JPS5889805A - 磁気バブルメモリ素子作成法 - Google Patents
磁気バブルメモリ素子作成法Info
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- JPS5889805A JPS5889805A JP56187702A JP18770281A JPS5889805A JP S5889805 A JPS5889805 A JP S5889805A JP 56187702 A JP56187702 A JP 56187702A JP 18770281 A JP18770281 A JP 18770281A JP S5889805 A JPS5889805 A JP S5889805A
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- memory element
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/32—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying conductive, insulating or magnetic material on a magnetic film, specially adapted for a thin magnetic film
- H01F41/34—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying conductive, insulating or magnetic material on a magnetic film, specially adapted for a thin magnetic film in patterns, e.g. by lithography
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の技術分野
蒸発＃ｉ４は電子計算装置の端末機器等のメモリとして
用いられる磁気バブルメモリの素子作成法に閥するもの
である。
用いられる磁気バブルメモリの素子作成法に閥するもの
である。
（２）技術の背影
磁気バブルメモリを利用して情報の蓄積、論理演算勢を
行なう磁気バブル利用装置は不揮発性、高記憶密度、低
消費電力、小屋軽量である等種々の特徴を−もち、さら
には機械的要素を全く含まない固体素子であることから
非常に高い信頼性を有し、従って端末機器メ毫りとして
の利用等において今後によせる期待社非常に大きい。
行なう磁気バブル利用装置は不揮発性、高記憶密度、低
消費電力、小屋軽量である等種々の特徴を−もち、さら
には機械的要素を全く含まない固体素子であることから
非常に高い信頼性を有し、従って端末機器メ毫りとして
の利用等において今後によせる期待社非常に大きい。
この磁気パツルメ篭り装置に用いられる素子は製作技術
および材料の進歩に従うて１素子内に格納される磁気バ
ブル（以下バブルという）の記憶容景は都とともに増加
し、一方記憶、媒体であるバブル径は減少し、またム冒
或いはＮｌ −Ｃｍ合金などからなる導電パターン及び
ノ９−マロイなどからなる転送／ｆターンは微小化の一
途を辿やている。
および材料の進歩に従うて１素子内に格納される磁気バ
ブル（以下バブルという）の記憶容景は都とともに増加
し、一方記憶、媒体であるバブル径は減少し、またム冒
或いはＮｌ −Ｃｍ合金などからなる導電パターン及び
ノ９−マロイなどからなる転送／ｆターンは微小化の一
途を辿やている。
例えば記憶容量ＩＭビットｏメ４１Ｊ素子の場合、最小
パターン寸法は約１μｍであシ、１０−角の磁性ガーネ
ット結晶膜上に電子回路の全・ぐターンが形成される。
パターン寸法は約１μｍであシ、１０−角の磁性ガーネ
ット結晶膜上に電子回路の全・ぐターンが形成される。
（３）−従来技術と問題点
これらのパターンについて、現在用いられている形成法
としては磁性ガーネット膜上に金属及び絶縁物を蒸着又
はスノｆツタし、これをホトリソグラフィ法でノ４ター
ン形成する方法がとられている。
としては磁性ガーネット膜上に金属及び絶縁物を蒸着又
はスノｆツタし、これをホトリソグラフィ法でノ４ター
ン形成する方法がとられている。
このホトリソグラフィにおいてノリーン投影に高性能な
投影露光機を用いる場合、可能転写領域は１０−角であ
るが、分解能などによる歩留９ｔ−考慮し分解能の良い
中心部を用い５×ｌＯ■のΔターン領域を２回露光して
ｌＯ■角の回路パターンを形成し、これを１素子とする
ことが行なわれている。従ってこのような方法では１露
光毎に作成される／４ターンは完全に互に独立したもの
とｉｋ１露光領域間で一つの伝播パターンを共有すると
いう技術は無かった。
投影露光機を用いる場合、可能転写領域は１０−角であ
るが、分解能などによる歩留９ｔ−考慮し分解能の良い
中心部を用い５×ｌＯ■のΔターン領域を２回露光して
ｌＯ■角の回路パターンを形成し、これを１素子とする
ことが行なわれている。従ってこのような方法では１露
光毎に作成される／４ターンは完全に互に独立したもの
とｉｋ１露光領域間で一つの伝播パターンを共有すると
いう技術は無かった。
（４）発明の目的
本発明は上記従来の問題点ＫｆＩ１１み、投影盤露光機
を用いて作成される２以上の露光領域間の伝播路を接続
することができる磁気バブルメモリ素子作成法を提供す
