JPH02197844A - ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルの製造方法 - Google Patents

ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルの製造方法

Info

Publication number
JPH02197844A
JPH02197844A JP1186193A JP18619389A JPH02197844A JP H02197844 A JPH02197844 A JP H02197844A JP 1186193 A JP1186193 A JP 1186193A JP 18619389 A JP18619389 A JP 18619389A JP H02197844 A JPH02197844 A JP H02197844A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
weight
parts
mixture
compd
sulfonic acid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP1186193A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH048781B2 (ja
Inventor
Fritz Erdmann
フリツツ・エルドマン
Ulrich Simon
ウルリツヒ・シモン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hoechst AG
Original Assignee
Hoechst AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=6122201&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JPH02197844(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Hoechst AG filed Critical Hoechst AG
Publication of JPH02197844A publication Critical patent/JPH02197844A/ja
Publication of JPH048781B2 publication Critical patent/JPH048781B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • G03F7/023Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Phenolic Resins Or Amino Resins (AREA)
  • Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
  • Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルの
製法に関する。
ナフトキノンジアジドと水に不溶であるが水性アルカリ
溶液には可溶であるバインダーを含有する混合物及び該
混合物から製造された感光性複写材料は公知である。こ
れらは通常、−価又は多価フェノール例えばポリヒドロ
キシベンゾフェノン、ポリヒドロキシナフチルメタン、
ポリヒドロキシジフェニルメタン又は4−(2−フェニ
ルプロプ−2−イル)−フェノールのナフトキノンジア
ジドスルホン酸エステルを含有する。
これらの比較的低分子のエステルの中で、分子中に2個
以上のナフトキノンジアジド基を有する代表的エステル
は、感光度が比較的高く、耐現像液性が良好で、製造さ
れる印刷板の印刷操業が長いために実地では特に好まし
い。しかし該化合物の多数及び特に、ジアゾ基の比較的
高い含分を有する好ましく代表的なものは、爆発の危険
があるという欠点を有する。このことは、該化合物の製
造、貯蔵及び輸送が極めて特殊な予備注意を要する手段
の下で比較的少量ずつ実施されなければならないという
ことを意味する。該化合物の多量の貯蔵及び輸送は可能
な限り概して回避され、該化合物は可能ならばその製造
後その場で、可及的に迅速に加工される。
しかし、0−キノンジアジドでブレセンシクイズされl
−ボジチプに作用する印刷版の消費が、世界中で相当に
増大した結果として、増大する数の現場に塗布機を設置
することが必要になった。このように分散された現場に
必要化学薬品を中央接点から危険なしに供給できること
が望ましいであろう。しかしこれは、ナフトキノンジア
ジドスルホン酸エステルに関しては一層困難になってい
る、それというのも安全基準が世界の到る旭に生まれた
からである。
爆発の危険を有する化合物を、輸送前に、慣用的に添加
される樹脂、例えばフェノール樹脂又は他のポリマー化
合物と混合することによって前記課題を解決する試みは
すでに実施されているが、これは過度に、該危険化合物
が最初に製造され、単離されかつ混合の間に処理されな
ければならないことを要求する。同課題の他の解決手段
はまだ開示されていないし、要するにこの課題そのもの
が殆ど出版物に記載されていないのである。
他方、他の課題を解決するためには高分子0−キノンジ
アジドを製造し使用することは公知である。
すなわち、西独国特許第850860号明細書には、0
−キノンジアジドスルホニルハライドとフェノール樹脂
との反応及び反応生成物を印刷版コーチング用に使用す
ることが記載されているが、この場合にはキノンジアジ
ドがコーチング層で結晶化するのを防止する必要がある
しかし、これらの化合物の感光性及びその他の複写及び
印刷に関する技術的特性はもはや現在の要求を満足させ
ない。
英国特許第1113759号明細書には、ナフトキノン
ジアジドスルホン酸でエステル化された、ピロガロール
とア七トンとの重合縮合生成物が記載されている。これ
らの生成物はアルミニウムに対する改善された密着性を
有すると記載されている。これらの生成物は前記の低分
子ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルの複写及び
印刷に対する有効性をあまり達成しない。
西独国特許出願公告第2044868号明細書には、フ
ォトレジスト材料の製造のためにす7トキノンジアジド
スルホン酸とポリグリコールとから形成されたエステル
を使用することが記載されている。これらの化合物はコ
ーチング層の脆性をより少なくすると記載されている。
