JPH02124787A - 酸化物系セラミックスのメタライズ方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はセラミックスのメタライズ方法、詳しくは真空
封止性とろう付け性に優れた酸化物系セラミックスのメ
タライズ方法に関する。

［従来の技術］ 金属と酸化物系セラミックスの接合を利用するものの一
例として電子レンジ用マグネトロン碍子や真空スイッチ
の外囲器等の電子管が挙げられる。

これらに対して金属とセラミックスの接合を利用する場
合は、接合界面が真空封止性を保持していなければなら
ず、この条件に対応する接合方法として、−船釣にはセ
ラミックスをメタライズし、メタライズ後相手金属と該
セラミックスをろう付けする方法が用いられている。

メタライズの方法としては、従来より高融点金属法が広
く利用されている。高融点金属法とは、モリブデンまた
はタングステン等の高融点金属粉末とマンガン粉末を混
合し、これを有機溶媒で混合したペーストを酸化物系セ
ラミックス表面に塗布し、焼成してセラミックス表面に
モリブデン層またはタングステン層を形成せしめ、その
後ニッケルメッキを施して表面をニッケルで被覆せしめ
、しかるのち目的金属とろう付けするものである。

このニッケル被覆がない場合、ろう材の流れ性や耐熱性
が不良となる。そのため高融点金属法では表面をニッケ
ルで被覆することは不可欠である。

しかし、高融点金属法によるメタライズ表面にニンケル
メッキを行うことは非常に困難であり、各種の処理を行
う必要がある。即ち、高融点金属法によるメタライズ表
面は部分的にガラスで被覆されているため、脱ガラス処
理が必要であり、また表面改質のために酸処理や塩化パ
ラジウムによる活性化処理等を行う必要がある。このよ
うに高融点金属法は真空封止性に優れたメタライズ方法
であるが、工程が長く、これに要する製造コストが非常
に大きいという欠点を有していた。

本発明者らは、メタライズ工程とＮｉ付着工程という大
きな２つの工程のうち後者を省略する方法を検討した。

なぜなら、前者はメタライズの本質の工程であるのに対
し、後者はＮｉメツキという付与的な工程であるにもか
かわらず、予備処理工程の設備、メツキ設備、水処理設
備等を数多く必要とするからである。以下、モリブデン
やタングステンからなるメタライズ本体部をメタライズ
下部層、その上層部のＮｉを主成分とする層をＮｉ上部
厄と称する。Ｎｉ上部層を形成する工程を削減すること
はメタライズ工程のコスト削減において非常に有利であ
る。本発明者らは、このような観点からＮｉ上部層を形
成するための各種工程を一切省略する方法を検討した。

Ｎｉ上部層を形成するための各種工程を省略するには、
−度高融点金属法によるメタライズ層を形成させたのち
Ｎｉを有機溶媒で混合したペーストを印刷し、再度焼成
してＮｉ層を形成させる２回焼成法が容易に考えられる
。しかし、この方法では、２度焼成を行わねばならず、
メツキ設備は省略できても、焼成工程は依然として２倍
必要であり、コスト削減にならない。そこで、本発明者
らは、メタライズ下部層形成とＮｉ上部層形成を同時に
行うことに着目した。即ち、モリブデンとマンガンの混
合粉末を有機溶媒で混合したペーストをセラミックス表
面に塗布し、その後その上面にニッケルのペーストを印
刷して同時に焼成するという方法を創案した。しかし、
実際に実験を行うと、この２層の金属の融点や焼結速度
が大きく異なるために、同時に焼成を行うとＮｉ層が溶
けてしまったり、下部の高融点金属層の強度値が低いこ
とが判明して失敗に終った。このように、単に高融点金
属ペーストとＮｉペーストを２度塗りするだけでは健全
なメタライズ層は形成されないことが判明した。また、
２度塗り同時焼成という工程に関しては、メタライズの
分野では多く行われているが、いずれも先に定義したメ
タライズ下部層形成の改善に関するもので、メタライズ
下部層とＮｉ上部層を一度の焼成で形成するという本発
明の目的とは異なる。例えば特公昭３６−６５４２号公
報記載の方法では、第１Ｎに高融点金属とセラミックス
の混合粉を、第２Ｎに高融点金属からなる金属層を設け
るものであるが、この方法は本発明でいうメタライズ下
部層形成の改善に関するものであり、Ｎｉ上部層を形成
するための各種工程を省略するものではなく、本発明と
その趣旨は全く異なる。また、その方法に関しても、第
１層目の金属と第２層目の金属は同じＭｏであり、この
ような同一金属の同時焼成方法の場合、ＩＮのみの焼成
条件と本質的に変わる所はない。ＷとＮｉの如く異なる
金属を同時に焼成することが非常に困難なのである。ま
た、特開昭５８−２１３６８８号公報には、第１層目に
高融点金属の酸化物粉末を用い、第２層目に高融点金属
を使用し、メタライズ部の抵抗を低減する方法が開示さ
れているが、これも前記特公昭３６−６５４２号公報記
載の発明と同様、メタライズ下部層形成に関するもので
あり、メツキ処理までを包含した本発明とは趣旨が全く
異なる。

