JPH02165206A - 傾き制御装置 - Google Patents
傾き制御装置Info
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- JPH02165206A JPH02165206A JP63321023A JP32102388A JPH02165206A JP H02165206 A JPH02165206 A JP H02165206A JP 63321023 A JP63321023 A JP 63321023A JP 32102388 A JP32102388 A JP 32102388A JP H02165206 A JPH02165206 A JP H02165206A
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- magnetic flux
- control device
- tilt control
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は微小物体の加工、計測２位置決めに際し、前記
物体の傾きを制御する傾き制御装置に関するものである
。
物体の傾きを制御する傾き制御装置に関するものである
。
従来の技術
近年、微小物体などを精密に加工、計測するために高精
度に位置決めする方法及び装置が求められている。以下
位置決め装置の１つである傾き制？Ｏ装置について図面
を参照しながら説明する。
度に位置決めする方法及び装置が求められている。以下
位置決め装置の１つである傾き制？Ｏ装置について図面
を参照しながら説明する。
第８図は従来の傾き制御装置の基本構成図であり、第９
図は第８図においてＡ−Ｂ線の断面図である。第８図に
おいて１１０は台、１１１は平面板、１１２〜１１５は
ボルト、１１６は被傾き制御物である。台１１０と平面
板１１１はボルト１１２〜１１５により固定され、ボル
ト１１２〜１１５を回すことにより平面板１１１とボル
ト１１２〜１１５との接合部の高さを調節する。各ポル
）１１２〜１１５の接合部の高さを調節することにより
平面板１１１に傾きを与え被傾き制御物の傾きを制御す
る。
図は第８図においてＡ−Ｂ線の断面図である。第８図に
おいて１１０は台、１１１は平面板、１１２〜１１５は
ボルト、１１６は被傾き制御物である。台１１０と平面
板１１１はボルト１１２〜１１５により固定され、ボル
ト１１２〜１１５を回すことにより平面板１１１とボル
ト１１２〜１１５との接合部の高さを調節する。各ポル
）１１２〜１１５の接合部の高さを調節することにより
平面板１１１に傾きを与え被傾き制御物の傾きを制御す
る。
発明が解決しようとする課題
前記した従来の傾き制御装置では、傾き制御はボルト１
１２〜１１５を回すことにより行っていたため精度がわ
るく、デジタル的に制御が不可能である。また、台１１
０．平面台１１１．ボルト１１２〜１１５が接触してい
るために、接触部が腐食したり、ボルトが回りにくくな
ったりする問題点を有していた。
１２〜１１５を回すことにより行っていたため精度がわ
るく、デジタル的に制御が不可能である。また、台１１
０．平面台１１１．ボルト１１２〜１１５が接触してい
るために、接触部が腐食したり、ボルトが回りにくくな
ったりする問題点を有していた。
本発明は上記問題点を鑑み、磁束を制御することにより
被傾き制御の傾きを制御することができる傾き制御装置
を提供するものである。
被傾き制御の傾きを制御することができる傾き制御装置
を提供するものである。
課題を解決するための手段
上記課題を解決するために本発明の傾き制御装置は、少
なくとも第１の信号印加端子と第２の信号印加端子を存
し、マトリックス状に配置された複数のマイスナー効果
を有する電極からなる磁束制＜１１手段と、前記信号印
加端子に印加する信号を発生する信号発生手段と、前記
信号発生手段が発生する信号を前記信号印加端子に伝達
