JPH0218581B2 - - Google Patents

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JPH0218581B2
JPH0218581B2 JP58081919A JP8191983A JPH0218581B2 JP H0218581 B2 JPH0218581 B2 JP H0218581B2 JP 58081919 A JP58081919 A JP 58081919A JP 8191983 A JP8191983 A JP 8191983A JP H0218581 B2 JPH0218581 B2 JP H0218581B2
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JP
Japan
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chip
metal frame
wire
bonding
frame
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JP58081919A
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Yoshio Takagi
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は半導体装置の製造方法、特にフレー
ムタイプの電極基板に半導体チツプを半田付けす
る方法の改良に関するものである。
〔従来技術〕
従来のこの種の半導体装置の製造方法として、
トランジスタモジユール用エレメントを得る場合
の例を第１図ないし第３図に示す。すなわち、メ
タルマスクを使用して絶縁基板１のメタライズ部
分と、メタルフレーム２のチツプ取付け部分３と
に、それぞれにあらかじめハンダ印刷を行なつた
上で、この絶縁基板１上にメタルフレーム２を置
き（第１図）、かつチツプ取付け部分３上には半
導体チツプ４を置いて（第２図）、絶縁基板１と
メタルフレーム２とについては固定治具を使用し
て、これらをホツトプレートあるいは加熱炉中で
加熱してハンダ付け固定する（第３図）。
この従来例の場合にあつては、メタルフレーム
２上の所定位置に半導体チツプ４を正確にハンダ
付けさせることができなく、半導体チツプ４が傾
斜して一部にずれを生じ、以後の工程、例えば自
動ワイヤボンダによるアルミニウムワイヤのボン
デイングがしにくくなつたり、また半導体チツプ
４の直下のハンダ５が流れすぎて、一方ではハン
ダの厚さのバラツキにより熱抵抗特性に不同を生
じ、かつ他方ではカツト部分６からタイバーカツ
ターにより切断して、第４図に示すように、コレ
クタ７、ベース８、およびエミツタ９の各端子を
折り曲げるとき、この折り曲げ部分にハンダが流
れ込んで折り曲げしにくくなるという欠点があつ
た。
また従来のメタルフレーム２の材料としては、
ハンダ付けとアルミニウムワイヤボンデイングと
の双方を可能にするために銅の下地に特殊なニツ
ケルメツキを施したものが殆んどであるが、ニツ
ケルメツキとアルミニウムワイヤとの接着強度
は、アルミニウムとアルミニウムワイヤとの接着
強度よりも弱く、しばしばメツキのむら、汚れな
どによりワイヤボンデイング時のアルミニウムワ
イヤの接着強度が弱くなるという欠点もあつた。
〔発明の概要〕
この発明は従来方法のこのような欠点に鑑み、
メタルフレーム上のチツプ取付け部を取囲む部分
とワイヤボンデイング部分とにアルミニウム層を
形成させ、このアルミニウム層によつて半導体チ
ツプの位置決め、およびハンダの流出防止をな
し、併せてアルミニウムワイヤボンデイングの接
着強度を向上させるようにしたものである。
〔発明の実施例〕
以下、この発明方法の一実施例につき、第５図
ないし第７図を参照して詳細に説明する。
第５図ないし第７図実施例において、前記第１
図および第２図従来例と同一符号は同一または相
当部分を示している。
この実施例方法では、まず第５図に示すよう
に、例えば厚さ0.05〜0.1mm程度のメタルマスク
を使用して、メタルフレーム２上のチツプ取付け
部分３を取囲む部分、およびワイヤボンデイング
部分のそれぞれに、高温溶射、真空蒸着、あるい
はスパツタにより、アルミニウム層１０を数μｍ
〜数十μｍの厚さに付着形成させる。ついで前記
従来例と同様にして、絶縁基板１のメタライズ部
分と、このメタルフレーム２のアルミニウム層１
０で取囲まれたチツプ取付け部分３とにハンダ印
