JPH02177574A - 光起電力素子の製造方法 - Google Patents
光起電力素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH02177574A JPH02177574A JP63334461A JP33446188A JPH02177574A JP H02177574 A JPH02177574 A JP H02177574A JP 63334461 A JP63334461 A JP 63334461A JP 33446188 A JP33446188 A JP 33446188A JP H02177574 A JPH02177574 A JP H02177574A
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- JP
- Japan
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- paste
- carbon paste
- manufacturing
- film
- carbon
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- Pending
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/543—Solar cells from Group II-VI materials
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電源用もしくは、民生用の太陽電池などに使
用可能なＣｄＳ／ＣｄＴｅ系の光起電力素子の製造方法
に関するものである。
用可能なＣｄＳ／ＣｄＴｅ系の光起電力素子の製造方法
に関するものである。
従来の技術
ガラス基板上に形成したＣｄＳ ／ ＣｄＴｅ印刷方式
光起電力素子において、Ｃｄ Ｔｅ膜の電極として、カ
ーボンペーストを印刷り、、４ｏｏ℃〜４５０”Ｃで焼
成して形成するか、もしくは、（ｉｕペースト中に１０
係ぐらいのケッチュンブラックを添加したペーストを印
刷し、１５０〜１５０℃の温度で１時間の乾燥により電
極としていた。
光起電力素子において、Ｃｄ Ｔｅ膜の電極として、カ
ーボンペーストを印刷り、、４ｏｏ℃〜４５０”Ｃで焼
成して形成するか、もしくは、（ｉｕペースト中に１０
係ぐらいのケッチュンブラックを添加したペーストを印
刷し、１５０〜１５０℃の温度で１時間の乾燥により電
極としていた。
発明が解決しようとする課題
しかしカーボンペーストで焼成による電極形成では、微
量のＣｕＯの為ＢＳＦ効果が低く、電圧が低い傾向があ
り、また、焼成工程のため焼成炉が必要であった。Ｃｕ
ペーストによる電極形成方式は、焼成工程をなくした利
点はあったが、Ｃｕが高価な為、材料費が高くつくとい
う問題がちシＪさらに信頼性の面では、光照射による劣
化があった。
量のＣｕＯの為ＢＳＦ効果が低く、電圧が低い傾向があ
り、また、焼成工程のため焼成炉が必要であった。Ｃｕ
ペーストによる電極形成方式は、焼成工程をなくした利
点はあったが、Ｃｕが高価な為、材料費が高くつくとい
う問題がちシＪさらに信頼性の面では、光照射による劣
化があった。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたもので、カーボン
ペースト中にＣｕペースト又はＣｕ粒子を添加してこれ
を塗布し、電圧特性を向上させて高効率とし、信頼性も
向上させたものである。
ペースト中にＣｕペースト又はＣｕ粒子を添加してこれ
を塗布し、電圧特性を向上させて高効率とし、信頼性も
向上させたものである。
課題を解決するための手段
本発明は、上記問題点を解決するため、カーボンペース
ト中に：、Ｃｕペーストヲｏ、ｔｓ〜６ｏｔｉ１３１チ
添加するか、または（ｕ粒子をＯ，Ｓ〜５０重量％添加
したペーストをＣｄＴｅ上に塗布し、乾燥して電極を形
成しＢＳＦ効果を高めて電圧特性を向上させ、素子の特
性改善、信頼性向上を図ったものである。
ト中に：、Ｃｕペーストヲｏ、ｔｓ〜６ｏｔｉ１３１チ
添加するか、または（ｕ粒子をＯ，Ｓ〜５０重量％添加
したペーストをＣｄＴｅ上に塗布し、乾燥して電極を形
成しＢＳＦ効果を高めて電圧特性を向上させ、素子の特
性改善、信頼性向上を図ったものである。
作用
本発明による光起電力素子の製造方法によれば、カーボ
