JPH059231A - コポリマー及びその製法 - Google Patents

コポリマー及びその製法

Info

Publication number
JPH059231A
JPH059231A JP3353046A JP35304691A JPH059231A JP H059231 A JPH059231 A JP H059231A JP 3353046 A JP3353046 A JP 3353046A JP 35304691 A JP35304691 A JP 35304691A JP H059231 A JPH059231 A JP H059231A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
butyl ester
component
tertiary butyl
copolymer
acid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP3353046A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3283555B2 (ja
Inventor
Recai Sezi
ゼチ レカイ
Horst Borndoerfer
ボルンデルフアー ホルスト
Hellmut Ahne
アーネ ヘルムート
Siegfried Birkle
ビルクレ ジークフリート
Eberhard Kuehn
キユーン エバーハルト
Rainer Leuschner
ロイシユナー ライナー
Eva Rissel
リツセル エフア
Michael Sebald
ゼバルト ミヒアエル
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Corp filed Critical Siemens Corp
Publication of JPH059231A publication Critical patent/JPH059231A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3283555B2 publication Critical patent/JP3283555B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/265Selective reaction with inorganic or organometallic reagents after image-wise exposure, e.g. silylation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F220/00Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F220/02Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
    • C08F220/10Esters
    • C08F220/12Esters of monohydric alcohols or phenols
    • C08F220/16Esters of monohydric alcohols or phenols of phenols or of alcohols containing two or more carbon atoms
    • C08F220/18Esters of monohydric alcohols or phenols of phenols or of alcohols containing two or more carbon atoms with acrylic or methacrylic acids
    • C08F220/1804C4-(meth)acrylate, e.g. butyl (meth)acrylate, isobutyl (meth)acrylate or tert-butyl (meth)acrylate
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F222/00Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a carboxyl radical and containing at least one other carboxyl radical in the molecule; Salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof
    • C08F222/04Anhydrides, e.g. cyclic anhydrides
    • C08F222/06Maleic anhydride
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 高解像能のレジスト用ベースポリマーとして
使用することのできる新規のコポリマーを提供する。 【構成】 不飽和カルボン酸の第三ブチルエステル40
〜99モル%と不飽和カルボン酸の無水物1〜60モル
%とからなる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は高解像能のレジスト用ベ
ースポリマーとして使用することのできる新規のコポリ
マーに関する。
【0002】
【従来の技術】高感度レジスト系は例えばアクリル酸、
メタクリル酸又はビニル安息香酸−第3ブチルエステル
のホモポリマーを含む(これに関しては欧州特許出願公
開第0102450号明細書又はこれに相当する米国特
許第4491628号明細書参照)。またレジストに無
水物含有ポリマーを使用することも公知である(欧州特
許出願公開第0388484号、同第0394740
号、同第0394741号及び同第0395917号明
細書参照)。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は新規の
特定のコポリマーを提供することにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】この課題は本発明によれ
ば、不飽和カルボン酸の第3ブチルエステル(成分A)
40〜99モル%と不飽和カルボン酸の無水物(成分
B)1〜60モル%とから構成されているコポリマーに
よって達成される。その際成分A及び成分Bは合計して
100%となる量である。
【0005】
【作用効果】本発明により特定のコポリマー(カルボン
酸−第3ブチルエステル及び無水カルボン酸をベースと
する)、すなわちその基本構成要素の種類及び量がモノ
マー混合物によって決定されるポリマーが提供される。
この種のポリマーはこれまで知られていなかった。第3
ブチルメタクリレート−ホモポリマーをスルホニウム塩
の存在下でUV露光することにより加熱した際に生じる
第3−ブチルメタクリレート、メタクリル酸及び無水メ
タクリル酸からなる不特定ターポリマーのみが公知であ
るにすぎない(これに関しては刊行物「巨大分子(Ma
cromolecules)」第21巻(1988
年)、第1475〜1482頁参照)。
【0006】本発明に基づくコポリマーの場合成分Aは
有利にはアクリル酸−第3ブチルエステル、メタクリル
酸−第3ブチルエステル又はビニル安息香酸−第3ブチ
ルエステルである。その他に重合可能のモノマーとして
例えばマレイン酸、フマル酸及び桂皮酸の第3ブチルエ
ステルを挙げることができる。成分Bは有利には無水マ
レイン酸である。他の重合可能のモノマーは例えば無水
イタコン酸である。
【0007】本発明に基づくコポリマーはビポリマー
(上記形式の)としてのみではなくターポリマーとして
も構成することができる。この種のポリマーには本発明
により付加的に不飽和芳香族化合物(成分C)、すなわ
ちオレフィン不飽和置換基を有する芳香族化合物が組込
まれる。この場合成分Cとしてはスチロール、α−メチ
ルスチロール又はビニルナフタリンを使用するのが有利
である。一般に成分Cとしては重合可能の芳香族化合
