JPH02141919A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH02141919A JPH02141919A JP63294914A JP29491488A JPH02141919A JP H02141919 A JPH02141919 A JP H02141919A JP 63294914 A JP63294914 A JP 63294914A JP 29491488 A JP29491488 A JP 29491488A JP H02141919 A JPH02141919 A JP H02141919A
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- JP
- Japan
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- layer division
- film
- magnetization
- recording medium
- magnetic recording
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、高密度磁気記録に適する強磁性金属薄膜を磁
気記録層とする磁気記録媒体に関する。
気記録層とする磁気記録媒体に関する。
従来の技術
記録再生機器の小型化、高性能化の為に記録密度向上の
努力は継続的に行われており、最近では強磁性金属薄膜
を磁気記録層として実用化することが待望されるに至っ
ている〔アイイーイーイートランザクシぢンズオンマグ
ネティクスＩＩＣΣＫ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ
ＯＮＭＡＧＮＥＴＩＣ８）マｏｌ 、ＭＡＧ−２１、
應３゜ｐ、ｐ、１２１７〜１２２０（１９８５）］。強
磁性金属薄膜は材料としての組合わせは多数考えられる
が、現実的な可能性が示されているものは少く、Ｃｏ−
０ｒ等の垂直磁化膜〔特公昭６８−９１号公報、特開昭
６１−１２０３３１号公報〕やＣｏ−Ｎｉ、Ｇｏ−Ｎｉ
−０等の斜め蒸着膜や湿式めっき膜〔特公昭４１−１９
３８９号公報、特開昭５３−４２０１０号公報〕等で、
実用化の目的で最近ではもっばら、保護潤滑層の開発が
検討の中心となっている。現状ではポリエチレンテレフ
タレートフィルム等の高分子フィルム上に直接あるいは
微粒子などの下塗りを行った後、電子ビーム蒸着法やス
パッタリング法で強磁性金属薄膜を配し、その面に直接
溶剤に脂肪酸やパーフルオロポリエーテル等の潤滑剤を
溶かし次溶液を塗布乾燥する法〔特開昭５７−１７９９
４８号公報、特開昭６１−１７８７１８号公報〕や、酸
化膜を介して潤滑剤を配する〔特開昭６１−１５１８３
０号公報〕ことや、炭素膜と７０ロカーボン系の組み合
わせ〔特開昭６１−１４２５２５号公報〕等が提案され
、磁気ディスクではまだ炭素膜が厚いとはいうものの一
部実用化され、炭素質についても検討が進み硬度を高め
ることの有用性〔米国特許４７１７６２２号明細書〕も
知られるに至っている。
努力は継続的に行われており、最近では強磁性金属薄膜
を磁気記録層として実用化することが待望されるに至っ
ている〔アイイーイーイートランザクシぢンズオンマグ
ネティクスＩＩＣΣＫ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ
ＯＮＭＡＧＮＥＴＩＣ８）マｏｌ 、ＭＡＧ−２１、
應３゜ｐ、ｐ、１２１７〜１２２０（１９８５）］。強
磁性金属薄膜は材料としての組合わせは多数考えられる
が、現実的な可能性が示されているものは少く、Ｃｏ−
０ｒ等の垂直磁化膜〔特公昭６８−９１号公報、特開昭
６１−１２０３３１号公報〕やＣｏ−Ｎｉ、Ｇｏ−Ｎｉ
−０等の斜め蒸着膜や湿式めっき膜〔特公昭４１−１９
３８９号公報、特開昭５３−４２０１０号公報〕等で、
実用化の目的で最近ではもっばら、保護潤滑層の開発が
検討の中心となっている。現状ではポリエチレンテレフ
タレートフィルム等の高分子フィルム上に直接あるいは
微粒子などの下塗りを行った後、電子ビーム蒸着法やス
パッタリング法で強磁性金属薄膜を配し、その面に直接
溶剤に脂肪酸やパーフルオロポリエーテル等の潤滑剤を
