JPH02122654A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH02122654A JPH02122654A JP27454988A JP27454988A JPH02122654A JP H02122654 A JPH02122654 A JP H02122654A JP 27454988 A JP27454988 A JP 27454988A JP 27454988 A JP27454988 A JP 27454988A JP H02122654 A JPH02122654 A JP H02122654A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- semiconductor device
- layer wiring
- sog
- insulating film
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔４既要〕
多層配線を有する半導体装置の製造方法に関し、ＳＯＧ
を使用して第１層配線に起因する凹凸を平坦化し、しか
も、引き出し用パッドの剥離を防止する半導体装置の製
造方法を提供することを目的とし、 第１層配線を形成した後、この第１層配線上を含め半導
体装置上の全面に絶縁膜を形成し、５ＯＧｊｉを形成し
た後これをエッチバックして前記の第１層配線に起因す
る凹凸を平坦化し、層間絶縁膜を形成し、第２層配線を
形成し、この第２層配線を引き出し用パッドと接続する
工程を有する半導体装置の製造方法において、前記の平
坦化工程の後に、前記のパッド形成領域から前記のＳＯ
Ｇ層を除去するように構成する。
を使用して第１層配線に起因する凹凸を平坦化し、しか
も、引き出し用パッドの剥離を防止する半導体装置の製
造方法を提供することを目的とし、 第１層配線を形成した後、この第１層配線上を含め半導
体装置上の全面に絶縁膜を形成し、５ＯＧｊｉを形成し
た後これをエッチバックして前記の第１層配線に起因す
る凹凸を平坦化し、層間絶縁膜を形成し、第２層配線を
形成し、この第２層配線を引き出し用パッドと接続する
工程を有する半導体装置の製造方法において、前記の平
坦化工程の後に、前記のパッド形成領域から前記のＳＯ
Ｇ層を除去するように構成する。
本発明は、多層配線を有する半導体装置の製造方法にお
いて、平坦化層材料としてＳＯＧを使用した場合、引き
出し用パッドが下地をなすＳＯＧ層から剥離することを
防止する改良に関する。
いて、平坦化層材料としてＳＯＧを使用した場合、引き
出し用パッドが下地をなすＳＯＧ層から剥離することを
防止する改良に関する。
多層配線を形成する場合には、第１層配線を形成したと
きに生ずる表面の凹凸を平坦化してから、その上に第２
層配線を形成することが望ましいが、この平坦化の手段
の一つに二酸化シリコン系の材料であるＳＯＧ （スピ
ンオングラス）を塗布する方法がある。ＳＯＧを使用し
て平坦化する工程を含む従来の多層配線形成方法につい
て以下に説明する。なお、参照する図は、いずれも左半
分に素子ｊｌ域を示し、右半分に引き出し用パッド領域
を示す。
きに生ずる表面の凹凸を平坦化してから、その上に第２
層配線を形成することが望ましいが、この平坦化の手段
の一つに二酸化シリコン系の材料であるＳＯＧ （スピ
ンオングラス）を塗布する方法がある。ＳＯＧを使用し
て平坦化する工程を含む従来の多層配線形成方法につい
て以下に説明する。なお、参照する図は、いずれも左半
分に素子ｊｌ域を示し、右半分に引き出し用パッド領域
を示す。
第２図参照
半導体装置上に周知の方法を使用して第１Ｊ配線ｌを形
成し、次いで、ＣＶＤ法等を使用して全面に二酸化シリ
コン等の絶縁膜２を形成した後、ＳＯＧを塗布してアニ
ールし、ＳＯＧ層３を形成する。
成し、次いで、ＣＶＤ法等を使用して全面に二酸化シリ
コン等の絶縁膜２を形成した後、ＳＯＧを塗布してアニ
ールし、ＳＯＧ層３を形成する。
第３図参照
ＳＯＧ層３をエッチバックして第１層配線ｌ上のＳＯＧ
層３を完全に除去して表面を平坦化する。
層３を完全に除去して表面を平坦化する。
この場合、引き出し用パッド形成領域の絶縁ｌｌＩ２上
のＳＯＧ層３は完全には除去されず、一部が残留する。
のＳＯＧ層３は完全には除去されず、一部が残留する。
第４図参照
全面にＣＶＤ法等を使用してＰＳＧ（リン珪酸ガラス）
、ＢＳＧ（ホウ珪酸ガラス）、ＢＰＳＧ（ホウリン珪酸
ガラス）等の層間絶縁膜４を形成し、その上に周知の方
法を使用して第２層配線５と引き出し用パッド６とを形
成する。
、ＢＳＧ（ホウ珪酸ガラス）、ＢＰＳＧ（ホウリン珪酸
ガラス）等の層間絶縁膜４を形成し、その上に周知の方
法を使用して第２層配線５と引き出し用パッド６とを形
成する。
引き出し用パッド形成領域にはＳＯＧ層３が残留してい
るため、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等の層間絶縁１１４
は、パッド形成領域において５ＯＧＮＳ上に形成される
。ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等とＳＯＧとは密着性が悪
いため、ワイヤボンディング等の物理的応力が加わると
、その上にパッド６が形成されているＰＳＧ、ＢＳＧ、
