JPH02155232A - エッチング方法 - Google Patents
エッチング方法Info
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- JPH02155232A JPH02155232A JP30893388A JP30893388A JPH02155232A JP H02155232 A JPH02155232 A JP H02155232A JP 30893388 A JP30893388 A JP 30893388A JP 30893388 A JP30893388 A JP 30893388A JP H02155232 A JPH02155232 A JP H02155232A
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Landscapes
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- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
１！よ例秤反九夏
本発明は塩酸系エツチング液を使用したエツチング方法
に関する。
に関する。
の び べき
半導体チップの製造には現在種々のエツチング法が使用
されている０例えば、ショットキバリアダイオードでは
、Ｍｏ（モリブデン）から成る第一の金属層の上面に他
の金属材料から成る第二の金属層を形成し、第二の金属
層の一部をエツチングで選択的に除去することがある。
されている０例えば、ショットキバリアダイオードでは
、Ｍｏ（モリブデン）から成る第一の金属層の上面に他
の金属材料から成る第二の金属層を形成し、第二の金属
層の一部をエツチングで選択的に除去することがある。
この場合、エツチング液としては第二の金属層を溶解し
、Ｍ。
、Ｍ。
から成る第一の金属層を溶解しないことが要求される。
周知のように、Ｍｏは塩酸及び弗酸に不溶である。した
がって、従来では塩酸系又は弗酸系エツチング液を使用
していた。しかしながら、ＭＣＩ（塩酸）とＨｉｓ２（
過酸化水素）とを混合して成る塩酸系エツチング液では
、Ｍｏから成る第一の金属層を若干エツチングする欠点
がある。また。
がって、従来では塩酸系又は弗酸系エツチング液を使用
していた。しかしながら、ＭＣＩ（塩酸）とＨｉｓ２（
過酸化水素）とを混合して成る塩酸系エツチング液では
、Ｍｏから成る第一の金属層を若干エツチングする欠点
がある。また。
ＨＦ（弗酸）とＨ，Ｏ，とを混合して成る弗酸系エツチ
ング液は浸透性が強く、ピンホール等があると、第一の
金属層を通過して所望しない下層までエツチングして製
品不良の原因となる。このように、全く問題のない実用
的な化学的エツチング法を見出せないのが実状である。
ング液は浸透性が強く、ピンホール等があると、第一の
金属層を通過して所望しない下層までエツチングして製
品不良の原因となる。このように、全く問題のない実用
的な化学的エツチング法を見出せないのが実状である。
そこで、本発明は上記の問題を解決するエツチング方法
を提供することを目的とする。
を提供することを目的とする。
る二めの
本発明のエツチング方法によれば、モリブデンを主成分
とする第一の金属層の主面に塩酸系のエツチング液で溶
解可能な第二の金属層を形成した被エツチング材を用意
し、アンチモンを含む塩酸系エツチング液で第一の金属
層を実質的に除去せずに第二の金屑層の一部又は全部を
選択的に除去する。
とする第一の金属層の主面に塩酸系のエツチング液で溶
解可能な第二の金属層を形成した被エツチング材を用意
し、アンチモンを含む塩酸系エツチング液で第一の金属
層を実質的に除去せずに第二の金屑層の一部又は全部を
選択的に除去する。
遭Ｌｌ
アンチモンを含む塩酸系のエツチング液は、塩酸系エツ
チング液に溶解する第二の金属層を溶解する作用がある
反面、モリブデンを主成分とする第一の金属層を実質的
に溶解しない、したがって。
チング液に溶解する第二の金属層を溶解する作用がある
反面、モリブデンを主成分とする第一の金属層を実質的
に溶解しない、したがって。
第一の金属層を実質的に除去することなく塩酸系エツチ