溶かし次溶液を塗布乾燥する法〔特開昭５７−１７９９
４８号公報、特開昭６１−１７８７１８号公報〕や、酸
化膜を介して潤滑剤を配する〔特開昭６１−１５１８３
０号公報〕ことや、炭素膜と７０ロカーボン系の組み合
わせ〔特開昭６１−１４２５２５号公報〕等が提案され
、磁気ディスクではまだ炭素膜が厚いとはいうものの一
部実用化され、炭素質についても検討が進み硬度を高め
ることの有用性〔米国特許４７１７６２２号明細書〕も
知られるに至っている。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、０ｏ−Ｎｉ−０斜め蒸着膜は耐久性に優
れるものの、記録密度を高める上で遷移領域が鋸歯状に
なることでの雑音増が課題である。
れるものの、記録密度を高める上で遷移領域が鋸歯状に
なることでの雑音増が課題である。
本発明は上記した事情に鑑みなされたもので、狭ギヤツ
プヘッドでの高密度記録に適する磁気記録媒体を提供す
るものである。
プヘッドでの高密度記録に適する磁気記録媒体を提供す
るものである。
課題を解決するための手段
上記した課題を解決するため本発明の磁気記録媒体は、
斜め蒸着膜を結晶方向に磁化可能な薄膜で層分割するよ
うにしたものである。
斜め蒸着膜を結晶方向に磁化可能な薄膜で層分割するよ
うにしたものである。
作用
本発明の磁気記録媒体は上記した構成により、斜め蒸着
膜の磁化で形成される鋸歯状の遷移領域の形状が層分割
で相殺するようになり、雑音として検出される磁束が実
効的に減少し、出力については層分割が強磁性体である
ことで、非磁性体と異なり磁束増に寄与するので大きく
でき、狭ギヤツプヘッド磁界でも全体の磁化に対しても
層分割の薄膜が伝達の役割も果たすことで有効な磁化が
完了することになり高いＣ／Ｎが達成されることになる
。
膜の磁化で形成される鋸歯状の遷移領域の形状が層分割
で相殺するようになり、雑音として検出される磁束が実
効的に減少し、出力については層分割が強磁性体である
ことで、非磁性体と異なり磁束増に寄与するので大きく
でき、狭ギヤツプヘッド磁界でも全体の磁化に対しても
層分割の薄膜が伝達の役割も果たすことで有効な磁化が
完了することになり高いＣ／Ｎが達成されることになる
。
実施例
以下、図面を参照しながら本発明の実施例について説明
する。図は本発明の実施例の磁気記録媒体の拡大断面図
である。図で１はポリエチレンテレフタレート、ポリエ
チレンナフタレート、ポリエーテルサルフオン、ホリフ
ェニレンサルファイド、ポリエーテルエーテルケトン、
ポリイミド等の高分子フィルムで２は、Ａｌ２Ｏ３，Ｂ
ｏｏ。
する。図は本発明の実施例の磁気記録媒体の拡大断面図
である。図で１はポリエチレンテレフタレート、ポリエ
チレンナフタレート、ポリエーテルサルフオン、ホリフ
ェニレンサルファイド、ポリエーテルエーテルケトン、
ポリイミド等の高分子フィルムで２は、Ａｌ２Ｏ３，Ｂ
ｏｏ。
ＣａＣ０，、ＺｎＯ，ＣｄＯ，ＳｉＯ２，ＴｉＯ２゜Ｅ
ｕ２Ｏ，等の無機微粒子や高分子ラテックス等の有機微
粒子を配したものか、水溶性高分子をミミズ状に配した
もの、或いは両者を組み合わせたもの等から成る下塗り
層で、耐久性向上の為配設するのが好ましい。３は斜め
蒸着膜でＣｏ、Ｃｏ−Ｎｉ。
ｕ２Ｏ，等の無機微粒子や高分子ラテックス等の有機微
粒子を配したものか、水溶性高分子をミミズ状に配した
もの、或いは両者を組み合わせたもの等から成る下塗り
層で、耐久性向上の為配設するのが好ましい。３は斜め
蒸着膜でＣｏ、Ｃｏ−Ｎｉ。
Ｃｏ−０ｒ 、 Ｃｏ−Ｔｉ 、 Ｃｏ−Ｍｏ 、 Ｃ
ｏ−０。
ｏ−０。
Ｃｏ−Ｎｉ−０等で、膜厚は全体の設計で最適化すれば
よいが、１０００人前後が好ましい。４は層分割薄膜で
、結晶の成長方向に磁化容易軸をもつ薄膜で、Ｇｏ−Ｏ
ｒ 、 Ｃｏ−Ｔａ 、 Ｇｏ−Ｍｏ 、Ｃｏ−Ｗ。
よいが、１０００人前後が好ましい。４は層分割薄膜で
、結晶の成長方向に磁化容易軸をもつ薄膜で、Ｇｏ−Ｏ
ｒ 、 Ｃｏ−Ｔａ 、 Ｇｏ−Ｍｏ 、Ｃｏ−Ｗ。
Ｇｏ−Ｒｕ 等でかつ、磁化タイプが回転磁化で行わ
れるものであることが望ましい。膜厚は２００人から６
００人が好ましい。６は斜め蒸着膜で、Ｃｏ−０、Ｇｏ
−Ｏｒ−０、Ｃｏ−Ｎｉ−０等の部分酸化強磁性金属薄
