド−Ｎ，Ｎ−ジフエニルヒ
ドラゾン、Ｐ−ジエチルアミノベンズアルデヒド
−Ｎ−α−ナフチル−Ｎ−フエニルヒドラゾン、
Ｐ−ピロリジノベンズアルデヒド−Ｎ，Ｎ−ジフ
エニルヒドラゾン、１，３，３，−トリメチルイ
ンドレニン−ω−アルデヒド−Ｎ，Ｎ−ジフエニ
ルヒドラゾン、Ｐ−ジエチルベンズアルデヒド−
３−メチルベンズチアゾリノン−２−ヒドラゾン
等のヒドラゾン類、２，５−ビス（Ｐ−ジエチル
アミノフエニル）−１，３，４−オキサジアゾー
ル、１−フエニル−３−（Ｐ−ジエチルアミノス
チリル）−５−（Ｐ−ジエチルアミノフエニル）ピ
ラゾリン、１−〔キノリル(2)〕−３−（Ｐ−ジエチ
ルアミノスチリル）−５−（Ｐ−ジエチルアミノフ
エニル）ピラゾリン、１−〔ピリジル(2)〕−３−
（Ｐ−ジエチルアミノスチリル）−５−（Ｐ−ジエ
チルアミノフエニル）ピラゾリル、１−〔６−メ
トキシ−ピリジル(2)〕−３−（Ｐ−ジエチルアミノ
スチリル）−５−（Ｐ−ジエチルアミノフエニル）
ピラリゾン、１−〔ピリジル(3)〕−３−（Ｐ−ジエ
チルアミノスチリル）−５−（Ｐ−ジエチルアミノ
フエニル）プラゾリン、１−〔レピジル(2)〕−３−
（Ｐ−ジエチルアミノスチリル）−５−（Ｐ−ジエ
チルアミノフエニル）ピラゾリン、１−〔ピリジ
ル(2)〕−３−（Ｐ−ジエチルアミノスチリル）−４
−メチル−５−（Ｐ−ジエチルアミノフエニル）
ビラゾリン、１−〔ピリジル(2)〕−３−（α−メチ
ル−Ｐ−ジエチルアミノスチリル）−５−（Ｐ−ジ
エチルアミノフエニル）ピラゾリン、１−フエニ
ル−３−（Ｐ−ジエチルアミノスチリル）−４−メ
チル−５−（Ｐ−ジエチルアミノフエニル）ピラ
ゾリン、１−フエニル−３−（α−ベンジル−Ｐ
−ジエチルアミノスチリル）−５−（Ｐ−ジエチル
アミノフエニル）ピラゾリン、スピロピラゾリン
などのピラゾリン類、２−（Ｐ−ジエチルアミノ
スチリル）−６−ジエチルアミノベンズオキサゾ
ール、２−（Ｐ−ジエチルアミノフエニル）−４−
（Ｐ−ジメチルアミノフエニル）−５−（２−クロ
ロフエニル）オササゾール等のオキサゾール系化
合物、２−（Ｐ−ジエチルアミノスチリル）−６−
ジエチルアミノベンゾチアゾール等のチアゾール
系化合物、ビス（４−ジエチルアミノ−２−メチ
ルフエニル）−フエニルメタン等のトリアリール
メタン系化合物、１，１−ビス（４−Ｎ，Ｎ−ジ
エチルアミノ−２−メチルフエニル）ヘブタン、
１，１，２，２，−テトラキス（４−Ｎ，Ｎ−ジ
メチルアミノ−２−メチルフエニル）エタン等の
ポリアリールアルカン類、トリフエニルアミン、
ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルピレ
ン、ポリビニルアントラセン、ポリビニルアクリ
ジン、ポリ−９−ビリルフエニルアントラセン、
ピレン−ホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾ
ールホルムアルデヒド樹脂等がある。 これらの有機電荷輸送物質の他に、セレン、セ
レン−テルル、アモルフアスシリコン、硫化カド
ミウムなどの無機材料を用いることができる。 また、これらの電荷輸送物質は、１種または２
種以上組合せて用いることができる。 電荷輸送物質に成膜性を有していない時には、
適当なバインダーを選択することによつて被膜形
成できる。バインダーとして使用できる樹脂は、
例えばアクリル樹脂、ポリアリレート、ポリエス
テル、ポリカーボネート、ポリスチレン、アクリ
ロニトル−スチレンコポリマー、アクリロニトル
−ブタジエンコポリマー、ポリビニルブチラー
ル、ポリビニルホルマール、ポリスルホン、ポリ
アクリルアミド、ポリアミド、塩素化ゴムなどの
絶縁性樹脂、あるいはポリーＮ−ビニルカルバゾ
ール、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレ
ンなどの有機光導電性ポリマーを挙げることがで
きる。 電荷輸送層は、電荷キヤリアを輸送できる限界
があるので、必要以上に膜厚を厚くすることがで
きない。一般的には、５ミクロン〜30ミクロンで
あるが、好ましい範囲は８ミクロン〜20ミクロン
である。塗工によつて電荷輸送層を形成する際に
は、前述した様な適当なコーテイング法を用いる
ことができる。 この様な電荷発生層と電荷輸送層の積層構造か
らなる感光層は、導電層を有する基体の上に設け
られる。導電層を有する基体としては、基体自体
が導電性をもつもの、例えばアルミニウム、アル
ミニウム合金、銅、亜鉛、ステンレス、パナジウ
ム、モリブデン、クロム、チタン、ニツケル、イ
ンジウム、金や白金などを用いることができ、そ
の他にアルミニウム、アルミニウム合金、酸化イ
ンジウム、酸化錫、酸化インジウム一酸化錫合金
などを真空蒸着法によつて被膜形成した層を有す
るプラスチツク（例えばポリエチレン、ポリプロ
ピレン、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフタ
レート、アクリル樹脂、ポリフツ化エチレンな
ど）、導電性粒子（例えば、カーボンブラツク、
銀粒子など）を適当なバインダーとともにプラス
チツクの上に被覆した基体、導電性粒子をプラス
チツクや紙に含浸した基体や導電性ポリマーを有
するプラスチツクなどを用いることができる。 導電層と感光層の中間に、バイヤー機能と接着
機能をもつ下引層を設けることもできる。下引層
は、カゼイン、ポリビニルアルコール、ニトロセ
ルロース、エチレン−アクリル酸コポリマー、ポ
リアミド（ナイロン６、ナイロン66、ナイロン
610、共重合ナイロン、アルコキシメチル化ナイ
ロンなど）、ポリウレタン、ゼラチン、酸化アル
ミニウムなどによつて形成できる。 下引層の膜厚は、0.1ミクロン〜５ミクロン、
好ましくは0.5ミクロン〜３ミクロンが適当であ
る。 導電層、電荷発生層、電荷輸送層の順に積層し
た感光体を使用する場合において電荷輸送物質が
電子輸送性物質からなるときは、電荷輸送層表面
を正に帯電する必要があり、帯電後露光すると露
光部では電荷発生層において生成した電子が電荷
輸送層に注入され、そろあと表面に達して正電荷
を中和し、表面電位の減衰が生じ未露光部との間
に静電コントラストが生じる。この様にしてでき
た静電潜像を負荷電性のトナーで現象すれば可視
像が得られる。これを直接定着するか、あるいは
トナー像を紙やプラスチツクフイルム等に転写
後、現像し定着することができる。 また、感光体上の静電潜像を転写紙の絶縁層上
に転写後現像し、定着する方法もとれる。現像剤