これらの化合物は、その油状又は軟質の樹脂的稠度の故
に精製が困難であるという欠点を有する。これら化合物
はフォトレジスト材料として使用するには適当であるけ
れども、オフセット印刷版の製造に関しては、十分に親
油性でなく、過度に短い印刷操業を有する。
西独国特許出願公開第2146166号明細書には、ビ
スフェノール/ホルムアルデヒド樹脂のナフトキノンジ
アジドスルホン酸エステルが記載されている。これらの
化合物は、冒頭記載の低分子ナフトキノンジアジドの複
写及び印刷に対する技術的特性を十分には達成しない。
本発明の課題は、その成分を危険なく取扱うことができ
かつその複写及び印刷特性の点で従来公知の同種類の最
良な混合物と匹敵できる感光性混合物を提供することで
あった。
本発明は、 a)水に不溶であるが、水性アルカリ溶液に可溶のバイ
ンダー及び b)ナフトキノンジアジドスルホン酸及びフェノール性
ヒドロキシル基を有する化合物から形成されたエステル を含有する感光性混合物に使用される前記エステルの製
法に関する。
本発明による混合物は、ナフトキノンジアジドスルホニ
ルハライドと、少なくとも1個、好ましくは少なくとも
2個のフェノール性ヒドロキシル基を含む限定的構造及
び分子の大きさを有する低分子化合物及び反復単位を有
し、その各々が少なくとも1個のフェノール性ヒドロキ
シル基を含む重合化合物の混合物との反応生成物である
エステルより成る。
本発明によれば、ナフトキノンジアジドスルホン酸エス
テルの製造に当たり、ナフトキノンジアジドスルホニル
ハライドを、フェノール性ヒドロキシル基を含む物質と
反応させかつフェノール性ヒドロキシル基を含む物質と
して、少なくとも1個、好ましくは少なくとも2個のフ
ェノール性ヒドロキシル基を含む限定的構造及び分子の
大きさを有する低分子化合物及び反復単位を有し、その
各々が少なくとも1個のフェノール性ヒドロキシル基を
含む重合化合物の混合物を使用することより成る方法が
提案される本発明による方法によって得られるエステル
化生成物は、反応混合物から単離され、精製され、乾燥
され、貯蔵されかつ危険及び爆発傾向の防止なしに輸送
されうる。他方、該生成物は、低分子成分を含有する結
果として、事実上これら低分子化合物の周知の不利な性
質を有しない。
有利なす7トキノンジアジドスルホニルハライドは、公
知のように塩化物である。原理的には、同様に公知の臭
化物も十分に適当である。
該化合物は1.2−ナフトキノンジアジド、特に1.2
−ナフトキノン−2−ジアジドから誘導される。該化合
物は、分子中に、ナフタレン核の3.4.5.6.7又
は8位にあってよいl又は2個のスルホニルハライド基
を有していてもよい。モノスルホン酸の中では、4−ス
ルホン酸及び5−スルホン酸、好ましくは後者が大抵の
場合に使用される。ジスルホン酸の場合には、スルホン
酸基は例えば3,5−位、3゜6−位、4,6−位又は
5.7−位にあってもよい。
適当な低分子フェノールは好ましくは分子中に少なくと
も2個のベンゼン核を有しかつ少なくとも2mの7エノ
ール性ヒドロキシル基を含む化合物である。
有利な化合物群は、−数式: [式中Rは単結合又は基co、s、oSso2及びCR
6R)の1つを表わし、R1、R2、R3R4及びR5
は水素又はハロゲン原子、ヒドロキシル基又は炭素1〜
4(1を有するアルキル基又はアルコキシ基を表わし、
R6及びR7は水素原子又は炭素原子1〜4個を有する
アルキル基を表わすか又は式中基R3、R4及びR5の
うち2個及び基R1及びR2が各場合に結合して縮合芳
香族環を形成する、ただし、基R1、R2、R3、R4
及びR5の少なくとも1個はヒドロキシル基を表わす]
のフェノールによって形成される。
適当な低分子フェノール化合物の例は、2゜4−ジヒド
ロキシベンゾフェノン、2,3.4−トリヒドロキシベ
ンゾフェノン、2.4.2’4′−テトラヒドロキシジ
フェニルスルフィド2.2′−ジヒドロキシジナフチル
メタン、4.4′−ジヒドロキシ−2,2′−ジメチル
−5,5′−ジーtert−ブチルジフェニルスルフィ
ド、4.4’−ジヒドロキシージ7二二ルスルフイド、
4.6−ビス−(2,4−ジヒドロキシフェニルチオ)
−レゾルシノール、24.2’、4’−テトラヒドロキ
シ−3,5゜3’、5’−テトラブロムジフェニルスル
ホン、2.4.2’、4’−テトラヒドロキシ−3,5
3/、5/−テトラブロムビフェニル又は2゜4−ジヒ
ドロキシ−3,5−ジブロムベンゾフェノンである。
フェノール性ヒドロキシル基を含む適当な重合化合物は
主としてフェノールとカルボニル化合物との縮合樹脂で
ある。この結合において好ましい反応成分は、それ自体
公知であって0−す7トキノンジアジド層の成分として
常用の縮合生成物である。この理由から、フェノール/
ホルムアルデヒドノボラック又はクレゾール/ホルムア
ルデヒドノボラックは特に好ましい。
これらの樹脂のエステル化生成物の使用は、非エステル
化フェノール化合物の含有が、ともかく同化合物が混合
物の成分である故に諸困難を惹起しないという利点を有
する。更に適当な7エノール樹脂は、ピロガロールとア
セトンとの縮合生成物(例えば英国特許第111375
9号明細書に記載されている)である。また西独国特許
出願公開第2847878号明細書に記載されたポリヒ
ドロキシベンゾフェノンとホルムアルデヒドとのポリ縮
合生成物も使用しうるスルホニルハライドを用いる低分
子フェノールとポリマーフェノールとの混合物のエステ
ル化では、低分子成分が有利に反応すると推測される。
これが、低分子フェノールの比較的低い割合における混
合エステル化生成物の複写及び印刷に対する工業的特性
が、主としてこの低分子の割合によって特徴づけられて
、純フェノール樹脂とナフトキノンジアジドスルホン酸
とから形成されたエステル化生成物(例えば西独国特許
第865890号明細書に記載されている)とは著しく
相異している理由である。
該エステル化反応で使用される低分子フェノールとポリ
マー7エノールとの量比は、モノマーフェノールの1重
量部に対するポリマーフェノールの重量部の比として0
.1〜20.好ましくは0.3〜12の範囲内になけれ
ばならない。
またナフトキノンジアジドスルホニルハライドと総フェ
ノール化合物との量比もエステル化の結果に対する重要
な因子である。スルホニルハライドの量は好ましくは低
分子部分のフェノール性ヒドロキシル基の全部をエステ
ル化するのに十分でなければならない。エステル化混合
物の有用性の重要な基準は同混合物のジアゾ窒素の含分
である。一般に優秀な性質を有する生成物は、2〜9%
、好ましくは3〜8%のジアゾ窒素分を有し、特に4.