膜が好ましい。膜厚はｇｏｏ人からＩ ６００人の範囲
が好ましい。６は保護潤滑剤層で、プラズマ重合膜、カ
ーボン膜、窒化膜、脂肪酸、脂肪酸エステル、変性シリ
コーンオイル。
れるものであることが望ましい。膜厚は２００人から６
００人が好ましい。６は斜め蒸着膜で、Ｃｏ−０、Ｇｏ
−Ｏｒ−０、Ｃｏ−Ｎｉ−０等の部分酸化強磁性金属薄
膜が好ましい。膜厚はｇｏｏ人からＩ ６００人の範囲
が好ましい。６は保護潤滑剤層で、プラズマ重合膜、カ
ーボン膜、窒化膜、脂肪酸、脂肪酸エステル、変性シリ
コーンオイル。
弗素オイル等の組み合わせから成るものである。
尚バックコート層を配するか、両面アクセス型とするか
は自由である。
は自由である。
以下、更に具体的に本発明の実施例について比較例との
対比で説明する。
対比で説明する。
実施例−１
厚み１０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上
に、直径１００人のＴｉＯ□微粒子を１８ケ／（μｒｎ
）２配し、その上に直径１ｍの円筒キャンに沿わせ、最
小入射角３０度、酸素分圧４Ｘ１０−５（Ｔｏｒｒ）で
Ｃｏを８００人電子ビーム蒸着しその上に、Ｇｏ−Ｃ３
ｒ（Ｃｏ：ａｏｗｔ係）をターゲットにして高周波スパ
ッタリング法によりスパッタ蒸着し、Ｇｏ−Ｃｒ垂直磁
化膜３８０（入）を層分割薄膜として配し、更にその上
に直径１ｍの円筒キャンに沿わせて、最小入射角４０度
、酸素分圧３Ｘ１０ ’ （Ｔｏｒｒ）でＧｏ−Ｎｉ（
ｃｏ：ｓｏｗｔ％）を１０００人電子ビーム蒸着し、そ
の上にモンテフルオス社製の”７オンプリンｚ−２６１
を３．３ｑ／ｍ’配し、ポリエステル樹脂とカーボンを
重量比で等量混合したバックコート層を０．６μｍ配し
、８ミリテープとした。
に、直径１００人のＴｉＯ□微粒子を１８ケ／（μｒｎ
）２配し、その上に直径１ｍの円筒キャンに沿わせ、最
小入射角３０度、酸素分圧４Ｘ１０−５（Ｔｏｒｒ）で
Ｃｏを８００人電子ビーム蒸着しその上に、Ｇｏ−Ｃ３
ｒ（Ｃｏ：ａｏｗｔ係）をターゲットにして高周波スパ
ッタリング法によりスパッタ蒸着し、Ｇｏ−Ｃｒ垂直磁
化膜３８０（入）を層分割薄膜として配し、更にその上
に直径１ｍの円筒キャンに沿わせて、最小入射角４０度
、酸素分圧３Ｘ１０ ’ （Ｔｏｒｒ）でＧｏ−Ｎｉ（
ｃｏ：ｓｏｗｔ％）を１０００人電子ビーム蒸着し、そ
の上にモンテフルオス社製の”７オンプリンｚ−２６１
を３．３ｑ／ｍ’配し、ポリエステル樹脂とカーボンを
重量比で等量混合したバックコート層を０．６μｍ配し
、８ミリテープとした。
実施例−２
実施例−１で、斜め蒸着の１層目をＣＯをＣｏ−Ｎ１（
Ｃｏ ８０ｗｔ％）に置きかえ、最小入射角４０度、酸
素分圧４ｘ１ｏ−５（’ｒｏｒｒ）Ｔ１０００人電子ビ
ーム蒸着し、その上に４Ｘ１０−’（Ｔｏｒｒ）のムｒ
で１ｓ、ｓｅ（ＭＨｚ）ｓｓｏ（Ｗ）のグロー放電を利
用してＣｏ−０ｒ（Ｃｏ ：ａ。
Ｃｏ ８０ｗｔ％）に置きかえ、最小入射角４０度、酸
素分圧４ｘ１ｏ−５（’ｒｏｒｒ）Ｔ１０００人電子ビ
ーム蒸着し、その上に４Ｘ１０−’（Ｔｏｒｒ）のムｒ
で１ｓ、ｓｅ（ＭＨｚ）ｓｓｏ（Ｗ）のグロー放電を利
用してＣｏ−０ｒ（Ｃｏ ：ａ。
ｗｔ％）をイオンブレーティングして（入射角は６０度
から５０度の間）結晶成長方向に近い斜め磁化可能なＧ
ｏ−Ｏｒ膜を層分割薄膜として４００人配し、更にその
上にＣＯを２．３ Ｘ １０−５（Ｔｏｒｒ）の酸素中
で最小入射角５２度で８００人電子ビーム蒸着し他は実
施例−１と同じ８ミリテープを得た。
から５０度の間）結晶成長方向に近い斜め磁化可能なＧ
ｏ−Ｏｒ膜を層分割薄膜として４００人配し、更にその
上にＣＯを２．３ Ｘ １０−５（Ｔｏｒｒ）の酸素中
で最小入射角５２度で８００人電子ビーム蒸着し他は実
施例−１と同じ８ミリテープを得た。
比較例−１
厚み１０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上
に直径１００へのＴ工０２微粒子を１８ケ／（μｍ）２
配し、その上に直径１ｍの円筒キャンに沿わせて最小入
射角４６度、酸素分圧３Ｘ１０−５（Ｔｏｒｒ）でＧｏ
−Ｎｉ（Ｃｏ：８０ｗｔ％） を２０００人電子ビーム
蒸着し、あとは実施例−１と同じ潤滑剤とバックコート