物、また多環式又は複素環式構造を有するもの、特に置
換スチロール及びビニルナフタリンが挙げられる。第3
のモノマー構成要素を組込むことにより、ポリマーの規
定の特性、例えばプラズマ耐食性を改善することができ
る。
【0008】本発明によるコポリマーは、不飽和カルボ
ン酸の第3ブチルエステルをラジカル開始剤及び場合に
よっては前記の不飽和芳香族化合物と一緒に、有機溶剤
中の不飽和カルボン酸の無水物の高めた温度下にある溶
液に徐々に加えることにより製造することができる。こ
の場合重合可能の第3ブチルエステルを、有利にはアゾ
イソ酪酸ニトリルである開始剤と一緒に無水物の沸騰溶
液に滴下するのが有利である。溶剤としては例えばトル
オール又は酢酸エチルを使用する。こうして多量の無水
物をコポリマー内に組込むことができる。
【0009】本発明によるコポリマーは有利には高解像
能のポジ又はネガ型レジスト用のベースポリマーとして
使用することができる(これに関してはドイツ連邦共和
国特許出願公開第4041001号明細書を参照)。こ
の種のレジストは特にDUV領域(遠UV)で高い感度
を示す。コポリマー中に存在する無水物官能基は露光し
た後、又は露光及び現像した後適当な物質と反応するこ
とによって明らかに耐食性を高める。欧州特許出願公開
第0102450号明細書による第3ブチルエステルの
ホモポリマーを含むレジスト系と比べて本発明によるポ
リマーを有するレジストは、これが溶液中で貯蔵安定性
でありまた耐食性を高める目的でその場で改変すること
ができる無水物官能基を有するという利点を有する。
【0010】本発明によるコポリマーが無水物を大量に
含んでいたとしても(従ってそれに応じてエステル分は
少ない)、それによってこのポリマーを含むレジストの
感度が損なわれることはない。更にこの種のレジストを
用いることにより、シリル化試薬、特にアミノアルキル
シロキサンとのその場での反応により、(他の系と比較
して)酸素プラズマに対して明らかに高い耐食性が得ら
れる。この理由からこれらのレジストは、極めて厳しい
現像条件が適用される乾式現像レジスト法で使用するこ
とができる。これには特に、ボトムレジストを完全に除
去するため、第1段階ではハロゲン含有プラズマでまた
第2段階では純粋な酸素プラズマでエッチングする二段
階エッチング法が該当する。更に本発明によるポリマー
は比較し得る系よりも高い腐食及び放射線量許容量を驚
くほど明瞭に示す(例えば欧州特許出願公開第0395
917号明細書参照)。従って本発明によるコポリマー
はサブミクロン範囲の構造物を製造するのに使用される
(ドイツ連邦共和国特許出願公開第4041002号明
細書参照)。
【0011】
【実施例】本発明を以下実施例に基づき更に詳述する。
【0012】例 1 無水マレイン酸12.75g(0.13モル)を沸騰す
るトルオール77mlに溶かした。この溶液に、アゾイ
ソ酪酸ニトリル0.1888g(0.00115モル)
を溶解含有する新鮮な蒸留メタクリル酸−第3ブチルエ
ステル14.22g(0.1モル)を徐々に滴下した。
その際トルオール溶液は常に沸騰したままであった。添
加終了後(約15分間)、この溶液を更に60分間還流
下に沸騰させ、次いで室温に冷却した。イソプロパノー
ル約1.5lで沈澱させることにより得られた微細なフ
ロック状生成物を濾別し、イソプロパノールで3回洗浄
し、真空棚中で重量が一定になるまで乾燥した。白色粉
末18gが得られた。赤外線スペクトルは明らかにメタ
クリル酸−第3ブチルエステル及び無水マレイン酸から
なる所期のコポリマーが存在することを示した。熱分解
(TGA、最大ピーク)163℃、無水物量(TGA)
50モル%。
【0013】例 2 無水マレイン酸12.75g(0.13モル)を、沸騰
する酢酸エチル50mlに溶かした。この溶液に新鮮な
蒸留メタクリル酸−第3ブチルエステル14.22g
(0.1モル)及び酢酸エチル27mlからなる混合物
(これにはアゾイソ酪酸ニトリル0.188g(0.0
0115モル)が溶解している)を徐々に滴下した。そ
の際酢酸エチル溶液は常に沸騰したままであった。添加
終了後(約15分間)、この溶液を60分間還流下に沸
騰させ、次いで室温に冷却した。イソプロパノール約
1.5lで沈澱させることにより得られた粗いフロック
状生成物を濾別し、イソプロパノールで3回洗浄し、真
空棚中で重量が一定になるまで乾燥した。微かに黄色味
を帯びた粉末18.4gが得られた。この生成物を2−
ブタノン中に溶解し、イソプロパノール中に再沈澱させ
ることにより、白色の粉末を得た。赤外線スペクトルは
明らかにメタクリル酸−第3ブチルエステル及び無水マ
レイン酸からなる所期のコポリマーが存在することを示
した。熱分解(TGA、最大ピーク)169℃、無水物
量(TGA)50モル%。
【0014】例 3 無水マレイン酸32.36g(0.33モル)を沸騰す
るトルオール210mlに溶かした。この溶液に、アゾ
イソ酪酸ニトリル0.517g(0.00315モル)
が溶けている新鮮な蒸留アクリル酸−第3ブチルエステ
ル38.45g(0.3モル)を徐々に滴下した。その
際トルオール溶液は常に沸騰したままであった。添加終
了後(約15分間)、この溶液を更に60分間還流下に
沸騰させ、次いで室温に冷却した。イソプロパノール約
1.5lで沈澱させることにより得られた微細なフロッ
ク状生成物を濾別し、イソプロパノールで3回洗浄し、
真空棚中で重量が一定になるまで乾燥した。白色の粉末
44.4gが得られた。赤外線スペクトルは明らかにア
クリル酸−第3ブチルエステル及び無水マレイン酸から
なる所期のコポリマーが存在することを示した。熱分解
(TGA、最大ピーク)152℃、無水物量(TGA)
50モル%。
【0015】例 4 例1に相応して製造したメタクリル酸−第3ブチルエス
テル/無水マレイン酸−コポリマー23.75重量部、
トリフェニルスルホニウム−トリフルオルメタンスルホ
ネート1.25重量部及びメトキシプロピルアセテート
75重量部からなるレジストをシリコンウェハ上に遠心
塗布し(3000rpmで20秒間)、次いで60秒間
90℃で乾燥した。その際生じたフィルムの層厚は約1
μmであった。フィルムをジアミノシロキサン(商品名
Tegomer A−Si2120、ゴールトシュミッ
ト(Goldschmidt)社製)2重量部、エタノ
ール45重量部及びイソプロパノール53重量部からな
る溶液で400秒間処理し、イソプロパノールを30秒
間洗浄し、次いで乾燥した。この時点でフィルムの層厚
は1.4μmであった。引続きウェハをプラズマエッチ
ング装置(マテリアル・リサーチ・コーポレーション
(Material Research Corpor
ation)社製、MIE720型)内に入れ、酸素プ
ラズマ中で300秒間乾式エッチングした(O2 /RI
E:ガス圧1.9mトル、バイアス電圧40V、出力
0.9kW、磁石で)。エッチング後層厚は1.19μ
mであった。これによりシリル化層の損傷率0.7mm
/秒が算出された。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 G03F 7/004 515 7124−2H 7/027 502 9019−2H 7/038 505 7124−2H 7/039 7124−2H 501 7124−2H H01L 21/027 (72)発明者 ヘルムート アーネ ドイツ連邦共和国 8551 レツテンバツハ ハイデシユトラーセ 6 (72)発明者 ジークフリート ビルクレ ドイツ連邦共和国 8552 ヘヒシユタツト フアイト‐シユトツス‐シユトラーセ 46 (72)発明者 エバーハルト キユーン ドイツ連邦共和国 8551 ヘムホーフエン ベルクシユトラーセ 32 (72)発明者 ライナー ロイシユナー ドイツ連邦共和国 8520 エルランゲン ドムプフアツフシユトラーセ 144 (72)発明者 エフア リツセル ドイツ連邦共和国 8551 フオルヒハイム リンデンヴエーク 19 (72)発明者 ミヒアエル ゼバルト ドイツ連邦共和国 8521 ヘスドルフ‐ハ ンベルク キルヒエンシユタイク 3