ＢＰＳＧ等の層間絶縁膜４がＳＯＧ層３から剥離する。
るため、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等の層間絶縁１１４
は、パッド形成領域において５ＯＧＮＳ上に形成される
。ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等とＳＯＧとは密着性が悪
いため、ワイヤボンディング等の物理的応力が加わると
、その上にパッド６が形成されているＰＳＧ、ＢＳＧ、
ＢＰＳＧ等の層間絶縁膜４がＳＯＧ層３から剥離する。
これを防ぐためには、パッド形成領域のＳＯＧ層３を完
全に除去するまでエッチバックすればよいが、そうする
と、第１層配線１の周辺に形成されているＳＯＧ層３が
不所望にエッチオフされ、平坦性がＩ員なわれてしまう
。
全に除去するまでエッチバックすればよいが、そうする
と、第１層配線１の周辺に形成されているＳＯＧ層３が
不所望にエッチオフされ、平坦性がＩ員なわれてしまう
。
本発明の目的は、この欠点を解消することにあり、ＳＯ
Ｇを使用して第１層配線に起因する凹凸を平坦化し、し
かも、引き出し用パッドの剥離を防止する半導体装置の
製造方法を提供することにある。
Ｇを使用して第１層配線に起因する凹凸を平坦化し、し
かも、引き出し用パッドの剥離を防止する半導体装置の
製造方法を提供することにある。
上記の目的は、第１層配線（１）を形成した後、この第
１層配線（１）上を含め半導体装置上の全面に絶縁膜（
２）を形成し、３０６層（３）を形成した後これをエッ
チバックして前記の第１Ｊｉ配線（１）に起因する凹凸
を平坦化し、層間絶！！膜（４）を形成し、第２層配線
（５）を形成し、この第２層配線（５）を引き出し用パ
ッド（６）と接続する工程を有する半導体装置の製造方
法において、前記の平坦化工程の後に、前記のパッド／
（６）形成’８ｉ域から前記の３０６層（３）を除去す
る工程を付加することによって達成される。
１層配線（１）上を含め半導体装置上の全面に絶縁膜（
２）を形成し、３０６層（３）を形成した後これをエッ
チバックして前記の第１Ｊｉ配線（１）に起因する凹凸
を平坦化し、層間絶！！膜（４）を形成し、第２層配線
（５）を形成し、この第２層配線（５）を引き出し用パ
ッド（６）と接続する工程を有する半導体装置の製造方
法において、前記の平坦化工程の後に、前記のパッド／
（６）形成’８ｉ域から前記の３０６層（３）を除去す
る工程を付加することによって達成される。
本発明に係る半導体装置の製造方法においては、第１層
配線ｌの周辺から不所望にＳＯＧ層３をエッチオフする
ことなく、したがって、平坦性を損なうことなく、引き
出し用パッド６の形成領域からＳＯＧ層３を完全に除去
するので、バンド６形成領域の層間絶縁膜４は密着性の
悪いＳＯＧ層３と接触することがなくなり、その上に引
き出し用パッド６が形成されている層間絶縁膜４はワイ
ヤボンディング等の物理的応力を受けても剥離しない。
配線ｌの周辺から不所望にＳＯＧ層３をエッチオフする
ことなく、したがって、平坦性を損なうことなく、引き
出し用パッド６の形成領域からＳＯＧ層３を完全に除去
するので、バンド６形成領域の層間絶縁膜４は密着性の
悪いＳＯＧ層３と接触することがなくなり、その上に引
き出し用パッド６が形成されている層間絶縁膜４はワイ
ヤボンディング等の物理的応力を受けても剥離しない。
以下、図面を参照しつ一１本発明の一実施例に係る半導
体装置の製造方法について説明する。なお、参照する図
は、いずれも左半分に素子領域を示し、右半分に引き出
し用パッド領域を示す。
体装置の製造方法について説明する。なお、参照する図
は、いずれも左半分に素子領域を示し、右半分に引き出
し用パッド領域を示す。
第１ａ図参照
半導体装置上に周知の方法を使用して第１層配ｖＡ１を
形成し、ＣＶＤ法等を使用して全面に二酸化シリコン等
の絶縁膜２を形成し、ＳＯＧを塗布してアニールをなし
、ＳＯＣ；［３を形成する。
形成し、ＣＶＤ法等を使用して全面に二酸化シリコン等
の絶縁膜２を形成し、ＳＯＧを塗布してアニールをなし
、ＳＯＣ；［３を形成する。
第１ｂ図参照
３００層３をエッチバックして第１１１１＆線ｌ上から
除去して表面を平坦化する。
除去して表面を平坦化する。
第１ｃ図参照
レジスト膜７を形成し、これをパターニングしてパッド
形成領域に開口８を形成する。
形成領域に開口８を形成する。
第１ｄ図参照
エンチングをなして、開口８に露出する３００層３を除
去する。
去する。
第１ｅ図参照
レジスト膜７を除去し、ＣＶＤ法等を使用して、全面に
ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等の層間絶縁膜４を形成する
。
ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等の層間絶縁膜４を形成する
。
第１ｒ図参照
全面にアルミニウム等の金属層を形成し、これをパタ一
二ソグして、層間絶縁膜４上に第２層配線５とパッド６
とを形成する。
二ソグして、層間絶縁膜４上に第２層配線５とパッド６
とを形成する。
以上説明せるとおり、本発明に係る半導体装置の製造方
法においては、第１層配線に起因する凹凸を平坦化し、
しかも、引き出し用パッド形成領域の３００層を完全に