即ち、特開昭５８−２１３６８８号公報記載の方法によ
るメタライズ表面は、Ｎｉ化されたものではなく、ろう
付けを行う際には、Ｎｉ上部層を形成するため種々の工
程が必要なのである。

本発明は、メタライズ下部層形成とＮｉ上部層形成を同
時に行う抜本的な改善を目的とする２度塗り方法の最適
条件を構成要件とした発明に関するものである。

［発明が解決しようとする課題］ 前述の如く酸化物系セラミックスをメタライズし、ろう
付け性を得るためには表面がニッケルで被覆されている
必要があり、かつ電子管用材料として使用する場合には
真空封止性に優れている必要がある。しかし、従来の方
法であるメタライズ下部層形成とその後のＮｉ上部層を
形成するための各種工程という２段の工程では、製造コ
ストが高いという欠点を有していた。

そのため、製造コストを削減しつつ、かつ真空封止性が
劣らず、ろう付け性もよいセラミックスのメタライズ方
法の開発が望まれていた。

［課題を解決するための手段］ 前記した課題を解決すべく本発明は、酸化物系セラミッ
クス焼結体の表面に、平均粒径が１ｏＩｌｒｎ以下のタ
ングステン粉末７０〜９５重量％と、融点が１１００〜
１３００℃で、平均粒径が１１０１Ｉ以下のガラス粉末
３０〜５重量％からなる混合粉末を有機ビークルで混練
したペーストを塗布したのち乾燥して第１層を形成し、
次いで前記第１Ｍ上に、平均粒径が１０ｔＩｒｎ以下の
ニッケル、ニッケル酸化物。

ニッケル塩のうちのいずれか１種、もしくは２種以上を
組合わせた粉末を有機ビークルで混練したペーストを塗
布したのち乾燥して第２層を形成し、しかるのち、１２
００〜１４００℃の温度範囲で、かっ１＜８２／ＩＩ□
０　＜１０００００に調整された混合雰囲気中で焼成す
ることを特徴とする真空封止性とろう付け性に優れた酸
化物系セラミックスのメタライズ方法を要旨とするもの
である。

［作　用］ 本発明者らは従来の高融点金属法の製造コストよりも、
大幅に製造コストが低く、がっ完成品が、高融点金属法
で製造されたものと同等、もしくはそれ以上の真空封止
性、ろう付け性を保持するようなアルミナ質セラミック
スのメタライズ方法について検討を重ねてきた。

従来より各方面で使用されていた高融点金属法の工程を
以下に示す。まず、モリブデンまたはタングステンとい
う高融点金属とマンガンの金属をペースト状にし、アル
ミナ質セラミックス上面に塗布する。次に、マンガンは
酸化されるがモリブデンは酸化されない雰囲気に制御さ
れた炉中に保持する。具体的例としてはＮ２　：Ｈ，＝
９　：　１゜露点４０℃，１４５０℃程度の温度の雰囲
気である。

