JPH0218567B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0218567B2 JPH0218567B2 JP12504282A JP12504282A JPH0218567B2 JP H0218567 B2 JPH0218567 B2 JP H0218567B2 JP 12504282 A JP12504282 A JP 12504282A JP 12504282 A JP12504282 A JP 12504282A JP H0218567 B2 JPH0218567 B2 JP H0218567B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- phosphorus
- magnetized film
- perpendicularly magnetized
- alloy
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- Expired
Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/851—Coating a support with a magnetic layer by sputtering
Landscapes
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
近年、新しい高密度記録方式として、垂直磁気
記録方式と光磁気記録方式が注目され、そのため
の記録媒体として、垂直方向に磁気異方性を備え
た垂直磁化膜が開発され、特にCo−Cr系垂直磁
化膜が実用上優れて居り、これを基材面に析出さ
せた磁気記録体は公知である。然し乍ら、この磁
気記録体を製造するに、基材面に、蒸着法やマグ
ネトロン型の高速スパツタ法等の析出速度が数千
Å〜数μmm／minの析出速度でCo−Cr系磁化膜
を生成せしめる場合は、基材の温度を200℃付近
に加熱しないと垂直磁化膜が得られないことが分
つてきた。このことは、この製造法には、磁気テ
ープやフロツピーデイスク等として一般に用いら
れるポリエチレンテレフタレート（PET）など
の熱に弱い合成樹脂を基材として用いることがで
きない不利がある。工業生産規模からみて、基材
を加熱しないで、一般に、室温でCo−Cr系垂直
磁化膜を高速析出生成せしめ得ることが望まし
い。
記録方式と光磁気記録方式が注目され、そのため
の記録媒体として、垂直方向に磁気異方性を備え
た垂直磁化膜が開発され、特にCo−Cr系垂直磁
化膜が実用上優れて居り、これを基材面に析出さ
せた磁気記録体は公知である。然し乍ら、この磁
気記録体を製造するに、基材面に、蒸着法やマグ
ネトロン型の高速スパツタ法等の析出速度が数千
Å〜数μmm／minの析出速度でCo−Cr系磁化膜
を生成せしめる場合は、基材の温度を200℃付近
に加熱しないと垂直磁化膜が得られないことが分
つてきた。このことは、この製造法には、磁気テ
ープやフロツピーデイスク等として一般に用いら
れるポリエチレンテレフタレート（PET）など
の熱に弱い合成樹脂を基材として用いることがで
きない不利がある。工業生産規模からみて、基材
を加熱しないで、一般に、室温でCo−Cr系垂直
磁化膜を高速析出生成せしめ得ることが望まし
い。
本発明は、常温でもCo−Cr系垂直磁化膜をも
つ新規な磁気記録体を提供するもので、基材面上
のCo−Cr系垂直磁化膜にＰが少量混入している
ことを特徴とする。
つ新規な磁気記録体を提供するもので、基材面上
のCo−Cr系垂直磁化膜にＰが少量混入している
ことを特徴とする。
次に本発明の実施例を説明する。
最も優れた垂直磁化特性を示すCo−20Wt％Cr
合金の板状等の材面にCo−Ｐ合金の小片を均一
に配置したものをターゲツトとし、通常のDCマ
グネトロンスパツタ法によりこれをスパツタリン
グし、PETのシートから成る常温の基材面に
6000Å／minの析出速度で析出させる。該基材面
は冷却されたホルダーに接着させてスパツタ中の
温度上昇を防止した。かくして、ポリエチレンテ
レフタレートの基材面に4000Åの厚さを有し4Wt
％程度Ｐの混入したCo−Cr垂直磁化膜が得られ
た。同様の製法で、但しＰの混入量を種々変える
ため、Co−Crターゲツト上に配置されるCo−Ｐ
合金の小片の量を変えて各種混入量の各種のCo
−Cr析出生成膜をもつ製品を得た。比較のため、
前記のCo−Ｐ合金小片を配置しない従来のCo−
20wt％Cr合金のみをターゲツトとして同様にス
パツタして従来のCo−Cr磁化膜をもつ磁気記録
体を得た。
合金の板状等の材面にCo−Ｐ合金の小片を均一
に配置したものをターゲツトとし、通常のDCマ
グネトロンスパツタ法によりこれをスパツタリン
グし、PETのシートから成る常温の基材面に
6000Å／minの析出速度で析出させる。該基材面
は冷却されたホルダーに接着させてスパツタ中の
温度上昇を防止した。かくして、ポリエチレンテ
レフタレートの基材面に4000Åの厚さを有し4Wt
％程度Ｐの混入したCo−Cr垂直磁化膜が得られ
た。同様の製法で、但しＰの混入量を種々変える
ため、Co−Crターゲツト上に配置されるCo−Ｐ
合金の小片の量を変えて各種混入量の各種のCo
−Cr析出生成膜をもつ製品を得た。比較のため、
前記のCo−Ｐ合金小片を配置しない従来のCo−
20wt％Cr合金のみをターゲツトとして同様にス
パツタして従来のCo−Cr磁化膜をもつ磁気記録
体を得た。
これらのサンプルにつき、各種の磁気特性を測
定し、図示の如き結果を得た。
定し、図示の如き結果を得た。
該図から明らかなように、従来のりん無添加の
場合は、膜面に垂直方向の保磁力Hc⊥と平行方
向の保磁力Hcは、その夫々の特性曲線Ａ及び
Ｂに示すように、殆んど同じで、垂直磁化膜にな
つていないが、りんを添加し、その添加量が増大
すると共にHc⊥は急激に増加し、Hc⊥／
Hcの値も増大し、その垂直磁化膜ができ且つ
増大する膜が得られることが分る。しかし乍ら、
Msの値は、その特性曲線Ｃに示すように、5.5％
付近で非強磁性となることが分つた。この結果、
垂直磁化膜としては、Ｐの添加量は、約５％以下
の少量にとゞめることが望ましい。