刷を行ない、ついで絶縁基板１上の所定位置にメ
タルフレーム２を置いて固定治具により固定保持
させ、またメタルフレーム２上のチツプ取付け部
分３には半導体チツプ４を置いて、これらをホツ
トプレートあるいは加熱炉中で加熱することによ
り、第６図に示すように、これらを一体的にハン
ダ付けでき、さらにその後、半導体チツプ４とア
ルミニウム層１０との間を、所定通りにアルミニ
ウムワイヤ１１により、第７図に示すように、ワ
イヤボンデイングするのである。
すなわち、この実施例の場合には、メタルフレ
ーム２上のチツプ取付け部分３を取囲む部分、お
よびワイヤボンデイング部分にアルミニウム層１
０を形成させることにより、ハンダ付けに際して
は、このアルミニウム層１０で半導体チツプ４が
位置決めされるために、このチツプ４が傾斜して
ハンダ付けされることはなく、同時にチツプ４直
下のハンダも流れ出す惧れがなくなつて、一定の
ハンダ厚さによるハンダ付けがなされ、かつ端子
の折り曲げも容易になり、またワイヤボンデイン
グに際しては、アルミニウムワイヤのボンデイン
グ接続部が同質のアルミニウム層となるので、そ
の接着強度を向上させ得るのである。
なお前記実施例はトランジスタモジユール用の
メタルフレーム型エレメントについて述べたが、
その他の半導体装置であるところの、例えばサイ
リスタモジユール、ダイオードモジユール用のメ
タルフレーム型エレメントにも広く適用できるこ
とは勿論である。
〔発明の効果〕
以上詳述したようにこの発明方法によるとき
は、半導体装置のメタルフレーム型エレメントに
あつて、メタルフレーム上のチツプ取付け部を取
囲む部分と、ワイヤボンデイング部分とに、アル
ミニウム層を形成させて、このアルミニウム層に
よりチツプ取付け部分上への半導体チツプの位置
決めを行なわせるようにしたから、ハンダ付けに
際しメタルフレームからチツプがずれる惧れがな
くなり、これによつて以後の自動ワイヤボンダに
よるボンデイングを容易にさせ、同時にチツプ直
下のハンダ厚を一定にしてその流出を阻止するの
で、装置の熱抵抗特性を向上でき、かつ各端子の
折り曲げをも容易にすると共に、アルミニウム層
の形成はアルミニウムワイヤによるボンデイング
接着強度を著るしく向上できて信頼性が増すなど
の特長を発揮できるものである。
【図面の簡単な説明】
第１図ないし第４図は従来方法の工程説明図お
よび各端子を折り曲げた状態のエレメント斜視
図、第５図ないし第７図はこの発明方法の一実施
例による工程説明図である。 １……絶縁基板、２……メタルフレーム、３…
…チツプ取付け部分、４……半導体チツプ、５…
…流れ出したハンダ、７，８，９……コレクタ、
ベース、エミツタの各端子、１０……アルミニウ
ム層、１１……アルミニウムワイヤ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ メタルフレーム上のチツプ取付け部分にハン
    ダ印刷を施し、かつこの取付け部に半導体チツプ
    を置いて加熱し、そのハンダ付けを行なうように
    した半導体装置モジユール用のメタルフレーム型
    エレメントの製造において、前記ハンダ印刷を施
    す前のメタルフレーム上のチツプ取付け部分を取
    囲む部分とワイヤボンデイング部分とにアルミニ
    ウム層を形成させ、このアルミニウム層により前
    記取付け部分での半導体チツプの位置決めおよび
    ハンダ保持を行なわせ、またアルミニウムワイヤ
    のワイヤボンデイングを行なわせるようにしたこ
    とを特徴とする半導体装置の製造方法。
JP58081919A 1983-05-09 1983-05-09 半導体装置の製造方法 Granted JPS59205731A (ja)

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JP58081919A JPS59205731A (ja) 1983-05-09 1983-05-09 半導体装置の製造方法

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JPS59205731A JPS59205731A (ja) 1984-11-21
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JPS59205731A (ja) 1984-11-21

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