モリブデンはこの温度で焼結し、金属のネットワークを
形成し、メタライズ層の骨格を形成する。

しかし、このモリブデンの層の形成直後のままではメツ
キは殆どできない。このため、脱脂や脱ガラス処理、酸
処理２活性化処理等を行う。このような処理を行うのは
メタライズ表面がガラスで被覆されていたり、高融点金
属が薄く酸化されているものと考えられるからである。

高融点金属法の唯一の欠点は、このようにモリブデンの
層の形成後、予備処理、メツキ等の長い工程、即ちＮｉ
層を表面に形成するための工程を必要とすることである
。

そこで、本発明者らはモリブデンを下塗りし、その上面
にニッケルの上塗りを行った後、同時に焼成を行えば、
工程が一度で済むことに着眼して実験研究を進めた。し
かし、この場合、モリブデン中にニッケルが拡散し、モ
リブデンとニッケルが共晶を作って溶融するか、過焼結
するがして、健全なメタライズ層を得ることができなか
った。

これは、焼成中、モリブデン中にニッケルが固溶し、モ
リブデンの自己拡散係数が上昇したことに起因する。即
ら、１回の焼成でニッケルを被覆せしめるには、第１Ｎ
の金属の選択が非常に重要な項目となる。そこで、本発
明者らはモリブデンあるいはタングステン等のペースト
を下塗りし、その下塗金属の上にその金属の自己拡散の
活性化エネルギーの０．２倍から０．６倍の範囲の金属
を上塗りすれば、良好なメタライズの可能性が有ること
を知見した。例えば、下塗金属がタングステンの場合、
上塗りはニッケルがよく、また下塗りがモリブデンの場
合には、上塗りは銀が良好であること等である。先述し
たように、本発明でのメタライズ表面はＮｉである必要
から、下塗金属とじてはタングステンが好ましいことが
判明した。そこでその金属の組合せにおいてメタライズ
の可能性を検討した。

そこでさらに研究を重ね、上部にニッケルを被覆せしめ
る場合、第１層内に使用する金属はタングステンが最良
であることを見い出し、さらに、タングステンとガラス
を均一混合したものを塗布することによってアルミナ質
セラミックスにおける前記課題を解決できることを知見
した。

本発明は、高融点金属法におけるモリブデン層の形成後
の長い工程を、その特性を劣化させることなく省略する
ことを特徴とする。

本発明のメタライズの方法におけるメタライズの機構は
以下の通りである。

まず、第２図（ａ）に示すように酸化物系セラミックス
の一つであるアルミナ質のセラミックス焼結体２の表面
に、タングステン粉末とガラス粉末からなる混合粉末を
有機ビークルで混練してなるペーストを塗布したのち乾
燥して第１層３０１を形成する。タングステン粉末とガ
ラス粉末はそれぞれ平均粒径（特記なき場合、この平均
粒径を以下単に粒径と言う）が１０μｍ以下に調整され
ている。

ガラスはその組成により大きくその特性が異なり、その
融点は後述するように１１００〜１３００℃の範囲でな
ければ健全なメタライズ組織が形成されなかった。その
−例としてＡｈＯ＋−ＭｎＯ−５ｉＯ□系を用いること
ができる。また有機ビークルの一例としてはエチルセル
ロース等の有機バインダとテルピネオール等の有機溶剤
を混合し、適度な粘度にしたものが適用可能である。次
に第１層３０１の上面にニッケル、ニッケル酸化物、ニ
ッケル塩のいずれか１種あるいは２種以上を組合わせて
混合したものを前記有機ビークルで混練してなるペース
トを塗布したのち乾燥して第２層３０２を形成する。ニ
ッケル、ニッケル酸化物、ニッケル塩は粒径が１０μｍ
以下に調整されていればどれを使用してもよい。