の種類や現像方法、定着方法は公知のものや公知
の方法のいずれかを採用しても良く、特定のもの
に限定されるものではない。 一方、電荷輸送物質が正孔輸送物質から成る場
合、電荷輸送物質を負に帯電する必要があり、帯
電後、露光すると露光部では電荷発生層において
生成した正孔が電荷輸送層に注入され、その後表
面に達して負電荷を中和し、表面電位の減衰が生
じ未露光部との間に静電コントラストが生じる。
現像時には電子輸送物質を用いた場合とは逆に正
電荷性トナーを用いる必要がある。 また、本発明の別の具体例では、前述のヒドラ
ゾン類、ピラゾリン類、オキサゾール類、チアゾ
ール類、トリアリールメタン類、ポリアリールア
ルカン類、トリフエニアミン、ポリ−Ｎ−ビニル
カルバゾール類などの有機光導電性物質や酸化亜
鉛、硫化カドミニウム、セレンなどの無機光導電
性物質の増感剤として前述のシアニン化合物を含
有させた有機被膜とすることができる。有機被膜
は、これらの光導電性物質と前述の化合物をバイ
ンダーとともに塗工によつて被膜形成される。ま
た、別の具体例では、前述のシアニン化合物を含
有する有機被膜を感光層として用いることができ
る。 いずれの感光体においても、用いる化合物は一
般式(1)で示される化合物から選ばれる少なくとも
１種類を含有し、必要に応じて光吸収の異なる顔
料を組合せて使用した感光体の感度を高めたり、
パンクロマチツクな感光体を得るなどの目的で一
般式(1)で示される化合物を２種類以上組合せた
り、または公知の染料、顔料から選ばれた電荷発
生物質と組合せて使用することも可能である。 本発明の有機被膜は、前述の光デイスク記録体
が電子写真感光体のレーザ感光被膜として用いる
他に、赤外線カツトフイルター、太陽電池あるい
は光センサーなどにも用いることができる。太陽
電池は、例えば酸化インジウムとアルミニウムを
電極として、これらの間に前述の有機被膜をサン
ドイツチ構造とすることによつて調製できる。 本発明の有機被膜は、従来のレーザ用電子写真
感光体と比較して750nｍ以上の波長域で著しく
高感度とすることができ、また従来のデイスク記
録体と比較しても高感度でしかも十分に改善され
たＳ／Ｎ比を与えることができる。さらに、本発
明で用いる化合物は、750nｍ以上に吸収ピーク
を有しているのもかかわらず、熱に対して極めて
安定している利点を有している。 以下、本発明を実施例に従つて説明する。 実施例 １ アルミニウムシリンダー上にカゼインのアンモ
ニア水溶液（カゼイン11.2ｇ、28％、アンモニア
水１ｇ、水222ml）を浸漬コーテイング法で塗工
し、乾装して塗工量1.0ｇ／m2の下引層を形成し
た。 次に、前述の化合物No.(1)のシアニン化合物１重
量部とブチラール樹脂（エスレツクBM−２：積
水化学(株)製）１重量部とテトラヒドロフラン30重
量部とボールミル分散機で４時間分散した。この
分散液を先に形成した下引層の上に浸漬コーテイ
ング法で塗工し、乾燥して電荷発生層を形成し
た。この時の膜厚は0.3μであつた。 次にＰ−ジエチルアミノベンズアルデビド−Ｎ
−フエニル−Ｎ−α−ナフチルヒドラゾン１重量
部、ポリスルホン樹脂（P1700：ユニオンカーバ
イド社製、１重量部とモノクロルベンゼン６重量
部を混合し、撹拌機で撹拌溶解した。この液を電
荷発生層の上に浸漬コーテイング法で塗工し、乾
燥して電荷輸送層を形成した。この時の膜厚は、
12μであつた。 こうして調製した感光体に−5KVのコロナ放
電を行なつた。この時の表面電位を測定した（初
期電位V0）。さらに、この感光体を５秒間暗所で
放置した後の表面電位を測定した（暗減衰V5）。
感度は、暗減衰した後の電位V5を1/2に減衰する
に必要な露光量（Ｅ1/2マイクロジユール／cm2）
を測定することによつて評価した。この際、光源
としてガリウム、アルミニウム・ヒ素半導体レー
ザ（発振波長780nｍ）を用いた。これらの結果
は、次のとおりであつた。 V0：−620ボルト V5：−580ボルト Ｅ1/2：8.5マイクロジユール／cm2 実施例 ２〜17 実施例１で用いた化合物No.(1)の化合物に代え
て、第１表に示す化合物をそれぞれ用いたほか
は、実施例１と全く同様の方法で感光体を調製
し、この感光体の特性を測定した。これらの結果
を第１表に示す。
2734900号公報に記載されている方法によつて合
成することができる。 一般式(1)において、ｌ＝０の化合物は一般式(3)
で示される化合物と 一般式(3) （式中Z1、Z3、R1、R4、Ａ およびｎは前述で
定義したものと同様のものを表わす。） 一般式(4)または一般式(5)で示される化合物とを 一般式(4) （式中Z2、Ｘ、R2、R3、Ａ およびｍは前述で
定義したものと同様のものを表わし、R5はメチ
ル基、エチル基などのアルキル基を表わす。） 一般式(5) （式中Z2、R2、R3、Ｘおよびｍは前述で定義し
たものと同様ものを表わす。） 適当な溶媒中で加熱することにより得られる。 一般式(1)において、ｌ＝１又は２である化合物
は、前述した一般式(3)で示される化合物と、一般
式(6)で 一般式(6) （式中Z2、R2、R3、Ｘ、Ａ およびｍは前述で
定義したものと同様のものを表わし、R6はアセ
チル基、プロピオニル基、ベンゾイル基などのア
シル基を表わし、R7は、フエニル基、トルイル
基などのフエニル基を表わす。ｋは１又は２を表
わす。） 示される化合物とを適当な溶媒中で加熱すること
により得られる。 これら一般式(1)または一般式(2)で表わされる化
合物は重合体と共晶錯体を形成することができ、
これらの共晶錯体は本発明に包含されるものであ
る。 本発明の有機被膜は、光デイスク記録に用いる
ことができる。例えば、第１図に示す様な基板１
に前述の有機被膜２を形成した記録媒体とするこ
とができる。かかる有機被膜２は、前述のシアニ
ン化合物を真空蒸着によつて形成でき、またバイ
ンダー中に前述のシアニン化合物を含有させた塗
工液を塗布することによつても形成することがで
きる。塗工によつて被膜を形成する際、前述の化
物はバインダー中に分散状態で含有されていても
よく、あるいは非晶質状態で含有されていてもよ
い。好適なバインダーとしては、広範な樹脂から
選択することができる。具体的には、ニトロセル
ロース、リン酸セルロース、硫酸セルロース、酢
酸セルロース、プロピオン酸セルロース、酪酸セ
ルロース、ミリスチン酸セルロース、パルミチン
酸セルロース、酢酸・プロピオン酸セルロース、
酢酸・酪酸セルロースなどのセルロースエステル
類、メチルセルロース、エチルセルロース、プロ