ることを目的とするものである。
を用いて作成される２以上の露光領域間の伝播路を接続
することができる磁気バブルメモリ素子作成法を提供す
ることを目的とするものである。
（５）発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば磁気パルプ用ウェーハ
の上にパルプ発生器、検出器、伝播路等が金属及び絶縁
物の蒸着又はス／４ツタ及びイオンインプラ法と写真置
割によシ形成される磁気バブルメモリ素子の前記写真食
刻時に、マスクに作成された回路形威用ノリーンを投影
蓋露光機にて、ウェーハ上に量られ九感光物質に該ウェ
ーハを所定量移動して少くとも２１ｍ転写露光を行なう
磁気バブルメモリ素子作成方法において、！回収玉の露
光によって得られる２領域間を連絡するＡツル伝播路を
形成することを特徴とする磁気バブルメモリ素子作成法
を提供するととＫよって達成される。
の上にパルプ発生器、検出器、伝播路等が金属及び絶縁
物の蒸着又はス／４ツタ及びイオンインプラ法と写真置
割によシ形成される磁気バブルメモリ素子の前記写真食
刻時に、マスクに作成された回路形威用ノリーンを投影
蓋露光機にて、ウェーハ上に量られ九感光物質に該ウェ
ーハを所定量移動して少くとも２１ｍ転写露光を行なう
磁気バブルメモリ素子作成方法において、！回収玉の露
光によって得られる２領域間を連絡するＡツル伝播路を
形成することを特徴とする磁気バブルメモリ素子作成法
を提供するととＫよって達成される。
（６） 発明の実施例
以下蒸発―奥施例をｌｌ１ｉＫよりて詳述する。
第１図は本実１１による磁気バブルメモリ素子作成法を
実施す為ためのレチクルを示す図であシ、ａは全体図、
ｂはａｌｌのイ部分の拡大図、・＃′ｉａ図の口部分の
拡大図をそれぞれ示す。
実施す為ためのレチクルを示す図であシ、ａは全体図、
ｂはａｌｌのイ部分の拡大図、・＃′ｉａ図の口部分の
拡大図をそれぞれ示す。
同図においてｌは書龜込み用メジャーライン、２は読み
出し用メジャーライン、３−１〜ｌ、は書き込み用メジ
ャーラインと読み出し用メジャーラインにトランスファ
ｒ−）等を介して接続され九マイナーループ、４は絖み
出しラインＫＩ［Ｉ続されたディテクタ、５はＴ／譬タ
ーンを並べたガードレールをそれぞれ示す。
出し用メジャーライン、３−１〜ｌ、は書き込み用メジ
ャーラインと読み出し用メジャーラインにトランスファ
ｒ−）等を介して接続され九マイナーループ、４は絖み
出しラインＫＩ［Ｉ続されたディテクタ、５はＴ／譬タ
ーンを並べたガードレールをそれぞれ示す。
ａ図のイ部分はｂ図の拡大図に示す如くガードレール５
の一部が欠除されその欠除部６の入口に読み出しライ”
ン２が延長、されて形成されている。
の一部が欠除されその欠除部６の入口に読み出しライ”
ン２が延長、されて形成されている。
また欠除［Ｉ６の外方にガニトレールの一部の）々ター
ン７が形成されている。ｔ＋ａ図の四部分も・図の拡大
図に示す如くｔ−トレール５の一部が切除され、その切
除部８の中に味出しライン２が延長して形成されている
。さらに切除部８の外方にガードレールの一部のノ譬タ
ニン９が形成されている・ 上−〇ようなレチクルを用いて行なうバブルメモリ素子
作成手順を第２図を用いて説明する。先ずａ図の如くウ
ェーハ上に塗られた感光物質にレチクル１０の右方部分
を投影する。
ン７が形成されている。ｔ＋ａ図の四部分も・図の拡大
図に示す如くｔ−トレール５の一部が切除され、その切
除部８の中に味出しライン２が延長して形成されている
。さらに切除部８の外方にガードレールの一部のノ譬タ
ニン９が形成されている・ 上−〇ようなレチクルを用いて行なうバブルメモリ素子
作成手順を第２図を用いて説明する。先ずａ図の如くウ
ェーハ上に塗られた感光物質にレチクル１０の右方部分
を投影する。
次にｂ図の如くウエーノ１ｔＰ１だけ移動してレチクル
１０の２回目の投影を行なう、この逅きのビ、チＰ１は
左方のガードレールの欠除部６に、さきに投影されたガ
ードレールの一部゛９が丁度嵌９込むようなピッチとす
る。
１０の２回目の投影を行なう、この逅きのビ、チＰ１は
左方のガードレールの欠除部６に、さきに投影されたガ
ードレールの一部゛９が丁度嵌９込むようなピッチとす
る。
次に・図の如くウェーハをＰｌだけ移動してレチクル１
００３回目の投影を行なう、このときのピッチＰ２は左
辺のガードレニルがさきに投影したレチクルの右辺のガ
ードレールに一致するよりなピッチとする。このように
投影するとガードレール５の欠除部で左右の読み出しラ
イン２は接続される。
００３回目の投影を行なう、このときのピッチＰ２は左
辺のガードレニルがさきに投影したレチクルの右辺のガ
ードレールに一致するよりなピッチとする。このように
投影するとガードレール５の欠除部で左右の読み出しラ
イン２は接続される。
なおこのピッチＰｇで連続して投影すれば単位／ｆター
ンが複数個連続した素子を得ることができる。
ンが複数個連続した素子を得ることができる。
この時、牛、ｆ内のｔ−ドレールノ譬ターンの大部分は
２１篇党で消滅する。
２１篇党で消滅する。
竣後１１Ｃｄ図の如くウェーハをＰｉだけ移動してレチ
クル１０を投影する。このときのびツチＰｊは左方のガ
ードレールの−１１７がさきに投ｔしたレチクルのガー
ドレールＳＫＭ！してその欠除部８を塞ぐようなピッチ
とする。なおＰｌはＰｌ 、 Ｐｌと異るがＰ１＊Ｐ１
は同じでも夷い。
