JPH02117678A - 新規セフェム化合物 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
1産業上の利用分野。
この発明の下記一般式(I)で示されるセフェム化合物
および医薬として許容されるその塩は抗菌活性を有し、
医薬として有用である。
および医薬として許容されるその塩は抗菌活性を有し、
医薬として有用である。
「従来の技術。
セフェム化合物は数多く知られているが、この発明の下
記一般式(1)で示されるセフェム化合物は知られてい
ない。
記一般式(1)で示されるセフェム化合物は知られてい
ない。
「発明が解決しようとする問題点」
抗菌作用を有し、医薬として有用なセフェム化合物は数
多く知られているが、この発明はきらに優れた医薬品の
開発を意図してなされたものである。
多く知られているが、この発明はきらに優れた医薬品の
開発を意図してなされたものである。
1問題点を解決するための手段」
この発明は新規セフェム化合物およびその塩に関する。
更に詳しくは、この発明は、抗菌活性を有する新規セフ
ェム化合物およびその塩、それらの製造法およびそれら
の原料化合物に関する。
ェム化合物およびその塩、それらの製造法およびそれら
の原料化合物に関する。
目的とするセフェム化合物は新規であり、下記般式(1
)で示すことができる。
)で示すことができる。
(式中、R1はアミ7基または保護されたアミノ基、
2はNまたはCH。
R2は有機基、
RおよびR4はそれぞれヒドロキシ基または保護された
ヒドロキシ基を意味する)。
ヒドロキシ基を意味する)。
この発明のセフェム化合物は下記反応式で説明される製
造法によって製造することができる。
造法によって製造することができる。
製造法1
(n)
またはその塩
(Ib)
またはその塩
梨J■(ユ
またはその塩
またはその塩
製W礼至
(Ia>
またはその塩
またはその塩
製造法4
(Ig)
またはその塩
製造法A
c式中、R1、R2、R3、R4およびzはそれぞれ前
と同じ意味であり、 Xは酸残基、 R1は保護されたアミ7基、 R2は保護されたカルボキシ(低級)アルキル基、Rb
はカルボキシ(低級)アルキル基、R4は保護されたヒ
ドロキシ基を意味する)。
と同じ意味であり、 Xは酸残基、 R1は保護されたアミ7基、 R2は保護されたカルボキシ(低級)アルキル基、Rb
はカルボキシ(低級)アルキル基、R4は保護されたヒ
ドロキシ基を意味する)。
原料化合物(DI)は下記反応式で説明される製造法に
よって製造することができる。
よって製造することができる。
またはアミ7基に
おけるその反応性
誘導体またはその
塩
またはカルボキシ基に
おけるその反応性誘導
体またはその塩
(II[)
またはその塩
(式中、R3
およびR4はそれぞれ前と同し意
味)。
化合物(I)、(Ia)−(If)および(I[)につ
いては、これらの化合物にはシン異性体、アンチ異性体
およびそれらの混合物が含まれることは当然理解される
ことである。
いては、これらの化合物にはシン異性体、アンチ異性体
およびそれらの混合物が含まれることは当然理解される
ことである。
例えは、目的化合物(1)については、シン異性体とは
下記式で示される部分構造を有する一つの幾何異性体を
、意味し、 (式中、R1、R2およびZはそれぞれ前と同し意味)
アンチ異性体とは下記式で示される部分構造を有する別
の倹何異性体を意味し、 (式中、R1、R2および2はそれぞれ前と同し意味)
そのような幾何異性体およびそれらの混合物はすへてこ
の発明の範囲内に包含される。
下記式で示される部分構造を有する一つの幾何異性体を
、意味し、 (式中、R1、R2およびZはそれぞれ前と同し意味)
アンチ異性体とは下記式で示される部分構造を有する別
の倹何異性体を意味し、 (式中、R1、R2および2はそれぞれ前と同し意味)
そのような幾何異性体およびそれらの混合物はすへてこ
の発明の範囲内に包含される。
この明細書および特許請求の範囲においては、これらの
幾何異性体およびそれらの混合物は便宜上下記式によっ
て示すことにする。
幾何異性体およびそれらの混合物は便宜上下記式によっ
て示すことにする。
(式中、R1、R2およびZはそれぞれ前と同し意味)
。
。
この明細書の以上および以下の記載において、この発明
の範囲内に包含される種々の定義の好適な例および説明
を以下詳細に述べる。
の範囲内に包含される種々の定義の好適な例および説明
を以下詳細に述べる。
「低級、とは、特に指示がなければ、戻酸厖子1個ない
し6個を意味するものとする。
し6個を意味するものとする。
「保護されたアミノ基」の好適な1保護基」としては、
後述のアシル基、例えばベンジリデン、ヒドロキンベン
ンリデン等の置換きれたまたは非置換アル(低級)アル
キリデン基、例えはヘンシル、フェネチル、ベンズヒド
リル、トリプル等のモノまたはジまたはトリフェニル(
低級)アルキル基のようなアル(低級)アルキル基等が
挙げられる。
後述のアシル基、例えばベンジリデン、ヒドロキンベン
ンリデン等の置換きれたまたは非置換アル(低級)アル
キリデン基、例えはヘンシル、フェネチル、ベンズヒド
リル、トリプル等のモノまたはジまたはトリフェニル(
低級)アルキル基のようなアル(低級)アルキル基等が
挙げられる。
好適な「アシル基」としては、例えばホルミル、アセチ
ル、プロピオニル、ヘキサノイル、ビハロイル等の低級
アルカノイル基、例えばクロロアセチル、トリフルオロ
アセチル等のモノ(または)またはトリ)ハロ(低級)
アルカノイル基、例えばメトキシカルボニル、エトキシ
カルボニル、第三級ブトキシカルボニル、第三級ペンチ
ルオキシカルボニル、ヘキシルオキシカルボニル等の低
級アルフキジカルボニル基、カルバモイル基、例えばベ
ンゾイル、トルオイル、ナフトイル等のアロイル基、例
えばフェニルアセチル、フェニルプロピオニル等のアル
(イ氏級)アルカノイル基、例えばフ;ツキジカルボニ
ル、ナフチルオキシカルボニル等のアリールオキシカル
ボニル基、例えばフェノキシアセチル、フェノキシプロ
ピオニル等のアリールオキジアルカノイル基、イ列えば
フェニルグリオキソロイル、ナフチルグリオキシロイル