5〜7.5の値を有する生成物が有利である。
全感光性混合物中の非揮発性成分に相対するナフトキノ
ンジアジドスルホン酸エステルの含分は、公知ナフトキ
ノンジアジドの場合と同じオーダーの大きさであっても
よい。しかしまたこの含分け、就中エステル化生成物が
なおある割合の非エステル化フェノール樹脂を含有する
場合には相当に高くてもよい。一般にはこの割合は5〜
50重量%、好ましくは10〜30重量%である。
混合エステルは、公知法で、スルホニルハライド好まし
くは塩化スルホニルを、適当な溶剤例えばアセトン、ブ
タノン、シクロヘキサノン、塩化メチレン又はl、1.
1−トリクロルエタン中で溶解することによって製造さ
れる。またフェノール化合物もこれらの溶剤のうちの1
つに溶解し、この溶液を酸塩化物の溶液に加える。エス
テル化反応を塩基、例えばアルカリ金属炭酸塩又は重炭
酸塩又はアルカリ土金属炭酸塩又は重炭酸塩、第=脂肪
族アミン又はピリジンの存在で実施するのが適当である
。反応生成物は、非溶剤を用いて沈殿させるか又は例え
ば噴霧乾燥によって溶剤を蒸発することによって単離し
かつ乾燥する。
前記の感光性エステルに加えて、前記感光性混合物は更
にボジチプに作用するナフトキノンジアジド層の慣用成
分、特にアルカリ可溶性フェノール樹脂も含有する。
前記感光性混合物中に存在する水に不溶でアルカリ可溶
性の被膜形成感光性フェノール樹脂は、約300〜50
00の分子量を有しかつフェノール又は置換されたフェ
ノールにホルムアルデヒドとの縮合反応を施すことによ
って製造される。適当な置換フェノールはクレゾール、
キシレノール、ブチルフェノール等である。特に好まし
いアルカリ可溶性被覆形成フェノール樹脂はフェノール
/ホルムアルデヒドノボラック、クレゾール/ホルムア
ルデヒドノボラック及びフェノール変性キシレノール/
ホルムアルデヒドノボラックである。フェノール樹脂の
量は、全非揮発性成分の約50〜90重量%、好ましく
は65〜85重量%の範囲内にある。
また前記感光性混合物は、自体公知のように充填剤、染
料、顔料、光分解性酸形成剤例えば1.2−ナフトキノ
ン−2−ジアジド−4−スルホニルクロリド(sic)
及び他の常用添加物及び助剤も含有することができる。
使用される複写層支持体は、複写工業で常用のもの、つ
まり例えば適当に前処理された表面を有するアルミニウ
ム又は亜鉛のような金属の板又は箔、例えばクロム/シ
ンチュウ、クロム/銅/アルミニウム又はクロム/銅/
亜鉛の多層金属板、またペーパーフィルム、プラスチッ
クフィルム、スクリーン印刷に適当な織物又は絶縁材料
の金属被覆板である。複写層の密着を改善しかつ層支持
体表面の親水性を改善するために適当に前処理されたア
ルミニウムシート、例えば機械的又は電気化学的に粗面
化されがっ適当ならば陽極酸化された又は化学的に前処
理されたAffシートが好ましい。
支持体材料は、自体公知の方法で、例えばローラー又は
タンクを用いて、吹付は又は流込みによって適用して被
覆される。
乾燥ベース上の層重量の適当な範囲は1.0〜3.01
F/m2である。
露光後感光性複写材料は慣用法で、少量の有機溶剤又は
湿潤剤を含有することもできる水性アルカリ溶液で現像
される。現像は浸漬、はけ塗又は適当な加工機での吹付
は又はタンポンを用いて手でぬぐうか又はこすることに
よって行われうる。
本発明によれば、感光性混合物のすべての成分を危険な
しに取扱うことができ、同時に複写又は印刷工業におけ
る諸欠点、つまり感光性、複写層の耐現像性、グレード
、画像コントラスト又は印刷操業の長さの損減を受けな
くてもよいのは注目すべきである。
次に本発明を実施例により詳述する。重量部及び容量部
は9対taQの比である。反対の指摘がなければ、量比
及びパーセンテージは重量単位であることは明らかであ
る。
例  l 電解的に粗面化されかつ陽極酸化された、酸化物の層重
量的39/寓2を有するアルミニウム板を、ポリビニル
ホスホン酸の11度0.1%の溶液中で80℃で短時間
浸漬して乾燥した。このように前処理した層支持体に、
下記のナフトキノンジアジドスルホン酸エステル1.8
2!量部、1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−4−
スルホニルクロリド0.215重量部、2゜3.4−)
リヒドロキシペンゾフェノン0.07重量部、DIN5
3181で特定されるような105〜120℃の融点範
囲を有するクレゾール/ホルムアルデヒドノボラック6
゜621重量部及びテトラヒドロフラン5容量部、エチ
レングリコールモノメチルエーテル4容量部及び酢酸ブ
チルl容量部より成る混合物91.195重量部中のク
リスタルバイオレット(Crys La IViole
t) 0.079重量部の濾過溶液を適用した。このよ
うに製造した感光性材料を、ハーフトーンのボジチブ原
画下に露光し、次いで次の溶液: 水91.0重量部中のメタ珪酸ナトリウム・9HzO5
,3重量部、燐酸三ナトリウム・12H203,4重量
部及び無水燐酸水素ナトリウム0.3重量部の溶液を用
いて現像した。
生ずる印刷版はオフセット印刷機で長い操業を与えた。
同印刷版の印刷及び複写特性は下記のナフトキノンジア
ジドスルホン酸、エステル混合物の代わりに等量の2.
