JPH02191350A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH02191350A JPH02191350A JP1320182A JP32018289A JPH02191350A JP H02191350 A JPH02191350 A JP H02191350A JP 1320182 A JP1320182 A JP 1320182A JP 32018289 A JP32018289 A JP 32018289A JP H02191350 A JPH02191350 A JP H02191350A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- lead
- lead frame
- bath
- pair
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に半導体チッ
プの樹脂封止方法の改良に関するものである。
プの樹脂封止方法の改良に関するものである。
〈従来技術〉
半導体装置は、回路素子を作り込んだチップ自体及び該
チップをリードフレームにポンディングしたワイヤボン
ディング部を保護し、且つ外型を所定の形状に仕上げる
ため、従来から大きくはガラス封止方式又は樹脂封止方
式のいずれかが採用されている。後者の樹脂封止方式に
はトランスファモールド型、液状樹脂注型及び液状樹脂
デイツプ型等があシ、これらの封止方式の中で液状樹脂
デイプ型が最も簡単な設備で実施することができ、量産
性の面からも優れている。しかし液状樹脂デイツプ方式
で封止された装置は、樹脂の最終形状は樹脂の表面張力
を利用したものであるため、形状の規制等の制御が施こ
されず、不揃になるという欠点があった。
チップをリードフレームにポンディングしたワイヤボン
ディング部を保護し、且つ外型を所定の形状に仕上げる
ため、従来から大きくはガラス封止方式又は樹脂封止方
式のいずれかが採用されている。後者の樹脂封止方式に
はトランスファモールド型、液状樹脂注型及び液状樹脂
デイツプ型等があシ、これらの封止方式の中で液状樹脂
デイプ型が最も簡単な設備で実施することができ、量産
性の面からも優れている。しかし液状樹脂デイツプ方式
で封止された装置は、樹脂の最終形状は樹脂の表面張力
を利用したものであるため、形状の規制等の制御が施こ
されず、不揃になるという欠点があった。
昨今の電子部品はよシ薄型・小型・軽量であることが要
求され、半導体装置についても薄い外型をもつことが要
求されるため、外型特に厚み規制することができるトラ
ンスファモールド或いは液状樹脂注型が用いられている
。しかし厚さ規制ができるｙ面、樹脂封止方式では次の
ような問題がある。
求され、半導体装置についても薄い外型をもつことが要
求されるため、外型特に厚み規制することができるトラ
ンスファモールド或いは液状樹脂注型が用いられている
。しかし厚さ規制ができるｙ面、樹脂封止方式では次の
ような問題がある。
■ 厚み規制を施すために樹脂の注入が困難で、時間が
かかカ、また注入時に巻き込まれた気泡等が抜けきれず
製品としての歩留が悪い。
かかカ、また注入時に巻き込まれた気泡等が抜けきれず
製品としての歩留が悪い。
■ 厚さが限られるため、注入する樹脂とフレームとの
位置決めが困難で、フレーム露出という事態に至る惧れ
がある。
位置決めが困難で、フレーム露出という事態に至る惧れ
がある。
またトランスファモールドにおいても次のような問題が
ある。
ある。
■ 設備が大がかりになって、市場の要求に対応するの
に時間が掛る。
に時間が掛る。
■ モールド後、樹脂パリの除去、金型の掃除等に手間
が掛る。
が掛る。
■ 樹脂層が薄いため、モールド後に金型から離型する
際、製品を破損し易い。
際、製品を破損し易い。
■ モールド作業において、チップを封止するために要
する樹脂量に比べて廃棄される樹脂量が多く経済性が悪
い。
する樹脂量に比べて廃棄される樹脂量が多く経済性が悪
い。
〈発明の目的〉
本発明は上記従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法に
おける問題点に濫みてなされたもので、ディッピング方
式等の簡単な樹脂封止構造において外型の厚み規制を施
すことができる製造方法を提供する。
おける問題点に濫みてなされたもので、ディッピング方
式等の簡単な樹脂封止構造において外型の厚み規制を施
すことができる製造方法を提供する。
〈実施例〉
第１図は、２本のリード端子１ａ、１ｂ１ｆ：１対とし
て一定ピッチでリード端子が多数形成されたリードフレ
ーム１を示し、該リードフレーム１の一方リード端子１
ａの先端にはＬＥＤ等の半導チップ２がダイボンドされ
、該チップ２の電極と他方のリード端子１ｂとの間には
ワイヤ３がポンディングされて電気的接続されている。
て一定ピッチでリード端子が多数形成されたリードフレ
ーム１を示し、該リードフレーム１の一方リード端子１
ａの先端にはＬＥＤ等の半導チップ２がダイボンドされ
、該チップ２の電極と他方のリード端子１ｂとの間には
ワイヤ３がポンディングされて電気的接続されている。
上述のようにリードフレームｌにダイボンドされたチッ
プ２及びワイヤ３は、第２図に示す如く各リード端子対
を単位として樹脂４によって封止され、外部から保護さ
れる。該樹脂封止のための工程は、ダイボンド及びワイ
ヤボンドされたリードフレーム１を、液状樹脂５を溜め
た槽の中に、少なくともチップ２の部分が浸漬するよう
に沈めて行われる。
プ２及びワイヤ３は、第２図に示す如く各リード端子対
を単位として樹脂４によって封止され、外部から保護さ