等のアリールグリオキンロイル基、例えばヘンシルオキ
・〉カルボニル、フェネチルオキシカルボニル、p−ニ
トロベンジルオキシカルボニル等の適当な置換基を有し
ていてもよいアル(低級)アルコキンカルボニル基等が
挙げられる。
ル、プロピオニル、ヘキサノイル、ビハロイル等の低級
アルカノイル基、例えばクロロアセチル、トリフルオロ
アセチル等のモノ(または)またはトリ)ハロ(低級)
アルカノイル基、例えばメトキシカルボニル、エトキシ
カルボニル、第三級ブトキシカルボニル、第三級ペンチ
ルオキシカルボニル、ヘキシルオキシカルボニル等の低
級アルフキジカルボニル基、カルバモイル基、例えばベ
ンゾイル、トルオイル、ナフトイル等のアロイル基、例
えばフェニルアセチル、フェニルプロピオニル等のアル
(イ氏級)アルカノイル基、例えばフ;ツキジカルボニ
ル、ナフチルオキシカルボニル等のアリールオキシカル
ボニル基、例えばフェノキシアセチル、フェノキシプロ
ピオニル等のアリールオキジアルカノイル基、イ列えば
フェニルグリオキソロイル、ナフチルグリオキシロイル
等のアリールグリオキンロイル基、例えばヘンシルオキ
・〉カルボニル、フェネチルオキシカルボニル、p−ニ
トロベンジルオキシカルボニル等の適当な置換基を有し
ていてもよいアル(低級)アルコキンカルボニル基等が
挙げられる。
好適な1有機基」としては、例えばメチル、エチル、プ
ロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、第三級ブ
チル、ペンチル、ネオペンチル、第三級ペンチル、ヘキ
シル等の低級アルキル基、例えばクロロメチル、ジクロ
ロメチル、トリクロロメチル、ブロモメチル、クロロエ
チル、ジクロロエチル、トリクロロエチル、フルオロエ
チル、トリフルオロエチル等のモノ(またはジまたはト
リ)ハロ(低級)アルキル基、 例えばビニル、1−プロペニル、アリル、1−メチルア
リル、1または2または3−ブテニル、1または2また
は3または4−ペンテニル、1または2または3または
4または5−ヘキセニル等の低級アルケニル基、 例えばエチニル、1−プロピニル、プロパルギル、1−
メチルプロパルギル、1または2または3−ブチニル、
1または2または3または4−ペンテニル、1または2
または3または4または5ヘキシニル等の低級アルキニ
ル基、 例えばフェニル、ナフチル等のアリール基、例えはヘン
シル、フェネチル、フェニルプロピル等のフェニル(低
級)アルキル基のようなアル(低級)アルキル基、 低級アルキル部分が上記で例示したようなものであるカ
ルボキシ(低級)アルキル基、低級アルキル部分が上記
で例示したようなものCあり、かつ保護されたカルボキ
シ部分が下記に例示するようなものである保護きれたカ
ルボキシ(低級)アルキル基等が挙げられる。
ロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、第三級ブ
チル、ペンチル、ネオペンチル、第三級ペンチル、ヘキ
シル等の低級アルキル基、例えばクロロメチル、ジクロ
ロメチル、トリクロロメチル、ブロモメチル、クロロエ
チル、ジクロロエチル、トリクロロエチル、フルオロエ
チル、トリフルオロエチル等のモノ(またはジまたはト
リ)ハロ(低級)アルキル基、 例えばビニル、1−プロペニル、アリル、1−メチルア
リル、1または2または3−ブテニル、1または2また
は3または4−ペンテニル、1または2または3または
4または5−ヘキセニル等の低級アルケニル基、 例えばエチニル、1−プロピニル、プロパルギル、1−
メチルプロパルギル、1または2または3−ブチニル、
1または2または3または4−ペンテニル、1または2
または3または4または5ヘキシニル等の低級アルキニ
ル基、 例えばフェニル、ナフチル等のアリール基、例えはヘン
シル、フェネチル、フェニルプロピル等のフェニル(低
級)アルキル基のようなアル(低級)アルキル基、 低級アルキル部分が上記で例示したようなものであるカ
ルボキシ(低級)アルキル基、低級アルキル部分が上記
で例示したようなものCあり、かつ保護されたカルボキ
シ部分が下記に例示するようなものである保護きれたカ
ルボキシ(低級)アルキル基等が挙げられる。
1保護されたカルボキシ(低級)アルキル基。
の好適な「保護きれたカルボキシ部分」としてはエステ
ル化されたカルボキシ基等が挙げられる。
ル化されたカルボキシ基等が挙げられる。
前記エステルの好適な例としては、例えばメチルエステ
ル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピル
エステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、第三
級ブチルエステル、ペンチルエステ)1第三級ヘンデル
エステル、ヘキシルエステル等の低級アルキルエステル
; 例えばビニルエステノ呟アリルエステル等の低級アルケ
ニルエステル; イ列えばエチニルエステル、プロピニルエステル等の低
級アルキニルエステル; 例えばメトキシメチルエステ4.エトキシメチルエステ
ル、イソプロポキシメチルエステル、1−メトキンエチ
ルエステル、1−エトキシエチルエステル等の低級アル
コキシアルキルエステル;1列えばメチルチオメチルエ
ステル、エチルチオエチルエステル、エチルチオエチル
エステル、イソプロピルチオメチルエステル等の低級ア
ルキルチオアルキルエステル; 例えば2−ヨードエチルエステル、2,2.2−トリク
ロロエチルエステル等のモノ(またはりまたはトリ)ハ
ロ(低級)アルキルエステル;例えばアセトキシメチル
エステル、プロピオニルオキシメチルエステル、ブチリ
ルオキシメチルエステル、バレリルオキシメチルエステ
ル、ピバロイルオキシメチルエステル、ヘキサノイルオ
キシメチルエステル、2−アセトキシエチルエステル、
2−プロピオニルオキシエチルエステル等の低級アルカ
ノイルオキシ(低級)アルキルエステル; 例えばメシルメチルエステル、2−メシルエチルエステ
ル等の低級アルカンスルホニル(低a)アルキルエステ
ル; アル(低級)アルキルエステル、その例として、例えば
ベンジルエステル、4−メトキシベンジルエステル、4
−ニトロベンジルエステル、フェネチルエステル、トリ