3.4−トリス−[1,2−ナフトキノン−2−ジアジ
ド−5−スルホニルオキシJ−ベンゾフェノンを含有す
る相応の版の特性と殆ど同じであった。
上記調剤中で使用したナフトキノンジアジドスルホン酸
エステルは次のように製造した:アセトン442重量部
中の1.2−す7トキノンー2−ジアジド−5−スルホ
ニルクロリド25.5重量部の溶液を活性炭を通して清
澄にした。この溶液中に上記クレゾール/ホルムアルデ
ヒドノボラック26.3重量部及び2.34−トリヒド
ロキシベンゾフェノン4.4重量部を溶かし、この混合
物に水124重量部及び飽和塩化ナトリウム溶液160
重量部中のNa1lCO311−9重量部の溶液を加え
た。この混合物を10分間撹拌し、沈殿させ、下の相を
棄て、アセトン溶液を、数分の間隔で濃度30%HCI
II 6重量部及び水1500重量部の溶液中に流した
。分離された黄色毛房状反応生成物を濾取し、水洗しか
つ乾燥した。収量は48重量部であった。生成物は4.
7%のジアゾ窒素分及び1.8%の水分を有していた。
例  2 例1を繰返すが、但しコーチング用調剤中のナフトキノ
ンジアジドスルホン酸エステルを次のように製造された
反応生成物の等量と代えた1、2−ナフトキノン−2−
ジアジド−5−スルホニルクロリド24.7重量部を、
例1と同様に、水及び塩化ナトリウム溶液に溶かしたN
aHCOs  20.6重量部及び少量の第三級アミン
の存在で、アセトン455重量部中の例1記載のノボラ
ック7.8重量部及び2.3.4−トリヒドロキシベン
ゾフェノン2.1重量%と反応させる。ジアゾ窒素7.
5%及び水1%を含有する生成物28重量部が得られt
;。
この場合もまた、印刷版の品質及び印刷操業の長さは、
少なくとも、公知の低分子ナフトキノンジアジドスルホ
ン酸エステルを含有する相応する印刷板の品質及び印刷
操業と匹敵し得たナフトキノンジアジドスルホン酸エス
テルの製造のために上記の5−スルホニルクロリドの代
わりに等量の異性体1.2−ナフトキノン−2−ジアジ
ド−4・−スルホニルクロリドを使用すると同様な結果
が得られた。
例  3 例1を繰返した、但しコーチング溶液中のナフトキノン
ジアジドスルホン酸エステルを、次のように製造した生
成物の等量と代えた二次の成分:l、2−ナフトキノン
−2−ジアジド−5−スルホニルクロリド25重量部、
22’ 、4.4’−テトラヒドロキシジフェニルスル
フィド1重量部、2.3.4−トリヒドロキシベンゾフ
ェノン2.6重量部及び例1に記載したノボラック25
重量部を1、例Iに記載した製造指示と同様にして反応
させた。
5.0%のジアゾ窒素含分及び1.8%の水分を有する
反応生成物47重量部が得られた。
生ずる版の複写及び印刷に対する特性は、例1に記載し
た比較板の特性に少なくとも等しかった。
例  4 例1を繰返した、但しコーチング溶液中のす7トキノン
ジアジドスルホン酸エステルを、次のように製造した生
成物の等量によって代えた二次の反応成分二側1に記載
したノボラック40重量部、2.3.4−1リヒドロキ
シペンゾフエノン2 moffとホルムアルデヒドl 
mobとから形成された縮合生成物(西独国特許出願公
開第2847878号明細書、例1記載)8.35重量
部及び1.2−す7トキノンー2−ジアジド−5−スル
ホニルクロリド48.2重量部を例1に記載した製造指
示と同様にして反応させた。
5.0%のジアゾ窒素含分及び0.9%の水分を有する
反応生成物92重量部が得られた。
生ずる印刷版は、品質及び印刷操業の長さに関して低分
子ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルのみを含有
する公知印刷版と匹敵し得た。
コーチング溶液中のナフトキノンジアジドスルホン酸エ
ステルを次の反応生成物の等量と代える場合にも同様な
結果が得られた: 次の反応成分:例1で記載したノボラック40重量部、
2.3.4−トリヒドロキシベンゾフェノンと上記ホル
ムアルデヒドとから形成された縮合生成物13.4重量
部及び1.2−ナフトキノン−2−ジアジド−5−スル
ホニルクロリド53.9重量部を例1で記載したように
反応させた。
5.6%のジアゾ窒素含分及び1.2%の水分を有する
反応生成物93重量部が得られた。
例  5 電解的に粗面化されかつ陽極酸化された約3y/m2の
重さの酸化物層を有するアルミニウム版に、テトラヒド
ロフラン5容量部、エチレングリコールモノメチルエー
テル4容量部及ヒ酢酸ブチル1容量部より成る混合物9
1.50を置部中の下記のナフトキノンジアジドスルホ
ン酸エステル3.83重量部、1,2−ナフトキノン−
2−ジアジド−4−スルホニルクロリド0.21重量部
、2.3.4−トリヒドロキシベンゾフェノン0o07
重量部、例1記載のノボラック4.31重量部及びクリ
スタルバイオレッ)0.08重量部の溶液を塗布しかつ
乾燥した。
感光性材料を例1と同様にして露光し、現像すると、長
い印刷操業を与える平版ができた。
この版の複写及び印刷特性は、低分子ナフトキノンジア
ジドスルホン酸エステルを含有する例1で記載した比較
板の同特性とほとんど同じであった。
前記調剤中で使用したナフトキノンジアジドスルホン酸
エステルは次のように製造した:テトラヒビ0フ223
63重量部中の1,2−ナフドキノン−2−ジアジド−
5,7−ビス−スルホニルクロリド14.7重量部、例
1で記載したノボラック18.4重量部及び2,3゜4
−トリヒドロキシベンゾフェノ74.6重量部の溶液を
、30分間高速撹拌機で撹拌しながら、水84重量部及
び飽和塩化ナトリウム溶液84重量部中の重炭酸ナトリ
ウム8重量部に加えた。この混合物を沈降させかつ下方
の液相を分離した後、溶液をテトラヒドロフラン174
重量部で希釈し、この混合物を10分間で水600重量
部中の濃度30%の塩化水素酸6重量部の溶液中に注い
で反応生成物を沈殿させた。
濾取し、水で中性になるまで洗浄しかつ乾燥した後、3
1%の窒素含分及び0.7%の水分を有する黄色生成物
34.1重量部が得られた。
前記のす7トギノンジアジドスルホン酸エステルの代わ
りに、1.2−ナフトキノン−2−ジアジド−5−スル
ホニルクロリド、ピロガロールとアセトンとより形成さ
れたポリ縮合生成物18.6重量部及び2.3.4−ト
リヒドロキシベンゾフェノン2.3重量部から形成され
た反応生成物の等量を使用する場合にも同様な結果が得
られた。
例  6 フォトレジスト溶液を、エチレングリコールエチルエー
テルアセテート82%、酢酸ブチル9%及びキシレン9
%より成る溶剤混合物83重量部中に例1で記載したナ
フトキノンジアジドスルホン酸エステル7重量部及び軟
化点範囲105〜120℃を有するクレゾール/ホルム
アルデヒドノボラック23重量部を溶かして製造しかつ
この粘性溶液を濾過した。生ずる溶液を、乾燥後約1μ
禦の層厚が得られるように、厚さ30μ票の銅箔に積層
した市販の絶縁材料上に回転塗布した。この層を回路の
原図下に露光し、例1で記載した現像液で現像し、同層
の露光部を洗い落とした。被覆されなかった銅を塩化鉄
(I[[)で溶出しかつレジストステンシルを金属ハラ
イドランプの照射に曝露しかつ現像溶液でぬぐって除去
した。プリント回路が得られた。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル混合物を
    製造するに当たり、ナフトキノンジアジド−4−又は−