第２図（ｂ）はこれらを模式的に示したものである。

このようにして第１層３０１と第２層３０２を形成した
のち、セラミックス焼結体２を１２００〜１４００℃の
範囲で、しかも後述する雰囲気条件で焼成する。この焼
成の際、第３図の模式図に示すように第１層３０１のタ
ングステン粉末はある程度焼結する。これに対し前記ペ
ースト中のガラス粉末は溶融し、その一部分はセラミッ
クス焼結体２の表面に流動しアルミナと反応する。ガラ
スの残部はタングステンの空隙部分を隙間なく充填し、
タングステンとガラス混合層を形成する。一方、第２層
３０２中のニッケル、ニッケル酸化物、ニッケル塩は焼
成雰囲気中ではニッケル金属に還元され十分焼結し、タ
ングステン層を被覆し、自らはニッケル層を形成する。

第１図はこのようにしてセラミックス焼結体２の表面に
生成されたメタライズ層３の断面を示すもので、セラミ
ックス焼結体２の表面に前述したタングステン−ガラス
の混合層３１が、またこの混合層３１の上面にニッケル
層３２が形成され、メタライズ層３を構成している。こ
の場合、ニッケル層３２にはタングステンがその固溶限
（約４０重量％）まで固溶し得るが、ろう付け性には影
響を及ぼさない。このようにしてセラミックス焼結体２
上に、強固に接着されたメタライズ層３が形成される。

冷却後はアルミナとガラスは連続相となり、タングステ
ンとガラスはアンカー効果により強固に接着する。かく
して、アルミナとタングステンはガラスを媒介として、
タングステンとニッケルは相互拡散によりそれぞれ接着
して、メタライズされたアルミナ体１が完成する。

ガラス粉末は融点が１１００〜１３００℃のものに限定
される。このようなガラスとしてはＡ７ｚ０３−ＭｎＯ
３ｉＯ□系が望ましいが、前記融点を有するものであれ
ばこの限りではない。

即ち、融点が１１００℃未満では力゛ラス自体の強度が
低くなり、またガラスの流動が起こりすぎ、メタライズ
後の強度が著しく低下する。逆に融点が１３００℃を超
えるとガラスの流動性が悪くなり、タングステンの空隙
を完全には充填せず、十分な真空封止性が得られない。

またタングステン粒は粒径が１０μｍ以下のものに限定
される。この範囲を外れるとタングステン粒間距離の大
小差が大きくなりすぎ、毛管現象によりガラスがタング
ステン粒間径の狭い部位へ移動し、粒間径の広い部分に
ガラスが存在し得なくなるため、真空封止性が得られな
い。ガラスの粒径も粒径が１０μｍ以下のものに限られ
るが、この理由は前記のタングステン粒径限定理由と同
じである。即ち、粒径が１０μｍを超えるガラスが溶融
した場合、ガラスはタングステン粒間径の小さい部位に
吸い取られ、ガラスが存在していた部分は空隙となるか
らである。

タングステン粉末とガラス粉末の混合比は、タングステ
ンが７０〜９５重量％、ガラスが３０〜５重量％に限定
される。この比からタングステンが多い側に外れるとガ
ラスの絶対量が少なくなりすぎ、ガラスがタングステン
のネットワークを充填できず真空封止性が保証できない
。逆にタングステンが少ない側にずれるとタングステン
がネットワークを形成できず、十分な強度が得られない
からである。

ニッケル源、即ちニッケル、ニッケル酸化物。

ニッケル塩も粒径が１０μｍ以下に限定される。これを
外れると焼結が十分に進まず、混合層３１（タングステ
ン−ガラス層）表面を完全に被覆できないためろう付け
性が悪（なる。またタングステンとニッケルの接触サイ
ト数が減少し強度低下を招く。またニッケル、ニッケル
酸化物、ニッケル塩は後述の雰囲気で焼成した場合、い
ずれもニッケル金属に還元されるものであり、これらの
種類の中での有意差は認められない。

