JPH02208321A - Ｌｓｉ塔載用実装基板用ポリイミド - Google Patents
Ｌｓｉ塔載用実装基板用ポリイミドInfo
- Publication number
- JPH02208321A JPH02208321A JP1028369A JP2836989A JPH02208321A JP H02208321 A JPH02208321 A JP H02208321A JP 1028369 A JP1028369 A JP 1028369A JP 2836989 A JP2836989 A JP 2836989A JP H02208321 A JPH02208321 A JP H02208321A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polyimide
- layer
- wiring
- insulation film
- transition point
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Landscapes
- Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、ＬＳＩ搭載用実装基板用ポリイミドに関する
ものであり、さらに詳しくは、多層配線構造を有するＬ
ＳＩ搭載用実装基板の層間絶縁膜として好適なポリイミ
ドに関する。
ものであり、さらに詳しくは、多層配線構造を有するＬ
ＳＩ搭載用実装基板の層間絶縁膜として好適なポリイミ
ドに関する。
［従来の技術］
ポリイミドを絶縁膜として用いたＬＳＩ搭載用実装基板
は、例えば「日経エレクトロニクス」１０５頁、１９８
３年１月３１日号、同じく１４５〜１５８頁、１９８４
年８月２７日号などで知られている。該用途において配
線金属は通常、銅、全単独またはこれらの金属とクロム
、モリブデン、ニッケルの２層構造が主に用いられてい
る。このような実装基板において、ポリイミドとこれら
の配線金属との接着性は信頼性の点で極めて重要である
。接着性が低下するとポリイミドと配線金属の界面に水
分がたまり配線金属を腐蝕するなど、信頼性に悪影響を
及ぼす。すなわちポリイミド絶縁膜としては実装基板の
製造乃至加工段階においては勿論、使用中におけるいか
なる環境条件にも耐える高い信頼性と耐久性を有するこ
とが不可欠である。
は、例えば「日経エレクトロニクス」１０５頁、１９８
３年１月３１日号、同じく１４５〜１５８頁、１９８４
年８月２７日号などで知られている。該用途において配
線金属は通常、銅、全単独またはこれらの金属とクロム
、モリブデン、ニッケルの２層構造が主に用いられてい
る。このような実装基板において、ポリイミドとこれら
の配線金属との接着性は信頼性の点で極めて重要である
。接着性が低下するとポリイミドと配線金属の界面に水
分がたまり配線金属を腐蝕するなど、信頼性に悪影響を
及ぼす。すなわちポリイミド絶縁膜としては実装基板の
製造乃至加工段階においては勿論、使用中におけるいか
なる環境条件にも耐える高い信頼性と耐久性を有するこ
とが不可欠である。
しかしながら、従来の絶縁膜用ポリイミド、例えばピロ
メリット酸２無水物（ＰＭＤＡ）と４゜４′−ジアミノ
ジフェニルエーテル（ＤＡＥ）から得られるポリイミド
や、ベンゾフェノンテトラカルボン酸２無水物（ＢＴＤ
Ａ）とＤＡＥから得られるポリイミドを層間絶縁膜とし
て用いたＬＳＩ搭載用の実装基板においては、しばしば
接着性が大きく低下するという問題があり、早急かつ根
本的な解決策が切望されていた。
メリット酸２無水物（ＰＭＤＡ）と４゜４′−ジアミノ
ジフェニルエーテル（ＤＡＥ）から得られるポリイミド
や、ベンゾフェノンテトラカルボン酸２無水物（ＢＴＤ
Ａ）とＤＡＥから得られるポリイミドを層間絶縁膜とし
て用いたＬＳＩ搭載用の実装基板においては、しばしば
接着性が大きく低下するという問題があり、早急かつ根
本的な解決策が切望されていた。
