JPH02296302A - 電圧非直線抵抗素子の製造方法 - Google Patents

電圧非直線抵抗素子の製造方法

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JPH02296302A
JPH02296302A JP1116804A JP11680489A JPH02296302A JP H02296302 A JPH02296302 A JP H02296302A JP 1116804 A JP1116804 A JP 1116804A JP 11680489 A JP11680489 A JP 11680489A JP H02296302 A JPH02296302 A JP H02296302A
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JP
Japan
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sintered body
electrode
powder
varistor
voltage
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Pending
Application number
JP1116804A
Other languages
English (en)
Inventor
Koichi Tsuda
孝一 津田
Takashi Ishii
石井 孝志
Tsutomu Koyama
勉 小山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by Fuji Electric Co Ltd filed Critical Fuji Electric Co Ltd
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Publication of JPH02296302A publication Critical patent/JPH02296302A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は酸化亜鉛を主成分とする低電圧回路用電圧非
直線抵抗素子に係り、特に酸化亜鉛焼結体への金属電極
の形成に関する。
〔従来の技術〕
ZnDを主成分としこれに微量の添加物を加えて混合し
た後焼結して作られるセラミックスは、優れた電圧非直
線性を示すことが知られており、電気回路における異常
電圧(サージ)を制御するだめのバリスタとして広く実
用に供されている。このようなバリスタは第3図に示す
工程に従って製造される。
ZnOバリスタの電圧非直線性は、2nD結晶粒の粒界
に形成される二重ショットキー障壁に起因するものであ
る。実用的なバリスタにおいては、ZnO結晶粒が結合
して形成される粒界1層当たりのバリスタ電圧は結晶粒
径の大きさにかかわらずほぼ一定であり、その値は2V
程度である。(バリスタ電圧とは、バリスタに1mへの
電流を流したときの端子間電圧で、通常V + m A
で表わされる。)したがって、電圧非直線抵抗素子のバ
リスタ電圧はZnO焼結体の対向する面上に設けられた
電極間に存在する粒界層の数によって決定される。
〔発明が解決しようとする課題〕
ところで、ZnOバリスタの電極には、銀、アルミニウ
ムが用いられるが、避雷器用のZnO素子以外は銀ペー
ストを焼付けてこれを電極とするのが一般的である。 
この場合銀電極と2rrO焼結体界面にショットキー障
壁が形成され1mAの電流を流したときに電極/ Z 
n O焼結体界面のショットキー障壁により約3Vの電
圧が発生する。したがって、この電極/ Zn D焼結
体界面障壁はバリスタ電圧が低くなるほど、無視できな
くなってくる。
例えばD C12V回路にZnOバリスタを適用する場
合、回路電圧の変動などを考慮してバリスタ電圧は一般
に22Vのものが使用されるが、前述のように粒界1層
当たりのバリスタ電圧は約2Vであるからこの素子の対
向する電極間に11層の粒界が存在することになる。 
ところが上述の電極/ Z n O焼結体界面障壁のた
め、ZnO焼結体の粒界が有するバリスタ電圧と電極/
焼結体界面が有するバリスタ電圧の合計を22Vとしな
ければならない。このため実際にはバリスタ電圧が低く
なるにつれて、焼結体の数から求められるバリスタ電圧
と実測したバリスタ電圧間の差が大きくなるので焼結体
の粒界の数を減らさなければならない。このた必に焼結
体厚さを減らすと(1)焼結体の機械的強度が低下する
〔2)雷サージ、開閉サージなどのサージェネルギの吸
収能力(サージ耐量)は焼結体の体積に比例するのでサ
ージ耐量特性が低下するなどの問題があった。
また、電極/焼結体界面のショットキー障壁は、ZnO
焼結体自身の粒界に存在するショットキー障壁に比ベサ
ージ耐量が低いので、バリスタ電圧が低くなるほどサー
ジによるバリスタ電圧の変化量が大きくなるという欠点
があり、さらに電極/焼結体界面に形成されるショット
キー障壁は、組立て工程例えばハンダ付工程、樹脂モー
ルド工程で変動しやすくバリスタ電圧の工程管理が困難
になるという問題があった。
この発明は」―述の点に鑑みてなされたものでその目的
は焼結体と金属電極間のショットキー障壁をなくすこと
により、機械的強度、サージ耐量に優れ、工程管理も容
易な低電圧用電圧非直線抵抗素子を提供することにある
〔課題を解決するための手段〕
上述の目的はこの発明によれば、酸化亜鉛の粉末と電圧
非直線性を生じさせる微量の添加物粉末とを混合し焼成
した焼結体の電極を設ける面にレーザ光を照射して表面
の熱処理をし、その後電極を形成するものとする。
〔作用〕
酸化亜鉛はη型の半導体であり、ドナーは酸素空孔によ
り形成される。したがって、電極を設ける面を予めレー
ザ光の照射により、加熱・急冷することにより、数面の
表面層に酸素空孔が形成され、このため低抵抗な領域が
できる。酸素空孔は大気中でも形成されるが、好ましく
は中性ガス中、あるいは真空中がよい。
上記低抵抗な層により、焼結体/電極界面に形成される