ンペースト方式の焼成工程をなくし、またＣｕペースト
方式よりも材料コストを安くし、特性改善、信頼性向上
をすることができた。
ンペースト方式の焼成工程をなくし、またＣｕペースト
方式よりも材料コストを安くし、特性改善、信頼性向上
をすることができた。
実施例
以下、本発明による実施例について図面をもとに説明し
ていく、Ｃ（Ｉｓ粉末に融剤としてＣｄＣ１，。
ていく、Ｃ（Ｉｓ粉末に融剤としてＣｄＣ１，。
を加え、それに粘結剤としてプロビレグリコール等を加
えてペーストを調整する。これを第１図に示すガラス基
板１上にスクリーン印刷して乾燥し、セラミック製の有
孔蓋付き容器に入れて、ベルト式焼成炉で６６０℃〜７
６０℃のＮ２雰囲気中で焼成を行ないＣｄＳ膜２を得る
。この様にして得られたｎ型Ｃ（Ｉｓ焼成膜２上にＣｄ
Ｔｅの粉砕粉に融剤としてＣｄＣｌ２を適量加え、さら
に粘結剤として、プロピレングリコール等を適量加えて
混練し、ペーストとしたものをスクリーン印刷し、Ｃｄ
Ｓと同様に乾燥し、６５０〜６５０″ＣのＮ２雰囲気中
で焼成を行なう。このようにしてＣ（ＩＴθ焼成膜３を
形成し是。
えてペーストを調整する。これを第１図に示すガラス基
板１上にスクリーン印刷して乾燥し、セラミック製の有
孔蓋付き容器に入れて、ベルト式焼成炉で６６０℃〜７
６０℃のＮ２雰囲気中で焼成を行ないＣｄＳ膜２を得る
。この様にして得られたｎ型Ｃ（Ｉｓ焼成膜２上にＣｄ
Ｔｅの粉砕粉に融剤としてＣｄＣｌ２を適量加え、さら
に粘結剤として、プロピレングリコール等を適量加えて
混練し、ペーストとしたものをスクリーン印刷し、Ｃｄ
Ｓと同様に乾燥し、６５０〜６５０″ＣのＮ２雰囲気中
で焼成を行なう。このようにしてＣ（ＩＴθ焼成膜３を
形成し是。
一方カーボンペーストに、Ｃｕペース） （Ｃｕ含有量
９０幅、フェノール樹脂１０係）を０．６重量％〜６ｏ
重量係添加し、混練しペーストにしたものを、Ｃｄ Ｔ
ｅ膜３上にスクリーン印刷し、１５０〜ａｏｏ”ｃ、の
空気中で乾燥する。１例として用いたカーボンペースト
の組成を次表に示す。
９０幅、フェノール樹脂１０係）を０．６重量％〜６ｏ
重量係添加し、混練しペーストにしたものを、Ｃｄ Ｔ
ｅ膜３上にスクリーン印刷し、１５０〜ａｏｏ”ｃ、の
空気中で乾燥する。１例として用いたカーボンペースト
の組成を次表に示す。
この他力−ボンペーストに、Ｃｕ粒子ｔ−０，５ｉ量チ
〜６ｏ重量％添加し、混練しペーストにしたものを、Ｃ
ｄＴｅ膜ａ上にスクリーン印刷し、１５０〜３００”Ｃ
の空気中で乾燥する。以上の様にして、ＣｄＴｅの電極
４を得た。このＣｄ Ｔｏ電極４とＣｄＳ膜２上にそれ
ぞれオーミック電極となるムｇＩｎペーストを印刷、乾
燥してＡｇＩｎ電極６を形成した。
〜６ｏ重量％添加し、混練しペーストにしたものを、Ｃ
ｄＴｅ膜ａ上にスクリーン印刷し、１５０〜３００”Ｃ
の空気中で乾燥する。以上の様にして、ＣｄＴｅの電極
４を得た。このＣｄ Ｔｏ電極４とＣｄＳ膜２上にそれ
ぞれオーミック電極となるムｇＩｎペーストを印刷、乾
燥してＡｇＩｎ電極６を形成した。
この様にして得られた素子の白色蛍光灯２００ルクス下
での開放電圧ＶＯＣと、最大出力ｐｍａｘの値を従来の
カーボンペースト方式を１として比較したものをそれぞ
れ第２図に示す。また信頼性を表わす光劣化のデータを
第３図に示す。
での開放電圧ＶＯＣと、最大出力ｐｍａｘの値を従来の
カーボンペースト方式を１として比較したものをそれぞ
れ第２図に示す。また信頼性を表わす光劣化のデータを
第３図に示す。
発明の効果
本発明は、カーボンペースト中にＣｕペーストあるいは
Ｃｕ粒子を加えることにより、カーボンの焼成工程がな
くなり、あるいはＣｕペーストに比較して材料費が安く
なるという効果に加え、さらに素子特性が向上し、Ｃｕ
ペースト方式電甑に存在する光劣化がなくなり、非常に
安定した信頼性のあるペースト電極となった。
Ｃｕ粒子を加えることにより、カーボンの焼成工程がな
くなり、あるいはＣｕペーストに比較して材料費が安く
なるという効果に加え、さらに素子特性が向上し、Ｃｕ
ペースト方式電甑に存在する光劣化がなくなり、非常に
安定した信頼性のあるペースト電極となった。
第１図は本発明によるＣｃｌＳ／ＣｄＴａ系光起電力素
子の断面図、第２図は白色蛍光灯２００ルクス下での開
放電圧ｗｏｅの従来ペーストとの比較と白色蛍光灯２０
０ルクス下での最大出力ｐｍａｘの値を従来ペーストと