れる。該樹脂封止のための工程は、ダイボンド及びワイ
ヤボンドされたリードフレーム１を、液状樹脂５を溜め
た槽の中に、少なくともチップ２の部分が浸漬するよう
に沈めて行われる。
樹脂溜め槽から引き上げた状態では、第３図に示す如く
樹脂５の粘性、表面張力等によった球面状を呈する。従
って次に強制的に成型するため、第４図に示す如く間隔
でか形成され九治具６，６間に、上記樹脂溜め槽から引
き上げられたリードフレームｌ’ｔ−１間隔ｌに樹脂部
４が位置するように挾み込んで硬化させる。硬化後リー
ドフレーム１を治具６．６から外し、樹脂の外型を第５
図に示す如く間隔ｌの平行な平面をもった形状４′に加
工する。
樹脂５の粘性、表面張力等によった球面状を呈する。従
って次に強制的に成型するため、第４図に示す如く間隔
でか形成され九治具６，６間に、上記樹脂溜め槽から引
き上げられたリードフレームｌ’ｔ−１間隔ｌに樹脂部
４が位置するように挾み込んで硬化させる。硬化後リー
ドフレーム１を治具６．６から外し、樹脂の外型を第５
図に示す如く間隔ｌの平行な平面をもった形状４′に加
工する。
く効 果〉
以上本発明によれば、樹脂モールドの特徴を損うことな
く、また大掛シな設備を要することなく、−括して多数
の半導体装置の外型を揃えてその薄型化を図ることがで
きる。また従来のトランスファモールドのようにパリを
生じることもなく、簡単な作業によって行うことができ
るものである。
く、また大掛シな設備を要することなく、−括して多数
の半導体装置の外型を揃えてその薄型化を図ることがで
きる。また従来のトランスファモールドのようにパリを
生じることもなく、簡単な作業によって行うことができ
るものである。
第１図乃至第５図は本発明による一実施例の半導体装置
製造工程を説明するため正面図及び側面図である。 １：リードフレーム ２：チップ ３：ワ イヤ ４：樹脂 ５：液状樹脂 ６：治具
製造工程を説明するため正面図及び側面図である。 １：リードフレーム ２：チップ ３：ワ イヤ ４：樹脂 ５：液状樹脂 ６：治具
Claims (1)
- １．２本のリード端子を１対とするリード端子を多数形
成したリードフレームのそれぞれ一方のリード端に半導
体チップをボンディングし、該半導体チップ上の電極と
他の各リード端との間をワイヤにより電気的接続してな
り、リードフレームのこれらリード端を液状樹脂溜めに
浸漬し引上げて各１対のリード端子のリード端部にそれ
ぞれ樹脂球を形成し、前記樹脂球の樹脂が硬化する過程
で前記樹脂球を平板押圧することにより、前記各１対の
リード端子のリード端部に平行平面を有する樹脂封止体
を形成してなることを特徴とする半導体装置の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1320182A JPH02191350A (ja) | 1989-12-08 | 1989-12-08 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1320182A JPH02191350A (ja) | 1989-12-08 | 1989-12-08 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02191350A true JPH02191350A (ja) | 1990-07-27 |
Family
ID=18118614
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1320182A Pending JPH02191350A (ja) | 1989-12-08 | 1989-12-08 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02191350A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5670629A (en) * | 1979-11-14 | 1981-06-12 | Fujitsu Ltd | Method of sheathing resin for electronic part |
| JPS5795605A (en) * | 1980-12-05 | 1982-06-14 | Tdk Electronics Co Ltd | Method of coating electronic part |
| JPS5887834A (ja) * | 1981-11-20 | 1983-05-25 | Ricoh Elemex Corp | 半導体装置の樹脂封止方法 |
-
1989
- 1989-12-08 JP JP1320182A patent/JPH02191350A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5670629A (en) * | 1979-11-14 | 1981-06-12 | Fujitsu Ltd | Method of sheathing resin for electronic part |
| JPS5795605A (en) * | 1980-12-05 | 1982-06-14 | Tdk Electronics Co Ltd | Method of coating electronic part |
| JPS5887834A (ja) * | 1981-11-20 | 1983-05-25 | Ricoh Elemex Corp | 半導体装置の樹脂封止方法 |
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