JPH02148794A - ハイブリッドモジュール - Google Patents
ハイブリッドモジュールInfo
- Publication number
- JPH02148794A JPH02148794A JP63302023A JP30202388A JPH02148794A JP H02148794 A JPH02148794 A JP H02148794A JP 63302023 A JP63302023 A JP 63302023A JP 30202388 A JP30202388 A JP 30202388A JP H02148794 A JPH02148794 A JP H02148794A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- input
- output terminal
- plating layer
- welding
- lead wire
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/328—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by welding
Landscapes
- Multi-Conductor Connections (AREA)
- Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的コ
（産業上の利用分野）
本発明は、ハイブリッドモジュールに係り、特に外囲器
に設けられた入出力端子と前記外囲器に封止内装された
ハイブリッド回路本体との電気的な接続の改良に関する
。
に設けられた入出力端子と前記外囲器に封止内装された
ハイブリッド回路本体との電気的な接続の改良に関する
。
（従来の技術）
たとえば、ベース板上に所要のハイブリッド回路本体を
配設するとともに、前記ハイブリッド回路本体を囲むよ
うに樹脂製の筒状体の一端を前記ベース板に接着し、所
要のリード線接続を行った後、前記筒状体の開口端を樹
脂製蓋体て封止し、外囲器を構成した構造のハイブリッ
ドモジュールが知られている。即ち、第５図にその構成
概要を斜視的に示す様に、ＩＣ素子１などを実装したハ
イブリッド回路本体２をベース板３上に配設する一方、
前記ハイブリッド回路本体２を囲むように配設した外囲
器４の一部を成す筒状体４ａに、予め貫挿配設されてい
る入出力端子５と前記ハイブリッド回路本体２の入出力
端子２ａとをリード線６の溶接により電気的に接続した
後に、外囲器４の一部を成す所要の蓋体を（図示せず）
配設し、封止して成るハイブリッドモジュールが実用に
俄されている。
配設するとともに、前記ハイブリッド回路本体を囲むよ
うに樹脂製の筒状体の一端を前記ベース板に接着し、所
要のリード線接続を行った後、前記筒状体の開口端を樹
脂製蓋体て封止し、外囲器を構成した構造のハイブリッ
ドモジュールが知られている。即ち、第５図にその構成
概要を斜視的に示す様に、ＩＣ素子１などを実装したハ
イブリッド回路本体２をベース板３上に配設する一方、
前記ハイブリッド回路本体２を囲むように配設した外囲
器４の一部を成す筒状体４ａに、予め貫挿配設されてい
る入出力端子５と前記ハイブリッド回路本体２の入出力
端子２ａとをリード線６の溶接により電気的に接続した
後に、外囲器４の一部を成す所要の蓋体を（図示せず）
配設し、封止して成るハイブリッドモジュールが実用に
俄されている。
ところで、この種のハイブリッドモジュールにおいては
、入出力端子５としてＣｕ、Ｆｅ、真鍮等を基体しこの
基体表面にＳｎ、Ｎｉ、半田などのメッキ層を被覆形成
したものが用いられ、また、ハイブリッド回路本体２側
とを接続するリード線６としては比較的に抵抗の高いＦ
ｅ、Ｎｉもしくはこれらの合金製のものが用いられてい
る。しかして、前記リード線６による電気的な接続、た
とえばリード線６と入出力端子５との接続は、次のよう
に行なわれている。つまり、外囲器４の一部を成す筒状
体４ａに貫挿配設されている板状の入出力端子５の面上
に、先端側が対接し得るように、予め折曲加工しである
リード線６を位置合せせし、この位置合せ領域に溶接電
極７を配置して所要の溶接処理を行い一体的に接合し、
電気的に接続している。第６図（パラレルギャップ溶接
）および第７図（シリーズ溶接）は上記溶接状態を示す
側面図である。
、入出力端子５としてＣｕ、Ｆｅ、真鍮等を基体しこの
基体表面にＳｎ、Ｎｉ、半田などのメッキ層を被覆形成