ング液に溶解する第二の金属層の一部又は全部を選択的
に除去することができる。
ング液に溶解する第二の金属層の一部又は全部を選択的
に除去することができる。
夾−１−涯
第１図について本発明の一実施例を以下に説明する。
本実施例のショットキバリアダイオードは、第１図（ｄ
）に示すように、半導体基体（１）と、その上面（主面
）に形成されたシリコン酸化膜（２）と、バリア電極と
してのＭｏ（モリブデン）層（３）と、接続電極として
のＮｉにッケル）層（４）とを有する。
）に示すように、半導体基体（１）と、その上面（主面
）に形成されたシリコン酸化膜（２）と、バリア電極と
してのＭｏ（モリブデン）層（３）と、接続電極として
のＮｉにッケル）層（４）とを有する。
第１図（ｄ）のショットキバリアダイオードを形成する
には、まず、第１図（ａ）に示すように、選択的にシリ
コン酸化膜（２）の形成されたｎ形シリコンから成る半
導体基体（１）の上面全体に、第一の金属層としてのＭ
ｏ層（３）と、第二の金属層としてのＮｉ層（４）とを
真空蒸着で順次形成して被エツチング材を得る。次に、
第１図（ｂ）に示すように、残存すべきＮｉ層（４）の
上面にフォトレジスト（５）を形成し、フォトレジスト
（５）で被覆されないＮｉ層（４）をエツチングで除去
する０本実施例では、Ｎｉ層（４）のエツチングに使用
するエツチング液として従来と異なり、ｓｂ（アンチモ
ン）を含む塩酸系エツチング液を使用する点に注意すべ
きである。即ち、本実施例のエツチング液は、濃度３６
重量％のＨＣＩ（塩酸）５０＋＊Ｑと、Ｈ２Ｏ（水）１
０ｏｍＩｌと、濃度３１重量％のＨ２Ｏ２（過酸化水素
） ２ｍＩ２から成る塩酸系エツチング液に５ｇの５ｂ
Ｃ１，（塩化アンチモン）を含有させて成る。したがっ
て、本実施例のエツチング液は容量比でＨＣＩ ： Ｈ
，Ｏ：Ｈ２Ｏ，＝５０：１００：２の塩素系エツチング
液ＩＱにつき約３３ｇの５ｂｃｔ、（塩化アンチモン）
を含有している。
には、まず、第１図（ａ）に示すように、選択的にシリ
コン酸化膜（２）の形成されたｎ形シリコンから成る半
導体基体（１）の上面全体に、第一の金属層としてのＭ
ｏ層（３）と、第二の金属層としてのＮｉ層（４）とを
真空蒸着で順次形成して被エツチング材を得る。次に、
第１図（ｂ）に示すように、残存すべきＮｉ層（４）の
上面にフォトレジスト（５）を形成し、フォトレジスト
（５）で被覆されないＮｉ層（４）をエツチングで除去
する０本実施例では、Ｎｉ層（４）のエツチングに使用
するエツチング液として従来と異なり、ｓｂ（アンチモ
ン）を含む塩酸系エツチング液を使用する点に注意すべ
きである。即ち、本実施例のエツチング液は、濃度３６
重量％のＨＣＩ（塩酸）５０＋＊Ｑと、Ｈ２Ｏ（水）１
０ｏｍＩｌと、濃度３１重量％のＨ２Ｏ２（過酸化水素
） ２ｍＩ２から成る塩酸系エツチング液に５ｇの５ｂ
Ｃ１，（塩化アンチモン）を含有させて成る。したがっ
て、本実施例のエツチング液は容量比でＨＣＩ ： Ｈ
，Ｏ：Ｈ２Ｏ，＝５０：１００：２の塩素系エツチング
液ＩＱにつき約３３ｇの５ｂｃｔ、（塩化アンチモン）
を含有している。
本実施例のエツチング液によれば、エツチング温度を３
０℃としたとき、厚さ約５０００人のＮｉ層（４）のエ
ツチングを約３分３５秒で完了することができた。また
、厚さ約３０００人のＭｏ層（３）は、３０分の時間を
費やしても実質的にエツチングされなかった。
０℃としたとき、厚さ約５０００人のＮｉ層（４）のエ
ツチングを約３分３５秒で完了することができた。また
、厚さ約３０００人のＭｏ層（３）は、３０分の時間を
費やしても実質的にエツチングされなかった。
前記の表に示すエツチング試験の結果から明らかなよう
に、試料番号■に示す従来のエツチング液はＮｉ層（４
）を短時間でエツチングできるが、Ｎｉ層（４）とＭｏ
層（３）とのエッチレート（エツチング時間）の差が小
さく実用上望ましくない。
に、試料番号■に示す従来のエツチング液はＮｉ層（４
）を短時間でエツチングできるが、Ｎｉ層（４）とＭｏ
層（３）とのエッチレート（エツチング時間）の差が小
さく実用上望ましくない。
また、試料番号■に示す従来のエツチング液はＮｉ層（
４）を短時間でエツチングし、かつＭａｉｌ（３）を実
