JPH02178902A - 電圧非直線抵抗素子 - Google Patents
電圧非直線抵抗素子Info
- Publication number
- JPH02178902A JPH02178902A JP63332830A JP33283088A JPH02178902A JP H02178902 A JPH02178902 A JP H02178902A JP 63332830 A JP63332830 A JP 63332830A JP 33283088 A JP33283088 A JP 33283088A JP H02178902 A JPH02178902 A JP H02178902A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- zno
- sintered body
- voltage
- varistor
- resistance element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は酸化亜鉛を主成分とする低電圧回路用電圧非
直線抵抗素子に係り、特に酸化亜鉛焼結体と金属電極間
の接触層に関する。
直線抵抗素子に係り、特に酸化亜鉛焼結体と金属電極間
の接触層に関する。
ZnOを主成分としこれに微量の添加物を加えて混合し
た後焼結して作られるセラミックスは、優れた電圧非直
線性を示すことが知られており、電気回路における異常
電圧(サージ)を制御するためのバリスタとして広く実
用に供されている。このようなバリスタは第3図に示す
工程に従って製造される。
た後焼結して作られるセラミックスは、優れた電圧非直
線性を示すことが知られており、電気回路における異常
電圧(サージ)を制御するためのバリスタとして広く実
用に供されている。このようなバリスタは第3図に示す
工程に従って製造される。
ZnOバリスタの電圧非直線性は、ZnO結晶粒の粒界
に形成される二重ショットキー障壁に起因するものであ
る。実用的なバリスタにおいては、ZnO結晶粒が結合
して形成される粒界1層当たりのバリスタ電圧は結晶粒
径の大きさにかかわらずほぼ一定であり、その値は2■
程度である。 (バリスタ電圧とは、バリスタに1mA
の電流を流したときの端子間電圧で、通常■1□で表わ
される。)したがって、電圧非直線抵抗素子のバリスタ
電圧はZnO焼結体の対向する面上に設けられた電極間
に存在する粒界層の数によって決定される。
に形成される二重ショットキー障壁に起因するものであ
る。実用的なバリスタにおいては、ZnO結晶粒が結合
して形成される粒界1層当たりのバリスタ電圧は結晶粒
径の大きさにかかわらずほぼ一定であり、その値は2■
程度である。 (バリスタ電圧とは、バリスタに1mA
の電流を流したときの端子間電圧で、通常■1□で表わ
される。)したがって、電圧非直線抵抗素子のバリスタ
電圧はZnO焼結体の対向する面上に設けられた電極間
に存在する粒界層の数によって決定される。
ところで、ZnOバリスタの電極には、銀、アルミニウ
ムが用いられるが、避雷器用のZnO素子以外は銀ペー
ストを焼付けてこれを電極とするのが一般的である。こ
の場合銀電極とZnO焼結体界面にシロットキー障壁が
形成され1mAの電流をながしたときに電極/ZnO焼
結体界面のショットキー障壁により約3vの電圧が発生
する。したがって、この電極/ZnO焼結体界面障壁は
バリスタ電圧が低くなるほど、無視できなくなってくる
。
ムが用いられるが、避雷器用のZnO素子以外は銀ペー
ストを焼付けてこれを電極とするのが一般的である。こ
の場合銀電極とZnO焼結体界面にシロットキー障壁が
形成され1mAの電流をながしたときに電極/ZnO焼
結体界面のショットキー障壁により約3vの電圧が発生
する。したがって、この電極/ZnO焼結体界面障壁は
バリスタ電圧が低くなるほど、無視できなくなってくる
。
例えばDC12V回路にZnOバリスタを適用する場合
、回路電圧の変動などを考慮してバリスタ電圧は一般に
22Vのものが使用されるが、前述のように粒界1層当
たりのバリスタ電圧は約2vであるからこの素子の対向
する電極間に11層の粒界が存在することになる。とこ
