JPS59205731A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

Info

Publication number
JPS59205731A
JPS59205731A JP58081919A JP8191983A JPS59205731A JP S59205731 A JPS59205731 A JP S59205731A JP 58081919 A JP58081919 A JP 58081919A JP 8191983 A JP8191983 A JP 8191983A JP S59205731 A JPS59205731 A JP S59205731A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chip
wire
metal frame
frame
bonding
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP58081919A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0218581B2 (ja
Inventor
Yoshio Takagi
義夫 高木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP58081919A priority Critical patent/JPS59205731A/ja
Publication of JPS59205731A publication Critical patent/JPS59205731A/ja
Publication of JPH0218581B2 publication Critical patent/JPH0218581B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/075Connecting or disconnecting of bond wires
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/075Connecting or disconnecting of bond wires
    • H10W72/07541Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature
    • H10W72/07552Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature changes in structures or sizes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/075Connecting or disconnecting of bond wires
    • H10W72/07541Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature
    • H10W72/07553Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature changes in shapes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
    • H10W72/521Structures or relative sizes of bond wires
    • H10W72/527Multiple bond wires having different sizes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
    • H10W72/531Shapes of wire connectors
    • H10W72/537Multiple bond wires having different shapes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
    • H10W72/551Materials of bond wires
    • H10W72/552Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
    • H10W72/5524Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising aluminium [Al]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
    • H10W72/59Bond pads specially adapted therefor
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/90Bond pads, in general
    • H10W72/951Materials of bond pads
    • H10W72/952Materials of bond pads comprising metals or metalloids, e.g. PbSn, Ag or Cu
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00Package configurations
    • H10W90/701Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は半導体装置の製造方法、特にフレームタイプ
の電極基板に半導体チップを半田付けする方法の改良に
関するものである。
〔従来技術〕
従来のこの種の半導体装置の製造方法として、トランジ
スタモジュール用エレメントを得る場合の例を第1図な
いし第3図に示す。すなわち、メタルマスクを使用して
絶縁基板(1)のメタライズ部分と、メタル7レーム(
2)のチップ取付は部分(3)とに、それぞれKあらか
じめハンダ印刷を行なった上で、この絶縁基板(1)上
にメタルフレーム(2)を置き(第1図)、かつチップ
取付は部分(3)上には半導体チップ(4)を置いて(
第2図)、絶縁基板(1)とメタルフレーム(2)とK
ついては固定治具を使用して、これらをホットプレート
あるいは加熱炉中で加熱してハンダ付は固定する(第3
図)。
この従来例の場合にあっては、メタルフレーム(2)上
の所定位置に半導体チップ(4)を正確にハンダ付けさ
せることができなく、半導体チップ(4)が傾斜して一
部にずれを生じ、以後の工程、例えば自動ワイヤボンダ
釦よるアルミニウムワイヤのボンディングがしK<<な
った夛、また半導体チップ(4)の直下のノ・ンダ(5
)が流れすぎて、一方ではノ・ンダの厚さのバラツキに
より熱抵抗特性に不同を生じ、かつ他方ではカット部分
(6)からタイバーカッターにより切断して、第4図に
示すように、コレクタ(力、ベース(8)、およびエミ
ッタ(9)の各端子を折シ曲けるとき、との折シ曲は部
分に7・ンダが流れ込んで折シ曲げしにくく々るという
欠点があった。
また従来のメタルフレーム(2)の材料としては、ハン
ダ付時とアルミニウムワイヤボンディングとの双方を可
能にするだめに銅の下地に特殊なニッケルメッキを施し
たものが殆んどであるが、ニッケルメッキとアルミニウ
ムワイヤとの接着強度は、アルミニウムとアルミニウム
ワイヤとの接着強度よりも弱く、シばしにメッキのむら
、汚れなどによシワイヤボンディング時のアルミニウム
ワイヤの接着強度が弱くなるという欠点もあった。
〔発明の概要〕
この発明は従来方法のこのような欠点に艦み、メタルフ
レーム上のチップ取付は部を取囲む部分とワイヤボンデ
ィング部分とにアルミニウム層を形成させ、このアルミ
ニウム層によって半導体チップの位置決め、およびハン
ダの流出防止をなし、併せてアルミニウムワイヤボンデ
ィングの接着強度を向上させるようにしたものである。
〔発明の実施例〕
以下、この発明方法の一実施例につき、第5図ないし第
7図を参照して詳細に説明する。
第5図ないし第7図実施例において、前記第1図および
第2図従来例と同一符号は同一または相当部分を示して
いる。
この実施例方法では、まず第5図に示すように、例えば
厚さ0.05〜01龍程度のメタルマスクを使用して、
メタルフレーム(2)上のチップ取付は部分(3)を取
囲む部分、およびワイヤボンディング部分のそれぞれに
、高温溶射、真空蒸着、あるいはスパッタにより、アル
ミニウム層00)を数μm〜数十μmの厚さに付着形成
させる。ついで前記従来例と同様にして、絶縁基板(1
)のメタライズ部分と、このメタルフレーム(2)のア
ルミニウム層00)で取囲まれたチップ取付は部分(3
)とにノ・ンダ印刷を行ない、ついで絶縁基板(1)上
の所定位置にメタルフレーム(2)を置いて固定治具に
よシ固定保持古せ、またメタルフレーム(2)上のチッ
プ取付は部分(3)には半導体チップ(4)を置いて、
これらをホットプレートあるいは加熱炉中で加熱するこ
とによシ、第6図に示すよう拠、これらを一体的にノ・
ンダ付けでき、さらKその後、半導体チップ(4)とア
ルミニウム層00との間を、所定通シにアルミニウムワ
イヤ<IIIKよシ、第7図に示すように、ワイヤボン
ディングするのである。
すなわち、この実施例の場合には、メタルフレーム(2
)上のチップ取付は部分(3)を取囲む部分、およびワ
イヤボンディング部分にアルミニウム層a旬を形成させ
ることKよシ、ハンダ付けに際しては、このアルミニウ
ム層QO)で半導体チップ(4)が位置決めされるため
に、このチップ(4)が傾斜してハンダ付けされること
はなく、同時にチップ(4)直下のハンダも流れ出す惧
れがなくなって、一定のハンダ厚さによるハンダ付けが
なされ、かつ端子の折シ曲げも容易になり、またワイヤ
ボンディングに際しては、アルミニウムワイヤのボンデ
ィング接続部が同質のアルミニウム層となるので、その
接着強度を向上させ得るのである。
なお前記実施例はトランジスタモジュール用のメタルフ
レーム型エレメントについて述べたが、その他の半導体
装置であるところの、例えばサイリスタモジュール、ダ
イオードモジュール用のメタルフレーム型エレメントに
も広く適用できることは勿論である。
〔発明の効果〕
以上詳述したようにこの発明方法によるときは、半導体
装置のメタルフレーム型エレメントにあって、メタルフ
レーム上のチップ取付は部を取囲す部分と、ワイヤボン
ディング部分とに、アルミニウム層を形成させて、この
アルミニウム層によシチツプ取付は部分上への半導体チ
ップの位置決めを行なわせるようにしたから、ハンダ付
けに際しメタルフレームからチップがずれる惧れがなく
なシ、これによって以後の自動ワイヤボンダによるボン
ディングを容易にさせ、同時にチップ直下のハンダ厚を
一定にしてその流出を阻止するので、装置の熱抵抗特性
を向上でき、かつ各端子の折シ曲げを本容易にすると共
に、アルミニウム層の形成はアルミニウムワイヤによる
ボンディング接着強度を著るしく向上できて信頼性が増
すなどの特長を発揮できるものである。
【図面の簡単な説明】
第1図ないし第4図は従来方法の工程説明図および各端
子を折シ曲けた状態のエレメント斜視図、第5図ないし
第7図はこの発明方法の一実施例による工程説明図であ
る。 (1)・・・・絶縁基板、(2)・・・・メタルフレー
ム、(3)・・・・チップ取付は部分、(4)・・・・
半導体チップ、(5)・・・・流れ出したハンダ、(力
。 (8) 、 (91・・・・コレクタ、ペース、エミッ
タの各端子、01・・・・アルミニウム層、Qυ・・・
・アルミニウムワイヤ。 代理人 大岩増雄 第1図 第2図 第3図 第4図 第5図 第6図 第7図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. メタルフレーム上のチップ取付は部分にハンダ印刷を施
    し、かつこの取付は部に半導体チップを置いて加熱し、
    そのハンダ付叶を行々うようにした半導体装置モジュー
    ル用のメタル7レーム型エレメントの製造において、前
    記ハンダ印刷を施す前のメタルフレーム上のチップ取付
    は部分を取囲む部分とワイヤポンディング部分とにアル
    ミニウム層を形成させ、このアルミニウム層によシ前記
    取付は部分での半導体チップの位置決めおよびハンダ保
    持を行なわせ、またアルミニウムワイヤのワイヤボンデ
    ィングを行なわせるようにしたことを特徴とする半導体
    装置の製造方法。
JP58081919A 1983-05-09 1983-05-09 半導体装置の製造方法 Granted JPS59205731A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58081919A JPS59205731A (ja) 1983-05-09 1983-05-09 半導体装置の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58081919A JPS59205731A (ja) 1983-05-09 1983-05-09 半導体装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS59205731A true JPS59205731A (ja) 1984-11-21
JPH0218581B2 JPH0218581B2 (ja) 1990-04-26