チルエステル、ベンズヒドリルエステル、ビス(メトキ
シフェニル)メチルエステル、3.4−ジメトキシベン
ジルエステル、4−ヒドロキシ−3,5−ジ第三級プチ
ルベンンルエステル等の適当な置換基1個以上を有して
いてもよいフェニル(低級)アリールエステルし・ 例えばフェニルエステル、トリルエステル、第三級ブチ
ルフェニルエステル、キシリルエステル、メシチルエス
テル、クメニルエステル、4−クロロフェニルエステル
、4−メトキシフェニルエステル等の置換きれたまたは
非置換フェニルエステルのような適当な置換基1個以上
を有していてもよいアリールエステル; トリ(低級)アルキルシリルエステル;イ列えばメチル
チオエステル、エチルチオエステル等の低級アルキルチ
オエステル等のようなものが挙げられる。
ル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピル
エステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、第三
級ブチルエステル、ペンチルエステ)1第三級ヘンデル
エステル、ヘキシルエステル等の低級アルキルエステル
; 例えばビニルエステノ呟アリルエステル等の低級アルケ
ニルエステル; イ列えばエチニルエステル、プロピニルエステル等の低
級アルキニルエステル; 例えばメトキシメチルエステ4.エトキシメチルエステ
ル、イソプロポキシメチルエステル、1−メトキンエチ
ルエステル、1−エトキシエチルエステル等の低級アル
コキシアルキルエステル;1列えばメチルチオメチルエ
ステル、エチルチオエチルエステル、エチルチオエチル
エステル、イソプロピルチオメチルエステル等の低級ア
ルキルチオアルキルエステル; 例えば2−ヨードエチルエステル、2,2.2−トリク
ロロエチルエステル等のモノ(またはりまたはトリ)ハ
ロ(低級)アルキルエステル;例えばアセトキシメチル
エステル、プロピオニルオキシメチルエステル、ブチリ
ルオキシメチルエステル、バレリルオキシメチルエステ
ル、ピバロイルオキシメチルエステル、ヘキサノイルオ
キシメチルエステル、2−アセトキシエチルエステル、
2−プロピオニルオキシエチルエステル等の低級アルカ
ノイルオキシ(低級)アルキルエステル; 例えばメシルメチルエステル、2−メシルエチルエステ
ル等の低級アルカンスルホニル(低a)アルキルエステ
ル; アル(低級)アルキルエステル、その例として、例えば
ベンジルエステル、4−メトキシベンジルエステル、4
−ニトロベンジルエステル、フェネチルエステル、トリ
チルエステル、ベンズヒドリルエステル、ビス(メトキ
シフェニル)メチルエステル、3.4−ジメトキシベン
ジルエステル、4−ヒドロキシ−3,5−ジ第三級プチ
ルベンンルエステル等の適当な置換基1個以上を有して
いてもよいフェニル(低級)アリールエステルし・ 例えばフェニルエステル、トリルエステル、第三級ブチ
ルフェニルエステル、キシリルエステル、メシチルエス
テル、クメニルエステル、4−クロロフェニルエステル
、4−メトキシフェニルエステル等の置換きれたまたは
非置換フェニルエステルのような適当な置換基1個以上
を有していてもよいアリールエステル; トリ(低級)アルキルシリルエステル;イ列えばメチル
チオエステル、エチルチオエステル等の低級アルキルチ
オエステル等のようなものが挙げられる。
「保護されたヒドロキシ基」の好適な「保護基」として
は、上記アシル基、テトラヒドロピラニル基、ベンジル
基等が挙げられる。
は、上記アシル基、テトラヒドロピラニル基、ベンジル
基等が挙げられる。
好適な酸残基としては、例えば塩素、臭素、沃素等のハ
ロゲンが挙げられる。
ロゲンが挙げられる。
目的化合物(I)の好適な医薬として許容される塩類は
常用の無毒性塩類であり、例えばナトリウム塩、カリウ
ム塩等のアルカリ金属塩および例えばカルシウム塩、マ
グネシウム塩等のアルカリ土金属塩のような金属塩、ア
ンモニウム塩、例えばトリメチルアミン塩、トリエチル
アミン塩、ピリジン塩、ピコリン塩、ジシクロヘキシル
アミン塩、N、N′ −ジベンジルエチレンジアミン塩
等の有機塩基塩、例えばギ酸塩、酢酸塩、トリフルオロ
酢酸塩、マレイン酸塩、酒石酸塩、メタンスルホン酸塩
、ベンゼンスルホン酸塩、トルエンスルホン酸塩等の有
機酸塩、例えば塩酸塩、沃化水素酸塩、臭化水素酸塩、
硫酸塩、燐酸塩等の無機酸塩、例えばアルギニン塩、ア
スパラギン酸塩、グルタミン酸塩等のアミノ酸との塩等
が挙げられる。
常用の無毒性塩類であり、例えばナトリウム塩、カリウ
ム塩等のアルカリ金属塩および例えばカルシウム塩、マ
グネシウム塩等のアルカリ土金属塩のような金属塩、ア
ンモニウム塩、例えばトリメチルアミン塩、トリエチル
アミン塩、ピリジン塩、ピコリン塩、ジシクロヘキシル
アミン塩、N、N′ −ジベンジルエチレンジアミン塩
等の有機塩基塩、例えばギ酸塩、酢酸塩、トリフルオロ
酢酸塩、マレイン酸塩、酒石酸塩、メタンスルホン酸塩
、ベンゼンスルホン酸塩、トルエンスルホン酸塩等の有
機酸塩、例えば塩酸塩、沃化水素酸塩、臭化水素酸塩、
硫酸塩、燐酸塩等の無機酸塩、例えばアルギニン塩、ア
スパラギン酸塩、グルタミン酸塩等のアミノ酸との塩等
が挙げられる。
目的化合物(1)の好ましい実施態様は下記のとおりで
ある。
ある。
R1の好ましい実施態様はアミン基またはアシルアミノ
基(さらに好ましくは低級アルカノイルアミ7基)、 2の好ましい実施態様はNまたはCI、R2の好ま°3
い実施態様はカルボキシ(低級)アルキル基、保護され
たカルボキン(低級)アルキル基[さらに好ましくはエ
ステル化されたカルボキシ(低級)アルキル基、最も好
ましくは低級アルコキシカルボニル(低級)アルキル基
コ、R3の好ましい実施態様はヒドロキシ基またはアシ
ルオキシ基(さらに好ましくは低級アルカノイルオキシ
基)、 R棗の好ましい実施態様はヒドロキシ基またはアシルオ
キシ基(さらに好ましくは低級アルカノイルオキシ基)
である。
基(さらに好ましくは低級アルカノイルアミ7基)、 2の好ましい実施態様はNまたはCI、R2の好ま°3
い実施態様はカルボキシ(低級)アルキル基、保護され
たカルボキン(低級)アルキル基[さらに好ましくはエ