ピルセルロース、ブチルセルロースなどのセルロ
ースエーテル類、ポリスチレン、ポリ塩化ビニ
ル、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルブチラール、ポ
リビニルアセタール、ポリビニルアルコール、ポ
リビニルピロリドンなどのビニル樹脂類、スチレ
ン−ブタジエンコポリマー、スチレン−アクリロ
ニトリルコポリマー、スチレン−ブタジエン−ア
クリロニトリルポリマー、塩化ビニル−酢酸ビニ
ルポリマーなどの共重合体樹脂類、ポリメチルメ
タクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリブ
チルアクリレート、ポリアクリル酸、ポリメタク
リル酸、ポリアクリルアミド、ポリアクリロニト
リルなどのアクリル樹脂類、ポリエチレンテレフ
タレートなどのポリエステル類、ポリ（４，4′−
イソプロピリデンジフエニレン−コ−１，４−シ
クロヘキシレンジメチレンカ−ボネート）、ポリ
（エチレンジオキシ−３，3′−フエニレンチオカ
ーボネート）、ポリ、（４，4′−イソプロピリデン
ジフエニレンカーボネート−コ−テレフタレー
ト）、ポリ（４，4′−イソプロピリデンジフエニ
レンカーボネート）、ポリ（４，4′−sec−ブチリ
デンジフエニレンカーボネート）、ポリ（４，
4′−イソプロピリデンジフエニレンカーボネート
−ブロツク−オキシエチレン）などのポリアリレ
ート樹脂類、あるいはポリアミド類、ポリイミド
類、エポキシ樹脂類、フエノール樹脂類、ポリエ
チレン、ポリプロピレン、塩素化ポリエチレンな
どのポリオレフイン類などを用いることができ
る。 塗工の際に使用できる有機溶剤は、バインダー
の種類や前述の化合物をバインダー中に含有させ
る際、分散状態とするか、あるいは非晶質状態と
するかによつて異なつてくるが、一般には、メタ
ノール、エタノール、イソプロパノールなどのア
ルコール類、アセトン、メチルエチルケトン、シ
クロヘキサノンなどのケトン類、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトンアミ
ドなどのアミド類、ジメチルスルホキシドなどの
スルホキシド類、テトラヒドロフラン、ジオキサ
ン、エチレングリコールモノメチルエーテルなど
のエーテル類、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブ
チルなどのエステル類、クロロホルム、塩化メチ
レン、ジクロルエチレン、四塩化炭素、トリクロ
ルエチレンなどの脂肪族ハロゲン化炭化水素類あ
るいはベンゼン、トルエン、キシレン、リグロイ
ン、モノクロルベンゼン、ジクロルベンゼンなど
の芳香族類などを用いることができる。 塗工は、浸漬コーテイング法、スプレーコーテ
イング法、スピンナーコーテイング法、ビードコ
ーテイング法、マイヤーバーコーテイング法、ブ
レードコーテイング法、ローラーコーテイング
法、カーテンコーテイング法などのコーテイング
法を用いて行なうことができる。 バインダーとともに有機被膜２を形成する際、
前述のシアニン化合物の含有量は、有機被膜２中
において１〜90重量％、好ましくは、20〜70重量
％である。また、有機被膜２の乾燥膜厚あるいは
蒸着膜厚は、10ミクロン以下、好ましくは２ミク
ロン以下である。 基板１としては、ポリエステル、アクリル樹
脂、ポリオレフイン樹脂、フエノール樹脂、エポ
キシ樹脂、ポリアミド、ポリイミドなどのプラス
チツク、ガラスあるいは金属類などを用いること
ができる。 また、本発明は、第２図に示す様に基板１と有
機被膜２の間に反射層３を設けることができる。
反射層３は、アルミニウム、銀、クロムなどの反
射性金属の蒸着層又はラミネート層とすることが
できる。 有機被膜２は、第３図に示す集束されたレーザ
光線４の照射によつてピツト５を形成することが
できる。ピツト５の深さを有機被膜２の膜厚と同
一にすると、ピツト領域における反射率を増加さ
せることができる。読み出しの際、書込みに用い
たレーザ光線の波長を有するが、強度の小さいレ
ーザ光線を用いれば、読み出し光がピツト領域で
大きく反射されるが、非ピツト領域においては吸
収される。また、別の方法は有機被膜２が吸収す
る第１の波長のレーザ光線で実時間書込みを行な
い、読み出しに有機被膜２を実質的に透過する第
２の波長のレーザ光線を用いることである。読み
出しレーザ光線は、ピツト領域とピツト領域にお
ける異なる膜厚によつて生じる反射相の変化に応
対することができる。 本発明の有機被膜は、アルゴンレーザ（発振波
長488nｍ）、ヘリウム−ネオンレーザ（発振波長
633nｍ）、ヘリウム−カドミウムレーザ（発振波
長442nｍ）などのガスレーザーの照射によつて
記録することも可能であるが、好ましくは750n
ｍ以上の波長を有するレーザ、特にガリウム−ア
ルミニウム−ヒ素半導体レーザ（発振波長780n
ｍ）なぉの近赤外あるいは赤外領域に発振波長を
有するレーザ光線の照射によつて記録する方法が
適している。また、読み出しのためには、前述の
レーザ光線を用いることができる。この際、書込
みと読み出しを同一波長のレーザで行なうことが
でき、また異なる波長のレーザで行なうことがで
きる。 本発明の別の具体例では、電子写真感光体の感
光層として適用することができる。また、かかる
感光層を電荷発生層と電荷輪送層に機能分離した
電子写真感光体における電荷発生層としても適用
することができる。 電荷発生層は、十分な吸光度を得るために、で
きる限り多くの前述のシアニン化合物を含有し、
且つ発生した電荷キヤリアの飛程を短かくするた
めに薄膜層、例えば５ミクロン以下、好ましくは
0.01ミクロン〜１ミクロンの膜厚をもつ薄膜層と
することが好ましい。このことは、入射光量の大
部分が電荷発生層で吸収されて、多くのキヤリア
を生成すること、さらに発生した電荷キリヤリア
を再結合や補獲（トラツプ）により失活すること
なく電荷輸送層に注入する必要があることに帰因
している。 電荷発生層は、前述のシアニル化合物を適当な
バインダーに分散させ、これを基体の上に塗工す
ることによつて形成でき、また真空蒸着装置によ
り蒸着膜を形成することによつて得ることができ
る。電荷発生層を塗工によつて形成する際に用い
うるバインダーとしては広範な絶縁性樹脂から選
択でき、またポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポ
リビニルアントラセンやポリビニルプレンなどの
有機光導電性ポリマーから選択できる。好ましく
