JPH02198452A - 電子写真用感光体 - Google Patents
電子写真用感光体Info
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- JPH02198452A JPH02198452A JP1932089A JP1932089A JPH02198452A JP H02198452 A JPH02198452 A JP H02198452A JP 1932089 A JP1932089 A JP 1932089A JP 1932089 A JP1932089 A JP 1932089A JP H02198452 A JPH02198452 A JP H02198452A
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Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は可視光領域から近赤外の波長領域に至るまで高
い感度とすぐれた特性を有する電子写真用感光体に関す
るものである。
い感度とすぐれた特性を有する電子写真用感光体に関す
るものである。
従来、電子写真用感光体の感光層にはセレン、硫化カド
ミウム、酸化亜鉛等の光導電性物質が広く用いられてい
る。
ミウム、酸化亜鉛等の光導電性物質が広く用いられてい
る。
又ポリビニルカルバゾールに代表される有機系の光導電
性物質を電子写真感光体の感光層に用いる研究が進みそ
の幾つかが実用化されてきた。
性物質を電子写真感光体の感光層に用いる研究が進みそ
の幾つかが実用化されてきた。
有機系の光導電性物質は無機系の材料に比べて、軽量で
ある成膜が容易である、感光体の製造が容易である、材
料は無工害である等の利点を有している。
ある成膜が容易である、感光体の製造が容易である、材
料は無工害である等の利点を有している。
近年、従来の白色光のかわりにレーザー光を光源として
、高速化、高画質化、ノンインパクト化を長所としたレ
ーザービームプリンター(LBP)等が、情報処理シス
テムの進歩と相まって広く普及するに至りその要求に耐
えつる材料の開発が要望されている。
、高速化、高画質化、ノンインパクト化を長所としたレ
ーザービームプリンター(LBP)等が、情報処理シス
テムの進歩と相まって広く普及するに至りその要求に耐
えつる材料の開発が要望されている。
特にレーザー光の中でも近年コンパクトディスク、光デ
ィスク等への応用が増大し技術進展が著るしい半導体レ
ーザーはコンパクトでかつ信頼性の高い光源桐料として
プリンター分野でも積極的に応用されてきた。
ィスク等への応用が増大し技術進展が著るしい半導体レ
ーザーはコンパクトでかつ信頼性の高い光源桐料として
プリンター分野でも積極的に応用されてきた。
この場合該光源の波長はg00nm前後である事がらg
00 nm前後の長波長光に対して高感度な特性を有
する感光体の開発が強(望まれている。
00 nm前後の長波長光に対して高感度な特性を有
する感光体の開発が強(望まれている。
この目的に合致する材料として特開昭39−q9夕4t
り号、タ9−ユ/グ03り号、乙/−10903乙号、
乙/−/7/り71号、乙/−2/り030号、乙/−
2391’1g号、A、2−乙’709’1号、A2/
3’lA!;1号、AJ−,2?j、17.2号、乙3
−/9gO乙り号、乙3−/9gO乙g号、乙3210
9ヶa号、乙3−ユ/g76g号等に記載された材料が
楯げられ、それぞれ電子写真感光体用材料として好適な
結晶型を有するオキシチタニウムフタロシアニン類が種
々知られている。しかしながら、更に長波長光に対して
高感度で、かつ他の電気特性も良好な電子写真用感光体
が求められていた。
り号、タ9−ユ/グ03り号、乙/−10903乙号、
乙/−/7/り71号、乙/−2/り030号、乙/−
2391’1g号、A、2−乙’709’1号、A2/
3’lA!;1号、AJ−,2?j、17.2号、乙3
−/9gO乙り号、乙3−/9gO乙g号、乙3210
9ヶa号、乙3−ユ/g76g号等に記載された材料が
楯げられ、それぞれ電子写真感光体用材料として好適な
結晶型を有するオキシチタニウムフタロシアニン類が種
々知られている。しかしながら、更に長波長光に対して
高感度で、かつ他の電気特性も良好な電子写真用感光体
が求められていた。
本発明者らはオキシチタニウムフタロシアニン類を用い
る電子写真感光体につき鋭意検討した結果、そのX線回
折スペクトルにおいてブラッグ角(aθ±O1,2°)
2 ?、3°に主たる明瞭な回折ピークを示すオキシ
チタニウムフタロシアニンを電荷発生材料とし、かつ特
定のヒドラゾン類を電荷輸送材料として感光体を作成し
た場合、所望の目的を達成して、帯電性、感度、暗減衰