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 不飽和カルボン酸の第3ブチルエステル
    (成分A)40〜99モル%と不飽和カルボン酸の無水
    物(成分B)1〜60モル%とから構成されていること
    を特徴とするコポリマー。
  2. 【請求項2】 成分Aがアクリル酸−第3ブチルエステ
    ル、メタクリル酸−第3ブチルエステル又はビニル安息
    香酸−第3ブチルエステルであることを特徴とする請求
    項1記載のコポリマー。
  3. 【請求項3】 成分Bが無水マレイン酸であることを特
    徴とする請求項1又は2記載のコポリマー。
  4. 【請求項4】 付加的に不飽和芳香族化合物(成分C)
    を組込むことを特徴とする請求項1ないし3の1つに記
    載のコポリマー。
  5. 【請求項5】 成分Cがスチロール、α−メチルスチロ
    ール又はビニルナフタリンであることを特徴とする請求
    項4記載のコポリマー。
  6. 【請求項6】 不飽和カルボン酸の第3ブチルエステル
    をラジカル開始剤及び場合によっては不飽和芳香族化合
    物と一緒に、有機溶剤中の不飽和カルボン酸の無水物の
    高めた温度下にある溶液に徐々に加えることを特徴とす
    る請求項1ないし5の1つに記載のコポリマーの製法。
  7. 【請求項7】 ラジカル開始剤としてアゾイソ酪酸ニト
    リルを使用することを特徴とする請求項6記載の方法。
JP35304691A 1990-12-20 1991-12-18 コポリマー及びその製法 Expired - Lifetime JP3283555B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4041000.5 1990-12-20
DE4041000 1990-12-20