するための接続配線とを具備する第１の位置制御と、第
１の位置制御の上方または下方に位置し、複数の磁束発
生手段が平面を有する基板に取り付けられた第２の磁束
制御手段を具備する構成となっている。
なくとも第１の信号印加端子と第２の信号印加端子を存
し、マトリックス状に配置された複数のマイスナー効果
を有する電極からなる磁束制＜１１手段と、前記信号印
加端子に印加する信号を発生する信号発生手段と、前記
信号発生手段が発生する信号を前記信号印加端子に伝達
するための接続配線とを具備する第１の位置制御と、第
１の位置制御の上方または下方に位置し、複数の磁束発
生手段が平面を有する基板に取り付けられた第２の磁束
制御手段を具備する構成となっている。
作用
本発明は、上記した構成によって、複数の前記マイスナ
ー効果を有する電極をマトリックス状に配置し、各電極
に信号印加端子から電流を印加できるようにする。電流
無印加状態では各電極はマイスナー効果により磁束を遮
へいする。また、臨界電流以上の電流を印加した場合に
は、マイスナー効果が低減あるいは除去され磁束は前記
電極を透過するようになる。前記第１の位置制御手段は
、外部から任意の電極に選択的に電流を印加できるよう
に構成しているのでマトリックス状の任意の位置の磁束
を透過させることができる。
ー効果を有する電極をマトリックス状に配置し、各電極
に信号印加端子から電流を印加できるようにする。電流
無印加状態では各電極はマイスナー効果により磁束を遮
へいする。また、臨界電流以上の電流を印加した場合に
は、マイスナー効果が低減あるいは除去され磁束は前記
電極を透過するようになる。前記第１の位置制御手段は
、外部から任意の電極に選択的に電流を印加できるよう
に構成しているのでマトリックス状の任意の位置の磁束
を透過させることができる。
したがって、この第１の位置制御手段の上方または下方
に位置する第２の位置制御手段との間に任意の位置で磁
束遮へい部と透過部が形成され第２の位置制御手段は任
意の傾きをもつことになる。
に位置する第２の位置制御手段との間に任意の位置で磁
束遮へい部と透過部が形成され第２の位置制御手段は任
意の傾きをもつことになる。
実施例
以下、第１の発明の傾き制御装置の一実施例について図
面を参照しながら説明する。
面を参照しながら説明する。
第１図（ａ）は第１の発明に係る１頃き制御装置の一実
施例の平面図を示すものである。第１図（ｂ）は第１図
（ａ）のＡ−Ｂ線での断面図である。１は第１の傾き制
御基板、２は第２の傾き制御基板、１３゜１４．１５は
永久磁石、５は被傾き制御物、８゜１０．１２は信号線
、７，９．１１は第１の傾き制御基板上のマイスナー効
果を有する超電導材料からなる電極がマトリックス状に
形成された磁束制御部、３は磁束制御部に形成されたＸ
方向への信号線への信号印加を制御するためのＸ方向信
号印加ＩＣ１４は磁束制御部に形成されたＹ方向の信号
線への信号印加を制御するためのＹ方向信号印加ＩＣで
ある。なお第１図（ｂ）において作図を容易にするため
に磁束制御部の電極等は個数を少なく簡易に描いている
。第１図（Ｃ）は第１の傾き制御基板の平面図である。
施例の平面図を示すものである。第１図（ｂ）は第１図
（ａ）のＡ−Ｂ線での断面図である。１は第１の傾き制
御基板、２は第２の傾き制御基板、１３゜１４．１５は
永久磁石、５は被傾き制御物、８゜１０．１２は信号線
、７，９．１１は第１の傾き制御基板上のマイスナー効
果を有する超電導材料からなる電極がマトリックス状に
形成された磁束制御部、３は磁束制御部に形成されたＸ
方向への信号線への信号印加を制御するためのＸ方向信
号印加ＩＣ１４は磁束制御部に形成されたＹ方向の信号
線への信号印加を制御するためのＹ方向信号印加ＩＣで
ある。なお第１図（ｂ）において作図を容易にするため
に磁束制御部の電極等は個数を少なく簡易に描いている
。第１図（Ｃ）は第１の傾き制御基板の平面図である。
６は磁束制御部、１６〜２４は電極、２５゜２６．２７
