JPH02196241A - レジストパターンの作成方法 - Google Patents
レジストパターンの作成方法Info
- Publication number
- JPH02196241A JPH02196241A JP8918538A JP1853889A JPH02196241A JP H02196241 A JPH02196241 A JP H02196241A JP 8918538 A JP8918538 A JP 8918538A JP 1853889 A JP1853889 A JP 1853889A JP H02196241 A JPH02196241 A JP H02196241A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- positive resist
- xylene
- parts
- exposing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、レジストパターンの作成方法に関する。
［従来技術］
第２図を参照して、従来では、第２図（１）に示すウェ
ハ１１上に、第２図（２）に示すように、ポジレジスト
１２を塗布する。次ぎに、第２図（３）に示すように、
マスク１３を通して露光する。これによって、ポジレジ
スト１２に露光部１２ａと、非露光部１２ｂとが形成さ
れる。次に、現像し、第２図（４）に示すように、ウェ
ハ１１」二に所定のレジストパターンを作成する。
ハ１１上に、第２図（２）に示すように、ポジレジスト
１２を塗布する。次ぎに、第２図（３）に示すように、
マスク１３を通して露光する。これによって、ポジレジ
スト１２に露光部１２ａと、非露光部１２ｂとが形成さ
れる。次に、現像し、第２図（４）に示すように、ウェ
ハ１１」二に所定のレジストパターンを作成する。
この場合、ポジ１／シストプロフアイルを長方形断面に
するために、露光時間等の条件および現像時間等の条件
を厳密に管理している。
するために、露光時間等の条件および現像時間等の条件
を厳密に管理している。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、このような従来技術では、露光時間等の条件お
よび現像時間等の条件を厳密に管理する必要がある。ま
た、露光時間等の条件および現像時間等の条件を厳密に
管理しても、露光のボケや露光の回り込みが避けがたい
場合があり、この露光のボケや露光の回り込みにより、
ポジレジストプロファイルが台形断面状のいわゆるブレ
を生じてしまう場合がある。従って、微細化技術が要求
されている今日、従来技術では、レジストパターンの線
巾が太くなり、精度が悪くなった。このため、ＲＩＥ等
のエツチング技術を十分に発揮できなくなった。
よび現像時間等の条件を厳密に管理する必要がある。ま
た、露光時間等の条件および現像時間等の条件を厳密に
管理しても、露光のボケや露光の回り込みが避けがたい
場合があり、この露光のボケや露光の回り込みにより、
ポジレジストプロファイルが台形断面状のいわゆるブレ
を生じてしまう場合がある。従って、微細化技術が要求
されている今日、従来技術では、レジストパターンの線
巾が太くなり、精度が悪くなった。このため、ＲＩＥ等
のエツチング技術を十分に発揮できなくなった。
本発明は、−１−述の技術的課題を解決し、露光時間等
の条件および現像時間等の条件の余裕度を上げ、露光の
ボケや露光の回り込みが生じてもポジレジストプロファ
イルの台形断面状のダレを生ぜず、レジストパターンの
精度を向上し、（２かも、ＲＵＥ等のエツチング技術を
十分に発揮できるレジストパターンの作成方法を提供す
ることを目的とする。
の条件および現像時間等の条件の余裕度を上げ、露光の
ボケや露光の回り込みが生じてもポジレジストプロファ
イルの台形断面状のダレを生ぜず、レジストパターンの
精度を向上し、（２かも、ＲＵＥ等のエツチング技術を
十分に発揮できるレジストパターンの作成方法を提供す
ることを目的とする。
［課題を解決するための手段］
本発明のレジストパターンの作成方法は、ウェハ上にポ
ジｌ／シストを塗布し、マスクをして露光し、現像して
所定のレジストパターンを作成するものにおいて、 前記露光後、現像前に、ポジｌ／シストとキシレンとを
反応させる工程を含むように（７ている。
ジｌ／シストを塗布し、マスクをして露光し、現像して
所定のレジストパターンを作成するものにおいて、 前記露光後、現像前に、ポジｌ／シストとキシレンとを
反応させる工程を含むように（７ている。
［作用］
本発明では、露光後、現像前に、ポジレジストとキシレ
ンとを反応させる工程を含むように１７でいる。従って
、ポジレジストの非露光部の表面に難溶化層が形成され
、ポジレジストの露光部と、難溶化層との現像スピード
の差が大きくなり、しかも、非露光部が難溶化層に保護
される。
ンとを反応させる工程を含むように１７でいる。従って
、ポジレジストの非露光部の表面に難溶化層が形成され
、ポジレジストの露光部と、難溶化層との現像スピード
の差が大きくなり、しかも、非露光部が難溶化層に保護
される。
これによって、露光時間等の条件および現像時間等の条
件の余裕度を上げることができる。また、露光のボケや
