JPH02170543A - 薄膜トランジスタの製造方法 - Google Patents
薄膜トランジスタの製造方法Info
- Publication number
- JPH02170543A JPH02170543A JP32490188A JP32490188A JPH02170543A JP H02170543 A JPH02170543 A JP H02170543A JP 32490188 A JP32490188 A JP 32490188A JP 32490188 A JP32490188 A JP 32490188A JP H02170543 A JPH02170543 A JP H02170543A
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- semiconductor
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- Pending
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 13
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- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
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Landscapes
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、絶縁性基体上の薄膜トランジスタの製造方法
に関する。
に関する。
［従来の技術］
従来の技術としては特開昭６５−１３６６２３号公報に
記載されたものがある。これは第２図（Ｃ＋、、）に示
すように絶縁基板１３上に第１半導体膜１４を成膜した
後、エネルギービーム１５を照射し第１半導体膜１４を
再結晶化し再結晶半導体膜１６とし、第２図（ｂ）に示
すようにソースとドレイン電極に低抵抗な第２半導体膜
１７と絶縁膜１８を残し、再びエネルギービームを照射
し、第２半導体膜１７を活性化し低抵抗にする。次に第
２図（Ｃ）に示すようにゲート絶縁膜９を堆積し、低抵
抗の第３半導体膜１９を堆積後、ゲート電極１０．ソー
ス電極１１ ドレイン電極１２を形成する薄膜トランジ
スタの製造方法であった。
記載されたものがある。これは第２図（Ｃ＋、、）に示
すように絶縁基板１３上に第１半導体膜１４を成膜した
後、エネルギービーム１５を照射し第１半導体膜１４を
再結晶化し再結晶半導体膜１６とし、第２図（ｂ）に示
すようにソースとドレイン電極に低抵抗な第２半導体膜
１７と絶縁膜１８を残し、再びエネルギービームを照射
し、第２半導体膜１７を活性化し低抵抗にする。次に第
２図（Ｃ）に示すようにゲート絶縁膜９を堆積し、低抵
抗の第３半導体膜１９を堆積後、ゲート電極１０．ソー
ス電極１１ ドレイン電極１２を形成する薄膜トランジ
スタの製造方法であった。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、かかる従来の薄板トランジスタの製造方法は、
チャンネル領域となる第１半導体膜１４を均一に再結晶
化し再結晶半導体膜１６を構成するために一度エネルギ
ービーム１５を照射し、さらに低抵抗な第２半導体膜１
７を活性化しより低抵抗な膜にするために再度エネルギ
ービーム１５を照射する必要があった。さらに、チャン
ネル領域となる第１半導体膜１４とオーミック接触層と
なる低抵抗な第２半導体膜１７とは成膜条件が異なり、
製造方法が複雑なものとなる問題点を有していた： そこで、本発明は従来のこのような問題点を解決するた
め、チャンネル領域の半導体層の再結晶化と低抵抗なオ
ーミック接触層の構成のためのエネルギービーム照射を
一回だけとし、さらにチャンネル領域の半導体層とソー
ス領域とドレイン領域の半導体層との成膜条件・を同じ
ものとして製造方法を簡略化できる簿膜トランジスタの
製造方法を提供することを目的とする。
チャンネル領域となる第１半導体膜１４を均一に再結晶
化し再結晶半導体膜１６を構成するために一度エネルギ
ービーム１５を照射し、さらに低抵抗な第２半導体膜１
７を活性化しより低抵抗な膜にするために再度エネルギ
ービーム１５を照射する必要があった。さらに、チャン