は、ポリビニルブチラール、ポリアリレート（ブ
スフエノールＡとフタル酸の縮重合体など、ポリ
カーボネート、ポリエステル、フエノキシ樹脂、
ポリ酢酸ピニル、アクリル樹脂、ポリアクリルア
ミド樹脂、ポリアミド、ポリビニルピリジン、セ
ルロース系樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、
カゼイン、ポリビニルアルコール、ポリビニルピ
ロリドンなどの絶縁性樹脂を挙げることがきる。
電荷発生層中に含有する樹脂は、80重量％下、好
ましくは40重量％以下が適している。 これらの樹脂を溶解する溶剤は、樹脂の種類に
よつて異なり、また下述の電荷輸送層や下引層を
溶解しないものから選択することが好ましい。具
体的な有機溶剤としては、メタノール、エタノー
ル、イソプロパノールなどのアルコール類、アセ
トン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンな
どのケトン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドなどのアミド類、
ジメチスルホキシドなどのスルホキシド類、テト
ラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコー
ルモノメチルエーテルなどのエーテル類、酢酸メ
チル、酢酸エチルなどのエステル類、クロロホル
ム、塩化メチレン、ジクロルエチレン、四塩化炭
素、トリクロルエチレンなどの脂肪族ハロゲン化
炭化水素類あるいはベンゼン、トルエン、キシレ
ン、リグロイン、モノクロルベンゼン、ジクロル
ベンゼンなどの芳香族類などを用いることができ
る。 塗工は、浸漬コーテイング法、スプレーコーテ
イング法、スピンナーコーテイング法、ビードコ
ーテイング法、マイヤーバーコーテイング法、ブ
レードコーテイング法、ローラーコーテイング
法、カーテンコーテイング法などのコーテイング
法を用いて行なうことができる。乾燥は、室温に
おける指触乾燥後、加熱乾燥する方法が好まし
い。加熱乾燥は、30℃〜200℃の温度で５分〜２
時間の範囲の時間で、静止または送風下で行なう
ことができる。 電荷輸送層は、前述の電荷発生層と電気的に接
続されており、電界の存在下で電荷発生層から注
入された電荷キヤリアを受け取るとともに、これ
らの電荷キヤリアを表面まで輸送できる機能を有
している。この際、この電荷輸送層は、電荷発生
層の上に積層されていてもよくまたその下に積層
されていてもよい。しかし、電荷輸送層は、電荷
発生層の上に積層されていることが望ましい。 電荷輸送層における電荷キヤリアを輸送する物
質（以下、単に電荷輸送物質という）は、前述の
電荷発生層が感応する電磁波の波長域に実質的に
非感応性であること好ましい。ここで言う「電磁
波」とは、ｒ線、Ｘ線、紫外線、可視光線、近赤
外線、赤外線、遠赤外線などを包含する広義の
「光線」の定義を包含する。電荷輸送層の光感応
性波長域が電荷発生層のそれと一致またはオーバ
ーラツプする時には、両者で発生した電荷キヤリ
アが相互に補獲し合い、結果的には感度の低下の
原因となる。 電荷輸送物質としては電子輸送性物質と正孔輸
送性物質があり、電子輸送性物質としては、クロ
ルアニル、ブロモアニル、テトラシアノエチレ
ン、テトラシアノキノジメタン、２，４，７−ト
リニトロ−９−フルオレノン、２，４，５，７−
テトラニトロ−９−フルオレノン、２，４，７，
−トリニトロ−９−ジシアノメチレンフルオレノ
ン、２，４，５，７−テトラニトロキサントン、
２，４，８−トリニトロチオキサントン等の電子
吸引性物質やこれら電子吸引物質を高分子化した
もの等がある。 正孔輸送性物質としては、ピレン、Ｎ−エチル
カルバゾーン、Ｎ−イソプロピルカルバーゾー
ン、Ｎ−メチル−Ｎ−フエニルヒドラジノ−３−
メチリデン−９−エチルカルバゾール、Ｎ，Ｎ−
ジフエニルヒドラジノ−３−メチリデン−９−エ
チルカルバゾール、Ｎ，Ｎ−ジフエニルヒドラジ
ノ−３−メチリデン−10−エチルフエノチアジ
ン、Ｎ，Ｎ−ジフエニルヒドラジノ−３−メチリ
デン−10−エチルフエノキサジン、Ｐ−ジエチル
アミノベンズアルデヒド−Ｎ，Ｎ−ジフエニルヒ
ドラゾン、Ｐ−ジエチルアミノベンズアルデヒド
−Ｎ−α−ナフチル−Ｎ−フエニルヒドラゾン、
Ｐ−ピロリジノベンズアルデヒド−Ｎ，Ｎ−ジフ
エニルヒドラゾン、１，３，３，−トリメチルイ
ンドレニン−ω−アルデヒド−Ｎ，Ｎ−ジフエニ
ルヒドラゾン、Ｐ−ジエチルベンズアルデヒド−
３−メチルベンズチアゾリノン−２−ヒドラゾン
等のヒドラゾン類、２，５−ビス（Ｐ−ジエチル
アミノフエニル）−１，３，４−オキサジアゾー
ル、１−フエニル−３−（Ｐ−ジエチルアミノス
チリル）−５−（Ｐ−ジエチルアミノフエニル）ピ
ラゾリン、１−〔キノリル(2)〕−３−（Ｐ−ジエチ
ルアミノスチリル）−５−（Ｐ−ジエチルアミノフ
エニル）ピラゾリン、１−〔ピリジル(2)〕−３−
（Ｐ−ジエチルアミノスチリル）−５−（Ｐ−ジエ
チルアミノフエニル）ピラゾリル、１−〔６−メ
トキシ−ピリジル(2)〕−３−（Ｐ−ジエチルアミノ
スチリル）−５−（Ｐ−ジエチルアミノフエニル）
ピラリゾン、１−〔ピリジル(3)〕−３−（Ｐ−ジエ
チルアミノスチリル）−５−（Ｐ−ジエチルアミノ
フエニル）プラゾリン、１−〔レピジル(2)〕−３−
（Ｐ−ジエチルアミノスチリル）−５−（Ｐ−ジエ
チルアミノフエニル）ピラゾリン、１−〔ピリジ
ル(2)〕−３−（Ｐ−ジエチルアミノスチリル）−４
−メチル−５−（Ｐ−ジエチルアミノフエニル）
ビラゾリン、１−〔ピリジル(2)〕−３−（α−メチ
ル−Ｐ−ジエチルアミノスチリル）−５−（Ｐ−ジ
エチルアミノフエニル）ピラゾリン、１−フエニ
ル−３−（Ｐ−ジエチルアミノスチリル）−４−メ
チル−５−（Ｐ−ジエチルアミノフエニル）ピラ
ゾリン、１−フエニル−３−（α−ベンジル−Ｐ
−ジエチルアミノスチリル）−５−（Ｐ−ジエチル
アミノフエニル）ピラゾリン、スピロピラゾリン
などのピラゾリン類、２−（Ｐ−ジエチルアミノ
スチリル）−６−ジエチルアミノベンズオキサゾ
ール、２−（Ｐ−ジエチルアミノフエニル）−４−
（Ｐ−ジメチルアミノフエニル）−５−（２−クロ
ロフエニル）オササゾール等のオキサゾール系化
合物、２−（Ｐ−ジエチルアミノスチリル）−６−
ジエチルアミノベンゾチアゾール等のチアゾール
系化合物、ビス（４−ジエチルアミノ−２−メチ
ルフエニル）−フエニルメタン等のトリアリール
メタン系化合物、１，１−ビス（４−Ｎ，Ｎ−ジ
エチルアミノ−２−メチルフエニル）ヘブタン、