ステル化されたカルボキシ(低級)アルキル基、最も好
ましくは低級アルコキシカルボニル(低級)アルキル基
コ、R3の好ましい実施態様はヒドロキシ基またはアシ
ルオキシ基(さらに好ましくは低級アルカノイルオキシ
基)、 R棗の好ましい実施態様はヒドロキシ基またはアシルオ
キシ基(さらに好ましくは低級アルカノイルオキシ基)
である。
この発明の目的化合物および原料化合物の製造法を以下
詳細に説明する。
詳細に説明する。
製造法1
化合物(1)またはその塩は、化合物(I[)またはそ
の塩を化合物(I[[)またはその塩と反応させること
により製造することができる。
の塩を化合物(I[[)またはその塩と反応させること
により製造することができる。
化合物(I[>および(III)の好適な塩類について
は、化合物(1)について例示したものを参照すればよ
い。
は、化合物(1)について例示したものを参照すればよ
い。
この反応は“rセトン、クロロホルム、アセトニトリル
、塩化メチレン、塩化エチレン、ホルムアミド、N、N
−ジメチルホルムアミド、メタノール、エタノール、ジ
エデルエーテル、テトラヒドロフラン、ジメチルスルホ
キシドのような溶媒中で行えばよいが、反応に悪影響を
及ぼさない溶媒であればその他のいかなる有機溶媒中で
も反応を行うことがでさる。溶媒中親水性溶媒は水との
混合物として使用してもよい。
、塩化メチレン、塩化エチレン、ホルムアミド、N、N
−ジメチルホルムアミド、メタノール、エタノール、ジ
エデルエーテル、テトラヒドロフラン、ジメチルスルホ
キシドのような溶媒中で行えばよいが、反応に悪影響を
及ぼさない溶媒であればその他のいかなる有機溶媒中で
も反応を行うことがでさる。溶媒中親水性溶媒は水との
混合物として使用してもよい。
反応温度はとくに限定されないが、通常は冷却下、常温
または加温下に反応が行われる。
または加温下に反応が行われる。
1盗羞ユ
化合物(Ib)またはその塩は、化合物(Ia)または
その塩をアミノ保護基の脱離反応に付すことにより製造
することができる。
その塩をアミノ保護基の脱離反応に付すことにより製造
することができる。
この反応は加水分解、還元等のような常法に従って行わ
れる。
れる。
加水分解は塩基、またはルイス酸を含めた酸の存在下に
行うのが好ましい。
行うのが好ましい。
好適な塩基としては、例えばナトリウム、カリウム等の
アルbり金属、例えばマグネシウム、カルシウム等のア
ルカリ土金属、それらの金属の水酸化物または炭酸塩ま
たは次酸水素塩、例えばトリメチルアミン、トリエチル
アミン等のトリアルキルアミン、ピコリン、1.5−ジ
アザビシクロ[4,3,0コノン−5−エン、1.4−
ジアザビンクロ[2,2,2コオクタン、1.8−ジア
ザビシクロ[5,4,0]ウンデク−7−エン等の無機
塩基および有機塩基が挙げられる。
アルbり金属、例えばマグネシウム、カルシウム等のア
ルカリ土金属、それらの金属の水酸化物または炭酸塩ま
たは次酸水素塩、例えばトリメチルアミン、トリエチル
アミン等のトリアルキルアミン、ピコリン、1.5−ジ
アザビシクロ[4,3,0コノン−5−エン、1.4−
ジアザビンクロ[2,2,2コオクタン、1.8−ジア
ザビシクロ[5,4,0]ウンデク−7−エン等の無機
塩基および有機塩基が挙げられる。
好適な酸としては、例えばギ酸、酢酸、プロピオン酸、
トリ・タロロ酢酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸および
例えば塩酸、臭化水素酸、硫酸、塩化水素、臭化水素等
の無機酸が挙げられる。
トリ・タロロ酢酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸および
例えば塩酸、臭化水素酸、硫酸、塩化水素、臭化水素等
の無機酸が挙げられる。
例えばトリ・20口酢酸、トリフルオロ酢酸等のトリハ
ロ酢酸等のようなルイス酸を使用する脱離は、例えばア
ニソール、フェノール等の陽イオン捕捉剤の存在下に行
うのが好ましい。
ロ酢酸等のようなルイス酸を使用する脱離は、例えばア
ニソール、フェノール等の陽イオン捕捉剤の存在下に行
うのが好ましい。
反応は通常、水、例えばメタノール、エタノール等のア
ルコール、塩化メチレン、テトラヒドロフラン、それら
の混合物のような溶媒中で行われるが、反応に悪影響を
及ぼさない溶媒であればその他のいかなる溶媒中でも反
応を行うことができる。液状の塩基または酸も溶媒とし
て使用することができる。
ルコール、塩化メチレン、テトラヒドロフラン、それら
の混合物のような溶媒中で行われるが、反応に悪影響を
及ぼさない溶媒であればその他のいかなる溶媒中でも反
応を行うことができる。液状の塩基または酸も溶媒とし
て使用することができる。
反応温度は特に限定されないが、通常は冷却下ないし加
温下に反応が行われる。
温下に反応が行われる。
脱離反応に適用できる還元法としては化学的還元および
接触還元が挙げられる。
接触還元が挙げられる。
化学的還元に使用される好適な還元剤は、例えはスズ、
亜鉛、鉄等の金属または例えば塩化クロム、酢酸クロム
等の金属化合物と、例えばギ酸、MU、プロピオン酸、
トリフルオロ酢酸、p−トルエンスルホ/酸、塩酸、臭
化水素酸等の有機酸または無機酸との組合わせである。
亜鉛、鉄等の金属または例えば塩化クロム、酢酸クロム
等の金属化合物と、例えばギ酸、MU、プロピオン酸、
トリフルオロ酢酸、p−トルエンスルホ/酸、塩酸、臭
化水素酸等の有機酸または無機酸との組合わせである。
接触還元に使用される好適な触媒は、例えば白金板、白
金海綿、白金黒、コロイド白金、酸化白金、白金線等の
白金触媒、例えばパラジウム海綿、バランラム黒、酸化
パラジウム、パラジウム−炭素、コロイドパラジウム、
パラジウム−硫酸バリウム、パラ〉ラム−炭酸バリウム
等のパラジウム触媒、例丈ば還元ニッケル、酸化ニッケ
ル、ラネーニッケル等のニッケル触媒、例えば還元コバ
ルト、ラネーコバルト等のコバルト触媒、例えは還元鉄
、ラネー鉄等の鉄触媒、例えば還元銅、ラネー銅、ウル
マン銅等の銅触媒等のような常用のものが挙げられる。
金海綿、白金黒、コロイド白金、酸化白金、白金線等の