    5−スルホニルハロゲニドを式: ▲数式、化学式、表等があります▼ [式中Rは単結合又は基CO、S、O、SO_2及びC
    R_6R_7の1つを表わし、R_1、R_2、R_3
    、R_4及びR_5は水素又はハロゲン原子、ヒドロキ
    シル基又は炭素1〜4個を有するアルキル基又はアルコ
    キシ基を表わし、R_8及びR_7は水素原子又は炭素
    原子1〜4個を有するアルキル基を表わすか又は式中基
    R_3、R_4及びR_5のうち2個及び基R_1及び
    R_2が各場合に結合して縮合芳香族環を形成する、た
    だし、基R_1、R_2、R_3、R_4及びR_5の
    少なくとも1個はヒドロキシル基を表わす]の低分子フ
    ェノール化合物及びフェノール−ホルムアルデヒド−ノ
    ボラック、クレゾール−ホルムアルデヒド−ノボラック
    又はピロガロールとアセトンとの縮合生成物の群からの
    重合化合物からの混合物と反応させることを特徴とする
    、ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル混合物の製
    法。 2、低分子化合物及び重合化合物を、1:0.1〜1:
    20の重量比で使用する、特許請求の範囲第1項記載の
    方法。
JP1186193A 1981-01-03 1989-07-20 ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルの製造方法 Granted JPH02197844A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE3100077.0 1981-01-03
DE19813100077 DE3100077A1 (de) 1981-01-03 1981-01-03 Lichtempfindliches gemisch, das einen naphthochinondiazidsulfonsaeureester enthaelt, und verfahren zur herstellung des naphthochinondiazidsulfonsaeureesters

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP56216083A Division JPS57135947A (en) 1981-01-03 1981-12-28 Manufacture of photosensitive mixture and naphthoquinone deazidosulfonic ester

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH02197844A true JPH02197844A (ja) 1990-08-06
JPH048781B2 JPH048781B2 (ja) 1992-02-18

Family

ID=6122201

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP56216083A Granted JPS57135947A (en) 1981-01-03 1981-12-28 Manufacture of photosensitive mixture and naphthoquinone deazidosulfonic ester
JP1186193A Granted JPH02197844A (ja) 1981-01-03 1989-07-20 ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルの製造方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP56216083A Granted JPS57135947A (en) 1981-01-03 1981-12-28 Manufacture of photosensitive mixture and naphthoquinone deazidosulfonic ester

Country Status (9)

Country Link
US (2) US4424270A (ja)
EP (1) EP0055814B2 (ja)
JP (2) JPS57135947A (ja)
AT (1) ATE18469T1 (ja)
AU (1) AU546108B2 (ja)
BR (1) BR8108552A (ja)
CA (1) CA1186439A (ja)
DE (2) DE3100077A1 (ja)
ZA (1) ZA818803B (ja)

Families Citing this family (92)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3246106A1 (de) * 1982-12-13 1984-06-14 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt Lichtempfindliches gemisch, daraus hergestelltes lichtempfindliches kopiermaterial und verfahren zur herstellung einer druckform aus dem kopiermaterial
JPS59182444A (ja) * 1983-04-01 1984-10-17 Sumitomo Chem Co Ltd ポジ型フオトレジストの改良現像液
JPS60121445A (ja) * 1983-12-06 1985-06-28 Japan Synthetic Rubber Co Ltd 集積回路作製用ポジ型感光性樹脂組成物
US5217840A (en) * 1985-08-12 1993-06-08 Hoechst Celanese Corporation Image reversal negative working o-quinone diazide and cross-linking compound containing photoresist process with thermal curing treatment and element produced therefrom
US5256522A (en) * 1985-08-12 1993-10-26 Hoechst Celanese Corporation Image reversal negative working O-naphthoquinone diazide and cross-linking compound containing photoresist process with thermal curing
JPH0654381B2 (ja) * 1985-12-24 1994-07-20 日本合成ゴム株式会社 集積回路作製用ポジ型レジスト
DE3686032T2 (de) * 1985-12-27 1993-02-18 Japan Synthetic Rubber Co Ltd Strahlungsempfindliche positiv arbeitende kunststoffzusammensetzung.