露光の回り込みが生じてもポジレジストプロファイルの
台形状のダレを生ぜず、レジストパターンの精度を向上
することができる。しかも、ＲＩＥ等のエツチング技術
を十分に発揮できる。
件の余裕度を上げることができる。また、露光のボケや
露光の回り込みが生じてもポジレジストプロファイルの
台形状のダレを生ぜず、レジストパターンの精度を向上
することができる。しかも、ＲＩＥ等のエツチング技術
を十分に発揮できる。
［実施例］
以下図面に基づいて本発明の詳細な説明する。
第１図は、本発明の一実施例の工程を示す図である。
第１図（１）に示すシリコン等からなるウェハ１上には
、第１図（２）に示すようにボジレジス！−２が塗布さ
れる。
、第１図（２）に示すようにボジレジス！−２が塗布さ
れる。
次ぎに、第１図（３）に示すように、マスク３をしてウ
ェハ１上のポジレジスト２に露光する。マスク３には、
ガラス等からなる基板３ａに、クロム等による所定のパ
ターン３１〕が形成されている。
ェハ１上のポジレジスト２に露光する。マスク３には、
ガラス等からなる基板３ａに、クロム等による所定のパ
ターン３１〕が形成されている。
露光によって、ポジレジスト２には、パターン３ｂ以外
の窓に対応して露光部２ａと、パターン３ｂに対応して
非露光部２ｂとが形成される。露光部２ａにおいては、
露光によってポジレジスト２が分解する。
の窓に対応して露光部２ａと、パターン３ｂに対応して
非露光部２ｂとが形成される。露光部２ａにおいては、
露光によってポジレジスト２が分解する。
次ぎに、ポジレジスト２とキシレン４とを反応させる。
例えば、前述の処理を行ったウェハ１を第１図（４）に
示すように、反応層５中のキシレン４の溶液に浸漬する
。これによって、ポジレジスト２の非露光部２ｂと、キ
シレン４とが反応し、非露光部２ｂにおけるポジレジス
ト２の低分子が溶解し、高分子化が進み、非露光部２ｂ
の表面付近に現像液に溶けにくい難溶化層２ｃが形成さ
れる。
示すように、反応層５中のキシレン４の溶液に浸漬する
。これによって、ポジレジスト２の非露光部２ｂと、キ
シレン４とが反応し、非露光部２ｂにおけるポジレジス
ト２の低分子が溶解し、高分子化が進み、非露光部２ｂ
の表面付近に現像液に溶けにくい難溶化層２ｃが形成さ
れる。
この、ポジレジストとキシレンとの反応によって、ポジ
レジストの現像液への現像スピードは、難溶化層２ｅ＜
非露光部２ｂ＜露光部２ａとなる。
レジストの現像液への現像スピードは、難溶化層２ｅ＜
非露光部２ｂ＜露光部２ａとなる。
従って、ポジレジスト２の表面が難溶化層２ｃと露光部
２ａとなるので、難溶化層２ｃと露光部２ａとの現像ス
ピードの差が大きくなる。即ち、コントラストが、大き
くなる。
２ａとなるので、難溶化層２ｃと露光部２ａとの現像ス
ピードの差が大きくなる。即ち、コントラストが、大き
くなる。
なお、露光にボケや回り込みが生じても、ポンレジスト
の分解が少ないので、ポジレジストとキシレンとの反応
によって、露光にボケや回り込みが生じた部分について
も難溶化層２Ｃか形成される。
の分解が少ないので、ポジレジストとキシレンとの反応
によって、露光にボケや回り込みが生じた部分について
も難溶化層２Ｃか形成される。
従って、ポジレジスト２とキシレン４との反応処理を行
うことによって、露光時間等の条件の余裕度を上げるこ
とができる。
うことによって、露光時間等の条件の余裕度を上げるこ
とができる。
次ぎに、例えばアルカリ溶液で、現像を行う。
この現像によって、露光部２ａが溶ける。難溶化層２Ｃ
と露光部２ａとの現像スピードの差が大きく、かつ、非
露光部２ｂが難溶化層２ｃに保護されているので、壁の
立ったほぼ長方形断面のポジレジストプロファイルが形
成される。従って、ポジレジストプロファイルのダレを
防止することができる。
と露光部２ａとの現像スピードの差が大きく、かつ、非
露光部２ｂが難溶化層２ｃに保護されているので、壁の
立ったほぼ長方形断面のポジレジストプロファイルが形
成される。従って、ポジレジストプロファイルのダレを
防止することができる。
また、長時間にわたって現像を行っても、非露光部２ｂ
が難溶化層２ｃに保護されているので、逆台形のポジレ
ジストプロファイルが形成される。
が難溶化層２ｃに保護されているので、逆台形のポジレ
ジストプロファイルが形成される。
従って、ポジレジスト２とキシレン４との反応処理を行
うことによって、現像時間等の条件の余裕度を上げるこ
とができる。また、この長方形、逆台形の１７ジストプ
ロフアイルは、ＲＩＥ等で特に有利となり、パターンの
微細化に寄与する。
うことによって、現像時間等の条件の余裕度を上げるこ
とができる。また、この長方形、逆台形の１７ジストプ
ロフアイルは、ＲＩＥ等で特に有利となり、パターンの
微細化に寄与する。
なお、本発明の実施例では、ウェハ１を反応層５のキシ
レン４の溶液に浸漬して、ポジレジスト２とキシレン４
とを反応させるよ・うにしたが、他の方法によりポジレ
ジスト２とキシレン４とを反応させるようにしてもよい
。
レン４の溶液に浸漬して、ポジレジスト２とキシレン４
とを反応させるよ・うにしたが、他の方法によりポジレ
ジスト２とキシレン４とを反応させるようにしてもよい
。
［発明の効果］