［発明が解決しようとする課題］
本発明者らはかかる従来技術の現状に鑑み接着性の改善
改良対策について鋭意検討した結果、特定の構造および
物性を有するポリイミドを使用した場合には従来のポリ
イミドに見られるような欠点は解消され、製造乃至加工
段階においては勿論、使用中における苛酷な環境条件に
も十分耐え、高い信頼性を有するＬＳＩ搭載用実装基板
が得られることを知見し、本発明に到達したものである
。
改良対策について鋭意検討した結果、特定の構造および
物性を有するポリイミドを使用した場合には従来のポリ
イミドに見られるような欠点は解消され、製造乃至加工
段階においては勿論、使用中における苛酷な環境条件に
も十分耐え、高い信頼性を有するＬＳＩ搭載用実装基板
が得られることを知見し、本発明に到達したものである
。
［課題を解決するための手段］
かかる本発明の目的は、基板上に形成した第１層の配線
と、該第１層の配線を覆う第１層の絶縁膜と、該第１層
の絶縁膜に形成された開口を介して前記第１層の配線に
接続された第２層の配線とを最小構成単位として具備す
る多層配線構成体からなるＬＳＩ搭載用実装基板の前記
絶縁膜を形成するためのポリイミドであって、該ポリイ
ミドが下記ＡＸＢおよびＣの特性を全て満足するポリイ
ミドで構成されていることを特徴とするＬＳＩ搭載用実
装基板用ポリイミド。
と、該第１層の配線を覆う第１層の絶縁膜と、該第１層
の絶縁膜に形成された開口を介して前記第１層の配線に
接続された第２層の配線とを最小構成単位として具備す
る多層配線構成体からなるＬＳＩ搭載用実装基板の前記
絶縁膜を形成するためのポリイミドであって、該ポリイ
ミドが下記ＡＸＢおよびＣの特性を全て満足するポリイ
ミドで構成されていることを特徴とするＬＳＩ搭載用実
装基板用ポリイミド。
Ａ、ガラス転移点を有すること、
Ｂ、酸素透過率が１０×１０−１２ｍ１／ｃｍ２／ｓｅ
ｃ／ｃｍＨｇより小さいこと、 Ｃ８水蒸気透過率が１．５ｇ／ｍ２／２４ｈｒ／ ｍ
ｍより小さいこと。
ｃ／ｃｍＨｇより小さいこと、 Ｃ８水蒸気透過率が１．５ｇ／ｍ２／２４ｈｒ／ ｍ
ｍより小さいこと。
本発明いおいて使用される基板としては、通常セラミッ
クが用いられるが、勿論これに限定されない。
クが用いられるが、勿論これに限定されない。
本発明における配線とは、電気伝導性の材料が所望の機
能を果すように、パターン状または全面に形成された層
である。電気伝導性の材料としては、アルミニウム、銅
、金、ニッケル、クロム。
能を果すように、パターン状または全面に形成された層
である。電気伝導性の材料としては、アルミニウム、銅
、金、ニッケル、クロム。
モリブデン、ニクロム、パラジウム、銀などが、単独あ
るいは複層で好ましく用いられるが、これらには限定さ
れない。これらの配線は、通常、真空蒸着、スパッタリ
ング、電子線蒸着などの物理蒸着法やメツキなどにより
、全面あるいはバタン状に形成される。全面に形成した
場合は、フォトエツチングを代表とするエツチング手法
でバタン化することが多い。
るいは複層で好ましく用いられるが、これらには限定さ
れない。これらの配線は、通常、真空蒸着、スパッタリ
ング、電子線蒸着などの物理蒸着法やメツキなどにより
、全面あるいはバタン状に形成される。全面に形成した
場合は、フォトエツチングを代表とするエツチング手法
でバタン化することが多い。
本発明におけるポリイミドとは、下記［Ｉ］式（ただし
、式中８１は４価の有機基、Ｒ２は２価の有機基である
。）を主要構成単位として含むポリマであって、かつ下
記Ａ、ＢおよびＣ特性を同時に備えてなるものである。
、式中８１は４価の有機基、Ｒ２は２価の有機基である
。）を主要構成単位として含むポリマであって、かつ下
記Ａ、ＢおよびＣ特性を同時に備えてなるものである。
Ａ、ガラス転移点を有すること、
Ｂ、酸素透過率が１０×１０−１２ｍ１／Ｃｍ２／ ｓ
ｅ ｃ ／ ｃ ｍ Ｈｇであること、Ｃ０水蒸気透
過率が１．５ｇ／ｍ２／２４ｈｒ／ ｍ ｍであること
