JPH02170715A - 論理回路 - Google Patents

論理回路

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JPH02170715A
JPH02170715A JP63325363A JP32536388A JPH02170715A JP H02170715 A JPH02170715 A JP H02170715A JP 63325363 A JP63325363 A JP 63325363A JP 32536388 A JP32536388 A JP 32536388A JP H02170715 A JPH02170715 A JP H02170715A
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terminal
transfer gate
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inverter circuit
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Yasushi Wakayama
康司 若山
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体集積回路で実現された論理回路に関し、
特に立ち上がり検出回路に関する。
〔従来の技術〕
従来の半導体集積回路における出力回路を示す回路図を
第2図に示す、第2図に示すように、従来の回路はデー
タ入力端子1を第一のD型フリップフロップ23のデー
タ入力端子Aに接続し、第一のD型フリップフロップ2
3の非反転出力端子Cを第二のD型フリップフロップ2
4のデータ入力端子Aに接続し、第一のD型フリップフ
ロップ23の反転出力端子りをNOR回路25の第一の
入力端子Eに接続し、第二のD型フリップフロップ24
の非反転出力端子CをNOR回路25の第二の入力端子
Fに接続し、 NOR回路25の出力端子Gをデータ出
力端子26に接続し、クロック信号入力端子2を第一の
D型フリップフロップ23のクロック信号入力端子Bと
第二のD型フリップフロップ24のクロック信号入力端
子Bに接続して構成されていた。
上記従来の回路の信号波形の一例を第3図に示す、第3
図に示すように上記の回路は、時刻tlでデータ入力端
子1が論理値で″0′から11′に変化しそのまま11
′を保持すると、次にクロック信号入力端子2が+10
′から11′に変化する時刻t2に第一のD型フリップ
フロップ23の非反転出力端子Cが論理値で″01から
′1′に変化し反転出力端子りが11″から′″0″に
変化し、その次にクロック信号入力端子2が″0“から
′″1′に変化する時刻t4で第二のD型フリップフロ
ップ24の非反転出力端子Cは論理値で′″0′から1
1′に変化するためデータ出力端子26は時刻t2に論
理値で′″0#がら′″1′に変化し時刻t4に論理値
で1#から110′に変化する。このように上記の回路
はデータ入力端子1の論理値で10′から11′への変
化を検出しクロック信号入力端子2の10″′から“1
”への変化に同期した1クロック分のパルスを発生でき
るようになっていた。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の出力回路は、D型フリップフロップを2
個、NOR回路を1個用いているため、トランジスタ数
が多くチップ面積が大きくなるという欠点がある。
本発明の目的は前記課題を解決した論理回路を提供する
ことにある。
〔課題を解決するための手段〕
前記目的を達成するため、本発明は半導体集積回路にお
いて、第一端子が論理値で11′のときは第二端子と第
三端子の間が導通状態となり第一端子が論理値で101
のときは第二端子と第三端子の間が高抵抗状態となるト
ランスファーゲートとD型フリップフロップとインバー
タ回路とNAND回路を用いて、データ入力端子をD型
フリップフロップのデータ入力端子に接続し、該り型フ
リップフロップの非反転出力端子をNAND回路の第一
の入力端子と第一のトランスファーゲートの第二端子に
接続し、該第一のトランスファーゲートの第三端子を第
一のインバータ回路の入力端子と第二のトランスファー
ゲートの第二端子に接続し、該第一のインバータ回路の
出力端子を第三のトランスファーゲートの第二端子と第
二のインバータ回路の入力端子に接続し、該第二のイン
バータ回路の出力端子を該第二のトランスファーゲート
の第三端子に接続し、該第三のトランスファーゲートの
第三端子を前記NAND回路の第二の入力端子と第四の
トランスファーゲートの第二端子に接続し、該NAND
回路の出力端子を第三のインバータ回路の入力端子に接
続し、該第三のインバータ回路の出力端子を該第四のト
ランスファーゲー1への第三端子とデータ出力端子に接