ろが上述の電極/ZnO焼結体界面障壁のため、ZnO
焼結体の粒界が有するバリスタ電圧と電極/焼結体界面
が有するバリスタ電圧の合計を22Vとしなければなら
ない。このため実際にはバリスタ電圧が低くなるにつれ
て、焼結体の数から求められるバリスタ電圧と実測した
バリスタ電圧間の差が大きくなるので焼結体の粒界の数
を減らさなければならない。このために焼結体厚さを減
らすと(1)焼結体の機械的強度が低下する(2)雷サ
ージ、開閉サージなどのサージエネルギの吸収能力 (
サージ耐量)は焼結体の体積に比例するのでサージ耐量
特性が低下するなどの問題があった。
、回路電圧の変動などを考慮してバリスタ電圧は一般に
22Vのものが使用されるが、前述のように粒界1層当
たりのバリスタ電圧は約2vであるからこの素子の対向
する電極間に11層の粒界が存在することになる。とこ
ろが上述の電極/ZnO焼結体界面障壁のため、ZnO
焼結体の粒界が有するバリスタ電圧と電極/焼結体界面
が有するバリスタ電圧の合計を22Vとしなければなら
ない。このため実際にはバリスタ電圧が低くなるにつれ
て、焼結体の数から求められるバリスタ電圧と実測した
バリスタ電圧間の差が大きくなるので焼結体の粒界の数
を減らさなければならない。このために焼結体厚さを減
らすと(1)焼結体の機械的強度が低下する(2)雷サ
ージ、開閉サージなどのサージエネルギの吸収能力 (
サージ耐量)は焼結体の体積に比例するのでサージ耐量
特性が低下するなどの問題があった。
また、電極/焼結体界面のショットキー障壁は、ZnO
焼結体自身の粒界に存在するショットキー障壁に比ベサ
ージ耐量が低いので、バリスタ電圧が低くなるほどサー
ジによるバリスタ電圧の変化量が大きくなるという欠点
があり、さらに電極/焼結体界面に形成されるショット
キー障壁は、組立て工程例えばハンダ付工程、樹脂モー
ルド工程で変動しやすくバリスタ電圧の工程管理が困難
になるという問題があった。
焼結体自身の粒界に存在するショットキー障壁に比ベサ
ージ耐量が低いので、バリスタ電圧が低くなるほどサー
ジによるバリスタ電圧の変化量が大きくなるという欠点
があり、さらに電極/焼結体界面に形成されるショット
キー障壁は、組立て工程例えばハンダ付工程、樹脂モー
ルド工程で変動しやすくバリスタ電圧の工程管理が困難
になるという問題があった。
この発明は上述の点に鑑みてなされたものでその目的は
焼結体と金属電極間のショットキバリアをなくすことに
より、機械的強度、サージ耐量に優れ、工程管理も容易
な低電圧用電圧非直線抵抗素子を提供することにある。
焼結体と金属電極間のショットキバリアをなくすことに
より、機械的強度、サージ耐量に優れ、工程管理も容易
な低電圧用電圧非直線抵抗素子を提供することにある。
上述の目的はこの発明によれば、酸化亜鉛の粉末と電圧
非直線性を生じさせる微量の添加物粉末とを混合し焼成
した焼結体に金属電極を配してなる電圧非直線抵抗素子
において、In、 八/、 Gaの少なくとも1つの元
素を含む酸化亜鉛からなりかつ前記焼結体と金属電極と
の間に設けられた接触層を備えることにより達成される
。
非直線性を生じさせる微量の添加物粉末とを混合し焼成
した焼結体に金属電極を配してなる電圧非直線抵抗素子
において、In、 八/、 Gaの少なくとも1つの元
素を含む酸化亜鉛からなりかつ前記焼結体と金属電極と
の間に設けられた接触層を備えることにより達成される
。
接触層はIn、 ki、 Gaの熱拡散、イオンインプ
ランテーションにより焼結体に直接的に形成する他、ス
パッタ法やIn、 AI、 Gaを含む酸化亜鉛を塗布
する方法等によって形成することができる。
ランテーションにより焼結体に直接的に形成する他、ス
パッタ法やIn、 AI、 Gaを含む酸化亜鉛を塗布
する方法等によって形成することができる。
酸化亜鉛にJn、 A/、 Gaをを導入した接触層は
低抵抗層であるので、酸化亜鉛と金属電極間のショット
キバリアが消滅する。
低抵抗層であるので、酸化亜鉛と金属電極間のショット
キバリアが消滅する。
次に本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第2図にこの発明の実施例に係る抵抗素子の製造工程が