、残留電化等が良好なバランスの取れた電子写真用感光
体を提供できることを見出し、本発明を完成させるに至
った。
る電子写真感光体につき鋭意検討した結果、そのX線回
折スペクトルにおいてブラッグ角(aθ±O1,2°)
2 ?、3°に主たる明瞭な回折ピークを示すオキシ
チタニウムフタロシアニンを電荷発生材料とし、かつ特
定のヒドラゾン類を電荷輸送材料として感光体を作成し
た場合、所望の目的を達成して、帯電性、感度、暗減衰
、残留電化等が良好なバランスの取れた電子写真用感光
体を提供できることを見出し、本発明を完成させるに至
った。
即ち、本発明の要旨は、電荷発生材料と、電荷輸送材料
を含有する感光層を導電性支持体上に有する電子写真用
感光体において、電荷発生材料として、そのX線回折ス
ペクトルにおいてブラッグ角(コθ十〇1.2°) 2
?、 、?’に主たる回折ピークを示すオキシチタニ
ウムフタロシアニンを用い、かつ電荷輸送材料として下
記−最大〔■〕(式中R+およびR2は互いに同一でも
異っていてもよく、それぞれ水素原子、アルキル基、ア
ラルキル基、アリル基もしくはアリール基を示し、更に
はR1とR2とで五員環もしくは六員環の複素環を形成
するアルキレン残基 。またはR1とR2のいずれか− 方もしくは両方がそれぞれ独立してA環と五員環もしく
は六員環の複素環を形成するアルキレン残基を表わして
もよい。又R3は水素原子、低級アルキル基、低級アル
コキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基またはジ置換アミノ
基を表わし、R4は低級アルキル基、アリル基、フェニ
ル基、置換フェニル基、ナフチル基、またはアラルキル
基を表わし、R4とB環とで五員環または六員環の複素
環を形成してもよい。又R5は水素原子、低級アルキル
基、低級アルコキシ基、アルキルアミン基またはアシル
アミノ基を表わし、nはO又は/の数を表わす。) で示されるヒドラゾン類を用いることを特徴とする電子
写真用感光体に存する。
を含有する感光層を導電性支持体上に有する電子写真用
感光体において、電荷発生材料として、そのX線回折ス
ペクトルにおいてブラッグ角(コθ十〇1.2°) 2
?、 、?’に主たる回折ピークを示すオキシチタニ
ウムフタロシアニンを用い、かつ電荷輸送材料として下
記−最大〔■〕(式中R+およびR2は互いに同一でも
異っていてもよく、それぞれ水素原子、アルキル基、ア
ラルキル基、アリル基もしくはアリール基を示し、更に
はR1とR2とで五員環もしくは六員環の複素環を形成
するアルキレン残基 。またはR1とR2のいずれか− 方もしくは両方がそれぞれ独立してA環と五員環もしく
は六員環の複素環を形成するアルキレン残基を表わして
もよい。又R3は水素原子、低級アルキル基、低級アル
コキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基またはジ置換アミノ
基を表わし、R4は低級アルキル基、アリル基、フェニ
ル基、置換フェニル基、ナフチル基、またはアラルキル
基を表わし、R4とB環とで五員環または六員環の複素
環を形成してもよい。又R5は水素原子、低級アルキル
基、低級アルコキシ基、アルキルアミン基またはアシル
アミノ基を表わし、nはO又は/の数を表わす。) で示されるヒドラゾン類を用いることを特徴とする電子
写真用感光体に存する。
(作 用)
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明の電子写真用感光体を形成する材料のうち電荷発
生材料として使用されるオキシチタニウムフタロシアニ
ンはそのX線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角(2
θ±o、、:io)のコク、3°に主たる回折ピークを
有する。本発明において「主たる回折ピーク」とは、そ
のX線回折スペクトルにおける強度が一番強い(高い)
ピークを指す。
生材料として使用されるオキシチタニウムフタロシアニ
ンはそのX線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角(2
θ±o、、:io)のコク、3°に主たる回折ピークを
有する。本発明において「主たる回折ピーク」とは、そ
のX線回折スペクトルにおける強度が一番強い(高い)
ピークを指す。
使用されるオキシチタニウムフタロシアニンの粉末X線
スペクトルの例を第1図、第2図に示す。図の如く、ブ
ラッグ角(2θ±0.2°)コク、3°の回折ピークが
主たるピークであり、そのピーク以外は細かい条件によ
って種々ふれるが、27.3°のピーク強度に対してい
ずれのピークもその強度(ピーク高さの比較)は30%