１，１，２，２，−テトラキス（４−Ｎ，Ｎ−ジ
メチルアミノ−２−メチルフエニル）エタン等の
ポリアリールアルカン類、トリフエニルアミン、
ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルピレ
ン、ポリビニルアントラセン、ポリビニルアクリ
ジン、ポリ−９−ビリルフエニルアントラセン、
ピレン−ホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾ
ールホルムアルデヒド樹脂等がある。 これらの有機電荷輸送物質の他に、セレン、セ
レン−テルル、アモルフアスシリコン、硫化カド
ミウムなどの無機材料を用いることができる。 また、これらの電荷輸送物質は、１種または２
種以上組合せて用いることができる。 電荷輸送物質に成膜性を有していない時には、
適当なバインダーを選択することによつて被膜形
成できる。バインダーとして使用できる樹脂は、
例えばアクリル樹脂、ポリアリレート、ポリエス
テル、ポリカーボネート、ポリスチレン、アクリ
ロニトル−スチレンコポリマー、アクリロニトル
−ブタジエンコポリマー、ポリビニルブチラー
ル、ポリビニルホルマール、ポリスルホン、ポリ
アクリルアミド、ポリアミド、塩素化ゴムなどの
絶縁性樹脂、あるいはポリーＮ−ビニルカルバゾ
ール、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレ
ンなどの有機光導電性ポリマーを挙げることがで
きる。 電荷輸送層は、電荷キヤリアを輸送できる限界
があるので、必要以上に膜厚を厚くすることがで
きない。一般的には、５ミクロン〜30ミクロンで
あるが、好ましい範囲は８ミクロン〜20ミクロン
である。塗工によつて電荷輸送層を形成する際に
は、前述した様な適当なコーテイング法を用いる
ことができる。 この様な電荷発生層と電荷輸送層の積層構造か
らなる感光層は、導電層を有する基体の上に設け
られる。導電層を有する基体としては、基体自体
が導電性をもつもの、例えばアルミニウム、アル
ミニウム合金、銅、亜鉛、ステンレス、パナジウ
ム、モリブデン、クロム、チタン、ニツケル、イ
ンジウム、金や白金などを用いることができ、そ
の他にアルミニウム、アルミニウム合金、酸化イ
ンジウム、酸化錫、酸化インジウム一酸化錫合金
などを真空蒸着法によつて被膜形成した層を有す
るプラスチツク（例えばポリエチレン、ポリプロ
ピレン、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフタ
レート、アクリル樹脂、ポリフツ化エチレンな
ど）、導電性粒子（例えば、カーボンブラツク、
銀粒子など）を適当なバインダーとともにプラス
チツクの上に被覆した基体、導電性粒子をプラス
チツクや紙に含浸した基体や導電性ポリマーを有
するプラスチツクなどを用いることができる。 導電層と感光層の中間に、バイヤー機能と接着
機能をもつ下引層を設けることもできる。下引層
は、カゼイン、ポリビニルアルコール、ニトロセ
ルロース、エチレン−アクリル酸コポリマー、ポ
リアミド（ナイロン６、ナイロン66、ナイロン
610、共重合ナイロン、アルコキシメチル化ナイ
ロンなど）、ポリウレタン、ゼラチン、酸化アル
ミニウムなどによつて形成できる。 下引層の膜厚は、0.1ミクロン〜５ミクロン、
好ましくは0.5ミクロン〜３ミクロンが適当であ
る。 導電層、電荷発生層、電荷輸送層の順に積層し
た感光体を使用する場合において電荷輸送物質が
電子輸送性物質からなるときは、電荷輸送層表面
を正に帯電する必要があり、帯電後露光すると露
光部では電荷発生層において生成した電子が電荷
輸送層に注入され、そろあと表面に達して正電荷
を中和し、表面電位の減衰が生じ未露光部との間
に静電コントラストが生じる。この様にしてでき
た静電潜像を負荷電性のトナーで現象すれば可視
像が得られる。これを直接定着するか、あるいは
トナー像を紙やプラスチツクフイルム等に転写
後、現像し定着することができる。 また、感光体上の静電潜像を転写紙の絶縁層上
に転写後現像し、定着する方法もとれる。現像剤
の種類や現像方法、定着方法は公知のものや公知
の方法のいずれかを採用しても良く、特定のもの
に限定されるものではない。 一方、電荷輸送物質が正孔輸送物質から成る場
合、電荷輸送物質を負に帯電する必要があり、帯
電後、露光すると露光部では電荷発生層において
生成した正孔が電荷輸送層に注入され、その後表
面に達して負電荷を中和し、表面電位の減衰が生
じ未露光部との間に静電コントラストが生じる。
現像時には電子輸送物質を用いた場合とは逆に正
電荷性トナーを用いる必要がある。 また、本発明の別の具体例では、前述のヒドラ
ゾン類、ピラゾリン類、オキサゾール類、チアゾ
ール類、トリアリールメタン類、ポリアリールア
ルカン類、トリフエニアミン、ポリ−Ｎ−ビニル
カルバゾール類などの有機光導電性物質や酸化亜
鉛、硫化カドミニウム、セレンなどの無機光導電
性物質の増感剤として前述のシアニン化合物を含
有させた有機被膜とすることができる。有機被膜
は、これらの光導電性物質と前述の化合物をバイ
ンダーとともに塗工によつて被膜形成される。ま
た、別の具体例では、前述のシアニン化合物を含
有する有機被膜を感光層として用いることができ
る。 いずれの感光体においても、用いる化合物は一
般式(1)で示される化合物から選ばれる少なくとも
１種類を含有し、必要に応じて光吸収の異なる顔
料を組合せて使用した感光体の感度を高めたり、
パンクロマチツクな感光体を得るなどの目的で一
般式(1)で示される化合物を２種類以上組合せた
り、または公知の染料、顔料から選ばれた電荷発
生物質と組合せて使用することも可能である。 本発明の有機被膜は、前述の光デイスク記録体
が電子写真感光体のレーザ感光被膜として用いる
他に、赤外線カツトフイルター、太陽電池あるい
は光センサーなどにも用いることができる。太陽
電池は、例えば酸化インジウムとアルミニウムを
電極として、これらの間に前述の有機被膜をサン
ドイツチ構造とすることによつて調製できる。 本発明の有機被膜は、従来のレーザ用電子写真
感光体と比較して750nｍ以上の波長域で著しく
高感度とすることができ、また従来のデイスク記
録体と比較しても高感度でしかも十分に改善され
たＳ／Ｎ比を与えることができる。さらに、本発
明で用いる化合物は、750nｍ以上に吸収ピーク
を有しているのもかかわらず、熱に対して極めて
安定している利点を有している。 以下、本発明を実施例に従つて説明する。 実施例 １ アルミニウムシリンダー上にカゼインのアンモ