焼成温度は１２００〜１４００℃に限定される。１２０
０℃未満ではアルミナとガラスの反応量が少なく、また
ガラスの流動性も悪いため、十分な強度と真空封止性が
得られない。１４００”Ｃを超えると、タングステンが
過焼結してガラスが充填するべき空隙が少なくなり、ガ
ラスとタングステンのアンカー効果が少なくなり、強度
が低下する。焼成雰囲気については、水素と水蒸気の比
（Ｈ，／Ｈ２０）が１を超え、１０００００未満（１＜
Ｈ□／１ｌｚＯ＜１０００００）に限られる。　１以下
になった場合はタングステンが酸化され、１０００００
以上の場合はガラスが還元されて金属が析出し、かつア
ルミナの変色が激しくなる。

このように水素と水蒸気の比が所定の範囲内にあれば、
ＮＺ＋八ｒへ　ｔｉｅ　　等の不活性ガスを混合させる
ことができる。例えば露点２０℃１Ｈｚ　：　Ｎｔ＝　
１０＝９０のガス気流が好ましい。

本発明の条件によるメタライズ後のＭｉ織の特徴を以下
に述べる。本発明では特にＮｉ層に特徴がある。第一の
特徴はＮｉペーストをスクリーン印刷等により塗布して
いるがために、メツキ法に比較して製品でのＮｉ層の厚
みが１０μｍ以上あり耐熱性等の面で有利であることで
ある。即ち、Ｎｉは本来耐熱性金属でありＮｉ層の厚み
が厚いほどメタライズ面の耐熱性が改善される。しかし
従来のメツキ方法ではＮｉ層の厚みを増すのは非常にコ
ストがかかり、また厚みを増す程強度が低下してくると
いう問題があり、通常２〜４μｍにせざるを得ない。こ
れは耐熱性の観点からすると非常に不利である。即ち、
６５０℃の空気中保持テストでは数分で酸化されてしま
い、真空封止性が無くなり、強度も初期の１７３程度に
低下してしまう。

方、本発明品では６０分間保持しても真空封止性。

強度に変化はなかった。

このように、本発明ではＮｉ層を塗布し焼結しているた
めに、耐熱性が優れかつ厚さがあるにもかかわらず非常
に強度があり、厚みに対するコストアンプが少ない。

次に、本発明の方法の場合、同時焼成のため、第１層と
第２層の間で金属の相互拡散が起こり、Ｎｉ層中に最大
４０重量％までのタングステンを固溶することが特徴で
ある。本発明の実施例ではタングステンの固溶量は通常
２０〜４０重量％程度である。一方、従来のＭｏ−Ｍｎ
法とメツキ処理のメタライズ方法では、Ｎ１Ｊｌ中の固
溶金属量は５重量％以下であり明確な組織の差が現れる
。

タングステンの固溶によりＮｉ層の強度が増し、部品の
ハンドリング時の疵がつきにくく非常に有利である。

以上のように本発明では、諸特性値のみならず組織にも
大きな特徴を有しており、このことは断面のＥＰＭＡや
ＳＥＭ写真より容易に判断できる。

以上の実験例で使用したセラミックスはアルミす系（／
’ｊｚ（ｈ）であったが、その他の各種セラミックスに
ついても種々実験検討を行った。その結果、ムライト（
２Ａ７ｚ（ｈ・２ＳｉＯ□）、ステアタイト（ＭｇＯ・
５ｉｎ２）　＋フォルステライト（２ＭｇＯ・５ｉＯ２
）ｌコージエライト（２ＭｇＯ・２　ｙ　２０　ｙ・５
ＳｉＯ□）でも同等の強度及び真空封止性が得られた。

このことは、メタライズ下部層形成ペースト中のガラス
成分と反応しやすい成分を含有したセラミックス系に対
し、本発明のメタライズ方法が特に有用であることを示
すものである。即ち、酸化物を含有したセラミックスに
本発明は特に有効である。上記のセラミックスの中でも
、ステアタイトやフォルステライトではその耐熱温度が
Ａｌ２Ｏ２より低く　、１４５０℃前後で焼成する従来
のメタライズ法では健全なメタライズ層が形成すること
が困難であった。しかし、本発明によれば、その焼成温
度が１２００〜１４００’Ｃと低いにも拘らず、これら
の低耐熱温度セラミックスについても十分メタライズで
きる。