以下であるものが、電子写真用感光体として、帯電性、
感度等の点から好ましい。
スペクトルの例を第1図、第2図に示す。図の如く、ブ
ラッグ角(2θ±0.2°)コク、3°の回折ピークが
主たるピークであり、そのピーク以外は細かい条件によ
って種々ふれるが、27.3°のピーク強度に対してい
ずれのピークもその強度(ピーク高さの比較)は30%
以下であるものが、電子写真用感光体として、帯電性、
感度等の点から好ましい。
本発明に用いるオキシチタニウムフタロシアニンの製造
方法は特に限定されないが、例えば以下の方法で製造さ
れる。
方法は特に限定されないが、例えば以下の方法で製造さ
れる。
■ 特開昭4.2−At09’1号公報製造例/中に記
載されている〔■〕型結晶の製造方法。つまり、オルト
フタロジニトリルとチタンのハロゲン化物を不活性有機
溶剤中で加熱して反応させ、次いで加水分解する。
載されている〔■〕型結晶の製造方法。つまり、オルト
フタロジニトリルとチタンのハロゲン化物を不活性有機
溶剤中で加熱して反応させ、次いで加水分解する。
■ 各種結晶型のオキシチタニウムフタロシアニンを直
接、有機酸溶媒中、硫酸又は弐R5OaH(式中、Rは
置換基を有していてもよい、脂肪族又は芳香族残基を表
わす。)で表わされるスルホン化物とで加熱処理すると
か、場合によってはその後水不溶性有機溶媒と水との混
合溶媒で加熱処理する。
接、有機酸溶媒中、硫酸又は弐R5OaH(式中、Rは
置換基を有していてもよい、脂肪族又は芳香族残基を表
わす。)で表わされるスルホン化物とで加熱処理すると
か、場合によってはその後水不溶性有機溶媒と水との混
合溶媒で加熱処理する。
■ 所望によりあらかじめ、濃硫酸に溶解抜水水中に放
出するとかペイントシェーカー ボ一ルミル、サンドグ
ラインドミル等の機械的摩砕法等の公知な方法により無
定型化後、上記スルホン化物とで加熱処理したり水不溶
性有機溶媒と水との混合溶媒にて加熱処理する。
出するとかペイントシェーカー ボ一ルミル、サンドグ
ラインドミル等の機械的摩砕法等の公知な方法により無
定型化後、上記スルホン化物とで加熱処理したり水不溶
性有機溶媒と水との混合溶媒にて加熱処理する。
■ 上述のスルホン化物との処理の場合、加熱処理のか
わりにペイントシェーカー ボールミル、サンドグライ
ンドミル等の機械的摩砕法を併用しても製造出来る。
わりにペイントシェーカー ボールミル、サンドグライ
ンドミル等の機械的摩砕法を併用しても製造出来る。
電荷輸送材料は一般式〔■〕で示される化合物を用いる
。式中R1およびR2は水素原子;メチル基、エチル基
、プロピル基等のアルキル基;ベンジル基、フェネチル
基等のアラルキル基;アリル基またはフェニル基、ナフ
チル基、置換フェニル基、置換ナフチル基等のアリール
基を示す。これらは互いに同一でも、異なっていてもよ
い。
。式中R1およびR2は水素原子;メチル基、エチル基
、プロピル基等のアルキル基;ベンジル基、フェネチル
基等のアラルキル基;アリル基またはフェニル基、ナフ
チル基、置換フェニル基、置換ナフチル基等のアリール
基を示す。これらは互いに同一でも、異なっていてもよ
い。
又R1とR2でピロリジン残基、ピペリジン残基を示す
かまたはR1とR2のいずれか一方もしくは両方がそれ
ぞれ独立してA環と、五員環もしくは六員環の複素環を
形成するアルキレン残基を表わしてもよい。
かまたはR1とR2のいずれか一方もしくは両方がそれ
ぞれ独立してA環と、五員環もしくは六員環の複素環を
形成するアルキレン残基を表わしてもよい。
又R3としては水素原子;メチル基、エチル基等の低級
アルキル基;メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基等
の低級アルコキシ基;フッ素原子、塩素原子、臭素原子
、沃素原子等のハロゲン原子;ニトロ基またはジメチル
アミノ基、ジエチルアミノ基等のジ置換アミン基を表わ
し、R4はメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基
等の低級アルキル基;アリル基:フェニル基;メチルフ
ェニル基、メトキシフェニル基、クロルフェニル基等の
置換フェニル基;ナフチル基またはベンジル基、フェネ
チル基等のアラルキル基を表わす。
アルキル基;メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基等
の低級アルコキシ基;フッ素原子、塩素原子、臭素原子
、沃素原子等のハロゲン原子;ニトロ基またはジメチル
アミノ基、ジエチルアミノ基等のジ置換アミン基を表わ
し、R4はメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基
等の低級アルキル基;アリル基:フェニル基;メチルフ