US5035976A (en) * 1986-05-02 1991-07-30 Hoechst Celanese Corporation Photosensitive article having phenolic photosensitizers containing quinone diazide and acid halide substituents
US4732836A (en) * 1986-05-02 1988-03-22 Hoechst Celanese Corporation Novel mixed ester O-quinone photosensitizers
US5162510A (en) * 1986-05-02 1992-11-10 Hoechst Celanese Corporation Process for the preparation of photosensitive compositions containing a mixed ester o-quinone photosensitizer
US4902785A (en) * 1986-05-02 1990-02-20 Hoechst Celanese Corporation Phenolic photosensitizers containing quinone diazide and acidic halide substituents
US4732837A (en) * 1986-05-02 1988-03-22 Hoechst Celanese Corporation Novel mixed ester O-quinone photosensitizers
DE3629122A1 (de) * 1986-08-27 1988-03-10 Hoechst Ag Verfahren zur herstellung eines o-naphthochinondiazidsulfonsaeureesters und diesen enthaltendes lichtempfindliches gemisch
JPS63178228A (ja) * 1987-01-20 1988-07-22 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型フオトレジスト組成物
DE3718416A1 (de) * 1987-06-02 1988-12-15 Hoechst Ag Lichtempfindliches gemisch auf basis von 1,2-naphthochinondiaziden, daraus hergestelltes aufzeichnungsmaterial und dessen verwendung
DE3729034A1 (de) * 1987-08-31 1989-03-09 Hoechst Ag Lichtempfindliches gemisch auf basis von 1,2-naphthochinondiaziden und hiermit hergestelltes lichtempfindliches kopiermaterial
JP2568867B2 (ja) * 1987-12-04 1997-01-08 富士写真フイルム株式会社 ポジ型フオトレジスト組成物
JP2552891B2 (ja) * 1988-01-26 1996-11-13 富士写真フイルム株式会社 ポジ型フオトレジスト組成物
JP2706978B2 (ja) * 1988-05-07 1998-01-28 住友化学工業株式会社 ポジ型レジスト組成物
JP2629814B2 (ja) * 1988-05-09 1997-07-16 日本合成ゴム株式会社 ポジ型感放射線性樹脂組成物
US5002851A (en) * 1988-05-31 1991-03-26 Olin Hunt Specialty Products, Inc. Light sensitive composition with o-quinone diazide and phenolic novolak resin made using methylol substituted trihydroxybenzophenone as reactant
US5254440A (en) * 1988-05-31 1993-10-19 Ocg Microelectronic Materials, Inc. Selected methylol-substituted trihydroxybenzophenones and their use in phenolic resin compositions and processes of forming resist images
US5239122A (en) * 1988-05-31 1993-08-24 Ocg Microelectronic Materials, Inc. Selected methylol-substituted trihydroxybenzophenones and their use in phenolic resin compositions
US5177172A (en) * 1988-05-31 1993-01-05 Ocg Microelectronic Materials, Inc. Selected methylol-substituted trihydroxybenzophenones and their use in phenolic resin compositions
DE3822522A1 (de) * 1988-07-04 1990-03-22 Hoechst Ag 1,2-naphthochinon-2-diazid-sulfonsaeureamide und lichtempfindliche gemische, die diese enthalten
JP2800186B2 (ja) * 1988-07-07 1998-09-21 住友化学工業株式会社 集積回路製作用ポジ型レジスト組成物の製造方法
JP2636348B2 (ja) * 1988-07-20 1997-07-30 住友化学工業株式会社 ポジ型レジスト用組成物
SG48028A1 (en) * 1988-08-10 1998-04-17 Hoechst Celanese Corp Light-sensitive novolac resins
JP2715480B2 (ja) * 1988-10-13 1998-02-18 住友化学工業株式会社 ポジ型レジスト用組成物
DE3836586A1 (de) * 1988-10-27 1990-05-03 Ciba Geigy Ag Phlegmatisierte chinondiazid-verbindungen
JPH0816779B2 (ja) * 1988-12-02 1996-02-21 富士写真フイルム株式会社 新規な感光性化合物及びそれを用いたフオトレジストの形成方法
JP2697039B2 (ja) * 1988-12-06 1998-01-14 住友化学工業株式会社 ポジ型レジスト組成物の製造方法
US5200293A (en) * 1989-02-23 1993-04-06 Ciba-Geigy Corporation Photoresist composition containing specific amounts of a naphthoquinone diazide sulfonyl ester of tetrahydroxy diphenyl sulfide and a polyhydroxy compound
EP0384892A1 (de) * 1989-02-23 1990-08-29 Ciba-Geigy Ag Photoresist-Zusammensetzungen
JPH02245754A (ja) * 1989-03-17 1990-10-01 Sumitomo Chem Co Ltd ポジ型レジスト組成物
JP2700918B2 (ja) * 1989-04-26 1998-01-21 富士写真フイルム株式会社 ポジ型フオトレジスト組成物
JPH02296247A (ja) * 1989-05-11 1990-12-06 Nippon Zeon Co Ltd ボジ型レジスト組成物
US5232819A (en) * 1989-09-07 1993-08-03 Ocg Microelectronic Materials, Inc. Selected block phenolic oligomers and their use in phenolic resin compositions and in radiation-sensitive resist compositions
AU6353390A (en) * 1989-09-07 1991-04-18 Ocg Microelectronic Materials, Inc. Selected block copolymer novolak binder resins and their use in radiation-sensitive compositions
US5196289A (en) * 1989-09-07 1993-03-23 Ocg Microelectronic Materials, Inc. Selected block phenolic oligomers and their use in radiation-sensitive resist compositions
US5188921A (en) * 1989-09-07 1993-02-23 Ocg Microelectronic Materials, Inc. Selected block copolymer novolak binder resins in radiation-sensitive resist compositions