第１層のタングステンや第２層のＮｉには通常９９％程
度の純度のものが用いられる。

［実施例］ 実施例１ 第４図の斜視図に示す内径１２胴φ×外径１６ｍｍφ×
高さｉｏ＋ｎｍのセラミックス焼結体である円筒体２０
に、第５図に示す如く銅管６を接合する際に本発明を実
施した。

円筒体２０はｌＶ２Ｏ，の含有量９２％のアルミナ系で
あり、この円筒体２０の上端２０ａに、先ずそれぞれ粒
径が５μｍ以下に調整されたｌＶ２Ｏ３：ＭｎＯ；５ｉ
Ｑｚ＝２６　：　３４　：　４０重量比のＩＶｚＯｔ−
ＭｎＯ５ｉＯ□系ガラスの粉末とタングステン粉末を、
第１表に示すような比率で混合した混合粉末を、有機ビ
ークルで混練し、得られたペーストをスクリーン印刷に
より塗布した。ペーストを塗布した後、オーブン内で２
００℃Ｘ１２０分間、乾燥処理を行い、第６図に示すよ
うに第１層３１１を形成した。次いでこの第１層３１１
の表面３１１ａに、粒径５μｍ以下に調整されたニッケ
ル酸化物粉末を、前述した有機ビークルで混練し、得ら
れたペーストをスクリーン印刷により塗布した。塗布後
、オーブン内で２００°ｃｘ１２０分間乾燥処理を行い
、第２１３２１を形成させた。しかる後、露点２０℃の
窒素９０体積％、水素１０体積％の混合ガス気流中で昇
温速度１０℃／分で第１表に示す温度まで加熱し、６０
分保持した。次いで１０℃／分で冷却し、メタライズ層
３０を形成させ、アルミナ体１０を得た。

このアルミナ体１０に、第５図に示すように銅管６を接
合し、真空封止性と接合強度を測定した。

銅管６との接合は前記メタライズＮ３０と銅管６の間ニ
ロウ材５（本実施例ではＪＩＳ　Ｚ　３２６１　ＢＡｇ
−８を用いた）を介在せしめ、水素雰囲気中でろう付け
して接合体を得た。接合体を得た後、アルミナ体１０の
底面２０ｂに、十分な封止性を保持する接着剤を用いて
、鉄製治具を装着した。

真空封止性はヘリウムリーク検出器を用い、銅管６の先
端部からのリーク量を測定した。評価の基準はＩ　Ｘ　
１０−１０Ｔｏｒｒ−１／　ｓｅｃ以下の封止性を示す
ものを合格とした。接合強度は鉄製治具を固定し、銅管
６を上方に引張り、測定した。第１表は前記のガラス粉
末とタングステン粉末の混合比と、焼成温度をパラメー
タとした調査結果の一例を示すものである。焼成温度が
１２００〜１４００℃で、タングステンとガラスの重量
比が７０：３０〜９５：５の範囲であれば良好な特性を
有する接合体が得られた。

次に前記第５図に示す胴管接合品を５０℃から６００℃
まで加熱し、その状態を１０分間維持したのち、５０℃
まで冷却する熱サイクル試験を実施した。昇温速度は３
４℃／ｍｌｎ＋降温速度は３７°（／ｍｉｎで、この昇
温、降温を繰り返し実施して前述した真空封止性と引張
強度の変化を調査した。この結果、従来法のモリブデン
−マンガン法では１０回の熱サイクルで真空封止性が劣
化し引張強度も１００ｋｇｆ以下に低下した。

これに対し本発明に基づくものでは１０回の熱サイクル
後でも真空封止性Ｉ　Ｘ　１０−”　Ｔｏｒｒ−ｊ２／
ｓｅｃ以下を確保し、しかも引張強度は３５０　ｋｇｆ
以上（銅管６が破壊）であった。

実施例２ 次にガラスの融点による影響を調査するために、前記実
施例１においてタングステン粉末とガラス粉末の混合比
率を８０　：　２０で一定とし、この中でガラス粉末の
融点を調整し、その他の条件は実施例１と同様にしてメ
タライズ１ｉ３０を形成して、真空封止性と接合強度を
測定した。