ェニル基、メトキシフェニル基、クロルフェニル基等の
置換フェニル基;ナフチル基またはベンジル基、フェネ
チル基等のアラルキル基を表わす。
又R4とB環とで五員環または六員環の複素環、しても
よい。
よい。
又R5は水素原子;メチル基、エチル基等の低級アルキ
ル基;メトキシ基、エトキシ基等の低級アルコキシ基;
ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等のアルキルアミ
ノ基;アセチルアミノ基またはベンゾイルアミノ基等の
アシルアミノ基を表わす。
ル基;メトキシ基、エトキシ基等の低級アルコキシ基;
ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等のアルキルアミ
ノ基;アセチルアミノ基またはベンゾイルアミノ基等の
アシルアミノ基を表わす。
又nはO又は/の数を表わす。
本発明の感光体につき更に詳細に説明すると本発明の感
光体は導電性支持体上に電荷発生材料と電荷輸送材料を
含有する。具体的には通常、電荷発生材料を直接蒸着あ
るいはバインダーとの分散液として塗布して電荷発生層
を作成し、その上に有機溶剤溶液からのキャストとかバ
インダーとの溶解・分散液塗布により電荷輸送材料を含
有する電荷輸送層を作成して成る積層型感光体であるが
、電荷発生層と電荷輸送層の積層順序は逆の構成でもよ
い。
光体は導電性支持体上に電荷発生材料と電荷輸送材料を
含有する。具体的には通常、電荷発生材料を直接蒸着あ
るいはバインダーとの分散液として塗布して電荷発生層
を作成し、その上に有機溶剤溶液からのキャストとかバ
インダーとの溶解・分散液塗布により電荷輸送材料を含
有する電荷輸送層を作成して成る積層型感光体であるが
、電荷発生層と電荷輸送層の積層順序は逆の構成でもよ
い。
又、電荷発材料と電荷輸送材料とがバインダ中に分散、
溶解した状態で導電性支持体上に塗布した一層型感光体
であってもよい。
溶解した状態で導電性支持体上に塗布した一層型感光体
であってもよい。
又、これらの他に、接着層、ブロッキング層等の中間層
や、保護層など、電気特性、機械特性の改良のための層
を設けてもよい。
や、保護層など、電気特性、機械特性の改良のための層
を設けてもよい。
導電性支持体としては周知の電子写真感光体に採用され
ているものがいずれも使用できる。
ているものがいずれも使用できる。
具体的には例えばアルミニウム、ステンレス、銅等の金
属ドラム、シートあるいはこれらの金属箔のラミネート
物、蒸着物が誉げられる。更に、金属粉末、カーボンブ
ラック、ヨウ化銅、高分子電解質等の導電性物質を適当
なバインダとともに塗布して導電処理したプラスチック
フィルム、プラスチックドラム、紙、紙管等が誉げられ
る。また、金属粉末、カーボンブラック、炭素繊維等の
導電性物質を含有し、導電性となったプラスチックのシ
ートやドラムが誉げられる。
属ドラム、シートあるいはこれらの金属箔のラミネート
物、蒸着物が誉げられる。更に、金属粉末、カーボンブ
ラック、ヨウ化銅、高分子電解質等の導電性物質を適当
なバインダとともに塗布して導電処理したプラスチック
フィルム、プラスチックドラム、紙、紙管等が誉げられ
る。また、金属粉末、カーボンブラック、炭素繊維等の
導電性物質を含有し、導電性となったプラスチックのシ
ートやドラムが誉げられる。
又、酸化スズ、酸化インジウム等の導電性金属酸化物で
導電処理したプラスチックフィルムやベルトが挙げられ
る。これらの導電性支持体上に形成する電荷発生層は、
本発明のオキシチタニウムフタロシアニン粒子とバイン
ダーポリマーおよび必要に応じ有機光導電性化合物、色
素、電子吸引性化合物等を溶剤に溶解あるいは分散して
得られる塗布液を塗布乾燥して得られる。バインダーと
しては、スチレン、酢酸ビニル、[化ビニル、アクリル
酸エステル、メタクリル酸エステル、ビニルアルコール
、エチルビニルエーテル等のビニル化合物の重合体およ
び共重合体、ポリビニルアセクール、ポリカーボネート
、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン、セルロー
スエステル、セルロースエーテル、フェノキシ樹脂、け
い素樹脂、エポキシ樹脂等が挙げられる。オキシチタニ
ウムフタロシアニンとバインダーポリマーとの割合は、
特に制限はないが、一般には、オキシチタニウムフタロ
シアニン100重量部に対し1.t−so。
導電処理したプラスチックフィルムやベルトが挙げられ
る。これらの導電性支持体上に形成する電荷発生層は、
本発明のオキシチタニウムフタロシアニン粒子とバイン
ダーポリマーおよび必要に応じ有機光導電性化合物、色
素、電子吸引性化合物等を溶剤に溶解あるいは分散して
得られる塗布液を塗布乾燥して得られる。バインダーと