。
ｅ ｃ ／ ｃ ｍ Ｈｇであること、Ｃ０水蒸気透
過率が１．５ｇ／ｍ２／２４ｈｒ／ ｍ ｍであること
。
またポリイミドは前記条件を満足する限り上記構造単位
［Ｉ］以外の単位を含んでいてもよい。
［Ｉ］以外の単位を含んでいてもよい。
構造単位［Ｉ］以外の単位として、アミドイミド。
エステルイミド、アミドなどが例として挙げられるが、
これらに限定さない。
これらに限定さない。
上記構造単位［Ｉ］中、Ｒ１は少なくとも２個以上の炭
素原子を有する４価の有機基である。ポリイミドの耐熱
性の面から、ＲＩはポリマ主鎖のカルボニル基との結合
が芳香族環あるいは芳香族複素環から直接行なわれる構
造を有するものが好ましい。従って、ＲＩとじては、芳
香族環または芳香族複素環を含有し、かつ炭素数６〜３
０の４価の基が好ましい。
素原子を有する４価の有機基である。ポリイミドの耐熱
性の面から、ＲＩはポリマ主鎖のカルボニル基との結合
が芳香族環あるいは芳香族複素環から直接行なわれる構
造を有するものが好ましい。従って、ＲＩとじては、芳
香族環または芳香族複素環を含有し、かつ炭素数６〜３
０の４価の基が好ましい。
」１記構造単位［Ｉ］中、Ｒ２は少なくとも２個以上の
炭素原子を有する２価の有機基であるが、ポリイミドの
耐熱性の面から、ポリマ主鎖のイミド基との結合が芳香
族環あるいは芳香族複素環から直接行なわれる構造を有
するものが好ましい。従って、Ｒ２としては芳香族環又
は芳香族複素環を含有し、かつ炭素数６〜３０の２価の
基が好ましい。
炭素原子を有する２価の有機基であるが、ポリイミドの
耐熱性の面から、ポリマ主鎖のイミド基との結合が芳香
族環あるいは芳香族複素環から直接行なわれる構造を有
するものが好ましい。従って、Ｒ２としては芳香族環又
は芳香族複素環を含有し、かつ炭素数６〜３０の２価の
基が好ましい。
さらに、ポリイミドからなる絶縁膜と基板との接着性を
向上させるために、耐熱性を低下させない範囲で８２と
して、シロキサン構造を有する脂肪族性の基を共重合さ
せることも可能である。好ましい具体例として ＣＨ３ＣＲ３ Ｃ１−１２ｃｌ−１２ｃｌ−１２−８ｉ −Ｏ５ｉ−Ｃ
Ｈ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＲ３ＣＲ３ が挙げられるが、これらに限定されない。
向上させるために、耐熱性を低下させない範囲で８２と
して、シロキサン構造を有する脂肪族性の基を共重合さ
せることも可能である。好ましい具体例として ＣＨ３ＣＲ３ Ｃ１−１２ｃｌ−１２ｃｌ−１２−８ｉ −Ｏ５ｉ−Ｃ
Ｈ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＲ３ＣＲ３ が挙げられるが、これらに限定されない。
上記構造単位［Ｉ］中で、Ｒ１，Ｒ２は各々ただ１種か
ら構成されていてもよいし、２種以上から構成されてい
てもよい。
ら構成されていてもよいし、２種以上から構成されてい
てもよい。
本発明におけるガラス転移点を有するポリイミドとは、
前記定義のポリイミドの中で、後記の示差走査熱量計に
よる測定で６０〜４００℃の間に明白な転移点を有する
ものをいう。
前記定義のポリイミドの中で、後記の示差走査熱量計に
よる測定で６０〜４００℃の間に明白な転移点を有する
ものをいう。
ガラス転移点が無いポリイミドを層間絶縁膜に用いると
、酸素透過率および水蒸気透過率が本発明で規定する条
件を満足した場合でも、ポリイミド−ポリイミド間の接
着性が悪くなる。
、酸素透過率および水蒸気透過率が本発明で規定する条
件を満足した場合でも、ポリイミド−ポリイミド間の接
着性が悪くなる。
また本発明で使用されるポリイミドは、ガラス転移点を
有するとともに、酸素透過率が１０×１０”’ ｍ １
／ｃｍ２／ｓ ｅ ｃ／ｃｍＨｇより小さいこと、およ
び水蒸気透過率が１．５ｇ／ｍ２／２４ ｈ ｒ ／ｍ
ｍより小さいことが必要であり、かかる構成を有するこ