はずのショットキー障壁は消滅する。
〔実施例〕
次に本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第2図にこの発明の実施例に係る抵抗素子の製造工程が
示される。まずZnO粉末にPr、 Co、  Bなど
を酸化物などの化合物の形で適量添加したあと混合、造
粒しZnOバリスタ用造粒粉が調製される。
この造粒粉を直径1.7 mmの金型を使用して厚さ1
.25mmの円板状に成形する。次いでこの成形体を酸
化性雰囲気中において1350℃の温度で4h焼成する
。得られた焼結体の大きさは直径14n+m、厚さ1.
0mmであった。
」1記のようにして作られた焼結体の対向する両主面を
N2ガス中でArレーザにて熱処理した。このとき表面
の温度は、およそ1000℃であった。
レーザにて熱処理をした面の表面抵抗は1mAの電流を
流したときに1にΩ以下であった。無処理のものは20
にΩ以上であった。
上記処理をした焼結体に銀ペーストを塗布後焼付けてバ
リスタを構成した。第1図に模式断面図が示される。3
は焼結体であり、2A、2Bはレーザにて熱処理した熱
処理層であり、IA、1.8は金属電極である。続いて
パリスフ特性を測定した。さらに組立て後のハリスフ特
性も評価した。
結果が第1表に示される。
第  1 表 第2表はサージを加えたときの組立て後におけるサージ
耐量(A)を示しである。ただしサージ耐量は8/20
μs標準電流パルスを素子に2分間隔て2回流した後の
V + m Aの変化率が±lO%となる電流で規定し
た。
第2表 第1表にはVlffiA、V+□4の変動係数、電流1
00μΔ〜1mA領域における電圧非直線係数αを、電
極づけ後1組立て後について従来法と比較して示した。
 さらに参考データとしてZnO焼結体とショットキー
障壁を形成しないIn−Ga電極を用いたときの特性も
併せて示した。この結果から本発明の方法によると電極
づけ後と組立て後の特性変動はなく、従来法に比べ優れ
ていることがわかる。
第2表から明らかなように、本発明方法の方が優れてい
ることがわかる。この理由は次のように考えられる。即
ち、焼結体そのもののサージ耐量は1.2000△であ
るが、従来の素子では電極/焼結体界面に形成される障
壁がサージにより変化しやずいためV l ff1Aが
20V素子の場合、電極/焼結体界面障壁が2V変化す
ると10%の変化となるからである。このようにバリス
タ電圧が低くなればなるほど従来方法で作製されたZn
Oバリスタ素子のサージ耐量は見掛は上低くなるという
欠点が解消される。
なお、上述した実施例ではN2ガス中でのレーザによる
熱処理の方法について述べたが、同様な効果は訂ガス中
、大気中、真空中でも確認された。
また実施例では円板状焼結体について示したが本発明の
効果は形状によらず、また対向する電極の場合のみなら
ず二つの電極を同一平面上に設けたときにも確かめられ
る。
〔発明の効果〕
この発明によれば酸化亜鉛の粉末と電圧非直線性を生じ
させる微量の添加物粉末とを混合し焼成した焼結体の電
極を設ける面にレーザ光を照射して表面の熱処理をする
ことにより、焼結体/電極間に低抵抗層を導入すること
ができ、このため焼結体/電極間のショットキー障壁が
消滅して機械的強度とサージ耐量に優れかつ製造上の工
程管理の容易な電圧非直線抵抗素子が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の実施例に係る電圧非直線抵抗素子を
示す模式断面図、第2図はこの発明の実施例に係る抵抗
素子の製造工程を示す流れ図、第3図は従来の素子の製
造工程を示す流れ図である。 1Δ、IB 金属電極、2A、2B  熱処理層、第 図 第 図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1)酸化亜鉛の粉末と電圧非直線性を生じさせる微量の
    添加物粉末とを混合し焼成した焼結体の電極を設ける面
    にレーザ光を照射して表面の熱処理をし、その後電極を
    形成することを特徴とする電圧非直線抵抗素子の製造方
    法。
JP1116804A 1989-05-10 1989-05-10 電圧非直線抵抗素子の製造方法 Pending JPH02296302A (ja)

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JP1116804A JPH02296302A (ja) 1989-05-10 1989-05-10 電圧非直線抵抗素子の製造方法

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JPH02296302A true JPH02296302A (ja) 1990-12-06

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ID=14696077

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JP1116804A Pending JPH02296302A (ja) 1989-05-10 1989-05-10 電圧非直線抵抗素子の製造方法

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JP (1) JPH02296302A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005051238A (ja) 2003-07-21 2005-02-24 Abb Res Ltd レーザ照射されたメタライズされた電気セラミック

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2005051238A (ja) 2003-07-21 2005-02-24 Abb Res Ltd レーザ照射されたメタライズされた電気セラミック

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