ネル領域となる第１半導体膜１４とオーミック接触層と
なる低抵抗な第２半導体膜１７とは成膜条件が異なり、
製造方法が複雑なものとなる問題点を有していた： そこで、本発明は従来のこのような問題点を解決するた
め、チャンネル領域の半導体層の再結晶化と低抵抗なオ
ーミック接触層の構成のためのエネルギービーム照射を
一回だけとし、さらにチャンネル領域の半導体層とソー
ス領域とドレイン領域の半導体層との成膜条件・を同じ
ものとして製造方法を簡略化できる簿膜トランジスタの
製造方法を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
上記課題を解決するため、本発明の薄膜トランジスタの
製造方法は、絶縁性基体上に第１半導体層を堆積し、フ
ォ） ＩＪソ技術によりソース領域とドレイン領域に前
記第、１半導体層を島状に残す工程と、第２半導体層を
堆積し、ソース領域とドレイン領域にある前記第１半導
体層上とチャンネル領域にフォトリソ技術により島状に
残す工程と、前記第１半導体層と前記第２半導体層が積
層したソース領域とドレイン領域に不純物を含有する酸
化ケイ素を島状にフォトリソ技術により残す工程と、レ
ーザ・ビームを照射してソース領域とドレイン領域に前
記酸化ケイ素中の前記不純物を前記第２半導体と第１半
導体層へ拡散し活性化してオーミック接触層を構成し、
チャンネル領域の第２半導体層を再結晶化する工程と、
ゲート絶縁膜を堆積する工程と、ゲート電極を構成し、
ソース領域とドレイン領域にコンタクト・ホールを形成
してソース電極とドレイン電極を製作する工程からなる
ことを特徴とする。
製造方法は、絶縁性基体上に第１半導体層を堆積し、フ
ォ） ＩＪソ技術によりソース領域とドレイン領域に前
記第、１半導体層を島状に残す工程と、第２半導体層を
堆積し、ソース領域とドレイン領域にある前記第１半導
体層上とチャンネル領域にフォトリソ技術により島状に
残す工程と、前記第１半導体層と前記第２半導体層が積
層したソース領域とドレイン領域に不純物を含有する酸
化ケイ素を島状にフォトリソ技術により残す工程と、レ
ーザ・ビームを照射してソース領域とドレイン領域に前
記酸化ケイ素中の前記不純物を前記第２半導体と第１半
導体層へ拡散し活性化してオーミック接触層を構成し、
チャンネル領域の第２半導体層を再結晶化する工程と、
ゲート絶縁膜を堆積する工程と、ゲート電極を構成し、
ソース領域とドレイン領域にコンタクト・ホールを形成
してソース電極とドレイン電極を製作する工程からなる
ことを特徴とする。
［実施例］
以下に本発明の実施例を図面にもとづいて説明する。第
１図（α）において、絶縁性基体１上に成膜した第１半
導体層２をソース領域４とドレイン領域５にフォトリソ
技術により島状に残す。次に、第１図（ｂ）に示すよう
に、第２半導体層３を積層し島状に残す。第１半導体層
２と第２半導体層６は、異なる成膜条件で成膜しても良
（、また、同じ成膜条件で同じ膜質をもつ膜を成膜して
も良い。次に、第１図ＣＣ）において、不純物を含有す
る酸化ケイ素６をソース領域４とドレイン領域５の上に
島状に残し、レーザ・ビーム７、を照射して第１半導体
層２と第２半導体層６を融解し、酸化ケイ素６中の不純
物をソース領域４上とドレイン領域５上の第１半導体層
２と第２半導体層５の中へ拡散し、活性化させる。また
、同時に、このレーザ・ビーム７の照射により、チャン
ネル領域６上の第２半導体層６を融解し、再結晶化する
ことにより大きな結晶粒径を有する再結晶半導体膜を得
ることができる。この結果、酸化ケイ素６を除去後、第
１図（ｄ）にみられるように、前工程での酸化ケイ素６
より拡散した不純物により構成した低抵抗なオーミック
接触層８と再結晶化したチャンネル領域６上の再結晶半
導体膜１６が構成される。オーミック接触層８と再結晶
半導体膜１６上にはゲート絶縁膜９を成膜する。次に、
第１図（Ｉｔ）でゲート電極１０を構成し、フォトリソ
技術によりゲート絶縁膜９にコンタクト・ホールを形成
後、そのコンタクト・ホールを埋めるようにソース電極
１１とドレイン電柵１２を構成して薄膜トランジスタが
完成する。
１図（α）において、絶縁性基体１上に成膜した第１半
導体層２をソース領域４とドレイン領域５にフォトリソ
技術により島状に残す。次に、第１図（ｂ）に示すよう
に、第２半導体層３を積層し島状に残す。第１半導体層