質的にエツチングしない点では望ましい、しかし、この
エツチング液は浸透性が強いため、Ｍｏ層（３）にピン
ホール等があると、そこからエツチング液が浸入してシ
リコン酸化膜（２）を浸食し、Ｍｏ層（３）をシリコン
酸化ＩＩ （２）から剥離させる難点のあることが判明
した。
４）を短時間でエツチングし、かつＭａｉｌ（３）を実
質的にエツチングしない点では望ましい、しかし、この
エツチング液は浸透性が強いため、Ｍｏ層（３）にピン
ホール等があると、そこからエツチング液が浸入してシ
リコン酸化膜（２）を浸食し、Ｍｏ層（３）をシリコン
酸化ＩＩ （２）から剥離させる難点のあることが判明
した。
試料番号■に示す本実施例の塩酸系エツチング液はｓｂ
を含有するため、Ｎｉ層（４）を比較的短時間でエツチ
ングし、かつ、Ｍｏ層（３）を実質的にエツチングしな
い、更に、このエツチング液は実質的にＭｏ層（３）に
浸透しないし塩酸系のエツチング液のためシリコン半導
体基体（１）及びシリコン酸化膜（２）を浸食しない。
を含有するため、Ｎｉ層（４）を比較的短時間でエツチ
ングし、かつ、Ｍｏ層（３）を実質的にエツチングしな
い、更に、このエツチング液は実質的にＭｏ層（３）に
浸透しないし塩酸系のエツチング液のためシリコン半導
体基体（１）及びシリコン酸化膜（２）を浸食しない。
また、Ｈ，０２の含有量を変えることにより、Ｎｉ層（
４）のエツチング時間をｗ！４！Ｓ１できる。Ｈ２Ｏ２
の含有量を１．５履旦としたときは、Ｎｉ層（４）のエ
ツチング時間が増加して約４分となることが確認できた
。
４）のエツチング時間をｗ！４！Ｓ１できる。Ｈ２Ｏ２
の含有量を１．５履旦としたときは、Ｎｉ層（４）のエ
ツチング時間が増加して約４分となることが確認できた
。
Ｎ、を層（４）のエツチング完了後、フォトレジスト（
５）を除去して、別のフォトレジスト（６）をＮｉ層（
４）の上面と残存すべきＭｏ層（３）の上面に塗布し１
周知の硝酸系のエツチング液でＭｏ層（３）を第１図（
ｃ）のように除去する。
５）を除去して、別のフォトレジスト（６）をＮｉ層（
４）の上面と残存すべきＭｏ層（３）の上面に塗布し１
周知の硝酸系のエツチング液でＭｏ層（３）を第１図（
ｃ）のように除去する。
更に、フォトレジスト（６）を除去して第１図（ｄ）に
示すショットキバリアダイオードを得る６上述のように
、本実施例は半導体素子において、Ｍｏ層（３）の上面
に形成されたＮｉ層（４）を選択的にエツチングする方
法として最適である。
示すショットキバリアダイオードを得る６上述のように
、本実施例は半導体素子において、Ｍｏ層（３）の上面
に形成されたＮｉ層（４）を選択的にエツチングする方
法として最適である。
また、アンチモンを含有した塩酸系エツチング液を得る
には種々の方法があるが、塩酸系エツチング液であるか
ら、塩酸系エツチング液に塩化アンチモンの形でアンチ
モンを加えて得るのがよい。
には種々の方法があるが、塩酸系エツチング液であるか
ら、塩酸系エツチング液に塩化アンチモンの形でアンチ
モンを加えて得るのがよい。
塩酸系のエツチング液中のアンチモンの含有量は少なす
ぎるとＮｉ層（４）とＭｏ層（３）のエッチレートが小
さくなり、また、多すぎるとアンチモンがエツチング液
に良好に溶解しない、したがって、アンチモンの含有量
は５ｂＣ１３に換算して塩酸系エツチング液ＩＱにつき
１０〜６０ｇ望ましくは２０〜５０ｇ含有させるのがよ
い。
ぎるとＮｉ層（４）とＭｏ層（３）のエッチレートが小
さくなり、また、多すぎるとアンチモンがエツチング液
に良好に溶解しない、したがって、アンチモンの含有量
は５ｂＣ１３に換算して塩酸系エツチング液ＩＱにつき
１０〜６０ｇ望ましくは２０〜５０ｇ含有させるのがよ
い。
上記の実施例では本発明をショットキバリアダイオード
について説明したが、ショットキバリアダイオード以外
の半導体装置や半導体装置以外のエツチングにも有効で
ある。
について説明したが、ショットキバリアダイオード以外
の半導体装置や半導体装置以外のエツチングにも有効で
ある。
見肚座級来
上述のように、本発明によればモリブデンを主成分とす
る第一の金属層を実質的にエツチングせずに、モリブデ
ン以外を主成分としかつ塩素系エツチング液でエツチン