はＸ方向信号線、２８，２９．３０はＸ方向信号線であ
る。第１図（Ｃ）より明らかなように磁束制御部６はＸ
方向信号線２５，２６，２７、Ｘ方向信号線２Ｂ、２９
．３０および前記信号線に接続された矩形の電極をマト
リックス状に配置することにより形成する。なお第１図
（Ｃ）において作図を容易にするために磁束制御部の電
極等は個数を少なく、また簡易に描いている。
はＸ方向信号線、２８，２９．３０はＸ方向信号線であ
る。第１図（Ｃ）より明らかなように磁束制御部６はＸ
方向信号線２５，２６，２７、Ｘ方向信号線２Ｂ、２９
．３０および前記信号線に接続された矩形の電極をマト
リックス状に配置することにより形成する。なお第１図
（Ｃ）において作図を容易にするために磁束制御部の電
極等は個数を少なく、また簡易に描いている。
更に本発明の傾き制御装置の構成を詳細に説明するため
に第２図から第４図を用いて説明する。
に第２図から第４図を用いて説明する。
第２図は磁束制御部６の一部拡大平面図である。
第２図において０１〜Ｇ４はＸ方向信号線、Ｓ。
〜Ｓ４はＸ方向信号線、Ｐ、〜Ｐ１４は超電導材料から
なる電極（以後、反磁性電極と呼ぶ）、ｄＳｚ〜ｄｓ＋
ａおよびｄｍｌ ｌ 〜ｄ ｍ ３３はＸ−Ｙ信号線と
反磁性電極を接続するための信号印加端子である。
なる電極（以後、反磁性電極と呼ぶ）、ｄＳｚ〜ｄｓ＋
ａおよびｄｍｌ ｌ 〜ｄ ｍ ３３はＸ−Ｙ信号線と
反磁性電極を接続するための信号印加端子である。
また、第３図（ａ）は第２図Ａ−Ａ ’線での断面図、
第３図（ｂ）は第２図Ｂ−Ｂ ’線での断面図、第３図
（Ｃ）は第２図ｃ−ｃ ’線での断面図である。第３図
において、４０は反磁性電極上に形成された保護膜、４
１はＳｉＮｘ、Ｓｉｎ、などの絶縁物資からなる絶縁体
層、４２はＸ方向信号線とＸ方向信号線の交差部に形成
され、前記信号線間に短絡が生じないように形成された
絶縁物質からなる絶縁体膜である。第２図および第３図
から明らかなように磁束制御部６の形成方法としてはＸ
−Ｘ方向信号線を形成し、前記信号線上に絶縁体層を形
成する。次に前記絶縁体層にコンタクトホールを形成し
、反磁性電極を可能な限り隣接反磁性電極との間隔が小
さくなるように形成する。最後に保護膜を形成すること
により完成する。
第３図（ｂ）は第２図Ｂ−Ｂ ’線での断面図、第３図
（Ｃ）は第２図ｃ−ｃ ’線での断面図である。第３図
において、４０は反磁性電極上に形成された保護膜、４
１はＳｉＮｘ、Ｓｉｎ、などの絶縁物資からなる絶縁体
層、４２はＸ方向信号線とＸ方向信号線の交差部に形成
され、前記信号線間に短絡が生じないように形成された
絶縁物質からなる絶縁体膜である。第２図および第３図
から明らかなように磁束制御部６の形成方法としてはＸ
−Ｘ方向信号線を形成し、前記信号線上に絶縁体層を形
成する。次に前記絶縁体層にコンタクトホールを形成し
、反磁性電極を可能な限り隣接反磁性電極との間隔が小
さくなるように形成する。最後に保護膜を形成すること
により完成する。
第４図は磁束制御ｎ部６に信号印加１ｃ３．４を接続し
た場合の等価回路図である。なお前記ＩＣは流れ出す電
流（以後、十電流と呼ぶ）、流れ込む電ｉ！（以後−電
流と呼ぶ）を任意の信号線に印加する機能および電流の
人出を停止（以後、オープン状態と呼ぶ）させる機能を
もつ。第４図から明らかなように、各反磁性電極はｄＳ
、、、およびｄｍｍａ（但し、ｍ、ｎは整数）の２つの
信号印加端子を有し、前記信号印加端子はそれぞれＸ方
向信号線およびＸ方向信号線に接続されている。
た場合の等価回路図である。なお前記ＩＣは流れ出す電
流（以後、十電流と呼ぶ）、流れ込む電ｉ！（以後−電
流と呼ぶ）を任意の信号線に印加する機能および電流の
人出を停止（以後、オープン状態と呼ぶ）させる機能を
もつ。第４図から明らかなように、各反磁性電極はｄＳ
、、、およびｄｍｍａ（但し、ｍ、ｎは整数）の２つの
信号印加端子を有し、前記信号印加端子はそれぞれＸ方
向信号線およびＸ方向信号線に接続されている。