しては、スチレン、酢酸ビニル、[化ビニル、アクリル
酸エステル、メタクリル酸エステル、ビニルアルコール
、エチルビニルエーテル等のビニル化合物の重合体およ
び共重合体、ポリビニルアセクール、ポリカーボネート
、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン、セルロー
スエステル、セルロースエーテル、フェノキシ樹脂、け
い素樹脂、エポキシ樹脂等が挙げられる。オキシチタニ
ウムフタロシアニンとバインダーポリマーとの割合は、
特に制限はないが、一般には、オキシチタニウムフタロ
シアニン100重量部に対し1.t−so。
重量部、好ましくは、20〜3θO重量部のバインダー
ポリマーを使用する。
ポリマーを使用する。
電荷発生層の膜厚は、o、 o s −tμm、好まし
くは0. /〜コμmになる様にする。
くは0. /〜コμmになる様にする。
電荷発生層から電荷キャリヤーが注入される電荷輸送層
は、キャリヤーの注入効率と移動効率の高い電荷輸送材
料を含有する。
は、キャリヤーの注入効率と移動効率の高い電荷輸送材
料を含有する。
電荷輸送層には必要に応じバインダーポIJ マーが用
いられる。バインダーポリマーとしては、上記電荷輸送
材料との相溶性が良く、塗膜形成後に電荷輸送材料が結
晶化したり、相分離することのないポリマーが好ましく
、それらの例としては、スチレン、酢酸ビニル、塩化ビ
ニル、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、ブ
タジェン等のビニル化合物の重合体および共重合体、ポ
リビニルアセタール、ポリヵーボネト、ポリエステル、
ポリスルホン、ポリフェニレンオキサイド、ポリウレタ
ン、セルロースエステル、セルロースエーテル、フェノ
キシ樹脂、けい素樹脂、エポキシ樹脂等が挙げられる。
いられる。バインダーポリマーとしては、上記電荷輸送
材料との相溶性が良く、塗膜形成後に電荷輸送材料が結
晶化したり、相分離することのないポリマーが好ましく
、それらの例としては、スチレン、酢酸ビニル、塩化ビ
ニル、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、ブ
タジェン等のビニル化合物の重合体および共重合体、ポ
リビニルアセタール、ポリヵーボネト、ポリエステル、
ポリスルホン、ポリフェニレンオキサイド、ポリウレタ
ン、セルロースエステル、セルロースエーテル、フェノ
キシ樹脂、けい素樹脂、エポキシ樹脂等が挙げられる。
バインダーポリマーの使用量は、通常電荷輸送材料10
0重量部眞対U30〜3ooo重量部、好ましくは10
〜1000重量部の範囲である。
0重量部眞対U30〜3ooo重量部、好ましくは10
〜1000重量部の範囲である。
電荷輸送層にはこの他に、塗膜の機械的強度や、耐久性
向上のための種々の添加剤を用いることができる。
向上のための種々の添加剤を用いることができる。
この様な添加剤としては、周知の可塑剤や、種々の安定
剤、流動性付与剤、架橋剤等が誉げられる。
剤、流動性付与剤、架橋剤等が誉げられる。
この様にして得られる本発明の電子写真用感光体は高感
度で、残留電位が低く帯電性が高く、かつ、繰返しによ
る変動が小さく、特に、画像濃度に影響する帯電安定性
が良好であることから、高耐久性感光体として用いるこ
とができる。
度で、残留電位が低く帯電性が高く、かつ、繰返しによ
る変動が小さく、特に、画像濃度に影響する帯電安定性
が良好であることから、高耐久性感光体として用いるこ
とができる。
又7!;0−g!rOnmの領域の感度が高いことから
、特に半導体レーザプリンタ用感光体に適している。
、特に半導体レーザプリンタ用感光体に適している。
以下に製造例および実施例をあげて本発明を更に具体的
に説明する。
に説明する。
製造例/
フタロジニトリル? ?、5 jiをα−クロロナフタ
レンク左θmli中に加え、次に窒素雰囲気下で四塩化
チタン22m1を滴下した。滴下後昇温し、攪拌しなが
らユθ0− u J O℃で3時間反応させた後、放冷
し、ioo〜/、?(1)℃で熱時濾過し、700℃に
加熱したα−クロロナフタレン200d、で洗浄した。
レンク左θmli中に加え、次に窒素雰囲気下で四塩化
チタン22m1を滴下した。滴下後昇温し、攪拌しなが
らユθ0− u J O℃で3時間反応させた後、放冷
し、ioo〜/、?(1)℃で熱時濾過し、700℃に
加熱したα−クロロナフタレン200d、で洗浄した。
得られた粗ケーキを、α−クロロナフタレン300d3
、次にメタノール30ONで室温にて懸洗し、さらK、
メタノールgoorrteで1時間熱懸洗を数回性ない
、得られたケーキを水700 ml中に懸濁させ、2時
間熱懸洗を行なった。