示される。まずZnO粉末にPr、 Co、 Eなどを
酸化物などの化合物の形で適量添加したあと混合、造粒
しZnOバリスタ用造粒粉が調製される。
示される。まずZnO粉末にPr、 Co、 Eなどを
酸化物などの化合物の形で適量添加したあと混合、造粒
しZnOバリスタ用造粒粉が調製される。
この造粒粉を直径17寵の金型を使用して厚さ]、25
nの円板状に成形する。次いでこの成形体を酸化性雰囲
気中において1350℃の温度で4h焼成する。得られ
た焼結体の大きさは直径14鶴、厚さ1.0額であった
。
nの円板状に成形する。次いでこの成形体を酸化性雰囲
気中において1350℃の温度で4h焼成する。得られ
た焼結体の大きさは直径14鶴、厚さ1.0額であった
。
上記のようにして作られた焼結体の対向する両生面上に
硝酸インジウムIn(NO3) ・9H,0をアセチ
ルアセトンに溶解した溶液を塗布し乾燥後700℃で4
h熱処理し、InをZnO焼結体中に拡散させた。In
を拡散させた面の表面抵抗は1mAの電流を流した時に
IKΩ以下であった。Inを拡散させない時には20に
Ω以上である。
硝酸インジウムIn(NO3) ・9H,0をアセチ
ルアセトンに溶解した溶液を塗布し乾燥後700℃で4
h熱処理し、InをZnO焼結体中に拡散させた。In
を拡散させた面の表面抵抗は1mAの電流を流した時に
IKΩ以下であった。Inを拡散させない時には20に
Ω以上である。
上記処理をした焼結体に銀ペーストを塗布後焼付けてバ
リスタを構成した。第1図に模式断面図が示される。続
いてバリスタ特性を測定した。さらに組立後のバリスタ
特性も評価した。結果が第1表に示される。
リスタを構成した。第1図に模式断面図が示される。続
いてバリスタ特性を測定した。さらに組立後のバリスタ
特性も評価した。結果が第1表に示される。
第1表
るサージ耐量(A)を示しである。ただしサージ耐量は
8720μS標準電流パルスを素子に2分間隔で2回流
した後のVIffiAの変化率が±10%となる電流で
規定した。
8720μS標準電流パルスを素子に2分間隔で2回流
した後のVIffiAの変化率が±10%となる電流で
規定した。
第2表
第1表にはV I+nA + V ImAの変動係数、
電流100pA〜1mA領域における電圧非直線係数α
を、電極づけ後1組立後について従来法と比較して示し
た。さらに参考データとしてZnO焼結体とショットキ
ー障壁を形成しないIn−Ga電極を用いたときの特性
も併せて示した。この結果から本発明の方法によると電
極づけ後と組立て後の特性変動はなく、従来法に比べ優
れていることがわかる。
電流100pA〜1mA領域における電圧非直線係数α
を、電極づけ後1組立後について従来法と比較して示し
た。さらに参考データとしてZnO焼結体とショットキ
ー障壁を形成しないIn−Ga電極を用いたときの特性
も併せて示した。この結果から本発明の方法によると電
極づけ後と組立て後の特性変動はなく、従来法に比べ優
れていることがわかる。
第2表はサージを加えたときの組立て後におけ第2表か
ら明らかなように、本発明方法の方が優れていることが
わかる。この理由は次のように考えられる。即ち、焼結
体そのもののサージ耐量は1200OAであるが、従来
の素子では電極/焼結体界面に形成される障壁がサージ
により変化しやすいためVlmAが20V素子の場合、
電極/焼結体界面障壁が2V変化すると10%の変化と
なるからである。このようにバリスタ電圧が低くなれば
なるほど従来方法で作製されたZnOバリスタ素子のサ
ージ耐量は見掛は上低くなるという欠点が解消される。
ら明らかなように、本発明方法の方が優れていることが
わかる。この理由は次のように考えられる。即ち、焼結
体そのもののサージ耐量は1200OAであるが、従来
の素子では電極/焼結体界面に形成される障壁がサージ
により変化しやすいためVlmAが20V素子の場合、
電極/焼結体界面障壁が2V変化すると10%の変化と
なるからである。このようにバリスタ電圧が低くなれば
なるほど従来方法で作製されたZnOバリスタ素子のサ
ージ耐量は見掛は上低くなるという欠点が解消される。
なお、上述した実施例ではInを塗布、拡散する方法に
ついて述べたが、同様な効果はAI、Ga元素でも確認