２と第２半導体層６は、異なる成膜条件で成膜しても良
（、また、同じ成膜条件で同じ膜質をもつ膜を成膜して
も良い。次に、第１図ＣＣ）において、不純物を含有す
る酸化ケイ素６をソース領域４とドレイン領域５の上に
島状に残し、レーザ・ビーム７、を照射して第１半導体
層２と第２半導体層６を融解し、酸化ケイ素６中の不純
物をソース領域４上とドレイン領域５上の第１半導体層
２と第２半導体層５の中へ拡散し、活性化させる。また
、同時に、このレーザ・ビーム７の照射により、チャン
ネル領域６上の第２半導体層６を融解し、再結晶化する
ことにより大きな結晶粒径を有する再結晶半導体膜を得
ることができる。この結果、酸化ケイ素６を除去後、第
１図（ｄ）にみられるように、前工程での酸化ケイ素６
より拡散した不純物により構成した低抵抗なオーミック
接触層８と再結晶化したチャンネル領域６上の再結晶半
導体膜１６が構成される。オーミック接触層８と再結晶
半導体膜１６上にはゲート絶縁膜９を成膜する。次に、
第１図（Ｉｔ）でゲート電極１０を構成し、フォトリソ
技術によりゲート絶縁膜９にコンタクト・ホールを形成
後、そのコンタクト・ホールを埋めるようにソース電極
１１とドレイン電柵１２を構成して薄膜トランジスタが
完成する。
［発明の効果、コ。
本発明の薄膜トランジスタの製造方法は、以上説明した
ように、Ｎ膜）ランジスタのチャンネル領域の半導体層
の再結晶化と不純物を含有する低抵抗なオーミック接触
層゛の構成を一回のレーザ・ビームの照射により実現す
ることが可能で、工程が簡略化すると共に、半導体層の
再結晶化による薄膜トランジスタの高性能化も実現でき
る。また、低抵抗なオーミック接触層の構成がレーザ・
ビームによる拡散と活性化により可能なため、チャンネ
ル領域とソース領域及びドレイン領域の半導体層を同じ
成膜条件で同じ物性を有する膜として構成することも可
能で、製造方法を単純なものとすることが容易であると
いう効果を有する。
ように、Ｎ膜）ランジスタのチャンネル領域の半導体層
の再結晶化と不純物を含有する低抵抗なオーミック接触
層゛の構成を一回のレーザ・ビームの照射により実現す
ることが可能で、工程が簡略化すると共に、半導体層の
再結晶化による薄膜トランジスタの高性能化も実現でき
る。また、低抵抗なオーミック接触層の構成がレーザ・
ビームによる拡散と活性化により可能なため、チャンネ
ル領域とソース領域及びドレイン領域の半導体層を同じ
成膜条件で同じ物性を有する膜として構成することも可
能で、製造方法を単純なものとすることが容易であると
いう効果を有する。
第１図（α）〜（１）は、本発明の薄膜トランジスタの
製造方法の実施例の工程順を説明するための断面図。 第２図（α）〜（、ｃ）は、従来の薄膜トランジスタの
製造方法の工程順を説明するための断面図１・・・・・
・・・・絶縁性基体 ２・・・・・・・・・第１半導体層 ５・・・・・・・・・第２半導体層 ４・・・・・・・・・ソース領域 ５・・・・・・・・・ドレイン領域 ６・・・・・・・・酸化ケイ素 ７・・・・・・・・レーザ・ビーム ８・・・・・・・・・オーミック接触層９・・・・・・
・・・ゲート絶縁膜 ０・・・・・・・・・ゲート電極 １・・・・・・・・・ソース電極 ２・・・、・・・・・・ドレイン電極 ６・・・・・・・・・絶縁基板 ４・・・・・・・・・第１半導体膜 ５・・・・・・・・・エネルギービーム６・・・・・・
・・・再結晶半導体膜 ７・・・・・・・・・第２半導体膜 ８・・・・・・・・・絶縁膜 １９・・・・・・・・・第３半導体膜 以上
製造方法の実施例の工程順を説明するための断面図。 第２図（α）〜（、ｃ）は、従来の薄膜トランジスタの
製造方法の工程順を説明するための断面図１・・・・・
・・・・絶縁性基体 ２・・・・・・・・・第１半導体層 ５・・・・・・・・・第２半導体層 ４・・・・・・・・・ソース領域 ５・・・・・・・・・ドレイン領域 ６・・・・・・・・酸化ケイ素 ７・・・・・・・・レーザ・ビーム ８・・・・・・・・・オーミック接触層９・・・・・・
・・・ゲート絶縁膜 ０・・・・・・・・・ゲート電極 １・・・・・・・・・ソース電極 ２・・・、・・・・・・ドレイン電極 ６・・・・・・・・・絶縁基板 ４・・・・・・・・・第１半導体膜 ５・・・・・・・・・エネルギービーム６・・・・・・
・・・再結晶半導体膜 ７・・・・・・・・・第２半導体膜 ８・・・・・・・・・絶縁膜 １９・・・・・・・・・第３半導体膜 以上