白金触媒、例えばパラジウム海綿、バランラム黒、酸化
パラジウム、パラジウム−炭素、コロイドパラジウム、
パラジウム−硫酸バリウム、パラ〉ラム−炭酸バリウム
等のパラジウム触媒、例丈ば還元ニッケル、酸化ニッケ
ル、ラネーニッケル等のニッケル触媒、例えば還元コバ
ルト、ラネーコバルト等のコバルト触媒、例えは還元鉄
、ラネー鉄等の鉄触媒、例えば還元銅、ラネー銅、ウル
マン銅等の銅触媒等のような常用のものが挙げられる。
還元は通常、水、メタノール、エタノール、プロパツー
ル、N、N−ジメチルホルムアミド、またはそれらの混
合物のような反応に悪影響を及ぼさない常用のla媒中
で行われる。さらに、化学的還元に使用する上記酸が液
体である場合には、それらも溶媒として使用することが
でき、またさらに、接触還元に使用する好適な溶媒とし
ては上記溶媒のほか、/エテルエーテル、ジオキサン、
テトラヒドロフラン等、またはそれらの混合物が挙げら
れる。
ル、N、N−ジメチルホルムアミド、またはそれらの混
合物のような反応に悪影響を及ぼさない常用のla媒中
で行われる。さらに、化学的還元に使用する上記酸が液
体である場合には、それらも溶媒として使用することが
でき、またさらに、接触還元に使用する好適な溶媒とし
ては上記溶媒のほか、/エテルエーテル、ジオキサン、
テトラヒドロフラン等、またはそれらの混合物が挙げら
れる。
この還元の反応温度は特に限定されないが、通盾は冷却
下ないし加温下に反応が行われる。
下ないし加温下に反応が行われる。
製造法3
化合物(Id)またはその塩は、化合物(Iaンまたは
その塩をカルボキシ保護基の脱着反応に付すことにより
製造することができる。
その塩をカルボキシ保護基の脱着反応に付すことにより
製造することができる。
化合物(Ic)および(Id)の好適な塩類については
、化合物(1)について例示したものを参照すればよい
。
、化合物(1)について例示したものを参照すればよい
。
この脱離反応は前記製造法2と同様にして行うことがで
き、従って使用すべき試薬および例えば溶媒、反応温度
等の反応条件については製造法2の説明を参照すればよ
い。
き、従って使用すべき試薬および例えば溶媒、反応温度
等の反応条件については製造法2の説明を参照すればよ
い。
製造法4
化合物(If)またはその塩は、化合物(Ie)または
その塩をヒドロキシ保護基の脱離反応に付すことにより
製造することができる。
その塩をヒドロキシ保護基の脱離反応に付すことにより
製造することができる。
化合物(Is)および(If)の好適な塩類については
、化合物(I)について例示したものを参照すればよい
。
、化合物(I)について例示したものを参照すればよい
。
この脱離反応は前記製造法2と同様にして行うことがで
き、従って使用する試薬および例えば溶媒、反応温度等
の反応条件については製造法2の説明を参照すればよい
。
き、従って使用する試薬および例えば溶媒、反応温度等
の反応条件については製造法2の説明を参照すればよい
。
製造法A
化合物(III)またはその塩は、化合物(IV)また
はアミン基におけるその反応性誘導体またはその塩を、
化合物(V)またはカルボキン基におけるその反応性誘
導体またはその塩と反応きせることにより製造すること
ができる。
はアミン基におけるその反応性誘導体またはその塩を、
化合物(V)またはカルボキン基におけるその反応性誘
導体またはその塩と反応きせることにより製造すること
ができる。
化合物(IV)のアミン基における好適な反応性誘導体
としては、化合物(IV)と例えばN、O−ビス(トリ
メチルシリル)アセトアミド、N−トリメチルシリルア
セトアミド等のシリル化合物との反応によって生成する
シリル誘導体等が挙げられる。
としては、化合物(IV)と例えばN、O−ビス(トリ
メチルシリル)アセトアミド、N−トリメチルシリルア
セトアミド等のシリル化合物との反応によって生成する
シリル誘導体等が挙げられる。
化合物(V)のカルボキシ基における好適な反応性誘導
体としては、酸ハロゲン化物、酸無水物、活性化アミド
、活性化エステル等が挙げられる。
体としては、酸ハロゲン化物、酸無水物、活性化アミド
、活性化エステル等が挙げられる。
化合物(V)を遊離酸の形またはその塩の形で反応に使
用する場合には、常用の縮合剤の存在下に反応を行うの
が好ましい。
用する場合には、常用の縮合剤の存在下に反応を行うの
が好ましい。
反応は通常、塩化メチレン、塩化エチレンのような常用
の溶媒中で行われるが、反応に悪影響を及ぼさない溶媒
であればその他のいかなる溶媒中でも反応を行うことが
できる。
の溶媒中で行われるが、反応に悪影響を及ぼさない溶媒
であればその他のいかなる溶媒中でも反応を行うことが
できる。
反応温度は特に限定きれないが、通常は冷却下または常
温で反応が行われる。
温で反応が行われる。
目的化合物(1)および医薬として許存キれるその塩類
は新規であり、強い抗菌作用を発揮してダラム陽性菌お
よびダラム陰性菌を含む広汎な病原菌の生育を阻止し、
抗菌薬として有用である。
は新規であり、強い抗菌作用を発揮してダラム陽性菌お
よびダラム陰性菌を含む広汎な病原菌の生育を阻止し、
抗菌薬として有用である。
こ−に、目的化合物(Hの有用性を示すために、この発
明の代表的化合物のMIC(最小発育阻止濃度)につい
ての試験結果を以下に示す。
明の代表的化合物のMIC(最小発育阻止濃度)につい
ての試験結果を以下に示す。
駁激韮
下記の寒天板倍数希釈法によって試験管内抗菌活性を測
定した。
定した。
試験菌株をトリプトケース ソイプロス中、夜培養して
その1白金耳く生菌数108個/ mQ )を各濃度段
階の試験化合物を含むハート インフユーノヨン寒天≦
H1寒天)に接種し、37°Cで20時間培養した後、
最小発育阻止a度(MIC)を</mlで表わした。
その1白金耳く生菌数108個/ mQ )を各濃度段
階の試験化合物を含むハート インフユーノヨン寒天≦
H1寒天)に接種し、37°Cで20時間培養した後、
最小発育阻止a度(MIC)を</mlで表わした。
試験化合物
(1)7β−[2−(2−アミノチアゾール−4−イル
) −2−乃ルボキシメトキシイミノアセトアミド]−
3−[3−(3,4−ジヒドロキシベンゾイルアミノ)