場合は、膜面に垂直方向の保磁力Hc⊥と平行方
向の保磁力Hcは、その夫々の特性曲線Ａ及び
Ｂに示すように、殆んど同じで、垂直磁化膜にな
つていないが、りんを添加し、その添加量が増大
すると共にHc⊥は急激に増加し、Hc⊥／
Hcの値も増大し、その垂直磁化膜ができ且つ
増大する膜が得られることが分る。しかし乍ら、
Msの値は、その特性曲線Ｃに示すように、5.5％
付近で非強磁性となることが分つた。この結果、
垂直磁化膜としては、Ｐの添加量は、約５％以下
の少量にとゞめることが望ましい。
この垂直磁化膜の生成の原因は、次のように推
定される。即ち、りんが析出粒子の粒界に偏析す
るため、粒子が孤立することにより、単磁区粒子
となり、形状異方性が増大することや磁化過程が
磁壁移動から回転になることにより垂直方向の保
磁力を増大するためである。又りんが粒界に偏析
するのは、本来的にりんが偏析し易く、低温でも
拡散しやすい元素であることに加え、Crとの結
合がCoとの結合より大きいために、多少とも粒
界に偏析しているCr原子に伴なわれてりんも析
出するためと考えられる。
定される。即ち、りんが析出粒子の粒界に偏析す
るため、粒子が孤立することにより、単磁区粒子
となり、形状異方性が増大することや磁化過程が
磁壁移動から回転になることにより垂直方向の保
磁力を増大するためである。又りんが粒界に偏析
するのは、本来的にりんが偏析し易く、低温でも
拡散しやすい元素であることに加え、Crとの結
合がCoとの結合より大きいために、多少とも粒
界に偏析しているCr原子に伴なわれてりんも析
出するためと考えられる。
上記のＰ混入の材料としてＰ−Co合金に変え、
その他のりん合金でも良く、又固体に限らず、
PH3ガス等としてガス状物でもよく、この場合
は、Arガスと同時に真空処理容器内に導入する
方法でもよい。
その他のりん合金でも良く、又固体に限らず、
PH3ガス等としてガス状物でもよく、この場合
は、Arガスと同時に真空処理容器内に導入する
方法でもよい。
又、上記のスパツタリング法の他、蒸着法、イ
オンプレーテイング法その他の適当な薄膜生成手
段が採用できる。Co−Cr系合金としては、Co−
Cr20wt％合金の他、従来使用されているCo−
Cr10〜30wt％合金、更にはこれにMo、Ｗ、Ti、
Ｖ、Rh等の金属を少量添加したものを含む。
オンプレーテイング法その他の適当な薄膜生成手
段が採用できる。Co−Cr系合金としては、Co−
Cr20wt％合金の他、従来使用されているCo−
Cr10〜30wt％合金、更にはこれにMo、Ｗ、Ti、
Ｖ、Rh等の金属を少量添加したものを含む。
尚、基材の温度は、そのりんの少量添加によ
り、冷却しないでも差支えなく、200℃以下の比
較的低温の上昇でも垂直磁化膜が得られることが
分つた。勿論基材が耐熱性を有するものを使用
し、りんの混入した本発明のCo−Cr垂直磁化膜
をもつ磁気記録体を製造するようにする。
り、冷却しないでも差支えなく、200℃以下の比
較的低温の上昇でも垂直磁化膜が得られることが
分つた。勿論基材が耐熱性を有するものを使用
し、りんの混入した本発明のCo−Cr垂直磁化膜
をもつ磁気記録体を製造するようにする。
本発明によるときは、りんを少量混入させるこ
とによりCo−Cr垂直磁化膜が得られ、基材とし
て耐熱性の劣る合成樹脂等の基材でも使用可能と
なり、大期模な大量生産に適した高速析出法によ
るCo−Cr系垂直磁化膜型磁気記録体が得られる
等の効果を有する。
とによりCo−Cr垂直磁化膜が得られ、基材とし
て耐熱性の劣る合成樹脂等の基材でも使用可能と
なり、大期模な大量生産に適した高速析出法によ
るCo−Cr系垂直磁化膜型磁気記録体が得られる
等の効果を有する。
図面は本発明のCo−Cr垂直磁化膜の各種の磁
気特性とりん添加量との関係グラフである。 Ａ……垂直方向保磁力の特性曲線、Ｂ……平行
方向保磁力の特性曲線、Ｃ……Ms特性曲線。
気特性とりん添加量との関係グラフである。 Ａ……垂直方向保磁力の特性曲線、Ｂ……平行
方向保磁力の特性曲線、Ｃ……Ms特性曲線。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基材面上のCo−Cr系垂直磁化膜にＰが少量
混入していることを特徴とする磁気記録体。 ２ Ｐの混入量は、約5Wt％以下である特許請求
の範囲１に記載の磁気記録体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12504282A JPS5917215A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | 磁気記録体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12504282A JPS5917215A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | 磁気記録体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5917215A JPS5917215A (ja) | 1984-01-28 |
| JPH0218567B2 true JPH0218567B2 (ja) | 1990-04-26 |
Family
ID=14900394
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12504282A Granted JPS5917215A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | 磁気記録体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5917215A (ja) |
-
1982
- 1982-07-20 JP JP12504282A patent/JPS5917215A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5917215A (ja) | 1984-01-28 |
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