したものが用いられ、また、ハイブリッド回路本体２側
とを接続するリード線６としては比較的に抵抗の高いＦ
ｅ、Ｎｉもしくはこれらの合金製のものが用いられてい
る。しかして、前記リード線６による電気的な接続、た
とえばリード線６と入出力端子５との接続は、次のよう
に行なわれている。つまり、外囲器４の一部を成す筒状
体４ａに貫挿配設されている板状の入出力端子５の面上
に、先端側が対接し得るように、予め折曲加工しである
リード線６を位置合せせし、この位置合せ領域に溶接電
極７を配置して所要の溶接処理を行い一体的に接合し、
電気的に接続している。第６図（パラレルギャップ溶接
）および第７図（シリーズ溶接）は上記溶接状態を示す
側面図である。
（発明が解決しようとする課題）
ところで、上記入出力端子５とリード線６との溶接接続
は、たとえばパラレルギャップ溶接の場合（第６図）、
リード線６上を対を成す電極７が共に押圧され電流７ａ
を流し、溶接局部を発熱させ、その発熱によって入出力
端子５とリード線６との界面が溶融されることによって
なされる。しかして、上記溶接における熱源としては、
電極７とリード線６との界面、リード線６自体、リード
線６と入出力端子５との界面及び入出力端子５「−１体
の電気抵抗値が関係している。特にリード線６自体の抵
抗値は上記発熱への影響力が大きいため、リード線６と
しては上記の如（Ｆｅ、Ｎｉなと比較的高抵抗の線が用
いられている。こうしたことはパラレルギャップ溶接の
場合に限らず、前記シリーズ溶接の場合（第７図）も同
様である。しかし、上記ｆＭ成のハイブリッドモジュー
ルには実用上次のような不都合が認められる。即ち、こ
の種のハイブリッドモジュールも厳しい環境で使用され
る場合が多くなり、例えば１５０℃、−５０℃の高温低
温サイクル試験に十分耐えうることを要求される場合が
しばしばある。しかるに、前記構成のハイブリッドモジ
ュールの場合には、前記高温低温サイクル試験において
、ハイブリッドモジュールの熱による膨張、収縮の繰返
しに伴い、時には前記内部リード線６の切断などが起こ
ることもあり、信頼性の点で問題がある。
は、たとえばパラレルギャップ溶接の場合（第６図）、
リード線６上を対を成す電極７が共に押圧され電流７ａ
を流し、溶接局部を発熱させ、その発熱によって入出力
端子５とリード線６との界面が溶融されることによって
なされる。しかして、上記溶接における熱源としては、
電極７とリード線６との界面、リード線６自体、リード
線６と入出力端子５との界面及び入出力端子５「−１体
の電気抵抗値が関係している。特にリード線６自体の抵
抗値は上記発熱への影響力が大きいため、リード線６と
しては上記の如（Ｆｅ、Ｎｉなと比較的高抵抗の線が用
いられている。こうしたことはパラレルギャップ溶接の
場合に限らず、前記シリーズ溶接の場合（第７図）も同
様である。しかし、上記ｆＭ成のハイブリッドモジュー
ルには実用上次のような不都合が認められる。即ち、こ
の種のハイブリッドモジュールも厳しい環境で使用され
る場合が多くなり、例えば１５０℃、−５０℃の高温低
温サイクル試験に十分耐えうることを要求される場合が
しばしばある。しかるに、前記構成のハイブリッドモジ
ュールの場合には、前記高温低温サイクル試験において
、ハイブリッドモジュールの熱による膨張、収縮の繰返
しに伴い、時には前記内部リード線６の切断などが起こ
ることもあり、信頼性の点で問題がある。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、外囲器壁を
貫挿配設された入出力端子とこの外囲内に封止されたハ
イブリッド回路本体との電気的な接続に、銅もしくは銅
合金を基材にし、この基材表面にＮｉ、Ｓｎもしくは半
田のメッキ層を被覆形成して成るリード線を用いたこと
を骨子とする。つまり、銅もしくは銅合金を基材にし、
この基材表面にＮｉ、Ｓｎもしくは半田のメッキ層を被
覆形成して成るリード線を用い、これを入出力端子とハ
イブリッド回路本体側の少なくともいずれか一方とは溶
接し、電気的接続を行ったことを特徴とする。
貫挿配設された入出力端子とこの外囲内に封止されたハ
イブリッド回路本体との電気的な接続に、銅もしくは銅
合金を基材にし、この基材表面にＮｉ、Ｓｎもしくは半
田のメッキ層を被覆形成して成るリード線を用いたこと
を骨子とする。つまり、銅もしくは銅合金を基材にし、
この基材表面にＮｉ、Ｓｎもしくは半田のメッキ層を被
覆形成して成るリード線を用い、これを入出力端子とハ
イブリッド回路本体側の少なくともいずれか一方とは溶