、次にメタノール30ONで室温にて懸洗し、さらK、
メタノールgoorrteで1時間熱懸洗を数回性ない
、得られたケーキを水700 ml中に懸濁させ、2時
間熱懸洗を行なった。
p液のpHは/以下であった。熱水懸洗を涙液のI)H
が6〜7になるまで繰返した。
が6〜7になるまで繰返した。
得られたオキシチタニウムフタロシアニンのX線回折ス
ペクトルを第1図に示す。
ペクトルを第1図に示す。
第1図から明らかな様に、ブラッグ角(−θ十〇、r、
°)で27.3°に鋭いピークを示すが、他のピークは
比較的幅広いピークとなっている。
°)で27.3°に鋭いピークを示すが、他のピークは
比較的幅広いピークとなっている。
製造例コ
第3図に示すX線回折スペクトルを有するβ型オキシチ
タニウムフタロシアニングθIを9g%濃硫酸17 o
o m13中に溶解し、3時間水浴Uこ !つけて攪拌した。
タニウムフタロシアニングθIを9g%濃硫酸17 o
o m13中に溶解し、3時間水浴Uこ !つけて攪拌した。
ついで氷水/、61中に濃硫酸溶液を30分かげて滴下
し充分均一にした後、濾過した。その後得られた沈澱物
を酢酸ナトリウム水溶液で懸濁洗浄して中和し、次いで
水懸濁洗浄して濾過することにより中性のウェットケー
キ/10gを得た。
し充分均一にした後、濾過した。その後得られた沈澱物
を酢酸ナトリウム水溶液で懸濁洗浄して中和し、次いで
水懸濁洗浄して濾過することにより中性のウェットケー
キ/10gを得た。
更に得られたウェットケーキgsgを水770ゴ中に懸
濁し、オルト−ジクロルベンゼンs7ゴを加えて1.0
℃の温度下、7時間攪拌した。
濁し、オルト−ジクロルベンゼンs7ゴを加えて1.0
℃の温度下、7時間攪拌した。
反応液をデカンテーションして水−オルトジクロルベン
ゼンの大半は除き、次いでメタノールtroo−を加え
て60℃の温度下、2時間攪拌し、次いで常法により濾
過、乾燥して青色のオキシチタニウムフタロシアニンi
ggaだ。
ゼンの大半は除き、次いでメタノールtroo−を加え
て60℃の温度下、2時間攪拌し、次いで常法により濾
過、乾燥して青色のオキシチタニウムフタロシアニンi
ggaだ。
得られたオキシチタニウムフタロシアニンのX線回折ス
ペクトルを第2図に示す。
ペクトルを第2図に示す。
第一図から明らかな通り得られたオキシチタニウムフタ
ロシアニンのX線回折スペクトルのピークは製造例/か
ら得られた第1図のピーク形状によく類似しておりブラ
ッグ角(−θ十〇0.2°)でコア、3°に鋭いピーク
を示すが他のピークは比較的幅広いピークとなっている
。
ロシアニンのX線回折スペクトルのピークは製造例/か
ら得られた第1図のピーク形状によく類似しておりブラ
ッグ角(−θ十〇0.2°)でコア、3°に鋭いピーク
を示すが他のピークは比較的幅広いピークとなっている
。
実施例1
製造例/で製造したオキシチタニウムフタロシアニンo
、lIg、ポリビニルブチラール0..2gをグーメト
キシーダーメチルーーーペンタノン309と共に、サン
ドグラインダーで分散し、この分散液をポリエステルフ
ィルム上に蒸着したアルミ蒸着層の上にフィルムアプリ
ケータにより乾燥膜厚が0.3 、!i’ /m2どな
る様に塗布、乾燥し、電荷発生層を形成した。
、lIg、ポリビニルブチラール0..2gをグーメト
キシーダーメチルーーーペンタノン309と共に、サン
ドグラインダーで分散し、この分散液をポリエステルフ
ィルム上に蒸着したアルミ蒸着層の上にフィルムアプリ
ケータにより乾燥膜厚が0.3 、!i’ /m2どな
る様に塗布、乾燥し、電荷発生層を形成した。
この電荷発生層の上にQ−N、N−ジエチルアミノ−ベ
ンズアルデヒドジフェニルヒドラゾンqo部、ポリカー
ボネート樹脂(三菱ガス化学社製、ニーピロンE−20
00)100部からなる膜厚17μmの電荷輸送層を積
層し、積層型の感光層を有する電子写真感光体を得た。
ンズアルデヒドジフェニルヒドラゾンqo部、ポリカー
ボネート樹脂(三菱ガス化学社製、ニーピロンE−20
00)100部からなる膜厚17μmの電荷輸送層を積
層し、積層型の感光層を有する電子写真感光体を得た。
この感光体の感度として半減露光量(E//2)を静電
複写紙試験装置(川口電機製作所製モデル5p−ty−
,:ig)により測定した。すなわち、暗所でコロナ電
流がSOμAになる様に設定した印加電圧によるコロナ
放電により感光体を負帯電させ、次いで0./ J &
μW/Cr/L2の強度を持つ’77!;n、mの単色
光により露光し、表面電位が一5ooVから一、:zs
ovに半減するのに要した露光量(E匈)を求めたとこ
ろO9/7μJ/crL2であった。
複写紙試験装置(川口電機製作所製モデル5p−ty−
,:ig)により測定した。すなわち、暗所でコロナ電
