JPH0212010B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0212010B2
JPH0212010B2 JP58167001A JP16700183A JPH0212010B2 JP H0212010 B2 JPH0212010 B2 JP H0212010B2 JP 58167001 A JP58167001 A JP 58167001A JP 16700183 A JP16700183 A JP 16700183A JP H0212010 B2 JPH0212010 B2 JP H0212010B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
silicon
silicon substrate
tungsten
tungsten film
fluoride
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP58167001A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6057925A (ja
Inventor
Morio Inoe
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electronics Corp filed Critical Matsushita Electronics Corp
Priority to JP58167001A priority Critical patent/JPS6057925A/ja
Publication of JPS6057925A publication Critical patent/JPS6057925A/ja
Publication of JPH0212010B2 publication Critical patent/JPH0212010B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/40—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of conductive or resistive materials
    • H10P14/42—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of conductive or resistive materials using a gas or vapour

Landscapes

  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は半導体装置のメタル電極として利用さ
れるシリコン上へのタングステン膜の形成方法に
関する。
従来例の構成とその問題点 従来高密度な集積回路の電極材料として高融点
金属のタングステンが、基板のシリコンとの膨張
係数がほゞ等しく、高温プロセスに適しているこ
とから注目を集めている。タングステン膜をシリ
コン基板上に形成する方法には、タングステン弗
化物の水素還元法と置換反応法がある。このうち
置換反応法は、シリコン基板上の必要箇所のみに
タングステン膜を選択的に形成できる利点がある
が、シリコンとの置換反応のために、シリコン基
板がエツチングされる欠点が避けられない。第１
図に従来のタングステン膜形成の仕方を工程図で
示す。シリコン基板１上にシリコン酸化膜２を形
成し、その一部を除去した開口部３にタングステ
ン膜４を析出するとシリコン基板２の表面は一部
エツチングされて凹型部５をなす。第１図ａはタ
ングステン膜析出前、第１図ｂは析出後の断面図
を示している。
発明の目的 本発明は上記の従来法の欠点を除いた改良法を
提供するもので、タングステン弗化物とシリコン
との置換反応によるタングステン膜のシリコン基
板上への析出において、シリコン基板のエツチン
グのないシリコン上へのタングステン膜の形成方
法を提供することを目的とする。
発明の構成 本発明は、タングステン弗化物とシリコンとの
置換反応の際に、タングステン膜の析出前、ある
いは、析出初期において、シリコンの弗化物を反
応系内に添加することによつて、シリコン基板の
エツチングを防止する点が特徴であり、これによ
り、シリコン基板のエツチングを防止することが
できる。
実施例の説明 本発明を第２図に示す実施例工程図によつて説
明する。第２図ａに示すように、シリコン基板１
上に設けたシリコン酸化膜２の開口部３にタング
ステン弗化物（WF6）およびシリコン弗化物
（SiF4）ガスを導入し、300〜400℃の所定温度に
保持すると、第２図ｂに示すようにシリコン基板
１のエツチングなしにタングステン膜４が形成で
きる。第１図の従来例と異なつてシリコン基板の
エツチングの防止できる理由は、置換反応に関与
するシリコンが、シリコン基板からでなく、添加
したシリコン弗化物から供給されるためであり、
エツチングされるはずの基板はシリコン弗化物か
らのシリコンの析出と相殺されて、見かけ上は、
シリコン基板の凹型化は全くおこらない。
発明の効果 本発明によれば、タングステン生成の際に、置
換反応に関与するシリコンがシリコン弗化物から
供給されるので、従来例のようなシリコン基板の
エツチングが起らない。したがつて、浅いｐ−ｎ
接合が破壊されたり、電極面変型により電界が異
常に分布したいというような不都合はおこらず、
設計通りの電極形成ができるため、半導体装置の
製造にとつてすこぶる効果大である。
【図面の簡単な説明】
第１図ａ，ｂは従来例の工程図、第２図ａ，ｂ
は本発明のタングステン膜の形成方法を示す工程
図である。 １……シリコン基板、２……シリコン酸化膜、
３……開口部、４……タングステン膜、５……凹
型部。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ タングステン弗化物とシリコンとの置換反応
    によつてシリコン基板上にタングステン膜を化学
    蒸着する際に、シリコン弗化物を反応系に混入す
    ることを特徴とするシリコン上へのタングステン
    膜の形成方法。
JP58167001A 1983-09-09 1983-09-09 シリコン上へのタングステン膜の形成方法 Granted JPS6057925A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58167001A JPS6057925A (ja) 1983-09-09 1983-09-09 シリコン上へのタングステン膜の形成方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58167001A JPS6057925A (ja) 1983-09-09 1983-09-09 シリコン上へのタングステン膜の形成方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6057925A JPS6057925A (ja) 1985-04-03
JPH0212010B2 true JPH0212010B2 (ja) 1990-03-16

Family

ID=15841536

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58167001A Granted JPS6057925A (ja) 1983-09-09 1983-09-09 シリコン上へのタングステン膜の形成方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6057925A (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4968644A (en) * 1986-06-16 1990-11-06 At&T Bell Laboratories Method for fabricating devices and devices formed thereby
JPS6347364A (ja) * 1986-08-15 1988-02-29 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 化学的気相成長法およびその装置
JP2657488B2 (ja) * 1987-04-07 1997-09-24 日本真空技術 株式会社 金属薄膜形成方法
ES2015776A6 (es) * 1988-10-07 1990-09-01 American Telephone & Telegraph Metodo de fabricacion de dispositivos semiconductores.
RU2712681C1 (ru) * 2016-10-27 2020-01-30 Общество с ограниченной ответственностью научно-производственное предприятие "ЭФОМ" Способ нанесения тонких металлических покрытий

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6057925A (ja) 1985-04-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4292156A (en) Method of manufacturing semiconductor devices
JPH0212010B2 (ja)
JPS6197825A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS6362326A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH03157925A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0318034A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS6149473A (ja) ポリサイドゲ−トｍｏｓ　ｉｃの製造方法
JPH01228169A (ja) 半導体装置
JPH0442921A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS61256743A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS582069A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS61214430A (ja) 半導体装置の製法
JPS6279625A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH03272135A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS6177343A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS6319810A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS61256718A (ja) 半導体集積回路装置の製造方法
JPS62293646A (ja) 半導体集積回路装置の製造方法
JPS60219772A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH03155130A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH022621A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0567067B2 (ja)
JPH03133133A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH02268426A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0728033B2 (ja) 半導体素子の製造方法