接し、電気的接続を行ったことを特徴とする。
（作 用）
上記のように、本発明によれば、入出力端子とハイブリ
ッド回路本体との電気的接続に銅もしくは銅合金を基材
にし、この基材表面にＮｉＳｎもしくは半田のメッキ層
を被覆形成して成るリード線を特に使用した（を成を採
っている。しかして、前記リード線に被覆形成されてい
るメッキ層は比較的高い抵抗値を何するため、電気溶接
にて容易に所要の溶接接続がなされるばかりでなく、リ
ード線自体はその基材が比較的柔軟性を何するため、例
えば高温低温サイクル試験などにおいても、ハイブリッ
ドモジュールを構成している樹脂製外囲器等の熱膨張や
収縮に順応する。従って、前記高温低温サイクル試験等
においてリード線の切断なども全面的に回避され、信頼
性が大幅に改善される。
ッド回路本体との電気的接続に銅もしくは銅合金を基材
にし、この基材表面にＮｉＳｎもしくは半田のメッキ層
を被覆形成して成るリード線を特に使用した（を成を採
っている。しかして、前記リード線に被覆形成されてい
るメッキ層は比較的高い抵抗値を何するため、電気溶接
にて容易に所要の溶接接続がなされるばかりでなく、リ
ード線自体はその基材が比較的柔軟性を何するため、例
えば高温低温サイクル試験などにおいても、ハイブリッ
ドモジュールを構成している樹脂製外囲器等の熱膨張や
収縮に順応する。従って、前記高温低温サイクル試験等
においてリード線の切断なども全面的に回避され、信頼
性が大幅に改善される。
（実施例）
以下本発明係るハイブリッドモジュールの主要部構成を
断面的に示す第１図乃至第３図を参照して本発明の詳細
な説明する。第１図において５はハイブリッドモジュー
ルの一部を成す外囲器４の側壁に貫挿配設された入出力
端子、８は前記外囲器４内に封止配設されたハイブリッ
ド回路本体２の入出力端子２ａと前記外囲器４に設けら
れた入出力端子５とを接続するリード線である。しかし
て、前記入出力端子５はたとえば、厚さ ０．８〜１
、０ｍｍのＦｅ板５ａ表面に直接またはＣｕメッキ層を
介して厚さ １〜２０μ程度のＳｎメッキ層５ｂが被覆
形成されたものである。一方前記リード線８はたとえば
、直径０．５ｉ１１の電気用軟鋼線８ａの表面に厚さ
１〜２０μ程度の半田メッキ層８ｂが被覆形成されたも
のである。また、第２図は前記外囲器４内に封止配設さ
れるハイブリッド回路本体２の端子２ａに前記リード線
８の他端側を溶接により接続した状態を一部断面的に示
したもので、これら入出力端子５およびハイブリッド回
路本体２の端子２ａとリード線８との各々の電気溶接は
、従来知られているパラレルギャップ溶接（第６図）や
シリーズ溶接（第７図）などによって行い古る。つまり
、前記入出力端子５またはハイブリッド回路本体２の端
子２ａに、前記リード線８の端部を位置合せし、この位
置合せした領域に一対の溶接電極を配設し、その一対の
溶接電極間に所要の電流を流すことによって、所要の溶
接を行い得る。電気用軟銅線自体は、電気抵抗値が低い
ため通常所要の電気溶接が不可能であるが、本発明で特
に使用した前記表面に半田メッキ層８ｂを被覆形成した
場合は、その半田メッキ層８ｂの電気抵抗により瞬時的
には１０００〜３０００℃程度の温度まで上昇する。つ
まり、溶接電極７とリード線８のメッキ層８ｂとの界面
及びリード線８のメッキ層８ｂと入出力端子５との界面
においては、前記メッキ層８ｂの発熱が大きくなり、そ
れら各接触界面の温度は１０００〜３０００℃程度に上
昇するので容易に所望の溶接が達成される。
断面的に示す第１図乃至第３図を参照して本発明の詳細
な説明する。第１図において５はハイブリッドモジュー
ルの一部を成す外囲器４の側壁に貫挿配設された入出力
端子、８は前記外囲器４内に封止配設されたハイブリッ
ド回路本体２の入出力端子２ａと前記外囲器４に設けら
れた入出力端子５とを接続するリード線である。しかし
て、前記入出力端子５はたとえば、厚さ ０．８〜１
、０ｍｍのＦｅ板５ａ表面に直接またはＣｕメッキ層を
介して厚さ １〜２０μ程度のＳｎメッキ層５ｂが被覆
形成されたものである。一方前記リード線８はたとえば
、直径０．５ｉ１１の電気用軟鋼線８ａの表面に厚さ
１〜２０μ程度の半田メッキ層８ｂが被覆形成されたも
のである。また、第２図は前記外囲器４内に封止配設さ
れるハイブリッド回路本体２の端子２ａに前記リード線
８の他端側を溶接により接続した状態を一部断面的に示
したもので、これら入出力端子５およびハイブリッド回
路本体２の端子２ａとリード線８との各々の電気溶接は