ニア水溶液（カゼイン11.2ｇ、28％、アンモニア
水１ｇ、水222ml）を浸漬コーテイング法で塗工
し、乾装して塗工量1.0ｇ／m2の下引層を形成し
た。 次に、前述の化合物No.(1)のシアニン化合物１重
量部とブチラール樹脂（エスレツクBM−２：積
水化学(株)製）１重量部とテトラヒドロフラン30重
量部とボールミル分散機で４時間分散した。この
分散液を先に形成した下引層の上に浸漬コーテイ
ング法で塗工し、乾燥して電荷発生層を形成し
た。この時の膜厚は0.3μであつた。 次にＰ−ジエチルアミノベンズアルデビド−Ｎ
−フエニル−Ｎ−α−ナフチルヒドラゾン１重量
部、ポリスルホン樹脂（P1700：ユニオンカーバ
イド社製、１重量部とモノクロルベンゼン６重量
部を混合し、撹拌機で撹拌溶解した。この液を電
荷発生層の上に浸漬コーテイング法で塗工し、乾
燥して電荷輸送層を形成した。この時の膜厚は、
12μであつた。 こうして調製した感光体に−5KVのコロナ放
電を行なつた。この時の表面電位を測定した（初
期電位V0）。さらに、この感光体を５秒間暗所で
放置した後の表面電位を測定した（暗減衰V5）。
感度は、暗減衰した後の電位V5を1/2に減衰する
に必要な露光量（Ｅ1/2マイクロジユール／cm2）
を測定することによつて評価した。この際、光源
としてガリウム、アルミニウム・ヒ素半導体レー
ザ（発振波長780nｍ）を用いた。これらの結果
は、次のとおりであつた。 V0：−620ボルト V5：−580ボルト Ｅ1/2：8.5マイクロジユール／cm2 実施例 ２〜17 実施例１で用いた化合物No.(1)の化合物に代え
て、第１表に示す化合物をそれぞれ用いたほか
は、実施例１と全く同様の方法で感光体を調製
し、この感光体の特性を測定した。これらの結果
を第１表に示す。
【表】
【表】
実施例 18
厚さ100ミクロン厚のアルミ板上にカゼインの
アンモニウム水溶液を塗布し、乾燥して膜厚1.1
ミクロンの下引層を形成した。 次に、２，４，７−トリニトロ−９−フルオレ
ノン５ｇとポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール（数平
均分子量300000）５ｇをテトラヒドロフラン70ml
に溶かして電荷移動錯化合物を形成した。この電
荷移動錯化合物と前述の化合物No.(1)の化合物１ｇ
をポリエステル樹脂（バイロン：東洋紡製）５ｇ
をテトラヒドフラン70mlに溶かした液に加え、分
散した。この分散液を下引層の上に乾燥後の膜厚
が12ミクロンとなる様に塗布し、乾燥した。 こうして調整した感光体の帯電特性を実施例１
と同様の方法で測定した。これの結果は、次のと
おりであつた。但し、帯電極性はとした。 V0：550ボルト V5：450ボルト Ｅ1/2：48.5マイクロジユール／cm2 実施例 19 アルミ蒸着ポリエチレンチレフタレートフイル
ムのアルミ面上に膜厚1.1ミクロンのポリビニル
アルコールの被膜を形成した。 次に、実施例１で用いた前述の化合物No.(1)の化
合物の分散液を先に形成したポリビニルアルコー
ル層の上に、乾燥後の膜厚が0.5ミクロンとなる
様にマイヤーバーで塗布し、乾燥して電荷発生を
形成した。 次に、構造式 のピラゾリン化合物５ｇとポリアリレート樹脂
（ビスフエノールＡとテレフタル酸−イソフタン
酸の縮重合体）５ｇをテトラヒドロフラン70mlに
溶かした電荷発生層の上に乾燥後の膜厚が10ミク
ロンとなる様に塗布し、乾燥して電荷輸送層を形
成した。 こうして調製した感光体の帯電特性を実施例１
と同様の方法によつて測定した。これの結果は、
次のとおりであつた。 V0：−580ボルト V5：−520ボルト Ｅ1/2：10.5マイクロジユール／cm2 前述の各実施例から判るとおり、本発明の電子
写真感光体は、750nｍ以上の波長域で著しい高
感度特性を有するとともに、初期電位や暗減衰な
どの帯電特性に優れている。 実施例 20 ニトロセルロース溶液（ダイセル化学工業(株)
製；オーハーレスラツカー：ニトロセルロース25
重量％のメチルエチルケトン溶液）12重量部、前
述の化合物No.(1)の化合物３重量部およびメチルエ
チルケトン70重量部を混合し、十分に分散した。
この分散液をアルミ蒸着ガラス板上に浸漬コーテ
イング法により塗布した後、乾燥して0.6ｇ／m2
の記録層を得た。 こうして作成した光デイスク記録体をターンテ
ーブル上に取り付け、ターンテーブルをモータで
1800rpmの回転を与えながら、スポツトサイズ
1.0ミクロンに集束した５ｍＷおよび4MHzのガリ
ウム−アルミニウム−ヒ素半導体レーザ（発振波
長780nｍ）を記録層面にトラツク状で照射して
記録を行なつた。 この記録された光デイスクの表面を走査型電子
顕微鏡で観察したところ、鮮明なピツトが認めら
れた。また、この光デイスクに低出力のガリウム
−アルミニウム−ヒ素半導体レーザを入射し、反
射光の検知を行なつたところ、十分なＳ／Ｎ比を
有する波形が得られた。 実施例 21 前述の化合物No.(1)の化合物500mgを蒸着用モリ
ブデンボートに入れ、１×10-6mmHg以下に排気
した後、アルミ蒸着ガラス板に蒸着した。蒸着中
は真空室内の圧力が10-5mmHg以上に上昇しない
様にヒーターを制御しながら、0.2ミクロンの蒸
着膜を形成させた。 こうして作成した光デイスク記録体に実施例20
と同様の方法で情報を記憶させたところ、実施例
20と同様の鮮明なピツトが認められ、また実施例
20と同様の方法で情報を再生したが、この際十分
なＳ／Ｎ比を有する波形が認められた。 実施例 22 前述の化合物No.(5)の化合物を実施例20と同様の
方法でアルミ蒸着ガラス板の上に塗工して、乾装
塗工量0.6ｇ／m2の記録層を有する光デイスク記
録体を作成した。 この光デイスク記録体に実施例20と同様の方法
で情報を記記憶させてから、再生したところ、十
分なＳ／Ｎ比を有する波形が認められた。又、情
報を書き込みした後の記録層面を走査型電子顕微
鏡で観察したところ、鮮明なピツトが形成されて
いた。 実施例 23 前述の化合物No.(8)の化合物を実施例20と同様の
方法でアルミ蒸着ガラス板の上に塗工して、乾燥
塗工量0.6ｇ／m2の記録層を有する光デイスク記
録体を作成した。 この光デイスク記録体に実施例20と同様の方法
で情報を記憶させてから、再生したところ、十分
なＳ／Ｎ比を有する波形が認められた。又、情報
を書き込みした後の記録層面を走査型電子顕微鏡
で観察したところ、鮮明なピツトが形成されてい