Family

ID=13759858

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58081919A Granted JPS59205731A (ja) 1983-05-09 1983-05-09 半導体装置の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS59205731A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014096432A (ja) * 2012-11-08 2014-05-22 Mitsubishi Materials Corp 銅板付きパワーモジュール用基板及び銅板付きパワーモジュール用基板の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014096432A (ja) * 2012-11-08 2014-05-22 Mitsubishi Materials Corp 銅板付きパワーモジュール用基板及び銅板付きパワーモジュール用基板の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0218581B2 (ja) 1990-04-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS60206087A (ja) 小型の電子電源を製造する方法
JPH06340118A (ja) 画像装置及びその製造方法
EP0998175A1 (en) Method for soldering Dpak-type electronic components to circuit boards
JPS59205731A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2583142B2 (ja) 熱電モジュールの製造方法
JPH05136201A (ja) 半導体装置用電極と実装体
JPS59205730A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2789563B2 (ja) 集積回路装置
JPS60100455A (ja) 半導体装置
JPH0770653B2 (ja) 高出力混成集積回路組立方法
JPS6215991Y2 (ja)
JP2918676B2 (ja) 気密封止用ステムの製造方法
JP2841822B2 (ja) 混成集積回路の製造方法
JPH0453016Y2 (ja)
JPH06103701B2 (ja) 半導体装置の実装体
JP2002359333A (ja) 半導体装置
JPH11102939A (ja) 半導体素子搭載用テープキャリアおよびこれを用いた半導体装置
JP3132713B2 (ja) 半導体装置
JP3214009B2 (ja) 半導体素子の実装基板および方法
JPH05315337A (ja) 半導体装置用電極とその実装体
JPS6216040B2 (ja)
KR810001418Y1 (ko) 반도체 장치
JPS60192340A (ja) 絶縁形半導体装置
JPH0529759A (ja) レーザはんだ付け方法
JPH03184353A (ja) バンプ付フィルムキャリア及びその製造方法