、従来知られているパラレルギャップ溶接（第６図）や
シリーズ溶接（第７図）などによって行い古る。つまり
、前記入出力端子５またはハイブリッド回路本体２の端
子２ａに、前記リード線８の端部を位置合せし、この位
置合せした領域に一対の溶接電極を配設し、その一対の
溶接電極間に所要の電流を流すことによって、所要の溶
接を行い得る。電気用軟銅線自体は、電気抵抗値が低い
ため通常所要の電気溶接が不可能であるが、本発明で特
に使用した前記表面に半田メッキ層８ｂを被覆形成した
場合は、その半田メッキ層８ｂの電気抵抗により瞬時的
には１０００〜３０００℃程度の温度まで上昇する。つ
まり、溶接電極７とリード線８のメッキ層８ｂとの界面
及びリード線８のメッキ層８ｂと入出力端子５との界面
においては、前記メッキ層８ｂの発熱が大きくなり、そ
れら各接触界面の温度は１０００〜３０００℃程度に上
昇するので容易に所望の溶接が達成される。
次に上記構成のハイブリッドモジュールに係る高温−低
温サイクル試験について説明する。試験試料として上記
構成のハイブリッドモジュールと従来のハイブリッドモ
ジュール（リード線がＦｅ線の場合）を用意し、１５０
℃−一５０℃の熱サイクル試験を行ったところ、本実施
例の場合はリード線の切断など全く認められなかった。
温サイクル試験について説明する。試験試料として上記
構成のハイブリッドモジュールと従来のハイブリッドモ
ジュール（リード線がＦｅ線の場合）を用意し、１５０
℃−一５０℃の熱サイクル試験を行ったところ、本実施
例の場合はリード線の切断など全く認められなかった。
このことは次の理由からも容易に理解し得る。つまり、
上記ハイブリッドモジュールは高温、低温に置かれた時
、樹脂製外囲器４およびリード線８等の線膨張差により
歪みを発生し変形する。しかして、この変形は複雑であ
るが、便宜上第４図に模式的に示す如く入出力端子５は
外囲器４に追随して矢印Ａ方向に移動し、リード線８は
上下方向（矢印Ｂ）に伸縮するとすれば、リード線８の
付根部分りに生ずる応力σは次式で示される。
上記ハイブリッドモジュールは高温、低温に置かれた時
、樹脂製外囲器４およびリード線８等の線膨張差により
歪みを発生し変形する。しかして、この変形は複雑であ
るが、便宜上第４図に模式的に示す如く入出力端子５は
外囲器４に追随して矢印Ａ方向に移動し、リード線８は
上下方向（矢印Ｂ）に伸縮するとすれば、リード線８の
付根部分りに生ずる応力σは次式で示される。
σ−３２Ｊ２／πｄ ’ Ｘ ３．Ｅ、１．△Ｓ／β
３（式中△Ｓは変位量、Ｅはヤング率） つまり２種の祠料が同一の形状、寸法で同一変位を呈し
た時に生ずる応力はヤング率の関数となる。
３（式中△Ｓは変位量、Ｅはヤング率） つまり２種の祠料が同一の形状、寸法で同一変位を呈し
た時に生ずる応力はヤング率の関数となる。
ところで、ＦｅおよびＣｕのヤング率は各々約２１．１
００．１１．９００（ｋｇｌ／ ｌイ）である故、１１
．９００／２１．１００ ：０．５８となりリード線８
をＦｅ系からＣｕ系に変更したことにより応力は約５６
％に低減する。
００．１１．９００（ｋｇｌ／ ｌイ）である故、１１
．９００／２１．１００ ：０．５８となりリード線８
をＦｅ系からＣｕ系に変更したことにより応力は約５６
％に低減する。
なお、上記構成例では、リード線８としてメッキ層８ｂ
が半［１１の場合を示したが、このメッキ層８ｂはＳｎ
やＮｉであってもよく、また、基祠は電気用軟鋼線８ａ
の代りに銅合金等でもよい。更に、入出力端子５とリー
ド線８との溶接接続は、たとえば第３図に一部断面的に
示す（１１１成で行っても勿論差支えない。
が半［１１の場合を示したが、このメッキ層８ｂはＳｎ
やＮｉであってもよく、また、基祠は電気用軟鋼線８ａ
の代りに銅合金等でもよい。更に、入出力端子５とリー
ド線８との溶接接続は、たとえば第３図に一部断面的に
示す（１１１成で行っても勿論差支えない。
［発明の効果］
上記説明からも分るように、本発明に係るハイブリッド
モジュールは、外囲器内にあって入出力端子とハイブリ
ッド回路本体の端子とのリード接続において確実な接続
がなされているとともに高温−低温サイクルに対しても
、安定した状態で所要の電気的な接続を保持しうる。か
くして本発明のハイブリッドモジュールは、外囲器内お
ける電気的接続の安定性乃至信頼性の高さ、さらに量産
における歩留の改善、向上等にも大きく寄与しうるもの
と言える。
モジュールは、外囲器内にあって入出力端子とハイブリ