−1−ピリジニオコメチル−3−セフェム−4−カルボ
キシラード(シン異性体)。
) −2−乃ルボキシメトキシイミノアセトアミド]−
3−[3−(3,4−ジヒドロキシベンゾイルアミノ)
−1−ピリジニオコメチル−3−セフェム−4−カルボ
キシラード(シン異性体)。
試験結果
MIC(</踵)
治療のためにこの発明の目的化合物(1)および医薬と
して許容きれるその塩類は経口投与、非経口投与および
外用投与に適した有機もしくは無機同体状もしくは液状
賦形剤のような医薬として許容きれる担体と混合して、
前記化合物を有効成分として含有する常用の医薬製剤の
形として使用きれる。医薬製剤は錠剤、顆粒、粉剤、カ
プセルのような固体状であってもよく、また溶液、懸濁
71 ンロンブ、エマルジョン、レモネート等のよう
な液状であってもよい。
して許容きれるその塩類は経口投与、非経口投与および
外用投与に適した有機もしくは無機同体状もしくは液状
賦形剤のような医薬として許容きれる担体と混合して、
前記化合物を有効成分として含有する常用の医薬製剤の
形として使用きれる。医薬製剤は錠剤、顆粒、粉剤、カ
プセルのような固体状であってもよく、また溶液、懸濁
71 ンロンブ、エマルジョン、レモネート等のよう
な液状であってもよい。
必要に応して上記製剤中に助剤、安定剤、1li14剤
およびその他、乳糖、クエン酸、酒石酸、ステアリン酸
、ステアリン酸マグネシウム、白土、しよ糖、コーンス
ターチ、タルク、ゼラチン、寒天、ペクチン、落花生油
、オリーブ油、カカオ詣、エチレングリコール等のよう
な通常使用される添加剤が含まれていてもよい。
およびその他、乳糖、クエン酸、酒石酸、ステアリン酸
、ステアリン酸マグネシウム、白土、しよ糖、コーンス
ターチ、タルク、ゼラチン、寒天、ペクチン、落花生油
、オリーブ油、カカオ詣、エチレングリコール等のよう
な通常使用される添加剤が含まれていてもよい。
化合物(1)の投与量は患者の年齢、条件、疾患の種類
、適用すべき化合物(I)の種類等によって変化する。
、適用すべき化合物(I)の種類等によって変化する。
一般的には1日当り1mgと約4000mgとの間の量
もしくはそれ以上を患者に投与すればよい、この発明の
目的化合物(1)は、平均1回投与量約50mg、 1
00mg、 250mg、 500mg、1000mg
を病原菌感染症治療に投与すればよい。
もしくはそれ以上を患者に投与すればよい、この発明の
目的化合物(1)は、平均1回投与量約50mg、 1
00mg、 250mg、 500mg、1000mg
を病原菌感染症治療に投与すればよい。
以下製造例および実施例に従ってこの発明をきらに詳細
に説明する。
に説明する。
11五ユ
3−アミノピリジン(5,6g)のジクロロメタン(1
20m11 )溶液に、塩化3.4−ジアセトキシベン
ゾイル(13,5g)を攪拌下5℃で加える。これにト
リエチルアミンを滴下し、混合物を8℃で1.5時間攪
拌する。
20m11 )溶液に、塩化3.4−ジアセトキシベン
ゾイル(13,5g)を攪拌下5℃で加える。これにト
リエチルアミンを滴下し、混合物を8℃で1.5時間攪
拌する。
反応混合物を冷水に加える。有機層を分取して水および
食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥して溶媒を減
圧下に留去する。残渣を酢酸エチルで粉砕して、3−(
3,4−ジアセトキシベンソイルアミノ)ピリジン(1
2,2g)を得る。
食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥して溶媒を減
圧下に留去する。残渣を酢酸エチルで粉砕して、3−(
3,4−ジアセトキシベンソイルアミノ)ピリジン(1
2,2g)を得る。
IR: (スh−ル) : 3300. 1765
. 164G、 1590゜1520 cm’ NMR(Dt’1SO−d6.δ) : 2.30 (
6H,s)、 7.20−7.50(2H,m)、 7
.83 (IH,s)、 7.73−8.03 (2H
,m)。
. 164G、 1590゜1520 cm’ NMR(Dt’1SO−d6.δ) : 2.30 (
6H,s)、 7.20−7.50(2H,m)、 7
.83 (IH,s)、 7.73−8.03 (2H
,m)。
8.06−8.38 (2H,m)、 8.80−9.
00 (IH,m)。
00 (IH,m)。
夾亙堡ニ
アβ−[2−(2−ホルムアミドチアゾール−4−イル
)−2−第三級ブトキシカルボニルメトキシイミノ)ア
セトアミトコ−3−クロロメチル−3−セフェム−4−
カルボZノ酸(シン異性体)(1,74g )および沃
化ナトリウム(500mg)のN。
)−2−第三級ブトキシカルボニルメトキシイミノ)ア
セトアミトコ−3−クロロメチル−3−セフェム−4−
カルボZノ酸(シン異性体)(1,74g )および沃
化ナトリウム(500mg)のN。
N−ジメチルホルムアミド(151Q )溶液に、3−
(3,4−ジアセトキシベンゾイルアミノ)ピリジン(
3g)を攪拌下20°Cで加え、次いで同温で攪拌を3
時間MM、する。反応混合物を酢酸エチル中に注いで沈
殿を生成せしめ、次いでこの沈殿を濾取して、7β−[
2−(2−ホルムアミドデアゾール−4−イル)−2=
第三級ブトキシカルボニルメトキンイミノアセトアミド
]−3−[3−(3,4−ジアセトキシベンゾイルアミ
ノ)−1−ビリンニオコメチル−3−セフェム−4−カ
ルボキシラード・沃化水素酸塩(シン異性体>(2,4
9g〉を得る。
(3,4−ジアセトキシベンゾイルアミノ)ピリジン(
3g)を攪拌下20°Cで加え、次いで同温で攪拌を3
時間MM、する。反応混合物を酢酸エチル中に注いで沈
殿を生成せしめ、次いでこの沈殿を濾取して、7β−[
2−(2−ホルムアミドデアゾール−4−イル)−2=
第三級ブトキシカルボニルメトキンイミノアセトアミド
]−3−[3−(3,4−ジアセトキシベンゾイルアミ
ノ)−1−ビリンニオコメチル−3−セフェム−4−カ
ルボキシラード・沃化水素酸塩(シン異性体>(2,4
9g〉を得る。
NMR(DMSO−ds、8 ) ’ 1−43 (6
H1s)、2.33 (6H1s)、 3.45−3.