とにより、例えば高温乾熱下または湿熱下等の苛酷な環
境条件においても層間絶縁膜間と配線金属との接着性を
長期にわたって確実に発現させることができ、耐久性乃
至信頼性を飛躍的に向上させることができる。
有するとともに、酸素透過率が１０×１０”’ ｍ １
／ｃｍ２／ｓ ｅ ｃ／ｃｍＨｇより小さいこと、およ
び水蒸気透過率が１．５ｇ／ｍ２／２４ ｈ ｒ ／ｍ
ｍより小さいことが必要であり、かかる構成を有するこ
とにより、例えば高温乾熱下または湿熱下等の苛酷な環
境条件においても層間絶縁膜間と配線金属との接着性を
長期にわたって確実に発現させることができ、耐久性乃
至信頼性を飛躍的に向上させることができる。
本発明において使用されるポリイミドとしては前記特性
Ａ、ＢおよびＣを全て満たすものであれはいかなるもの
でもよく特に限定されない。このような条件を満たすポ
リイミドの具体例としては、例えば次のモノマの組合せ
から得られるポリイミド前駆体を化学的または熱的に転
換したポリイミドが挙げられるが、これらに限定されな
い。
Ａ、ＢおよびＣを全て満たすものであれはいかなるもの
でもよく特に限定されない。このような条件を満たすポ
リイミドの具体例としては、例えば次のモノマの組合せ
から得られるポリイミド前駆体を化学的または熱的に転
換したポリイミドが挙げられるが、これらに限定されな
い。
（１） ３．３１．４′−ビフェニルテトラカルボン
酸無水物（ＢＰＤＡ）とパラフェニレンジアミン（ＰＤ
Ａ）および１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベン
ゼン（ＢＡＰＯＢ）がら得られるポリイミド。
酸無水物（ＢＰＤＡ）とパラフェニレンジアミン（ＰＤ
Ａ）および１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベン
ゼン（ＢＡＰＯＢ）がら得られるポリイミド。
（２）ＢＰＤＡと４，４′ −ジアミノターフェニル（
ＤＡＴＰ）および４，４′−ビス（４−アミノフェノキ
シ）ジフェニル（ＢＡＰＯＤ）から得られるポリイミド
。
ＤＡＴＰ）および４，４′−ビス（４−アミノフェノキ
シ）ジフェニル（ＢＡＰＯＤ）から得られるポリイミド
。
（３）ＢＰＤＡとピロメリット酸２無水物（ＰＭＤＡ）
とＢＡＰＯＤおよびＰＤＡから得られるポリイミド。
とＢＡＰＯＤおよびＰＤＡから得られるポリイミド。
これらのうちＢＰＤＡが全酸成分の４０モル％以上から
なるポリイミドが好ましい。また全アミン成分の４０〜
８５モル％がＰＤＡおよび／またはＤＡＴＰからなるポ
リイミドが好ましい。特にＢＰＤＡが全酸成分の４０モ
ル％以」二で、ＰＤＡおよび／またはＤＡＴＰが全アミ
ン成分の４０〜８５モル％からなるポリイミドが好まし
い。
なるポリイミドが好ましい。また全アミン成分の４０〜
８５モル％がＰＤＡおよび／またはＤＡＴＰからなるポ
リイミドが好ましい。特にＢＰＤＡが全酸成分の４０モ
ル％以」二で、ＰＤＡおよび／またはＤＡＴＰが全アミ
ン成分の４０〜８５モル％からなるポリイミドが好まし
い。
また、これら各々をビス（３−アミノプロピル）テトラ
メチルジシロキサンと組合せたものは、特に好ましい。
メチルジシロキサンと組合せたものは、特に好ましい。
ここで、ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシ
ロキサンは、全アミンの１〜１５モル％、好ましくは３
〜６モル％が望ましい。
ロキサンは、全アミンの１〜１５モル％、好ましくは３
〜６モル％が望ましい。
ポリイミド前駆体としては感光性を付与したものが、直
接パターン加工ができ、工程を簡略化できるので好まし
いが、これに限定されない。感光性を付与する方法は例
えば、特公昭５５−３０２０７号公報、特開昭５３−１
２７．７２３号公報、特開昭５９−５２８２２号公報な
どに記載されている。
接パターン加工ができ、工程を簡略化できるので好まし
いが、これに限定されない。感光性を付与する方法は例