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH059231A true JPH059231A (ja) 1993-01-19
JP3283555B2 JP3283555B2 (ja) 2002-05-20

Family

ID=6420920

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP35304691A Expired - Lifetime JP3283555B2 (ja) 1990-12-20 1991-12-18 コポリマー及びその製法

Country Status (5)

Country Link
US (2) US5616667A (ja)
EP (1) EP0492255B1 (ja)
JP (1) JP3283555B2 (ja)
DE (1) DE59106537D1 (ja)
ES (1) ES2076450T3 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6964839B1 (en) 1999-11-23 2005-11-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Photosensitive polymer having cyclic backbone and resist composition containing the same
JP2017538834A (ja) * 2014-12-18 2017-12-28 エボニック オイル アディティヴス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングEvonik Oil Additives GmbH アルキルメタクリレートと無水マレイン酸とのコポリマーの製造方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE59906054D1 (de) * 1998-04-24 2003-07-31 Infineon Technologies Ag Filmbildende Polymere
DE10137376A1 (de) * 2001-07-31 2003-02-27 Infineon Technologies Ag Geklebte Chip- und Waferstapel
EP3773388A4 (en) 2018-04-02 2022-01-19 Polygreen Ltd. LIQUID POLYMER SOLUTION FOR THE TREATMENT OF NON-WOVEN WEBS
WO2019195272A1 (en) 2018-04-02 2019-10-10 Green Polymers Ltd. Process for the production of biodegradable superabsorbent polymer with high absorbency under load based on styrene maleic acid copolymers and biopolymer
US12129419B2 (en) 2018-11-13 2024-10-29 Polygreen Ltd Polymeric composition for use as soil conditioner with improved water absorbency during watering of the agricultural crops