以」二のように本発明によれば、露光後、現像前に、ポ
ジレジストとキシレンとを反応させる］二程を含むよう
にしている。従って、ポジレジストの非露光部の表面に
難溶化層が形成され、ポジレジストの露光部と、難溶化
層との現像スピードの差が大きくなり、（７かも、非露
光部が難溶化層に保護される。
ジレジストとキシレンとを反応させる］二程を含むよう
にしている。従って、ポジレジストの非露光部の表面に
難溶化層が形成され、ポジレジストの露光部と、難溶化
層との現像スピードの差が大きくなり、（７かも、非露
光部が難溶化層に保護される。
これによって、露光時間等の条件および現像時間等の条
件の余裕度を上げることができる。また、露光のボケや
露光の回り込みが生じてもポジレジストプロファイルの
台形状のブレを生ぜず、レジストパターンの精度を向上
することができる。（２かも、ＲＩＥ等のエツチング技
術を十分に発揮できる。
件の余裕度を上げることができる。また、露光のボケや
露光の回り込みが生じてもポジレジストプロファイルの
台形状のブレを生ぜず、レジストパターンの精度を向上
することができる。（２かも、ＲＩＥ等のエツチング技
術を十分に発揮できる。
第１図は本発明の一実施例の工程を示す図であり、第２
図は従来の工程を示す図である。 １・・・ウェハ ２・・・ポジレジスト ２ａ・・・露光部 ２ｂ・・・非露光部 ２Ｃ・・・難溶化層 ３・・・マスク ４・・・キシレン 第 １ 図 第２図 く１） ２ｂ
図は従来の工程を示す図である。 １・・・ウェハ ２・・・ポジレジスト ２ａ・・・露光部 ２ｂ・・・非露光部 ２Ｃ・・・難溶化層 ３・・・マスク ４・・・キシレン 第 １ 図 第２図 く１） ２ｂ
Claims (1)
- ウェハ上にポジレジストを塗布し、マスクをして露光し
、現像して所定のレジストパターンを作成するレジスト
パターンの作成方法において、前記露光後、現像前に、
ポジレジストとキシレンとを反応させる工程を含むこと
を特徴とするレジストパターンの作成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8918538A JPH02196241A (ja) | 1989-01-25 | 1989-01-25 | レジストパターンの作成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8918538A JPH02196241A (ja) | 1989-01-25 | 1989-01-25 | レジストパターンの作成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02196241A true JPH02196241A (ja) | 1990-08-02 |
| JPH0579982B2 JPH0579982B2 (ja) | 1993-11-05 |
Family
ID=11974403
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8918538A Granted JPH02196241A (ja) | 1989-01-25 | 1989-01-25 | レジストパターンの作成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02196241A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5646530A (en) * | 1979-09-25 | 1981-04-27 | Nec Corp | Preparation of resist pattern |
| JPS59155921A (ja) * | 1983-02-25 | 1984-09-05 | Fujitsu Ltd | レジストパタ−ンの形成方法 |
| JPS6032047A (ja) * | 1983-08-02 | 1985-02-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 微細加工方法 |
-
1989
- 1989-01-25 JP JP8918538A patent/JPH02196241A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5646530A (en) * | 1979-09-25 | 1981-04-27 | Nec Corp | Preparation of resist pattern |
| JPS59155921A (ja) * | 1983-02-25 | 1984-09-05 | Fujitsu Ltd | レジストパタ−ンの形成方法 |
| JPS6032047A (ja) * | 1983-08-02 | 1985-02-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 微細加工方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0579982B2 (ja) | 1993-11-05 |
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