クル１０を投影する。このときのびツチＰｊは左方のガ
ードレールの−１１７がさきに投ｔしたレチクルのガー
ドレールＳＫＭ！してその欠除部８を塞ぐようなピッチ
とする。なおＰｌはＰｌ 、 Ｐｌと異るがＰ１＊Ｐ１
は同じでも夷い。
以上の如くにして複数単位のパターン領域を形成した磁
気バブルメモリ素子において、その読み出しラインの接
続を行なうことができる。勿論同様の手法により書き込
みラインの接続も可能である。
気バブルメモリ素子において、その読み出しラインの接
続を行なうことができる。勿論同様の手法により書き込
みラインの接続も可能である。
（７）発明の効果
以上、詳細に説明したように１本発羽の磁気バブルメモ
リ素子作成法は限られ！九露光領域しか持たない露光機
を用いてその領域以上の面積を持つ素子が１枚のレチク
ルもを使用して簡単に作成し得るといった効果大なるも
のである。
リ素子作成法は限られ！九露光領域しか持たない露光機
を用いてその領域以上の面積を持つ素子が１枚のレチク
ルもを使用して簡単に作成し得るといった効果大なるも
のである。
第１図は本発明による磁気バブルメモリ素子作成法に使
用するレチクルを説明するための図、第一２図は本発明
による磁気バブルメモリ素子作成法の作成手順を説明す
るための図である。 図面において１は書き込みライン、２は読み出しライン
、３−１〜３−３はマイナールーツ、４はディテクタ、
５はガードレール、６及び８はガードレール欠除部、７
及び９はガードレールの一部、１０はレチクルをそれぞ
れ示す。 特許出願人 冨士通株式会社 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士西舘和之 弁理士 内−１）幸 男 弁理士 山 口 昭 之 （ａ） （ｂ） ＩＩ１図
用するレチクルを説明するための図、第一２図は本発明
による磁気バブルメモリ素子作成法の作成手順を説明す
るための図である。 図面において１は書き込みライン、２は読み出しライン
、３−１〜３−３はマイナールーツ、４はディテクタ、
５はガードレール、６及び８はガードレール欠除部、７
及び９はガードレールの一部、１０はレチクルをそれぞ
れ示す。 特許出願人 冨士通株式会社 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士西舘和之 弁理士 内−１）幸 男 弁理士 山 口 昭 之 （ａ） （ｂ） ＩＩ１図
Claims (1)
- １、磁気バブル用ウェーハの上にバブル発生器、検出器
、伝播路等が金属及び絶縁物の蒸着又はスノ々ツタ及び
イオンインプラ等と写真食刻により形成される磁気バブ
ルメモリ素子の前記写真食刻時に、！スフに作成された
回路形成用ノ臂ターンを投影型露光機にて、ウェーハ上
に塗られた感光物質に該ウエーノへを所定量移動して少
くとも２回転写篇光を行なう磁気バブルメモリ素子作成
方法において、２回以上の露光によって得られる２領域
間を連絡するバブル伝播路管形成することｔ％黴とする
磁気バブルメモリ素子作成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56187702A JPS5889805A (ja) | 1981-11-25 | 1981-11-25 | 磁気バブルメモリ素子作成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56187702A JPS5889805A (ja) | 1981-11-25 | 1981-11-25 | 磁気バブルメモリ素子作成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5889805A true JPS5889805A (ja) | 1983-05-28 |
| JPH0213392B2 JPH0213392B2 (ja) | 1990-04-04 |
Family
ID=16210658
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56187702A Granted JPS5889805A (ja) | 1981-11-25 | 1981-11-25 | 磁気バブルメモリ素子作成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5889805A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57143785A (en) * | 1981-02-27 | 1982-09-06 | Hitachi Ltd | Magnetic bubble memory element |
-
1981
- 1981-11-25 JP JP56187702A patent/JPS5889805A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57143785A (en) * | 1981-02-27 | 1982-09-06 | Hitachi Ltd | Magnetic bubble memory element |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0213392B2 (ja) | 1990-04-04 |
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