た。 実施例 24 前述の化合物No.（14）の化合物を実施例20と同
様の方法でアルミ蒸着ガラス板の上に塗工して、
乾燥塗工量0.6ｇ／m2の記録層を有する光デイス
ク記録体を作成した。 この光デイスク記録体に実施例20と同様の方法
で情報を記憶させてから、再生したところ、十分
なＳ／Ｎ比を有する波形が認められた。又、情報
を書み込みした後の記録層面を走査型電子顕微鏡
で観察したところ、鮮明なピツトが形成されてい
た。
アンモニウム水溶液を塗布し、乾燥して膜厚1.1
ミクロンの下引層を形成した。 次に、２，４，７−トリニトロ−９−フルオレ
ノン５ｇとポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール（数平
均分子量300000）５ｇをテトラヒドロフラン70ml
に溶かして電荷移動錯化合物を形成した。この電
荷移動錯化合物と前述の化合物No.(1)の化合物１ｇ
をポリエステル樹脂（バイロン：東洋紡製）５ｇ
をテトラヒドフラン70mlに溶かした液に加え、分
散した。この分散液を下引層の上に乾燥後の膜厚
が12ミクロンとなる様に塗布し、乾燥した。 こうして調整した感光体の帯電特性を実施例１
と同様の方法で測定した。これの結果は、次のと
おりであつた。但し、帯電極性はとした。 V0：550ボルト V5：450ボルト Ｅ1/2：48.5マイクロジユール／cm2 実施例 19 アルミ蒸着ポリエチレンチレフタレートフイル
ムのアルミ面上に膜厚1.1ミクロンのポリビニル
アルコールの被膜を形成した。 次に、実施例１で用いた前述の化合物No.(1)の化
合物の分散液を先に形成したポリビニルアルコー
ル層の上に、乾燥後の膜厚が0.5ミクロンとなる
様にマイヤーバーで塗布し、乾燥して電荷発生を
形成した。 次に、構造式 のピラゾリン化合物５ｇとポリアリレート樹脂
（ビスフエノールＡとテレフタル酸−イソフタン
酸の縮重合体）５ｇをテトラヒドロフラン70mlに
溶かした電荷発生層の上に乾燥後の膜厚が10ミク
ロンとなる様に塗布し、乾燥して電荷輸送層を形
成した。 こうして調製した感光体の帯電特性を実施例１
と同様の方法によつて測定した。これの結果は、
次のとおりであつた。 V0：−580ボルト V5：−520ボルト Ｅ1/2：10.5マイクロジユール／cm2 前述の各実施例から判るとおり、本発明の電子
写真感光体は、750nｍ以上の波長域で著しい高
感度特性を有するとともに、初期電位や暗減衰な
どの帯電特性に優れている。 実施例 20 ニトロセルロース溶液（ダイセル化学工業(株)
製；オーハーレスラツカー：ニトロセルロース25
重量％のメチルエチルケトン溶液）12重量部、前
述の化合物No.(1)の化合物３重量部およびメチルエ
チルケトン70重量部を混合し、十分に分散した。
この分散液をアルミ蒸着ガラス板上に浸漬コーテ
イング法により塗布した後、乾燥して0.6ｇ／m2
の記録層を得た。 こうして作成した光デイスク記録体をターンテ
ーブル上に取り付け、ターンテーブルをモータで
1800rpmの回転を与えながら、スポツトサイズ
1.0ミクロンに集束した５ｍＷおよび4MHzのガリ
ウム−アルミニウム−ヒ素半導体レーザ（発振波
長780nｍ）を記録層面にトラツク状で照射して
記録を行なつた。 この記録された光デイスクの表面を走査型電子
顕微鏡で観察したところ、鮮明なピツトが認めら
れた。また、この光デイスクに低出力のガリウム
−アルミニウム−ヒ素半導体レーザを入射し、反
射光の検知を行なつたところ、十分なＳ／Ｎ比を
有する波形が得られた。 実施例 21 前述の化合物No.(1)の化合物500mgを蒸着用モリ
ブデンボートに入れ、１×10-6mmHg以下に排気
した後、アルミ蒸着ガラス板に蒸着した。蒸着中
は真空室内の圧力が10-5mmHg以上に上昇しない
様にヒーターを制御しながら、0.2ミクロンの蒸
着膜を形成させた。 こうして作成した光デイスク記録体に実施例20
と同様の方法で情報を記憶させたところ、実施例
20と同様の鮮明なピツトが認められ、また実施例
20と同様の方法で情報を再生したが、この際十分
なＳ／Ｎ比を有する波形が認められた。 実施例 22 前述の化合物No.(5)の化合物を実施例20と同様の
方法でアルミ蒸着ガラス板の上に塗工して、乾装
塗工量0.6ｇ／m2の記録層を有する光デイスク記
録体を作成した。 この光デイスク記録体に実施例20と同様の方法
で情報を記記憶させてから、再生したところ、十
分なＳ／Ｎ比を有する波形が認められた。又、情
報を書き込みした後の記録層面を走査型電子顕微
鏡で観察したところ、鮮明なピツトが形成されて
いた。 実施例 23 前述の化合物No.(8)の化合物を実施例20と同様の
方法でアルミ蒸着ガラス板の上に塗工して、乾燥
塗工量0.6ｇ／m2の記録層を有する光デイスク記
録体を作成した。 この光デイスク記録体に実施例20と同様の方法
で情報を記憶させてから、再生したところ、十分
なＳ／Ｎ比を有する波形が認められた。又、情報
を書き込みした後の記録層面を走査型電子顕微鏡
で観察したところ、鮮明なピツトが形成されてい
た。 実施例 24 前述の化合物No.（14）の化合物を実施例20と同
様の方法でアルミ蒸着ガラス板の上に塗工して、
乾燥塗工量0.6ｇ／m2の記録層を有する光デイス
ク記録体を作成した。 この光デイスク記録体に実施例20と同様の方法
で情報を記憶させてから、再生したところ、十分
なＳ／Ｎ比を有する波形が認められた。又、情報
を書み込みした後の記録層面を走査型電子顕微鏡
で観察したところ、鮮明なピツトが形成されてい
た。
第１図および第２図は、本発明の有機被膜を光
デイスク記録体に用いた時の断面図で、第３図は
この光デイスク記録体の実施態様を示す説明図で
ある。 １……基板、２……有機被膜、３……反射層、
４……レーザ光線、５……ピツト。
デイスク記録体に用いた時の断面図で、第３図は
この光デイスク記録体の実施態様を示す説明図で
ある。 １……基板、２……有機被膜、３……反射層、
４……レーザ光線、５……ピツト。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 下記一般式(1)で示される化合物を含有するこ
とを特徴とする有機被膜。 一般式(1) （式中、Z1は置換又は未置換の含窒素複素環を完
成するに必要な原子群を示す。Z2は、置換されて
もよいピラン、チアピラン、セレナピラン、ベン
ピラン、ベンゾチアピラン、ベンゾセレナピラ
ン、ナフトピラン、ナフトチアピラン又はナフト