ッド回路本体の端子とのリード接続において確実な接続
がなされているとともに高温−低温サイクルに対しても
、安定した状態で所要の電気的な接続を保持しうる。か
くして本発明のハイブリッドモジュールは、外囲器内お
ける電気的接続の安定性乃至信頼性の高さ、さらに量産
における歩留の改善、向上等にも大きく寄与しうるもの
と言える。
第１図乃至第３図は本発明に係るハイブリッドモジュー
ルの主要（Ｉ■成部を示す一部断面図、第４図は本発明
に係るハイブリッドモジュールの効果を説明するための
模式図、第５図はのハイブリッドモジュールの内部構成
例を示す斜視図、第６図および第７図は従来のハイブリ
ッドモジュールのリード接続構成を説明するための模式
的な一部断面図ある。 ２ ・・・ハイブリッド回路本体 ２ａ ・・・ハイブリッド回路本体の端子４ ・・・
外囲器 ５ ・・・入出力端子 ８ ・・・リード線 ８ａ・・・リード線基材（銅系線） ８ｂ・・・リード線基材（ｍ系線）被覆メッキ層出願人
株式会社 東芝
ルの主要（Ｉ■成部を示す一部断面図、第４図は本発明
に係るハイブリッドモジュールの効果を説明するための
模式図、第５図はのハイブリッドモジュールの内部構成
例を示す斜視図、第６図および第７図は従来のハイブリ
ッドモジュールのリード接続構成を説明するための模式
的な一部断面図ある。 ２ ・・・ハイブリッド回路本体 ２ａ ・・・ハイブリッド回路本体の端子４ ・・・
外囲器 ５ ・・・入出力端子 ８ ・・・リード線 ８ａ・・・リード線基材（銅系線） ８ｂ・・・リード線基材（ｍ系線）被覆メッキ層出願人
株式会社 東芝
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 厚膜基板にＩＣ素子を実装して成るハイブリッド回路本
体と、 前記ハイブリッド回路本体を封止内装する樹脂製の外囲
器と、 前記外囲器壁を貫挿配設された入出力端子と、前記外囲
器内にあってハイブリッド回路本体端子および入出力端
子を電気的に接続する銅系のリード線とを具備して成り
、 前記銅系のリード線は表面にＮｉ，Ｓｎもしくは半田の
メッキ層が被覆形成されかつ少なくとも一方の前記電気
的接続が溶接によって成されていることを特徴とするハ
イブリッドモジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63302023A JP2538657B2 (ja) | 1988-11-29 | 1988-11-29 | ハイブリッドモジュ―ル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63302023A JP2538657B2 (ja) | 1988-11-29 | 1988-11-29 | ハイブリッドモジュ―ル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02148794A true JPH02148794A (ja) | 1990-06-07 |
| JP2538657B2 JP2538657B2 (ja) | 1996-09-25 |
Family
ID=17903965
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63302023A Expired - Fee Related JP2538657B2 (ja) | 1988-11-29 | 1988-11-29 | ハイブリッドモジュ―ル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2538657B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04206492A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 正抵抗温度係数発熱体 |
| KR960003516A (ko) * | 1994-06-10 | 1996-01-26 | 서두칠 | 레이저 용접을 이용한 니켈스트립 연결방법 |
| JP2000195598A (ja) * | 1998-12-25 | 2000-07-14 | Fujitsu Ten Ltd | コネクタと基板の接続構造 |
| EP2285197A1 (de) * | 2009-07-17 | 2011-02-16 | Automotive Lighting Reutlingen GmbH | Verfahren zur Verbindung eines elektronischen Bauteils mit einer Leiterplatte |