続し、クロック信号入力端子を前記り型フリップフロッ
プのクロック信号入力端子と第四のインバータ回路の入
力端子と該第二のトランスファーゲートの第一端子と該
第三のトランスファーゲートの第一端子に接続し、該第
四のインバータ回路の出力端子を該第一のトランスファ
ーゲートの第一端子と該第四のトランスファーゲートの
第一端子に接続して構成したものである。
〔実施例〕
以下、本発明の一実施例を図により説明する。
第1図は本発明の一実施例を示す回路図である。
本発明の論理回路は、第一端子が論理値で″1“のとき
には第二端子と第三端子の間が導通状態となり、第一端
子が論理値で′″0#のときには第二端子と第三端子の
間が高抵抗状態となるような4個のトランスファーゲー
トと3個のインバータ回路と1個のNAND回路と1個
のD型フリップフロップを有している。すなわち、本発
明は半導体集積回路において、第一端子が論理値で11
1のときは第二端子と第三端子の間が導通状態となり第
一端子が論理値で10′のときは第二端子と第三端子の
間が高抵抗状態となるトランスファーゲートとD型フリ
ップフロップとインバータ回路とNAND回路を用いて
、データ入力端子1をD型フリップフロップ3のデータ
入力端子Aに接続し、D型フリップフロップ3の非反転
出力端子CをNAND回路9の第一の入力端子Jと第一
のトランスファーゲート4の第二端子Eに接続し、第一
のトランスファーゲート4の第三端子Fを第一のインバ
ータ回路5の入力端子Gと第二のトランスファーゲート
6の第二端子Eに接続し第一のインバータ回路5の出力
端子Hを第三のトランスファーゲート8の第二端子Eと
第二のインバータ回路7の入力端子Gに接続し、第二の
インバータ回路7の出力端子Hを第二のトランスファー
ゲート6の第三端子Fに接続し、第三のトランスファー
ゲート8の第三端子FをNAND回路9の第二の入力端
子にと第四のトランスファーゲート10の第二端子Eに
接続し、 NAND回路9の出力端子りを第三のインバ
ータ回路11の入力端子Gに接続し、第三のインバータ
回路tiの出力端子Hを第四のトランスファーゲート1
0の第三端子Fとデータ出力端子13に接続し、クロッ
ク信号入力端子2をD型フリップフロップ3のクロック
信号入力端子Bと第四のインバータ回路12の入力端子
Gと第二のトランスファーゲート6の第一端子りと第三
のトランスファーゲート8の第一端子りに接続し、第四
のインバータ回路12の出力端子Hを第一のトランスフ
ァーゲート4の第一端子Fと第四のトランスファーゲー
ト10の第一端子りに接続して構成している。
第3図に上記回路の信号波形を示す、第3図に示すよう
に時刻tlにデータ入力端子1が論理値で% Oaから
′1#に変化すると9次にクロック信号入力端子2が論
理値で10′から′1′に変化する時刻t2にD型フリ
ップフロップ3の非反転出力端子Cは論理値で10#か
ら11′に変化し1時刻t2から次にクロック信号入力
端子2が論理値で“1”から10′に変化する時刻t3
までの間は第一のトランスファーゲート4と第四のトラ
ンスファーゲートIOは高抵抗状態で第二のトランスフ
ァーゲート6と第三のトランスファーゲート8は導通状
態となるため、インバータ回路5とインバータ回路7に
よって時刻t2の直前のD型フリップフロップ3の出力
端子Cの出力値を保持し、 NAND回M9の第二の入
力端子には論理値で11′となり、 NAND回路9の
出力端子りは論理値で10′となるため、データ出力端
子13は論理値で“1”どなる。一方、時刻t3から次
にクロック信号が10′から“1”に変化する時刻t4
までの間は第一のトランスファーゲート4と第四のトラ
ンスファーゲート10は導通状態で第二のトランスファ
ーゲート6と第三のトランスファー/7’−ト8は高抵
抗状態となるため、 NAND回路9とインバータ回路
11によって時刻t3の直前のNAND回路9の出力端
子りの出力値を保持し、データ出力端子13は論理値で
′″1′のままとなる。さらに時刻t4以降はクロック
信号入力端子2が論理値で11′の間は、第一のトラン
スファーゲート4と第四のトランスファーゲートlOは
高抵抗状態で第二のトランスファーゲート6と第三のト
ランスファーゲート8は導通状態となり、インバータ回
路5とインバータ回路7でD型フリップフロップ3の出
力値を保持しクロック信号入力端子2が論理値で10′
の間は、第一のトランスファーゲート4と第四のトラン
スファーゲート10は導通状態で第二のトランスファー
ゲート6と第三のトランスファーゲート8は高抵抗状態
となり、NAND回路9の第一の入力端子Jは論理値で
11′、NAND回路9の第二の入力端子には論理値で
O′となるので、NAND回路9の出力端子りは11′
となり、データ出力端子13は10″′となる。このよ
うに上記の回路はデータ入力端子1の論理値で10#か