グ可能な第二の金属層を選択的かつ良好にエツチング除
去できる。したがって、半導体装置の製造等に大きな工
業的利益が得られる。
る第一の金属層を実質的にエツチングせずに、モリブデ
ン以外を主成分としかつ塩素系エツチング液でエツチン
グ可能な第二の金属層を選択的かつ良好にエツチング除
去できる。したがって、半導体装置の製造等に大きな工
業的利益が得られる。
第１図はショットキバリアダイオードの製造状態を示す
工程図である。 （１）、、半導体基体、 （２）、、シリコン酸化膜
、 （３）、、ＭＯ層（第一の金属層）、（４）、、
Ｎｉ層（第二の金属層）、 特許出願人 サンケン電気株式会社 代 理 人 清水陽−（ほか１名）
工程図である。 （１）、、半導体基体、 （２）、、シリコン酸化膜
、 （３）、、ＭＯ層（第一の金属層）、（４）、、
Ｎｉ層（第二の金属層）、 特許出願人 サンケン電気株式会社 代 理 人 清水陽−（ほか１名）
Claims (1)
- モリブデンを主成分とする第一の金属層の主面に塩酸系
のエッチング液で溶解可能な第二の金属層を形成した被
エッチング材を用意し、アンチモンを含む塩酸系エッチ
ング液で第一の金属層を実質的に除去せずに第二の金属
層の一部又は全部を選択的に除去することを特徴とする
エッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30893388A JPH02155232A (ja) | 1988-12-08 | 1988-12-08 | エッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30893388A JPH02155232A (ja) | 1988-12-08 | 1988-12-08 | エッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02155232A true JPH02155232A (ja) | 1990-06-14 |
| JPH0519301B2 JPH0519301B2 (ja) | 1993-03-16 |
Family
ID=17987019
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30893388A Granted JPH02155232A (ja) | 1988-12-08 | 1988-12-08 | エッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02155232A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6997985B1 (en) | 1993-02-15 | 2006-02-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor, semiconductor device, and method for fabricating the same |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103617952B (zh) * | 2013-11-29 | 2016-08-17 | 中国电子科技集团公司第四十七研究所 | 二极管湿法刻蚀方法 |
-
1988
- 1988-12-08 JP JP30893388A patent/JPH02155232A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6997985B1 (en) | 1993-02-15 | 2006-02-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor, semiconductor device, and method for fabricating the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0519301B2 (ja) | 1993-03-16 |
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