-
1988
- 1988-11-29 JP JP63302023A patent/JP2538657B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04206492A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 正抵抗温度係数発熱体 |
| KR960003516A (ko) * | 1994-06-10 | 1996-01-26 | 서두칠 | 레이저 용접을 이용한 니켈스트립 연결방법 |
| JP2000195598A (ja) * | 1998-12-25 | 2000-07-14 | Fujitsu Ten Ltd | コネクタと基板の接続構造 |
| EP2285197A1 (de) * | 2009-07-17 | 2011-02-16 | Automotive Lighting Reutlingen GmbH | Verfahren zur Verbindung eines elektronischen Bauteils mit einer Leiterplatte |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2538657B2 (ja) | 1996-09-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN100449811C (zh) | 热电变换装置 | |
| CN1322524C (zh) | 熔断器、使用该熔断器的电池组及制造该熔断器的方法 | |
| JP4699351B2 (ja) | 外部コネクタ・ピンを備える光起電力モジュール | |
| WO2022111163A1 (zh) | 半导体设备组件、压接式功率半导体模块及制造方法 | |
| JPH0318010A (ja) | ヒューズ付きコンデンサ及びその組立に使用されるリードフレーム | |
| EP0259446A1 (en) | Lead frame having non-conductive tie-bar for use in integrated circuit packages | |
| JPH02148794A (ja) | ハイブリッドモジュール | |
| US6071557A (en) | Cell with a cladding material including a stainless-steel plate and an aluminum plate | |
| US20220395692A1 (en) | In Situ Welding for Feedthrough Pad Attachment | |
| JPH0817870A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2621828B2 (ja) | 圧電発振器 | |
| JPH034556A (ja) | ハイブリッドモジュールのリード接続方法 | |
| JP2666988B2 (ja) | リード接続方法 | |
| JP4329187B2 (ja) | 半導体素子 | |
| JPH05259346A (ja) | ハイブリッドモジュール | |
| JPH0344954A (ja) | ハイブリッドモジュールのリード接続方法 | |
| JPH02244530A (ja) | 基板型温度ヒューズ及びその製造方法 | |
| JPS5989448A (ja) | 電子装置用リ−ドフレ−ム | |
| JP3325804B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH08321578A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6266643A (ja) | 半導体装置 | |
| CN101320781A (zh) | 热电变换装置 | |
| JP2728036B2 (ja) | 圧電振動子の製造方法 | |
| KR810001418Y1 (ko) | 반도체 장치 | |
| JPH0456120A (ja) | チップ型コンデンサの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |