JPH02199864A - タングステン薄膜抵抗体 - Google Patents
タングステン薄膜抵抗体Info
- Publication number
- JPH02199864A JPH02199864A JP1893289A JP1893289A JPH02199864A JP H02199864 A JPH02199864 A JP H02199864A JP 1893289 A JP1893289 A JP 1893289A JP 1893289 A JP1893289 A JP 1893289A JP H02199864 A JPH02199864 A JP H02199864A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature coefficient
- silicon
- film resistor
- tungsten thin
- resistance value
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、温度係数の小さい高抵抗率の薄膜抵抗に関
し、特に半導体デバイス上に形成して高機能のアナログ
ＩＣを実現する製造技術に関する。
し、特に半導体デバイス上に形成して高機能のアナログ
ＩＣを実現する製造技術に関する。
この発明は、タングステン薄膜抵抗体において、前記タ
ングステン薄ＷＡ抵抗体にシリコンを含有させることに
より、前記タングステン薄膜抵抗体の抵抗率を増加させ
、さらに温度係数を減少させるものである。
ングステン薄ＷＡ抵抗体にシリコンを含有させることに
より、前記タングステン薄膜抵抗体の抵抗率を増加させ
、さらに温度係数を減少させるものである。
従来、タングステン単体の薄膜抵抗体が知られていた。
しかし従来のタングステン薄膜抵抗体では、高抵抗値（
数１００ ＫΩ）を得ようとする場合、膜厚５０人、幅
１μｍ１長さが１０００μｍ以上の大きいパターンが必
要となってしまい、シート抵抗値がＩＫΩ／口以上口高
上抗値を得ようとすると、膜厚をｌＯ人程度にしなけれ
ばならず、膜厚の制御が非常に難しい、また、温度係数
は１０００ｐ ｐ ｍ／’Ｃ以上であるので、オ、ペア
ンプ等に応用した場合、抵抗体に電流が流れることによ
る発熱により、安定した回路動作が困難であった。
数１００ ＫΩ）を得ようとする場合、膜厚５０人、幅
１μｍ１長さが１０００μｍ以上の大きいパターンが必
要となってしまい、シート抵抗値がＩＫΩ／口以上口高
上抗値を得ようとすると、膜厚をｌＯ人程度にしなけれ
ばならず、膜厚の制御が非常に難しい、また、温度係数
は１０００ｐ ｐ ｍ／’Ｃ以上であるので、オ、ペア
ンプ等に応用した場合、抵抗体に電流が流れることによ
る発熱により、安定した回路動作が困難であった。
そこで、この発明は従来のこのような課題を解決するた
め、シート抵抗値がＩＫΩ／口以上口高上抗値を有し、
温度係数の小さいタングステン薄膜抵抗体を得ることを
目的としている。
め、シート抵抗値がＩＫΩ／口以上口高上抗値を有し、
温度係数の小さいタングステン薄膜抵抗体を得ることを
目的としている。
上記課題を解決するために、この発明はタングステン薄
膜抵抗体にシリコンを含有させることにより、シート抵
抗値がＩＫΩ／口以上口高上抗値と小さな温度係数を得
られるようにした。
膜抵抗体にシリコンを含有させることにより、シート抵
抗値がＩＫΩ／口以上口高上抗値と小さな温度係数を得
られるようにした。
上記のように、タングステン￥！ｌ膜抵抗体に高抵抗体
であるシリコンを含有させることにより、シート抵抗値
がＩＫΩ／口以上口高上抗値が得られ、またタングステ
ンの抵抗温度係数は十であり、シリコンの抵抗温度係数
は−であることから、この両者の合成Ｍ抵抗体は小さな
温度係数（３００ｐ ｐｍ ／ ’Ｃ以下）を実現でき
るのである。
であるシリコンを含有させることにより、シート抵抗値
がＩＫΩ／口以上口高上抗値が得られ、またタングステ
ンの抵抗温度係数は十であり、シリコンの抵抗温度係数
は−であることから、この両者の合成Ｍ抵抗体は小さな
温度係数（３００ｐ ｐｍ ／ ’Ｃ以下）を実現でき
るのである。
以下に、この発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第り図は、スパッタリング法によって形成したシリコン
を含有するタングステン薄膜抵抗体のシリコン含有率を
シリコンのスパッタリングパワーで調整し、膜厚を１０
０人とした場合のシリコンのスパッタリングパワーとシ
ー） 抵ｂｔ （ＪＩの関係を示した図である。シリコ
ンを含有させることにより、シート抵抗値は容易にＩＫ
Ω／口゛を超えることが出来る。第２図は、スパッタリ
ング法によって形成したシリコンを含有するタングステ
ン薄膜抵抗体の形成時のシリコンのスパッタリングパワ
ーと抵抗温度係数の関係を示した図である。
を含有するタングステン薄膜抵抗体のシリコン含有率を
シリコンのスパッタリングパワーで調整し、膜厚を１０
０人とした場合のシリコンのスパッタリングパワーとシ
ー） 抵ｂｔ （ＪＩの関係を示した図である。シリコ
ンを含有させることにより、シート抵抗値は容易にＩＫ
Ω／口゛を超えることが出来る。第２図は、スパッタリ
ング法によって形成したシリコンを含有するタングステ
ン薄膜抵抗体の形成時のシリコンのスパッタリングパワ
ーと抵抗温度係数の関係を示した図である。
シリコンを含有させることにより、温度係数３００ｐｐ
ｍ／℃以下を実現できる。
ｍ／℃以下を実現できる。
この発明は、以上説明したように、タングステン薄膜抵
抗体にシリコンを含有させることにより、タングステン
薄膜抵抗体のシート抵抗値をＩＫΩ／口以上口高上させ
、さらに温度係数を３００ ｐＰｍ／℃以下に減少させ
る効果がある。
抗体にシリコンを含有させることにより、タングステン
薄膜抵抗体のシート抵抗値をＩＫΩ／口以上口高上させ
、さらに温度係数を３００ ｐＰｍ／℃以下に減少させ
る効果がある。
第１図は、本発明によるスパッタリング法によって形成
したシリコンを含有するタングステン薄膜抵抗体のシリ
コン含有率をシリコンのスパッタリングパワーで調整し
、膜厚を１００ 人とした場合のシリコンのスパッタリ
ングパワーとシート抵抗値との関係を示した図、第２図
は、本発明によるスパッタリング法によって形成したシ
リコンを含有するタングステン薄膜抵抗体の形成時のシ
リコンのスパッタリングパワーと抵抗温度係数との関係
を示した図である。 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 代理人 弁理士 林 敬 之 助シリコンのスノ
マ、タリンγハ匁−（Ｗ）ジノコンりんイ、・タリ）７
）望ワーとシート打交巾し［ｔｏ八目イネ図ｆｓ１ｒＡ
したシリコンを含有するタングステン薄膜抵抗体のシリ
コン含有率をシリコンのスパッタリングパワーで調整し
、膜厚を１００ 人とした場合のシリコンのスパッタリ
ングパワーとシート抵抗値との関係を示した図、第２図
は、本発明によるスパッタリング法によって形成したシ
リコンを含有するタングステン薄膜抵抗体の形成時のシ
リコンのスパッタリングパワーと抵抗温度係数との関係
を示した図である。 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 代理人 弁理士 林 敬 之 助シリコンのスノ
マ、タリンγハ匁−（Ｗ）ジノコンりんイ、・タリ）７
）望ワーとシート打交巾し［ｔｏ八目イネ図ｆｓ１ｒＡ
Claims (1)
- シリコンを含有することを特徴とするタングステン薄膜
抵抗体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1893289A JPH02199864A (ja) | 1989-01-27 | 1989-01-27 | タングステン薄膜抵抗体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1893289A JPH02199864A (ja) | 1989-01-27 | 1989-01-27 | タングステン薄膜抵抗体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02199864A true JPH02199864A (ja) | 1990-08-08 |
Family
ID=11985412
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1893289A Pending JPH02199864A (ja) | 1989-01-27 | 1989-01-27 | タングステン薄膜抵抗体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02199864A (ja) |
-
1989
- 1989-01-27 JP JP1893289A patent/JPH02199864A/ja active Pending
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