流がSOμAになる様に設定した印加電圧によるコロナ
放電により感光体を負帯電させ、次いで0./ J &
μW/Cr/L2の強度を持つ’77!;n、mの単色
光により露光し、表面電位が一5ooVから一、:zs
ovに半減するのに要した露光量(E匈)を求めたとこ
ろO9/7μJ/crL2であった。
この時の感光体の帯電圧(初期表面電位)は−7j4V
であり、露光10秒後の表面電位(残留電位)は−−V
であった。
であり、露光10秒後の表面電位(残留電位)は−−V
であった。
実施例コ
実施例/で用いたオキシチタニウムフタロシアニンのか
わりに製造例−で製造されたオキシチタニウムフタロシ
アニンを用いたほかは実施例/と全(同様にして電荷発
生層を作成し、かつ、実施例/で用いた電荷輸送材料の
かわりに’%−N、N−ジエチルアミノベンズアルデヒ
ドフェニルナフチルヒドラゾンを用いて実施例/の方法
に準拠して感光体を作成し実施例/と同様の方法にして
半減露光量(E///2)を測定したところ0. /ワ
μJ/cIrL2であった。
わりに製造例−で製造されたオキシチタニウムフタロシ
アニンを用いたほかは実施例/と全(同様にして電荷発
生層を作成し、かつ、実施例/で用いた電荷輸送材料の
かわりに’%−N、N−ジエチルアミノベンズアルデヒ
ドフェニルナフチルヒドラゾンを用いて実施例/の方法
に準拠して感光体を作成し実施例/と同様の方法にして
半減露光量(E///2)を測定したところ0. /ワ
μJ/cIrL2であった。
実施例3
以下実施例/で用いたF−N、N−ジエチルアミノベン
ズアルデヒドジフェニルヒドラゾンの代りに下記衣に示
されるヒドラゾン類を用(・て実施例1の方法と同様に
感光体を作成し、実施例/と同様にして感度を測定した
。
ズアルデヒドジフェニルヒドラゾンの代りに下記衣に示
されるヒドラゾン類を用(・て実施例1の方法と同様に
感光体を作成し、実施例/と同様にして感度を測定した
。
結果を下記の表にまとめる。
=20−
一24−
ダ
比較例
実施例1において&−N、N−ジエチルアミノーベンズ
アルデヒドジフェニルヒドラゾンの代りにN−メチル−
カルバゾール−3−アルデヒド−ジフェニルヒドラゾン
を用いた以外は実施例/を同様にして感光体を作成し、
実施例/に準拠して??、tnm光での半減露光量を測
定したところ0.31IμJ/crIL2であった。
アルデヒドジフェニルヒドラゾンの代りにN−メチル−
カルバゾール−3−アルデヒド−ジフェニルヒドラゾン
を用いた以外は実施例/を同様にして感光体を作成し、
実施例/に準拠して??、tnm光での半減露光量を測
定したところ0.31IμJ/crIL2であった。
第1図及び第2図は本発明に用いるオキシチタニウムフ
タロシアニンのX線回折スペクトルである。第3図は、
製造例コで用いたβ型オキシチタニウムフタロシアニン
のX線回折スペクトルである。
タロシアニンのX線回折スペクトルである。第3図は、
製造例コで用いたβ型オキシチタニウムフタロシアニン
のX線回折スペクトルである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 電荷発生材料と、電荷輸送材料を含有する感光層を、導
電性支持体上に有する電子写真用感光体において、電荷
発生材料として、そのX線回折スペクトルにおいてブラ
ッグ角(2θ±0.2゜)27.3゜に主たる回折ピー
クを示すオキシチタニウムフタロシアニンを用い、かつ
電荷輸送材料には下記一般式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼…〔 I 〕 (式中R^1およびR^2は互いに同一でも異っていて
もよく、それぞれ水素原子、アルキル基、アラルキル基
、アリル基もしくはアリール基を示し、更にはR^1と
R^2とで五員環もしくは六員環の複素環を形成するア
ルキレン残基またはR^1とR^2のいずれか一方もし
くは両方がそれぞれ独立してA環と、五員環もしくは六
員環の複素環を形成するアルキレン残基を表わしてもよ
い。又R^3は水素原子、低級アルキル基、低級アルコ
キシ基、ハロゲン原子、ニトロ基またはジ置換アミノ基
を表わし、R^4は低級アルキル基、アリル基、フェニ
ル基、置換フェニル基、ナフチル基、またはアラルキル
基を表わし、R^4とB環とで五員環もしくは六員環の
複素環を形成してもよい。又R^5は水素原子、低級ア
ルキル基、低級アルコキシ基、アルキルアミノ基または
アシルアミノ基を表わし、nは0又は1の数を表わす。 )で示されるヒドラゾン類を用いることを特徴とする電