除去するので、ＰＳＧ等の層間絶縁膜が密着性の悪いＳ
ＯＧと接触することがなく、ワイヤボンディング等の物
理的応力が作用しても、その上に引き出し用パッドが形
成されている層間絶縁膜は剥離することがない。
法においては、第１層配線に起因する凹凸を平坦化し、
しかも、引き出し用パッド形成領域の３００層を完全に
除去するので、ＰＳＧ等の層間絶縁膜が密着性の悪いＳ
ＯＧと接触することがなく、ワイヤボンディング等の物
理的応力が作用しても、その上に引き出し用パッドが形
成されている層間絶縁膜は剥離することがない。
第１ａ図〜第１ｒ図は、本発明の一実施例に係る半導体
装置の製造方法の工程図である。 第２図〜第４図は、従来技術に係る半導体装置の製造方
法の工程図である。 ｌ・・・第１層配線、 ２・・・絶縁膜、 ・３００層、 ・層間絶縁膜、 ・第２層配線、 ・パッド、 ・レジスト膜、 ・開口。
装置の製造方法の工程図である。 第２図〜第４図は、従来技術に係る半導体装置の製造方
法の工程図である。 ｌ・・・第１層配線、 ２・・・絶縁膜、 ・３００層、 ・層間絶縁膜、 ・第２層配線、 ・パッド、 ・レジスト膜、 ・開口。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 第１層配線（１）を形成した後、該第１層配線（１）上
を含め半導体装置上の全面に絶縁膜（２）を形成し、Ｓ
ＯＧ層（３）を形成した後これをエッチバックして前記
第１層配線（１）に起因する凹凸を平坦化し、層間絶縁
膜（４）を形成し、第２層配線（５）を形成し、該第２
層配線（５）を引き出し用パッド（６）と接続する工程
を有する半導体装置の製造方法において、 前記平坦化工程の後に、前記パッド（６）形成領域から
前記ＳＯＧ層（３）を除去する 工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27454988A JPH02122654A (ja) | 1988-11-01 | 1988-11-01 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27454988A JPH02122654A (ja) | 1988-11-01 | 1988-11-01 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02122654A true JPH02122654A (ja) | 1990-05-10 |
Family
ID=17543268
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27454988A Pending JPH02122654A (ja) | 1988-11-01 | 1988-11-01 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02122654A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02199853A (ja) * | 1989-01-27 | 1990-08-08 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JP2012191090A (ja) * | 2011-03-13 | 2012-10-04 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置およびその製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62245641A (ja) * | 1986-04-17 | 1987-10-26 | Fujitsu Ltd | 半導体装置のパツド部構造 |
| JPS63142A (ja) * | 1986-06-19 | 1988-01-05 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1988
- 1988-11-01 JP JP27454988A patent/JPH02122654A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62245641A (ja) * | 1986-04-17 | 1987-10-26 | Fujitsu Ltd | 半導体装置のパツド部構造 |
| JPS63142A (ja) * | 1986-06-19 | 1988-01-05 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02199853A (ja) * | 1989-01-27 | 1990-08-08 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JP2012191090A (ja) * | 2011-03-13 | 2012-10-04 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置およびその製造方法 |
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