第２表はその調査結果の一例を示すもので、良好な特性
を得るには、焼成温度を１２００〜１４００℃。

ガラスの融点を１１００〜１３００’Ｃの範囲内に制御
する必要のあることが確認された。

実施例３ 実施例１と同様にしてタングステン、ガラス。

ニッケル等の粒径の影響を調査した。

実施例２と同様にして、タングステンの粒径の影響はガ
ラスとニッケルの粒径を５μｍで一定とし、またガラス
の粒径の影響はタングステンとニッケルの粒径を５μｍ
に、ニッケルの粒径の影響はタングステンとガラスの粒
径を５１にそれぞれ一定止して行った。ガラスは前記実
施例１と同一の組成とした。第３表はその調査結果の一
例を示すものである。良好な特性を得るには、タングス
テン。

ガラス、ニッケル粉末のいずれも１０μｍ以下に調整す
る必要性のあることが判った。

第３表 × ：真空封止性が判断基準値 （ＩＸＩＯ伺０ Ｔｏｒｒ　゛ ｆｆｉ／５ｅｃ）以下を満足せず。

Δ：真空封止性は上記基準を満足するが、引張強度が１
５０　ｋｇｆ未満。

○：真空封止性は上記基準を満足し、かつ引張強度が１
５０〜３５０　ｋｇｆの範囲。

◎：真空封止性は上記基準を満足し、かつ引張強度が３
５０　ｋｇｆ超。

［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば、アルミナ質セラ
ミックス焼結体をメタライズする際の設備コストが従来
の高融点金属法と比較して５０％も削減され、かつコス
トが削減されたにも拘らず従来法によって得られていた
特性に対して全く劣らないものを製造することが可能と
なった。また、従来Ｍｏ−Ｍｎ法で困難とされていた融
点の低いセラミックスに対しても、本発明を適用するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に基づき形成されたメタライズ層を示す
断面図、第２図はアルミナ質セラミックス焼結体表面に
ペーストが塗布された状態を示すもので、第２図（ａ）
は断面図、第２図（ｂ）は模式図である。第３図はアル
ミナ質セラミックス焼結体表面に塗布されたペーストが
焼付けられた状態を示す模式図、第４図は本発明の具体
的実施例を示すもので円筒状アルミナ質セラミックス焼
結体の斜視図、第５図は前記第４図のアルミナ体に鋼管
を接合した状態を示す断面図、第６図は第５図のアルミ
ナ体におけるメタライズ層を示す断面図である。 １．１０・・・アルミナ体、２．２０・・・アルミナ質
セラミックス焼結体、３，３０・・・メタライズ層、３
１・・・タングステン−ガラスの混合層、３２・・・ニ
ッケル層、３０１，３１１・・・第１層、３０２゜３２
１・・・第２Ｎ、５・・・ろう材、６・・・銅管。 第 図 第２図 （ｂ） 第３図 第４図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　酸化物系セラミックス焼結体の表面に、平均粒径が１
   ０μｍ以下のタングステン粉末７０〜９５重量％と、融
   点が１１００〜１３００℃で、平均粒径が１０μｍ以下
   のガラス粉末３０〜５重量％からなる混合粉末を有機ビ
   ークルで混練したペーストを塗布したのち乾燥して第１
   層を形成し、次いで前記第１層上に、平均粒径が１０μ
   ｍ以下のニッケル、ニッケル酸化物、ニッケル塩のうち
   のいずれか１種、もしくは２種以上を組合わせた粉末を
   有機ビークルで混練したペーストを塗布したのち乾燥し
   て第２層を形成し、しかるのち、１２００〜１４００℃
   の温度範囲で、かつ１＜Ｈ＿２／Ｈ＿２Ｏ＜１００００
   ０に調整された混合雰囲気中で焼成することを特徴とす
   る真空封止性とろう付け性に優れた酸化物系セラミック
   スのメタライズ方法。