78 (2H,m>、 4.58 (2H,brs)。
H1s)、2.33 (6H1s)、 3.45−3.
78 (2H,m>、 4.58 (2H,brs)。
5.26 (IH,d、J=5)1z)、 5.5
8−5.70 (2H,m)。
8−5.70 (2H,m)。
5.91 (IH,d、d、J=5Hz、 8Hz
)、 7.40 (LH,s)。
)、 7.40 (LH,s)。
7.35−7.60 (LH,m>、 7.90−
8.60 (4H,m)8.80−8.93 (LH
,m>、 8.93−9.03 (11,m)。
8.60 (4H,m)8.80−8.93 (LH
,m>、 8.93−9.03 (11,m)。
9.63 (1M、dJ:8Hz)、 9.60−9.
80 (IH,m)X簾堡ニ アβ−[2−(5−アミノ−1,2,4−チアジアゾー
ル−3−イル)−2−(1−カルボキシ−1−メチルエ
トキシイミノ)アセトアミトコ−3−クロロメチル−3
−セフェム−4−カルボン酸・トリフルオロ酢酸塩(シ
ン異性体)(1,15g)および沃化ナトリウム(28
0mg)のN、N−ジメチルホルムアミド(1(1+1
112 )溶液に、3−(3,4−ジアセトキノヘンシ
イルアミノ)ピリジン(1,75g)を撹拌下20°C
で加え、次いで撹拌を同温で3時間継続する。反応混合
物を酢酸エチル中に注ぎ、次いで生成する沈殿を濾取す
る。沈殿を水に溶解して炭酸水素ナトリウム水溶液によ
り攪拌下室温でpH8,0に調整する。 pHを8.0
に保ちながら室温で2時間攪拌を続ける0反応混合物を
IN塩酸でpH3,0に調整した後、この溶液をダイヤ
イオンHP−20を使用するカラムクロマトグラフィー
に付し、15%イソプロピルアルコール水溶液で溶出す
る。溶出液を凍結乾燥して、7β−[2−(5−アミノ
−1,2,4−チアジアゾール−3−イル)−2−(1
−カルボキシ−1−メチルエトキシイミノ)アセトアミ
ド]−3−[3−(3,4−ジヒドロキシベンゾイルア
ミノ)−1−ピリジニオコメチル−3−セフェム−4−
カルボキシラード(シン異性体) (230mg)を得
る。
80 (IH,m)X簾堡ニ アβ−[2−(5−アミノ−1,2,4−チアジアゾー
ル−3−イル)−2−(1−カルボキシ−1−メチルエ
トキシイミノ)アセトアミトコ−3−クロロメチル−3
−セフェム−4−カルボン酸・トリフルオロ酢酸塩(シ
ン異性体)(1,15g)および沃化ナトリウム(28
0mg)のN、N−ジメチルホルムアミド(1(1+1
112 )溶液に、3−(3,4−ジアセトキノヘンシ
イルアミノ)ピリジン(1,75g)を撹拌下20°C
で加え、次いで撹拌を同温で3時間継続する。反応混合
物を酢酸エチル中に注ぎ、次いで生成する沈殿を濾取す
る。沈殿を水に溶解して炭酸水素ナトリウム水溶液によ
り攪拌下室温でpH8,0に調整する。 pHを8.0
に保ちながら室温で2時間攪拌を続ける0反応混合物を
IN塩酸でpH3,0に調整した後、この溶液をダイヤ
イオンHP−20を使用するカラムクロマトグラフィー
に付し、15%イソプロピルアルコール水溶液で溶出す
る。溶出液を凍結乾燥して、7β−[2−(5−アミノ
−1,2,4−チアジアゾール−3−イル)−2−(1
−カルボキシ−1−メチルエトキシイミノ)アセトアミ
ド]−3−[3−(3,4−ジヒドロキシベンゾイルア
ミノ)−1−ピリジニオコメチル−3−セフェム−4−
カルボキシラード(シン異性体) (230mg)を得
る。
IR(スジ3−ル) ’ 1760. 1650.
1580 cm−’NMR(D20−NaHCO3
,8) :1.50 (6H0s)−3,40−3,8
5(21(、m)、 5.27 (IH,d、J=5)
1z)、 5.33−5.73 (2H,m)、
5.88 (IH,d、J=5Hz)、 6.436
.80 (LH,m)、 6.93−7.43 (2H
,m)、 7.63−8.00 (IH,m>、
8.03−8.35 (IH,m)、 8.35−8
.70 (LH,m)、 9.15−9.53 (IH
,m)東m 7β−[2−(2−ホルムアミドチアゾール−4−イル
)−2−第三級ブトキシカルボニルメトキシイミノアセ
トアミド]−3−[3−(3,4−ジアセトキンベンゾ
イルアミノ)−1−ピリジニオコメチル−3−セフェム
−4−カルボキシラード・沃化水素酸塩(シン異性体)
(2g)のメチルアルコール(15+1111 )溶液
に、製塩M(15−)を攪拌下室温で加え、2時間攪拌
する0反応混合物を酢酸エチル中に注いで沈殿を生成せ
しめ、次いでこの沈殿を濾取する。沈殿をテトラヒドロ
フラン(2811LQ )と水(4−)との混合物に溶
ML、1RA−400(CF3CO2e型)ヲ使用スル
カラムクロマトグラフィーに付し、75%テトラヒドロ
フラン水溶液で溶出する。目的化合物を含む画分を減圧
濃縮する。残渣をジイソプロピルエーテルで粉砕して、
7β−[2−(2−アミノチアゾール−4−イル)−2
−第三級ブトキシカルボニルメトキシイミノアセトアミ
ド]−3−[3−’(3゜4−ジアセトキシベンゾイル
アミノ)−1−ピリジニオコメチル−3−セフェム−4
−カルボキシラード・ビス(トリフルオロ酢酸塩)(シ
ン異性体)(1,3g)を得る。
1580 cm−’NMR(D20−NaHCO3
,8) :1.50 (6H0s)−3,40−3,8
5(21(、m)、 5.27 (IH,d、J=5)
1z)、 5.33−5.73 (2H,m)、
5.88 (IH,d、J=5Hz)、 6.436
.80 (LH,m)、 6.93−7.43 (2H
,m)、 7.63−8.00 (IH,m>、
8.03−8.35 (IH,m)、 8.35−8
.70 (LH,m)、 9.15−9.53 (IH
,m)東m 7β−[2−(2−ホルムアミドチアゾール−4−イル
)−2−第三級ブトキシカルボニルメトキシイミノアセ
トアミド]−3−[3−(3,4−ジアセトキンベンゾ