以上のように構成された磁束制御部について、以下図面
を用いてその動作について説明する。第５図および第６
図は磁束制御部の動作を説明するための説明図を示すも
のであって、ここでは反磁性電極Ｐ。を制御する方法に
ついて説明する。
を用いてその動作について説明する。第５図および第６
図は磁束制御部の動作を説明するための説明図を示すも
のであって、ここでは反磁性電極Ｐ。を制御する方法に
ついて説明する。
まず、Ｘ方向信号印加ＩＣ３を動作させＧ、信号線に十
電流を印加し、他のＸ方向信号線はオープン状態にする
。また、Ｘ方向信号印加ＩＣ４を動作させＳ、信号線に
一電流を印加し、他のＸ方向信号線はオープン状態にす
る。すると第５図に点線で示すように Ｇ ３− ｄ Ｓ ｘｚ−Ｐ ３！→ｄｍ、、−＋Ｓ。
電流を印加し、他のＸ方向信号線はオープン状態にする
。また、Ｘ方向信号印加ＩＣ４を動作させＳ、信号線に
一電流を印加し、他のＸ方向信号線はオープン状態にす
る。すると第５図に点線で示すように Ｇ ３− ｄ Ｓ ｘｚ−Ｐ ３！→ｄｍ、、−＋Ｓ。
なる電流経路が生じることになる。したがって、反磁性
電極ｐｓｚに臨界電流以上の電流が流れ、前記電極は超
電導状態から常電導状態に変化するためにマイスナー効
果が低減あるいは除去される。
電極ｐｓｚに臨界電流以上の電流が流れ、前記電極は超
電導状態から常電導状態に変化するためにマイスナー効
果が低減あるいは除去される。
すなわち、第６図に示すように反磁性電極Ｐ３□は常電
導体部２３になり、磁束を透過するようになる。
導体部２３になり、磁束を透過するようになる。
以上のように本実施例によれば、マイスナー効果を有す
る矩形の電極をマトリックス状に配置し、各電極に対し
て信号印加ＩＣから電流を印加できるように構成するこ
とにより、所定の電極のマイスナー効果を除去し、任意
の電極の磁束の透過を制御できる０以上のように構成し
た第１の傾き制御基板ｌと第１図（ハ）で示す永久磁石
１３〜１５を形成した。
る矩形の電極をマトリックス状に配置し、各電極に対し
て信号印加ＩＣから電流を印加できるように構成するこ
とにより、所定の電極のマイスナー効果を除去し、任意
の電極の磁束の透過を制御できる０以上のように構成し
た第１の傾き制御基板ｌと第１図（ハ）で示す永久磁石
１３〜１５を形成した。
第２の傾き制御基板２を用いて前記第１の傾き制御基板
の上方もしくは下方に前記第２の傾き制御基板２を位置
させ、任意の電極に電流を印加すれば、その電極は超電
導状態から常電導状態となり第１の傾き制御基板１上の
任意の電極周辺と第２の傾き制御基板２は接近または接
触し、他の超電導状態の電極の周辺との間に高低差が発
生する。
の上方もしくは下方に前記第２の傾き制御基板２を位置
させ、任意の電極に電流を印加すれば、その電極は超電
導状態から常電導状態となり第１の傾き制御基板１上の
任意の電極周辺と第２の傾き制御基板２は接近または接
触し、他の超電導状態の電極の周辺との間に高低差が発
生する。
したがって第１の傾き制御基板Ｉと第２の傾き制御基板
２との間に傾きが発生する。Ｘ方向信号印加ＩＣ３とＹ
方向信号印加ＩＣ４により、任意の電極に電流を印加す
れば、第２の傾き制御基板の傾きは、任意の方向や大き
さに設定することができる。したがって被傾き制御物５
は任意の方向に任意の大きさの傾きをもつことができる
。
２との間に傾きが発生する。Ｘ方向信号印加ＩＣ３とＹ
方向信号印加ＩＣ４により、任意の電極に電流を印加す
れば、第２の傾き制御基板の傾きは、任意の方向や大き
さに設定することができる。したがって被傾き制御物５
は任意の方向に任意の大きさの傾きをもつことができる
。
次に第２の発明の一実施例について図面を参照しながら
説明する。第７図は傾き制御装置の一実施例である。第
７図（ａ）は傾き制御装置の側面図、（ｂ）は平面図、
（Ｃ）は（ロ）の磁束制御部の一部拡大図、（ｄ）は（
Ｃ）の側面図である。１は第１の傾き制御基板、２は第
２の傾き制御基板、３はＸ方向の信号印加ＩＣ１４はＹ