子写真用感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1019320A JP2800224B2 (ja) | 1989-01-27 | 1989-01-27 | 電子写真用感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1019320A JP2800224B2 (ja) | 1989-01-27 | 1989-01-27 | 電子写真用感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02198452A true JPH02198452A (ja) | 1990-08-06 |
| JP2800224B2 JP2800224B2 (ja) | 1998-09-21 |
Family
ID=11996117
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1019320A Expired - Lifetime JP2800224B2 (ja) | 1989-01-27 | 1989-01-27 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2800224B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5958637A (en) * | 1996-07-24 | 1999-09-28 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Electrophotographic photoreceptor and coating solution for production of charge transport layer |
| EP1146397A1 (en) * | 2000-04-12 | 2001-10-17 | Mitsubishi Chemical Corporation | Electrophotographic cartridge image-forming method and image-forming apparatus |
| CN100458572C (zh) * | 2006-08-23 | 2009-02-04 | 邯郸光导重工高技术有限公司 | 一种正充电性有机光导鼓的制备方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6482045A (en) * | 1987-09-25 | 1989-03-28 | Konishiroku Photo Ind | Photosensitive body |
| JPH02136862A (ja) * | 1988-11-18 | 1990-05-25 | Nec Corp | 電子写真感光体 |
-
1989
- 1989-01-27 JP JP1019320A patent/JP2800224B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6482045A (en) * | 1987-09-25 | 1989-03-28 | Konishiroku Photo Ind | Photosensitive body |
| JPH02136862A (ja) * | 1988-11-18 | 1990-05-25 | Nec Corp | 電子写真感光体 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5958637A (en) * | 1996-07-24 | 1999-09-28 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Electrophotographic photoreceptor and coating solution for production of charge transport layer |
| EP1146397A1 (en) * | 2000-04-12 | 2001-10-17 | Mitsubishi Chemical Corporation | Electrophotographic cartridge image-forming method and image-forming apparatus |
| CN100458572C (zh) * | 2006-08-23 | 2009-02-04 | 邯郸光导重工高技术有限公司 | 一种正充电性有机光导鼓的制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2800224B2 (ja) | 1998-09-21 |
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