イルアミノ)−1−ピリジニオコメチル−3−セフェム
−4−カルボキシラード・沃化水素酸塩(シン異性体)
(2g)のメチルアルコール(15+1111 )溶液
に、製塩M(15−)を攪拌下室温で加え、2時間攪拌
する0反応混合物を酢酸エチル中に注いで沈殿を生成せ
しめ、次いでこの沈殿を濾取する。沈殿をテトラヒドロ
フラン(2811LQ )と水(4−)との混合物に溶
ML、1RA−400(CF3CO2e型)ヲ使用スル
カラムクロマトグラフィーに付し、75%テトラヒドロ
フラン水溶液で溶出する。目的化合物を含む画分を減圧
濃縮する。残渣をジイソプロピルエーテルで粉砕して、
7β−[2−(2−アミノチアゾール−4−イル)−2
−第三級ブトキシカルボニルメトキシイミノアセトアミ
ド]−3−[3−’(3゜4−ジアセトキシベンゾイル
アミノ)−1−ピリジニオコメチル−3−セフェム−4
−カルボキシラード・ビス(トリフルオロ酢酸塩)(シ
ン異性体)(1,3g)を得る。
NMR(DMSOda、l; ) ’ l−45(9H
1s)92.20−2.45(6H,m)、 3.30
−3.83 (2H,m)、 4.54 (2H,s)
。
1s)92.20−2.45(6H,m)、 3.30
−3.83 (2H,m)、 4.54 (2H,s)
。
5.20 (IH,d、J=5Hz)、 5.30−5
.75 (2H,m)。
.75 (2H,m)。
5.85 (11(、d、d、J=5Hz、 8Hz)
、 6.78 (IH,s)。
、 6.78 (IH,s)。
7.00−7.57 (3H,m)、 7.65−8.
00 (IH,m)。
00 (IH,m)。
8.00−8.30 (IH,m)、 8.55−8.
95 (IH,m)。
95 (IH,m)。
9.43 (LH,d、J=7Hz)、 9.55−9
.76 (IH,m)夾臭贋1 7β−[2−(2−アミノデアゾール−4−イル)−2
−第三級ブトキシカルボニルメトキシイミノアセトアミ
ド]−3−[3−(3,4−ジアセトキシベンゾイルア
ミノ)−1−ピリジニオコメチル−3−セフェム−4−
カルボキシラード・ビス(トリフルオロ酢酸塩)(シン
異性体) (1,2g)のジクロロメタン(4,8mm
)およびアニソール(1,2mm)中部濁液に、トリ
フルオロ酢酸(48mQ )を20°Cで滴下する。攪
拌を同温で3時間継続する。
.76 (IH,m)夾臭贋1 7β−[2−(2−アミノデアゾール−4−イル)−2
−第三級ブトキシカルボニルメトキシイミノアセトアミ
ド]−3−[3−(3,4−ジアセトキシベンゾイルア
ミノ)−1−ピリジニオコメチル−3−セフェム−4−
カルボキシラード・ビス(トリフルオロ酢酸塩)(シン
異性体) (1,2g)のジクロロメタン(4,8mm
)およびアニソール(1,2mm)中部濁液に、トリ
フルオロ酢酸(48mQ )を20°Cで滴下する。攪
拌を同温で3時間継続する。
反応混合物を酢酸エチル中に注いで沈殿を生成せしめ、
次いでこの沈殿を濾取する。沈殿を水に溶解して炭酸水
素ナトリウム水溶液により攪拌下室温でpH8,0に調
整する。PHを80に保ちながら同温で2時間撹拌を続
ける。反応混合物をIN塩酸でpH3,0に、J整した
後、この溶液をダイヤイオンHP−20を使用するカラ
ムクロマトグラフィーに付して15%イソプロピルアル
コール水溶液で溶出し、両分を凍結乾燥して、7β−[
2−(2−アミノチアゾール−4−イル)−2−カルポ
キシメトキシイミノアセトアミドコ−3−[3−(3゜
4−ジヒドロキシベンゾイルアミノ)−1−ピリジニオ
コメチル−3−セフェム−4−カルボキシラード(シン
異性体) (350mg )を得る。
次いでこの沈殿を濾取する。沈殿を水に溶解して炭酸水
素ナトリウム水溶液により攪拌下室温でpH8,0に調
整する。PHを80に保ちながら同温で2時間撹拌を続
ける。反応混合物をIN塩酸でpH3,0に、J整した
後、この溶液をダイヤイオンHP−20を使用するカラ
ムクロマトグラフィーに付して15%イソプロピルアル
コール水溶液で溶出し、両分を凍結乾燥して、7β−[
2−(2−アミノチアゾール−4−イル)−2−カルポ
キシメトキシイミノアセトアミドコ−3−[3−(3゜
4−ジヒドロキシベンゾイルアミノ)−1−ピリジニオ
コメチル−3−セフェム−4−カルボキシラード(シン
異性体) (350mg )を得る。
IR(スジミール) : 1770. 1660.
1590. 1520 cm−’NMR(D 0−
NaHCO3,S > ’ 4.63(IH,d、J=
5Hz>、5.10−5.73(LH,d、J=5Hz
)、 6.53−6.80(LH,s)、 7.0−
7.28 (2H,m)。
1590. 1520 cm−’NMR(D 0−
NaHCO3,S > ’ 4.63(IH,d、J=
5Hz>、5.10−5.73(LH,d、J=5Hz
)、 6.53−6.80(LH,s)、 7.0−
7.28 (2H,m)。
m)、 8.15−8.40 (LH,m)、 8
9.20−9.40 (IH,m> (28,s)、 5.35 (2H,m)、 5.97 (18,m)、 6.93 7.68−7.98 (IH。
9.20−9.40 (IH,m> (28,s)、 5.35 (2H,m)、 5.97 (18,m)、 6.93 7.68−7.98 (IH。
43−8.70 (IH,m)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式: ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R^1はアミノ基または保護されたアミノ基、 ZはNまたはCH、 R^2は有機基、 R^3およびR^4はそれぞれヒドロキシ基または保護
されたヒドロキシ基を意味する)で示される化合物およ
び医薬として許容されるその塩。
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