方向の信号印加ＩＣｌ３は被傾き制御物、６は磁束制御
部、５０〜５”４．８０〜９１゜１０４は電極、５５〜
５８．７０〜７６．１００１０１は信号線、６０〜６４
は永久磁石である。
説明する。第７図は傾き制御装置の一実施例である。第
７図（ａ）は傾き制御装置の側面図、（ｂ）は平面図、
（Ｃ）は（ロ）の磁束制御部の一部拡大図、（ｄ）は（
Ｃ）の側面図である。１は第１の傾き制御基板、２は第
２の傾き制御基板、３はＸ方向の信号印加ＩＣ１４はＹ
方向の信号印加ＩＣｌ３は被傾き制御物、６は磁束制御
部、５０〜５”４．８０〜９１゜１０４は電極、５５〜
５８．７０〜７６．１００１０１は信号線、６０〜６４
は永久磁石である。
第７図（ａ）に示すように第２の傾き制御基板２に凸状
の永久磁石を形成する。第７図（Ｃ）、 （ｄ）に示す
ように、第１の傾き制御基板１の磁束制御部の電極を凹
状またはリング状に形成する。このようにすると第２の
傾き制ｍ基板が傾きをもった場合に第２の傾き制御基板
２の位置決めを正確に行なうことができる。なお傾きを
制御する方法については、第１の実施例と同様であり説
明は省略する０以上のようにすると第１の実施例と比較
してさらに正確に傾きを制御できる。なお第１の傾き制
御基板１の磁束制御部の配置はマトリックス状に限るも
のではない、たとえば円弧状に配置してもよい。
の永久磁石を形成する。第７図（Ｃ）、 （ｄ）に示す
ように、第１の傾き制御基板１の磁束制御部の電極を凹
状またはリング状に形成する。このようにすると第２の
傾き制ｍ基板が傾きをもった場合に第２の傾き制御基板
２の位置決めを正確に行なうことができる。なお傾きを
制御する方法については、第１の実施例と同様であり説
明は省略する０以上のようにすると第１の実施例と比較
してさらに正確に傾きを制御できる。なお第１の傾き制
御基板１の磁束制御部の配置はマトリックス状に限るも
のではない、たとえば円弧状に配置してもよい。
また第２の傾き制御基板２は、第１の（噴き制御基板ｌ
と同様な構成でもよい。また第７図に示す実施例におい
て、第２の傾き制御基板２は、第１の傾き制御基板ｌの
電極が凸状の物を用いた構成でもよい。
と同様な構成でもよい。また第７図に示す実施例におい
て、第２の傾き制御基板２は、第１の傾き制御基板ｌの
電極が凸状の物を用いた構成でもよい。
また、上記実施例中、マイスナー効果を有する超電導材
料としては、たとえば、いわゆる常温超電導体を用いる
か、または、超電導臨界温度が室温と液体窒素の沸点の
間の材料を用いて液体窒素で冷却するか（図示せず）、
もしくは超電導臨界温度が液体窒素の沸点以下の材料を
用いて液体ヘリウムで冷却するか（図示せず）をすれば
よい。
料としては、たとえば、いわゆる常温超電導体を用いる
か、または、超電導臨界温度が室温と液体窒素の沸点の
間の材料を用いて液体窒素で冷却するか（図示せず）、
もしくは超電導臨界温度が液体窒素の沸点以下の材料を
用いて液体ヘリウムで冷却するか（図示せず）をすれば
よい。
発明の効果
本発明の傾き制御装置は、複数の超電導材料からなる電
極をマトリックス状に配置された第１の磁束制御手段と
、各電極に対して接続信号線を介して電流を印加する信
号発生手段と、第１の磁束制御手段の上方または下方に
第２の磁束制御手段を備える構成により、所定の電極の
マイスナー効果を除去し、磁束の透過部を形成すること
ができ、任意の方向に任意の傾きを制御することができ
る。
極をマトリックス状に配置された第１の磁束制御手段と
、各電極に対して接続信号線を介して電流を印加する信
号発生手段と、第１の磁束制御手段の上方または下方に
第２の磁束制御手段を備える構成により、所定の電極の
マイスナー効果を除去し、磁束の透過部を形成すること
ができ、任意の方向に任意の傾きを制御することができ
る。
また、その傾きの制御を任意の電極への電流印加により
デジタル的に行うことができより正確な傾き制御が可能
となる。さらに非接触に装置を制御することにより、た
