JPH02129730U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH02129730U JPH02129730U JP3908589U JP3908589U JPH02129730U JP H02129730 U JPH02129730 U JP H02129730U JP 3908589 U JP3908589 U JP 3908589U JP 3908589 U JP3908589 U JP 3908589U JP H02129730 U JPH02129730 U JP H02129730U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- view
- holes
- test pattern
- staggered
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
第１図はこの考案の一実施例である半導体ウエ
ハのテストパターンの配置構造を示す拡大平面図
、第２図ａ〜ｅは半導体ウエハの不良発生時の検
証課程まで工程を示す平面図、拡大平面図および
Ｄ−Ｄ線における拡大断面図、第３図は従来の半
導体ウエハのテストパターンの拡大平面図、第４
図ａ，ｂは半導体ウエハの平面図およびＢ部の拡
大平面図、第５図は半導体ウエハの各種破断面を
示す説明図である。 図において、１，１１はスルーホール（コンタ
クトホール）、４はテスト針、５は半導体ウエハ
、６はダイシングライン、７はテストパターン、
９，１０はパツトを示す。なお、図中、同一符号
は同一、または相当部分を示す。
ハのテストパターンの配置構造を示す拡大平面図
、第２図ａ〜ｅは半導体ウエハの不良発生時の検
証課程まで工程を示す平面図、拡大平面図および
Ｄ−Ｄ線における拡大断面図、第３図は従来の半
導体ウエハのテストパターンの拡大平面図、第４
図ａ，ｂは半導体ウエハの平面図およびＢ部の拡
大平面図、第５図は半導体ウエハの各種破断面を
示す説明図である。 図において、１，１１はスルーホール（コンタ
クトホール）、４はテスト針、５は半導体ウエハ
、６はダイシングライン、７はテストパターン、
９，１０はパツトを示す。なお、図中、同一符号
は同一、または相当部分を示す。
Claims (1)
- スルーホールまたはコンタクトホールをそれぞ
れ階段的にずらして配置したことを特徴とする半
導体ウエハのテストパターンの配置構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3908589U JPH02129730U (ja) | 1989-03-30 | 1989-03-30 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3908589U JPH02129730U (ja) | 1989-03-30 | 1989-03-30 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02129730U true JPH02129730U (ja) | 1990-10-25 |
Family
ID=31547673
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3908589U Pending JPH02129730U (ja) | 1989-03-30 | 1989-03-30 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02129730U (ja) |
-
1989
- 1989-03-30 JP JP3908589U patent/JPH02129730U/ja active Pending