US5234795A (en) * 1989-09-07 1993-08-10 Ocg Microelectronic Materials, Inc. Process of developing an image-wise exposed resist-coated substrate
US5238775A (en) * 1990-02-20 1993-08-24 Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. Radiation-sensitive resin composition
US5279918A (en) * 1990-05-02 1994-01-18 Mitsubishi Kasei Corporation Photoresist composition comprising a quinone diazide sulfonate of a novolac resin
US5145763A (en) * 1990-06-29 1992-09-08 Ocg Microelectronic Materials, Inc. Positive photoresist composition
US5260162A (en) * 1990-12-17 1993-11-09 Khanna Dinesh N Photosensitizer compositions containing diazo fluorinated esters of hexafluoro-bis-phenols or bis-hexafluoroethers
DE4111445A1 (de) * 1991-04-09 1992-10-15 Hoechst Ag Strahlungsempfindliches gemisch mit estern der 1,2-naphthochinon-2-diazid-sulfonsaeure und ein damit hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
US5306594A (en) * 1991-11-04 1994-04-26 Ocg Microelectronic Materials, Inc. Radiation-sensitive compositions using novolak resins made from a substituted bis(hydroxyphenyl)methane and a bis-(methylol)-cresol
DE4209343A1 (de) * 1992-03-23 1993-09-30 Hoechst Ag 1,2-Naphthochinon-2-diazid-sulfonsäureester, damit hergestelltes strahlungsempfindliches Gemisch und strahlungsempfindliches Aufzeichnungsmaterial
DE4219544A1 (de) * 1992-05-06 1993-11-11 Hoechst Ag Verfahren zur Phlegmatisierung von 1,2-Naphthochinon-2-diazid-sulfonsäureestern
US5413894A (en) * 1993-05-07 1995-05-09 Ocg Microelectronic Materials, Inc. High ortho-ortho bonded novolak binder resins and their use in radiation-sensitive compositions
KR100305333B1 (ko) * 1993-10-28 2001-11-22 마티네즈 길러모 감광성수지조성물및이를사용한패턴의형성방법
GB9326150D0 (en) * 1993-12-22 1994-02-23 Alcan Int Ltd Electrochemical roughening method
US5529880A (en) * 1995-03-29 1996-06-25 Shipley Company, L.L.C. Photoresist with a mixture of a photosensitive esterified resin and an o-naphthoquinone diazide compound
DE69604114T2 (de) * 1995-04-10 2000-03-02 Shipley Co., L.L.C. Gemische von photoaktiven Zusammensetzungen enthaltendes Fotoresist
JP2790132B2 (ja) * 1996-10-18 1998-08-27 住友化学工業株式会社 集積回路製作用ポジ型レジストパターンの形成方法
JP3105459B2 (ja) * 1996-10-31 2000-10-30 東京応化工業株式会社 ポジ型ホトレジスト組成物およびこれを用いた多層レジスト材料
IT1299220B1 (it) 1998-05-12 2000-02-29 Lastra Spa Composizione sensibile sia a radiazioni ir che a radiazioni uv e lastra litografica
KR100363695B1 (ko) * 1998-12-31 2003-04-11 주식회사 하이닉스반도체 유기난반사방지중합체및그의제조방법
KR100310252B1 (ko) * 1999-06-22 2001-11-14 박종섭 유기 반사방지 중합체 및 그의 제조방법
KR100327576B1 (ko) * 1999-06-26 2002-03-14 박종섭 193nm ArF광을 이용한 초미세 패턴 형성 공정에서 반사방지막으로 사용할 수 있는 유기 반사방지 중합체 및 그의 제조방법
KR100400243B1 (ko) 1999-06-26 2003-10-01 주식회사 하이닉스반도체 유기 반사방지 중합체 및 그의 제조방법
KR100574482B1 (ko) 1999-09-07 2006-04-27 주식회사 하이닉스반도체 유기 난반사 방지막용 조성물과 이의 제조방법
KR100533379B1 (ko) 1999-09-07 2005-12-06 주식회사 하이닉스반도체 유기 난반사 방지막용 조성물과 이의 제조방법
KR100359862B1 (ko) 1999-12-23 2002-11-09 주식회사 하이닉스반도체 난반사 방지막용 중합체와 그 제조방법
KR100355604B1 (ko) 1999-12-23 2002-10-12 주식회사 하이닉스반도체 난반사 방지막용 중합체와 그 제조방법
KR100427440B1 (ko) 1999-12-23 2004-04-17 주식회사 하이닉스반도체 유기 반사방지 화합물 및 그의 제조방법
KR100549574B1 (ko) 1999-12-30 2006-02-08 주식회사 하이닉스반도체 유기 반사 방지막용 중합체 및 그의 제조방법
KR100721181B1 (ko) 2000-06-30 2007-05-23 주식회사 하이닉스반도체 유기반사방지막 조성물 및 그의 제조방법
KR100721182B1 (ko) 2000-06-30 2007-05-23 주식회사 하이닉스반도체 유기반사방지막 조성물 및 그의 제조방법
KR100687851B1 (ko) 2000-06-30 2007-02-27 주식회사 하이닉스반도체 유기반사방지막 조성물 및 그의 제조방법
KR100687850B1 (ko) 2000-06-30 2007-02-27 주식회사 하이닉스반도체 유기반사방지막 조성물 및 그의 제조방법
KR100574486B1 (ko) 2000-06-30 2006-04-27 주식회사 하이닉스반도체 유기반사방지막 조성물 및 그의 제조방법
KR100419962B1 (ko) * 2001-03-07 2004-03-03 주식회사 하이닉스반도체 유기반사방지막 조성물 및 그의 제조방법
US6520384B2 (en) * 2001-04-30 2003-02-18 Ketan C. Mehta Apparatus and method for nasal rinse
KR100465866B1 (ko) * 2001-10-26 2005-01-13 주식회사 하이닉스반도체 유기반사방지막 조성물 및 그의 제조방법
FR2944281B1 (fr) * 2009-04-08 2011-07-29 Fabre Pierre Dermo Cosmetique Derives soufres de resorcinol, leur preparation et leurs utilisations cosmetiques
USD634630S1 (en) 2009-12-16 2011-03-22 Water Pik, Inc. Nozzle
USD676125S1 (en) 2010-06-25 2013-02-12 Water Pik, Inc. Faceted nasal seal with bottom rim
USD653953S1 (en) 2009-12-16 2012-02-14 Water Pik, Inc. Squeeze bottle
US8486029B2 (en) * 2009-12-16 2013-07-16 Water Pik, Inc. Pot for sinus cavity rinse