とえば冷却時における結露が生した場合でも良好に制ｊ
ルすることができる。
デジタル的に行うことができより正確な傾き制御が可能
となる。さらに非接触に装置を制御することにより、た
とえば冷却時における結露が生した場合でも良好に制ｊ
ルすることができる。
第１図は第１の発明の一実施例の構成図、第２図、第６
図は磁束制御部の平面図、第３図は第２図の断面図、第
４図、第５図は磁束制御部および周辺回路の等価回路図
、第７図は第２の発明の一実施例の構成図、第８図は従
来例の基本構成図、第９図は第８図の断面図である。 １・・・・・・第１の傾き制御基板、２・・・・・・第
２の傾き制御基板、３．４・・・・・・信号印加ｔＣ２
５・・・・・・被傾き制御物、６・・・・・・磁束制御
部、７，９，１１゜１６〜２４．５０〜５４．８０〜９
１ １０４・・・・・・超伝導材料からなる電極、８，
１０．１２゜５５〜５８．７０〜７６．１００，１０１
・・・・・・信号線、４０・・・・・・保護膜、４１・
・・・・・絶縁体層、４２・・・・・・絶縁体膜、４３
・・・・・・常伝導体部、Ｇ、−Ｇ。 ・・・・・・Ｘ方向信号線、Ｓ１〜Ｓ４・・・・・・Ｙ
方向信号線、Ｐ、〜Ｐ４４・・・・・・反磁性電極、ｄ
Ｓ＋＋〜ｄｓａａ。 ｄ ｍ ｌ＋〜ｄｍＢ・・・・・・信号印加端子、１１
０・・・・・・台、１１１・・・・・・平面板、１１２
〜１１５・・・・・・ボルト、１１６・・・・・・被傾
き制御物。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほかＩ名／−一第１
の傾き制ａｌ基板 ２−−一男２の傾き側御基板 ３ −Ｘ 方′閏 イ；号 ■ｐ、力０ＬＣ４−−−
γ 方向イ器号叩カロ ＺＣ ５−・携し頃き制御物 Ｂ、 ｔｏ、 １２−一一傷号を泉 ７３、１４． Ｉｓ−・氷久搗石 １６〜Ｚ４−を糎 ｚｓ、 ｕ、ｚｑ ・−ｘ 方？ （： ％ 諜２８、
２９．３０・−γ方臼信号課 ！ ？８ ２デ ３θ Ｇｔ 〜Ｇ４ −− Ｘ プＦｌ町 イ菖号 を
遺（５；ｌ−＋５ａ−Ｙ方向信号線 Ｐｕ −／’４４−−− Ｘ 搗ａｔ ｆ＆ｄＳ ＨＡ
−ｄＪａａ、ｄｔｙｔｔｔ 〜ｔｔｔｙｎ、３３−−−
信号叩方口文泊子 瘍 図 壇 く 悪 図 ５０〜５４．８θ〜９４／θ４−″−走遥イ云厚宋り矛
十カ１ら！′Ｊ６巽−不ｉ５５”−５１３，７０〜７ｔ
、ｆＯｔ）、 １０／−１８％ ＞ｊｋ１６−に４−
永久算石
図は磁束制御部の平面図、第３図は第２図の断面図、第
４図、第５図は磁束制御部および周辺回路の等価回路図
、第７図は第２の発明の一実施例の構成図、第８図は従
来例の基本構成図、第９図は第８図の断面図である。 １・・・・・・第１の傾き制御基板、２・・・・・・第
２の傾き制御基板、３．４・・・・・・信号印加ｔＣ２
５・・・・・・被傾き制御物、６・・・・・・磁束制御
部、７，９，１１゜１６〜２４．５０〜５４．８０〜９
１ １０４・・・・・・超伝導材料からなる電極、８，
１０．１２゜５５〜５８．７０〜７６．１００，１０１
・・・・・・信号線、４０・・・・・・保護膜、４１・
・・・・・絶縁体層、４２・・・・・・絶縁体膜、４３
・・・・・・常伝導体部、Ｇ、−Ｇ。 ・・・・・・Ｘ方向信号線、Ｓ１〜Ｓ４・・・・・・Ｙ
方向信号線、Ｐ、〜Ｐ４４・・・・・・反磁性電極、ｄ
Ｓ＋＋〜ｄｓａａ。 ｄ ｍ ｌ＋〜ｄｍＢ・・・・・・信号印加端子、１１
０・・・・・・台、１１１・・・・・・平面板、１１２
〜１１５・・・・・・ボルト、１１６・・・・・・被傾
き制御物。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほかＩ名／−一第１
の傾き制ａｌ基板 ２−−一男２の傾き側御基板 ３ −Ｘ 方′閏 イ；号 ■ｐ、力０ＬＣ４−−−
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Claims (12)
- （１）第１の信号印加端子と第２の信号印加端子を有し