された。また実施例では円板状焼結体について示したが
本発明の効果は形状によらず、また対向する電極の場合
のみならず二つの電極を同一平面上に設けたときにも確
かめられる。
ついて述べたが、同様な効果はAI、Ga元素でも確認
された。また実施例では円板状焼結体について示したが
本発明の効果は形状によらず、また対向する電極の場合
のみならず二つの電極を同一平面上に設けたときにも確
かめられる。
In、 AI、 Gaの濃度はZnOのZnに対し10
0原子ppm以上あればよい。また接触層の厚さは10
00Å以上あればよい。
0原子ppm以上あればよい。また接触層の厚さは10
00Å以上あればよい。
この発明によれば酸化亜鉛の粉末と電圧非直線性を生じ
させる微量の添加物粉末とを混合し焼成した焼結体に金
属電極を配してなる電圧非直線抵抗素子において、In
、 kl、 Gaの少なくとも1つの元素を含む酸化亜
鉛からなり前記焼結体と金属電極との間に設けられた接
触層を備えるので低い抵抗の接触層が焼結体と金属電極
の間に介在しその結果焼結体と金属電極との間のショッ
トキバリアが消滅して機械的強度とサージ耐量に優れか
つ製造上の工程管理の容易な電圧非直線抵抗素子が得ら
れる。
させる微量の添加物粉末とを混合し焼成した焼結体に金
属電極を配してなる電圧非直線抵抗素子において、In
、 kl、 Gaの少なくとも1つの元素を含む酸化亜
鉛からなり前記焼結体と金属電極との間に設けられた接
触層を備えるので低い抵抗の接触層が焼結体と金属電極
の間に介在しその結果焼結体と金属電極との間のショッ
トキバリアが消滅して機械的強度とサージ耐量に優れか
つ製造上の工程管理の容易な電圧非直線抵抗素子が得ら
れる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の実施例に係る電圧非直線抵抗素子を
示す模式断面図、第2図はこの発明の実施例に係る抵抗
素子の製造工程を示す流れ図、第3図は従来の素子の製
造工程を示す流れ図である。 IA、 IB:金属電極、録、2B:接触層、3:焼結
第 ■
示す模式断面図、第2図はこの発明の実施例に係る抵抗
素子の製造工程を示す流れ図、第3図は従来の素子の製
造工程を示す流れ図である。 IA、 IB:金属電極、録、2B:接触層、3:焼結
第 ■
Claims (1)
- 1)酸化亜鉛の粉末と電圧非直線性を生じさせる微量の
添加物粉末とを混合し焼成した焼結体に金属電極を配し
てなる電圧非直線抵抗素子において、In,Al,Ga
の少なくとも1つの元素を含む酸化亜鉛からなりかつ前
記焼結体と金属電極との間に設けられた接触層を備える
ことを特徴とする電圧非直線抵抗素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63332830A JPH02178902A (ja) | 1988-12-29 | 1988-12-29 | 電圧非直線抵抗素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63332830A JPH02178902A (ja) | 1988-12-29 | 1988-12-29 | 電圧非直線抵抗素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02178902A true JPH02178902A (ja) | 1990-07-11 |
Family
ID=18259277
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63332830A Pending JPH02178902A (ja) | 1988-12-29 | 1988-12-29 | 電圧非直線抵抗素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02178902A (ja) |
-
1988
- 1988-12-29 JP JP63332830A patent/JPH02178902A/ja active Pending
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