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3184440A (en) * 1962-07-17 1965-05-18 Grace W R & Co Interpolymer comprising acrylic acid, an acrylic acid ester and a maleic anhydride derivative and a process of preparation
DE1495850A1 (de) * 1964-12-12 1969-11-13 Bayer Ag Verfahren zur Herstellung von Maleinsaeureanhydrid-Copolymerisaten
US3677991A (en) * 1968-08-14 1972-07-18 Dow Chemical Co Anionic acrylate latexes that possess sensitivity to alkalinity
US4491628A (en) * 1982-08-23 1985-01-01 International Business Machines Corporation Positive- and negative-working resist compositions with acid generating photoinitiator and polymer with acid labile groups pendant from polymer backbone
US4868259A (en) * 1986-05-15 1989-09-19 The Goodyear Tire & Rubber Company Emulsion polymerization process
DE58908411D1 (de) * 1989-03-20 1994-10-27 Siemens Ag Hochauflösender Photoresist.
DE3913434A1 (de) * 1989-04-24 1990-10-25 Siemens Ag Trockenwickelbares resistsystem
EP0395917B1 (de) * 1989-04-24 1997-06-25 Siemens Aktiengesellschaft Photostrukturierungsverfahren
EP0394741B1 (de) * 1989-04-24 1997-06-25 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur Erzeugung ätzresistenter Strukturen
US5221787A (en) * 1989-12-22 1993-06-22 General Electric Company Method of preparing maleic anhydride terpolymers

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6964839B1 (en) 1999-11-23 2005-11-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Photosensitive polymer having cyclic backbone and resist composition containing the same
JP2017538834A (ja) * 2014-12-18 2017-12-28 エボニック オイル アディティヴス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングEvonik Oil Additives GmbH アルキルメタクリレートと無水マレイン酸とのコポリマーの製造方法
US10703840B2 (en) 2014-12-18 2020-07-07 Evonik Operations Gmbh Method for the preparation of copolymers of alkyl methacrylates and maleic anhydride

Also Published As

Publication number Publication date
US5616667A (en) 1997-04-01
EP0492255A1 (de) 1992-07-01
EP0492255B1 (de) 1995-09-20
DE59106537D1 (de) 1995-10-26
ES2076450T3 (es) 1995-11-01
JP3283555B2 (ja) 2002-05-20
US5703186A (en) 1997-12-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3368888B2 (ja) 有機金属重合体およびその使用
EP1048983A1 (en) Radiation sensitive resin composition
JPS6052845A (ja) パタ−ン形成材料
JPS63139343A (ja) レジスト組成物
JPH059231A (ja) コポリマー及びその製法
EP0043116B1 (en) Negative-working resists for recording high-energy radiation
JP2001083696A (ja) 反射防止用重合体とその製造方法、反射防止膜組成物、パターン形成方法および半導体素子
JPH11279227A (ja) 化合物、共重合体とその製造方法、フォトレジスト組成物とこれを利用したフォトレジストパタ―ン形成方法、および半導体素子
US5393645A (en) Production of structured polymer layers having nonlinear optical properties
EP0119017B1 (en) Electron-beam and x-ray sensitive polymers and resists
JPS58192035A (ja) ネガテイブ型レジストとして有用な重合体組成物の製造方法
JPH0139569B2 (ja)
JPH0453419B2 (ja)
US4243742A (en) Radiation-sensitive positively acting materials
JPS61249049A (ja) レジスト現像方法
US4617254A (en) Process for forming detailed images
JP2000297082A (ja) 不飽和エポキシ化合物、その製造方法および不飽和エポキシ化合物の(共)重合体
JP2002226664A (ja) ケイ素系ポジ型レジスト組成物及びパターニング方法
Jones et al. Comparison of the electron-beam lithographic properties of a range of poly (methacrylates) and their silicon-containing analogues
JPH087441B2 (ja) ポジ型高感度放射線感応性レジスト
JPS62178244A (ja) ネガ型レジスト
US4885344A (en) Polymeric materials and their use as resists
JPH02170809A (ja) ネガ型レジスト
JPS6058462B2 (ja) ネガ型レジスト材料
JPS61126547A (ja) 電子線レジスト材料

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20020124

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080301

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090301

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100301

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110301

Year of fee payment: 9

EXPY Cancellation because of completion of term