、マトリックス状に配置された複数のマイスナー効果を
有する電極からなる磁束制御手段と、前記信号印加端子
に印加する信号を発生する信号発生手段と、前記信号発
生手段が発生する信号を前記印加端子に伝達するための
接続配線とを具備する第１の位置制御手段と、前記第１
の位置制御手段の上方または下方に位置し、複数の磁束
発生手段が平面を有する基板に取り付けられた第２の位
置制御手段とを具備することを特徴とする傾き制御装置
。 - （２）磁束発生手段は永久磁石であることを特徴とする
請求項（１）記載の傾き制御装置。 - （３）磁束発生手段の形成位置は、各電極に対向する位
置に形成されていることを特徴とする請求項（１）記載
の傾き制御装置。 - （４）第２の位置制御手段は第１の位置制御手段の上方
に位置し、かつ第２の位置制御手段上に被傾き制御物を
積載することを特徴とする請求項（１）記載の傾き制御
装置。 - （５）信号発生手段の発生する信号は電流であることを
特徴とする請求項（１）記載の傾き制御装置。 - （６）電極のマイスナー効果は信号発生手段の信号によ
り低減または除去されることを特徴とする請求項（１）
記載の傾き制御装置。 - （７）第１の信号印加端子と第２の信号印加端子を有し
、マトリックス状に配置された複数のマイスナー効果を
有し、かつ中央部のマイスナー効果を有する部位を除去
した電極からなる磁束制御手段と、前記信号印加端子に
印加する信号を発生する信号発生手段と、前記信号発生
手段に発生する信号を前記信号印加端子に伝達するため
の接続配線とを具備する第１の位置制御手段と、前記第
１の位置制御手段の上方または下方に位置し複数の磁束
発生手段が平面を有する基板に取り付けられた第２の位
置制御手段を具備することを特徴とする傾き制御装置。 - （８）磁束発生手段は永久磁石であることを特徴とする
請求項（７）記載の傾き制御装置。 - （９）磁束発生手段の形成位置は、各電極に対向する位
置に形成されていることを特徴とする請求項（７）記載
の傾き制御装置。 - （１０）第２の位置制御手段は第１の位置制御手段の上
方に位置し、かつ第２の位置制御手段上に被傾き制御物
を積載することを特徴とする請求項（７）記載の傾き制
御装置。 - （１１）信号発生手段の発生する信号は電流であること
を特徴とする請求項（７）記載の傾き制御装置。 - （１２）電極のマイスナー効果は信号発生手段の信号に
より低減または除去されることを特徴とする請求項（７
）記載の傾き制御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63321023A JPH02165206A (ja) | 1988-12-19 | 1988-12-19 | 傾き制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63321023A JPH02165206A (ja) | 1988-12-19 | 1988-12-19 | 傾き制御装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02165206A true JPH02165206A (ja) | 1990-06-26 |
Family
ID=18127932
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63321023A Pending JPH02165206A (ja) | 1988-12-19 | 1988-12-19 | 傾き制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02165206A (ja) |
-
1988
- 1988-12-19 JP JP63321023A patent/JPH02165206A/ja active Pending
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