ら11′への変化を検出し、クロック信号入力端子2の
10′から11′への変化に同期した1クロック分のパ
ルスを発生できるようになっている。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、半導体集精回路において
第一端子が論理値で′1#のときは第二端子と第三端子
の間が導通状態となり第一端子が論理値で% 071の
ときは第二端子と第三端子の間が高抵抗状態となるトラ
ンスファーゲートとD型フリッププロップとインバータ
回路とNAND回路を用いて、データ入力端子をD型フ
リップフロップのデータ入力端子に接続し、D型フリッ
プフロップの非反転出力端子をNAND回路の第一の入
力端子と第一のトランスファーゲートの第二端子に接続
し、第一のトランスファーゲートの第三端子を第一のイ
ンバータ回路の入力端子と第二のトランスファーゲート
の第二端子に接続し、第一のインバータ回路の出力端子
を第三のトランスファーゲートの第二端子と第二のイン
バータ回路の入力端子に接続し、第二のインバータ回路
の出力端子を第二のトランスファーゲートの第三端子に
接続し、第三のトランスファーゲートの第三端子をNA
ND回路の第二の入力端子と第四のトランスファーゲー
トの第二端子に接続し、NAND回路の出力端子を第三
のインバータ回路の入力端子に接続し、第三のインバー
タ回路の出力端子を第四のトランスファーゲートの第三
端子とデータ出力端子に接続し、クロック信号入力端子
をD型スリップフロップのクロック信号入力端子と第四
のインバータ回路と第二のトランスファーゲートの第一
端子と第三のトランスファーゲートの第一端子に接続し
、第四のインバータ回路の出力端子を第一のトランスフ
ァーゲートの第一端子と第四のトランスファーゲートの
第一端子に接続して構成することによって、トランジス
タの数を減らすことができ、チップ面積を小さくできる
効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す回路図、第2図は従来
の論理回路を示す回路図、第3図は本発明及び従来の論
理回路の信号波形を示す図である。 1・・・データ入力端子    2・・・クロック信号
入力端子3・・・D型フリップフロップ 4・・・第一のトランスファーゲート 5・・・インバ
ータ回路6・・・第二のトランスファーゲート 7・・・第二のインバータ回路 8・・・第三のトランスファーゲート 9・・・NAN
D回路IO・・・第四のトランスファーゲート11・・
・第三のインバータ回路 12・・・第四のインバータ
回路I3・・・データ出力端子

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)半導体集積回路において、第一端子が論理値で“
    1”のときは第二端子と第三端子の間が導通状態となり
    第一端子が論理値で“0”のときは第二端子と第三端子
    の間が高抵抗状態となるトランスファーゲートとD型フ
    リップフロップとインバータ回路とNAND回路を用い
    て、データ入力端子をD型フリップフロップのデータ入
    力端子に接続し、該D型フリップフロップの非反転出力
    端子をNAND回路の第一の入力端子と第一のトランス
    ファーゲートの第二端子に接続し、該第一のトランスフ
    ァーゲートの第三端子を第一のインバータ回路の入力端
    子と第二のトランスファーゲートの第二端子に接続し、
    該第一のインバータ回路の出力端子を第三のトランスフ
    ァーゲートの第二端子と第二のインバータ回路の入力端
    子に接続し、該第二のインバータ回路の出力端子を該第
    二のトランスファーゲートの第三端子に接続し、該第三
    のトランスファーゲートの第三端子を前記NAND回路
    の第二の入力端子と第四のトランスファーゲートの第二
    端子に接続し、該NAND回路の出力端子を第三のイン
    バータ回路の入力端子に接続し、該第三のインバータ回
    路の出力端子を該第四のトランスファーゲートの第三端
    子とデータ出力端子に接続し、クロック信号入力端子を
    前記D型フリップフロップのクロック信号入力端子と第
    四のインバータ回路の入力端子と該第二のトランスファ
    ーゲートの第一端子と該第三のトランスファーゲートの
    第一端子に接続し、該第四のインバータ回路の出力端子
    を該第一のトランスファーゲートの第一端子と該第四の
    トランスファーゲートの第一端子に接続して構成したこ
    とを特徴とする論理回路。
JP63325363A 1988-12-23 1988-12-23 論理回路 Expired - Lifetime JP2658327B2 (ja)

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