を配し８ミリテープを得た。
に直径１００へのＴ工０２微粒子を１８ケ／（μｍ）２
配し、その上に直径１ｍの円筒キャンに沿わせて最小入
射角４６度、酸素分圧３Ｘ１０−５（Ｔｏｒｒ）でＧｏ
−Ｎｉ（Ｃｏ：８０ｗｔ％） を２０００人電子ビーム
蒸着し、あとは実施例−１と同じ潤滑剤とバックコート
を配し８ミリテープを得た。
比較例−２
実施例−１でＣｊｏ−Ｏｒ薄膜の代りにＯｒを電子ビー
ム蒸着しく４００人）た以外は同じ構成の８ミリテープ
を得た。
ム蒸着しく４００人）た以外は同じ構成の８ミリテープ
を得た。
上記したテープを改造した８ミリビデオデツキにより狭
ギヤノブヘッド（メタルインギャップ型ヘッド）で記録
再生し、Ｃ／Ｎを比較した。現在標準の８ミリは輝度信
号の周波数が５（ＭＨｚ）であり、７（ＭＨｚ）と１ｏ
（Ｍ）ｌｚ）で（７） Ｃ／Ｎ を比較した。ギャッ
プ長は０．１８μｍである。Ｃ／Ｎは夫々の周波数で比
較例−１のＣ／Ｎを０（ｄＢ）とした。
ギヤノブヘッド（メタルインギャップ型ヘッド）で記録
再生し、Ｃ／Ｎを比較した。現在標準の８ミリは輝度信
号の周波数が５（ＭＨｚ）であり、７（ＭＨｚ）と１ｏ
（Ｍ）ｌｚ）で（７） Ｃ／Ｎ を比較した。ギャッ
プ長は０．１８μｍである。Ｃ／Ｎは夫々の周波数で比
較例−１のＣ／Ｎを０（ｄＢ）とした。
（以 下 余 白）
他にスチル特性について比較したが実施例、比較例共に
十分（出力低下量３（ｄＢ）−ｊでの時間は６ｏ分以上
）であった。
十分（出力低下量３（ｄＢ）−ｊでの時間は６ｏ分以上
）であった。
発明の効果
以上のように本発明によれば、高密度記録を行う上で必
要な狭ギヤノブヘッドで十分高いＣ／Ｎを得られる磁気
記録媒体を提供できるといったすぐれた効果がある。
要な狭ギヤノブヘッドで十分高いＣ／Ｎを得られる磁気
記録媒体を提供できるといったすぐれた効果がある。
図は本発明の実施例の磁気記録媒体の拡大断面図である
。 １″°°°゛高分子フィルム、３，６・・・・・・斜め
蒸着膜、４・・・・・・層分割薄膜。
。 １″°°°゛高分子フィルム、３，６・・・・・・斜め
蒸着膜、４・・・・・・層分割薄膜。
Claims (1)
- 斜め蒸着膜を結晶方向に磁化可能な薄膜で層分割したこ
とを特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63294914A JPH02141919A (ja) | 1988-11-22 | 1988-11-22 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63294914A JPH02141919A (ja) | 1988-11-22 | 1988-11-22 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02141919A true JPH02141919A (ja) | 1990-05-31 |
Family
ID=17813887
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63294914A Pending JPH02141919A (ja) | 1988-11-22 | 1988-11-22 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02141919A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56134317A (en) * | 1980-03-25 | 1981-10-21 | Tdk Corp | Magnetic recording medium |
-
1988
- 1988-11-22 JP JP63294914A patent/JPH02141919A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56134317A (en) * | 1980-03-25 | 1981-10-21 | Tdk Corp | Magnetic recording medium |
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