JPH02170809A - ネガ型レジスト - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は感度の優れたネガ型レジストに関する。

（従来の技術） 半導体装置等のパターニングに用いられるレジスト材料
は種々のものが提案され、すでに実用化されているのも
多い。

この内、ネガ型の感放射線レジストとして広く用いられ
ているものとして、ポリクロルメチルスチレンが挙げら
れる。このものは比較的感度の優れた材料であるが、ク
ロルメチル化率（全芳香族単位中に占めるクロルメチル
化芳香環の割合）が約５０％以上では感度は飽和し、こ
れ以上クロルメチル基を導入しても感度は向上しない。

又、船釣にポリマー間の架橋を利用した材料について共
通的に言えることであるが、分子量を上げることにより
感度を上げることはできるが、この方法によると解像度
は低下する傾向がある。

（本発明が解決しようとする課題） 本発明の目的は、かかる問題を解決し、解像性を低下さ
せずに感度の向上したネガ型レジストを提供することに
ある。

（課題を解決するための手段） 本発明の上記目的は、下記一般式（１）で示される構造
単位を有する重合体からなることを特徴とするネガ型レ
ジストにより達成される。

一箕ｃ■、−０７− Ｃ００−（ＣＨ，ドア５ｉ（ＯＳｉ（Ｃ）Ｉｚ）ｚ）　
　：１本発明における重合体を得るには数種の合成形態
が採用でき、例えばα−メチル置換又は非置換の七ノー
又はポリクロロメチル化スチレンと、α−メチルスチレ
ン又はスチレンと、トリス（トリメチルシロキシ）シリ
ル基含有のメタクリレート又はアクリレートとの３元共
重合による方法、あるいはα−メチルスチレン又はスチ
レンとトリス（トリメチルシロキシ）シリル基含有のメ
タクリレート又はアクリレートとの共重合体をクロロメ
チル化する方法などが挙げられる。尚、クロロメチル化
は、通常の方法が用いられ、例えば、クロルメチルメチ
ルエーテルを塩化亜鉛、塩化スズ、塩化鉄等の触媒の存
在下に反応される方法などがある。

尚、前記一般式＋１）で示される各構造単位の割合であ
ることが好ましい。

（実施例） 以下、実施例により本発明をさらに説明する。

実施例１ クロルメチルスチレン１００ｇ、スチレン４５ｇ、トリ
ス（トリメチルシロキシ）シリルプロピルメタクリレー
ト１８０ｇ、及びアゾビスイソブチロニトリル１７ｇを
ジオキサン１０００　ｇに溶解した後、乾燥Ｎ２を系内
に通気しながら、５０℃で３５時間攪拌して重合を行っ
た。

反応終了後、メタノールを用いて再沈精製し、目的のポ
リマーを得た。このポリマーの分子量は約３万であった
。

又、’Ｈ−ＮＭＲを用いて測定した結果、以下の組成で
あった。

ＣＨ３ 一−イＣ１ｌ□−Ｃ辷−− ＣＯＯＣＪｂ−Ｓｔ　　（ＯＳｉ　（Ｃ１１３）　３）
　　３＝４３：２２：３５モル比 得られたポリマーを１．４−ジオキサンに溶解しＳｔウ
ェハー上に０．５μになる様に塗布し、８０℃で３０分
間乾燥した。

次に、このレジスト上に電子線を照射した（加れたゆ感
度は約４μＣ／ｃ１１１であった。

又、平行平板型のドライエツチング装置を用いて、耐酸
素プラズマ性を測定したところ、市販のポジ型ノボラッ
ク系レジストに比べ約１０倍の耐性を有し、２層レジス
トの上層レジストとしても使用できることがわかった。

（比較例１） ポリクロルメチルスチレン（分子量３万、クロルメチル
化率５０％）を用いて、実施例１と同様にして電子線照
射し、酢酸イソアミル／エチルセロソルブ（４０／６０
重量比）混合液で現像したところ、感度は、約１０μＣ
／　ｃｏｔであった。

低下させることなく感度を向上させることができる。

特許出願人　日本ゼオン株式会社 ３０秒間浸漬したところ、１μのパターンが得ら手続補
正書し 平成１年３月１３日

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、下記一般式（１）で示される構造単位を有する重合
   体からなることを特徴とするネガ型レジスト。 ▲数式、化学式、表等があります▼（１） （Ｒ＿１、Ｒ＿２、Ｒ＿３は水素又はメチル基、ａ、ｂ
   、ｃは正の整数、ｄは１〜５の整数、ｅは０〜３の整数
   である。）