USD676126S1 (en) 2010-06-25 2013-02-12 Water Pik, Inc. Faceted nasal seal
USD627458S1 (en) 2009-12-16 2010-11-16 Water Pik, Inc. Vessel for sinus cavity rinse
US8888752B2 (en) * 2009-12-16 2014-11-18 Water Pik, Inc. Bottle for sinus cavity rinse
USD630314S1 (en) 2009-12-16 2011-01-04 Water Pik, Inc. Vessel with handle for sinus cavity rinse
USD634631S1 (en) 2009-12-16 2011-03-22 Water Pik, Inc. Nozzle and collar
USD629884S1 (en) 2009-12-16 2010-12-28 Water Pik, Inc. Powered irrigator for sinus cavity rinse
US8991660B2 (en) * 2009-12-16 2015-03-31 Water Pik, Inc. Squeeze bottle for sinus cavity rinse
US9061096B2 (en) 2009-12-16 2015-06-23 Water Pik, Inc. Powered irrigator for sinus cavity rinse
US8409152B2 (en) 2010-06-25 2013-04-02 Water Pik, Inc. Faceted nasal seal
TWI556958B (zh) * 2010-09-14 2016-11-11 東京應化工業股份有限公司 基質劑及含嵌段共聚物之層的圖型形成方法
USD670373S1 (en) 2010-12-16 2012-11-06 Water Pik, Inc. Powered irrigator for sinus cavity rinse

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL80628C (ja) * 1949-07-23
BE506677A (ja) 1950-10-31
JPS4328403B1 (ja) 1965-12-17 1968-12-06
US3857896A (en) 1967-09-13 1974-12-31 R Desjarlais Substituted diresorcyl sulfide and sulfoxide compounds
US3647443A (en) 1969-09-12 1972-03-07 Eastman Kodak Co Light-sensitive quinone diazide polymers and polymer compositions
JPS505084B1 (ja) 1970-09-16 1975-02-28
DE2331377C2 (de) 1973-06-20 1982-10-14 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt Lichtempfindliches Kopiermaterial
JPS5280022A (en) 1975-12-26 1977-07-05 Fuji Photo Film Co Ltd Light solubilizable composition
DE2847878A1 (de) * 1978-11-04 1980-05-22 Hoechst Ag Lichtempfindliches gemisch
US4308368A (en) * 1979-03-16 1981-12-29 Daicel Chemical Industries Ltd. Photosensitive compositions with reaction product of novolak co-condensate with o-quinone diazide

Also Published As

Publication number Publication date
ATE18469T1 (de) 1986-03-15
JPH021296B2 (ja) 1990-01-11
JPS57135947A (en) 1982-08-21
JPH048781B2 (ja) 1992-02-18
EP0055814B2 (de) 1989-05-17
BR8108552A (pt) 1982-10-19
AU7887981A (en) 1982-07-15
EP0055814A3 (en) 1983-05-25
CA1186439A (en) 1985-04-30
EP0055814B1 (de) 1986-03-05
AU546108B2 (en) 1985-08-15
US4424270A (en) 1984-01-03
US4555469A (en) 1985-11-26
DE3173996D1 (en) 1986-04-10
EP0055814A2 (de) 1982-07-14
ZA818803B (en) 1982-11-24
DE3100077A1 (de) 1982-08-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH02197844A (ja) ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルの製造方法
KR920003435B1 (ko) 포지티브형 감광성 내식막 조성물
US4642282A (en) Light-sensitive positive copying material with alkali soluble polycondensation binder
US4266000A (en) Photosensitive copying composition
EP0083971B1 (en) Photosensitive composition
US5378802A (en) Method for removing impurities from resist components and novolak resins
US3061430A (en) Photographic process for making printing plates and light sensitive naphthoquinone therefor
US4407926A (en) Light-sensitive mixture comprising O-naphthoquinone-diazides and light sensitive copying material prepared therefrom
US4275139A (en) Light-sensitive mixture and copying material produced therefrom
JP2002053511A (ja) 新規テトラ(ヒドロキシフェニル)アルカン
CA1214676A (en) Light-sensitive mixture based on o-naphthoquinone diazides and light-sensitive copying material prepared therefrom
JPH0340378B2 (ja)
JPH042181B2 (ja)
US4639406A (en) Light-sensitive compound, light-sensitive mixture, and light-sensitive copying material prepared therefrom with 0-naphthoquinone diazide compound
JPH0145901B2 (ja)
JPS6223788B2 (ja)
US4517275A (en) Light-sensitive mixture based on O-naphthoquinone-diazides, and light-sensitive copying material prepared therefrom
DE112004002240T5 (de) Positiv arbeitender Photolack und Verfahren zur Erzeugung einer Struktur
US4105450A (en) Spectrally sensitized positive light-sensitive o-quinone diazide containing composition
CA2065477A1 (en) Radiation-sensitive composition containing esters of (1,2-naphthoquinone 2-diazide)-sulfonic acid and a radiation-sensitive recording material prepared therewith
KR100636568B1 (ko) 토출노즐식 도포법용 포지티브형 포토레지스트 조성물 및레지스트 패턴의 형성방법
US5143815A (en) Light-sensitive mixture based on 1,2-naphthoquinone-diazides, and reproduction material produced with this mixture
JPH0253056A (ja) 1,2‐ナフトキノン‐2‐ジアジド スルホン酸アミド、該化合物を含有する感光性組成物および感光性記録材料
JPH0337174B2 (ja)
KR910010259B1 (ko) 감광성 수지 조성물