Claims (1)
- （１）絶縁性基体上に第１半導体層を堆積し、フォトリ
ソ技術によりソース領域とドレイン領域に前記第１半導
体層を島状に残す工程と、第２半導体層を堆積し、ソー
ス領域とドレイン領域にある前記第１半導体層上とチャ
ンネル領域にフォトリソ技術により島状に残す工程と、
前記第１半導体層と前記第２半導体層が積層したソース
領域とドレイン領域に不純物を含有する酸化ケイ素を島
状にフォトリソ技術により残す工程と、レーザ・ビーム
を照射してソース領域とドレイン領域に前記酸化ケイ素
中の前記不純物を前記第２半導体層と第１半導体層へ拡
散し活性化してオーミック接触層を構成し、チャンネル
領域の第２半導体層を再結晶化する工程と、ゲート絶縁
膜を堆積する工程と、ゲート電極を構成し、ソース領域
とドレイン領域にコンタクト・ホールを形成してソース
電極とドレイン電極を製作する工程からなることを特徴
とする薄膜トランジスタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32490188A JPH02170543A (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32490188A JPH02170543A (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02170543A true JPH02170543A (ja) | 1990-07-02 |
Family
ID=18170893
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32490188A Pending JPH02170543A (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02170543A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04120738A (ja) * | 1990-09-11 | 1992-04-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 薄膜トランジスタ作製方法 |
| WO2010091466A1 (en) * | 2009-02-11 | 2010-08-19 | Newsouth Innovations Pty Limited | Photovoltaic device structure and method |
-
1988
- 1988-12-23 JP JP32490188A patent/JPH02170543A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04120738A (ja) * | 1990-09-11 | 1992-04-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 薄膜トランジスタ作製方法 |
| WO2010091466A1 (en) * | 2009-02-11 | 2010-08-19 | Newsouth Innovations Pty Limited | Photovoltaic device structure and method |
| AU2010213356B2 (en) * | 2009-02-11 | 2015-05-28 | Newsouth Innovations Pty Limited | Photovoltaic device structure and method |
| US9136126B2 (en) | 2009-02-11 | 2015-09-15 | Newsouth Innovations Pty Limited | Method of forming doped regions in a photovoltaic device |
| US10199523B2 (en) | 2009-02-11 | 2019-02-05 | Newsouth Innovations Pty Limited | Photovoltaic device structure and method |
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