セレナピランを完成するに必要な原子群を示し、
Ｘは硫黄原子、酸素原子又はセレン原子である。
Z3は、置換又は未置換の５員若しくは６員を形成
する２価の炭化水素基を示す。R1は、水素原子
又は置換もしくは未置換のアルキル基を示す。
R2およびR3は、水素原子、ハロゲン原子又は１
価の有機残基を示す。R4は、水素原子又はハロ
ゲン原子を示す。Ａ は、陰イオンを示し、ｍお
よびｎは０又は１で、ｌは０、１又は２である。）
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58020786A JPS59146063A (ja) | 1983-02-09 | 1983-02-09 | 有機被膜 |
| US06/577,208 US4555472A (en) | 1983-02-09 | 1984-02-06 | Organic coating film and radiation-sensitive member having the film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58020786A JPS59146063A (ja) | 1983-02-09 | 1983-02-09 | 有機被膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59146063A JPS59146063A (ja) | 1984-08-21 |
| JPH0211137B2 true JPH0211137B2 (ja) | 1990-03-13 |
Family
ID=12036786
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58020786A Granted JPS59146063A (ja) | 1983-02-09 | 1983-02-09 | 有機被膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59146063A (ja) |
Families Citing this family (130)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6175358A (ja) * | 1984-09-21 | 1986-04-17 | Canon Inc | 電子写真感光体 |
| ES2147777T3 (es) | 1993-09-16 | 2000-10-01 | Ciba Sc Holding Ag | Compuestos vinileter con grupos funcionales adicionales, distintos de vinileter, y su utilizacion en la formulacion de compuestos reticulables. |
| DE60037951T2 (de) | 1999-05-21 | 2009-02-05 | Fujifilm Corp. | Fotoempfindliche Zusammensetzung und Flachdruckplatte, die diese Zusammensetzung verwendet |
| JP4469927B2 (ja) | 2000-05-23 | 2010-06-02 | Ｄｉｃ株式会社 | 感光性組成物およびこれを用いた平版印刷版原版、画像形成方法 |
| US6511790B2 (en) | 2000-08-25 | 2003-01-28 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Alkaline liquid developer for lithographic printing plate and method for preparing lithographic printing plate |
| EP1211065B1 (en) | 2000-11-30 | 2009-01-14 | FUJIFILM Corporation | Planographic printing plate precursor |
| CN100470365C (zh) | 2001-01-12 | 2009-03-18 | 富士胶片株式会社 | 正型成像材料 |
| JP2002341536A (ja) | 2001-05-21 | 2002-11-27 | Kodak Polychrome Graphics Japan Ltd | ネガ型感光性組成物およびネガ型感光性平版印刷版 |
| US20040067435A1 (en) | 2002-09-17 | 2004-04-08 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Image forming material |
| EP2354854B2 (en) | 2002-09-20 | 2016-04-06 | FUJIFILM Corporation | Method of making lithographic printing plate |
| JP4048134B2 (ja) | 2003-02-21 | 2008-02-13 | 富士フイルム株式会社 | 平版印刷版原版 |
| EP2093055B1 (en) | 2003-03-26 | 2012-05-16 | FUJIFILM Corporation | Lithographic printing method |
| JP2005028774A (ja) | 2003-07-07 | 2005-02-03 | Fuji Photo Film Co Ltd | 平版印刷版用原版および平版印刷方法 |
| JP4291638B2 (ja) | 2003-07-29 | 2009-07-08 | 富士フイルム株式会社 | アルカリ可溶性ポリマー及びそれを用いた平版印刷版原版 |
| US20050153239A1 (en) | 2004-01-09 | 2005-07-14 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Lithographic printing plate precursor and lithographic printing method using the same |
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