比較した図、第３図はムＭ１．５゜１００！ＩＩＷ／ｃ
、！の光照射下に６時間放置後の光劣化特性を示す図で
ある。 １・・・・・・ガラス基板、 ２・・・・・・ＣｄＳ膜、 ３・・・・・・ ＣｄＴａ膜、 ４・・・・・・ＣｄＴａ電極、 ６・・・・・・ムｇＩｎ膜。
子の断面図、第２図は白色蛍光灯２００ルクス下での開
放電圧ｗｏｅの従来ペーストとの比較と白色蛍光灯２０
０ルクス下での最大出力ｐｍａｘの値を従来ペーストと
比較した図、第３図はムＭ１．５゜１００！ＩＩＷ／ｃ
、！の光照射下に６時間放置後の光劣化特性を示す図で
ある。 １・・・・・・ガラス基板、 ２・・・・・・ＣｄＳ膜、 ３・・・・・・ ＣｄＴａ膜、 ４・・・・・・ＣｄＴａ電極、 ６・・・・・・ムｇＩｎ膜。
Claims (4)
- （１）II−VI族化合物半導体よりなる光起電力素子にお
いて、ガラス基板上に形成したｎ型半導体であるＣｄＳ
もしくはＧｄＺｎＳ焼成膜上に、ＣｄＴｅ焼成膜を形成
し、同膜上にＣｕペーストあるいはＣｕ粒子を添加した
カーボンペーストを塗布した後、１５０〜３００℃の温
度で乾燥することを特徴とする光起電力素子の製造方法
。 - （２）カーボンペースト中に添加するＣｕ粒子の量が０
．５〜５０重量％である特許請求の範囲第１項記載の光
起電力素子の製造方法。 - （３）カーボンペーストが、ガラスフリットタイプのペ
ーストである特許請求の範囲第１項記載の光起電力素子
の製造方法。 - （４）Ｃｕペースト中のＣｕ、ならびにカーボンペース
ト中に添加するＣｕ粒子は、表面をＡｇでコーティング
している特許請求の範囲第１項記載の光起電力素子の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63334461A JPH02177574A (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | 光起電力素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63334461A JPH02177574A (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | 光起電力素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02177574A true JPH02177574A (ja) | 1990-07-10 |
Family
ID=18277649
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63334461A Pending JPH02177574A (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | 光起電力素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02177574A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5384495A (en) * | 1976-12-29 | 1978-07-25 | Japan Solar Energy | Semiconductor electrode and method of forming same |
| JPS5633870A (en) * | 1979-08-29 | 1981-04-04 | Fujitsu Ltd | Semiconductr memory device |
-
1988
- 1988-12-28 JP JP63334461A patent/JPH02177574A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5384495A (en) * | 1976-12-29 | 1978-07-25 | Japan Solar Energy | Semiconductor electrode and method of forming same |
| JPS5633870A (en) * | 1979-08-29 | 1981-04-04 | Fujitsu Ltd | Semiconductr memory device |
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