えば、特公昭５５−３０２０７号公報、特開昭５３−１
２７．７２３号公報、特開昭５９−５２８２２号公報な
どに記載されている。
次に、本発明のＬＳＩ搭載実装基板の製造方法の一例に
ついて説明する。
ついて説明する。
まず、電源と接地層を含む多層アルミナ・セラミック製
基板上に第１層の配線を形成する。例えばセラミック基
板上に銅、クロムを順次蒸着方式により積層した後、フ
ォトエツチングすることにより所望の配線パターンを得
る。
基板上に第１層の配線を形成する。例えばセラミック基
板上に銅、クロムを順次蒸着方式により積層した後、フ
ォトエツチングすることにより所望の配線パターンを得
る。
ついで、本発明で規定する特性Ａ、ＢおよびＣを満足す
るポリイミドから成る絶縁膜（Ｄ）を形成する。該膜（
Ｄ）は、通常、該ポリイミドの前駆体の溶液を塗布して
膜（Ｅ）を形成し、必要に応じてパターン加工した後、
熱処理することにより絶縁膜（Ｄ）が得られる。
るポリイミドから成る絶縁膜（Ｄ）を形成する。該膜（
Ｄ）は、通常、該ポリイミドの前駆体の溶液を塗布して
膜（Ｅ）を形成し、必要に応じてパターン加工した後、
熱処理することにより絶縁膜（Ｄ）が得られる。
膜（Ｅ）のパターン加工は通常の方法で行なうことがで
きる。
きる。
感光性を有するポリイミド前駆体を用いる場合は、塗布
、乾燥後、感光性ポリイミド前駆体の膜上にマスクを置
き、紫外線を照射する。ついで、現像を行なう。現像後
、熱処理することにより膜（Ｄ）を得る。
、乾燥後、感光性ポリイミド前駆体の膜上にマスクを置
き、紫外線を照射する。ついで、現像を行なう。現像後
、熱処理することにより膜（Ｄ）を得る。
熱処理は、室温から４５０°Ｃの範囲で数段階の温度を
選び段階的に昇温するか、ある温度範囲を選び連続的に
昇温しながら、５分〜５時間実施する。この熱処理の最
高温度は１５０〜４５０℃、好ましくは、１８０以上で
行なうのがよい。例えば、１３０℃、２００℃、４００
℃各々３０分づつ熱処理する。また、室温から４００℃
まで２時間かけてほぼ直線的に昇温しでもよい。
選び段階的に昇温するか、ある温度範囲を選び連続的に
昇温しながら、５分〜５時間実施する。この熱処理の最
高温度は１５０〜４５０℃、好ましくは、１８０以上で
行なうのがよい。例えば、１３０℃、２００℃、４００
℃各々３０分づつ熱処理する。また、室温から４００℃
まで２時間かけてほぼ直線的に昇温しでもよい。
感光性を有しないポリイミド前駆体を用いる場合は、塗
布、熱処理後、ネガ型フォトレジストをマスクにして、
ヒドラジンとエチレンジアミンの混合液でエツチングす
るか、金属薄膜などをマスクにして、プラズマでエツチ
ングすれば、パターンを形成できる。
布、熱処理後、ネガ型フォトレジストをマスクにして、
ヒドラジンとエチレンジアミンの混合液でエツチングす
るか、金属薄膜などをマスクにして、プラズマでエツチ
ングすれば、パターンを形成できる。
次に、膜（Ｄ）の上に配線を形成すれば、２層配線の構
成体が得られる。以下同様に繰返せば、３層配線以上の
構成体が得られる。
成体が得られる。以下同様に繰返せば、３層配線以上の
構成体が得られる。
［発明の効果］
本発明は、ＬＳＩ搭載用実装基板において、ガラス転移
点を有し、かつ特定の酸素透過率および水蒸気透過率を
有するポリイミドを層間絶縁膜として用いることにより
、高温劣化や高湿劣化などの苛酷の環境条件においても
極めて優れた接着性を発現せしめることができたため、
ＬＳＩ搭載用実装基板の信頼性および耐久性を飛躍的に
向上させることができる。
点を有し、かつ特定の酸素透過率および水蒸気透過率を
有するポリイミドを層間絶縁膜として用いることにより
、高温劣化や高湿劣化などの苛酷の環境条件においても
極めて優れた接着性を発現せしめることができたため、
ＬＳＩ搭載用実装基板の信頼性および耐久性を飛躍的に
向上させることができる。
［測定法］
（１） ポリイミドフィルムの作成
ポリイミド前駆体の溶液（可溶性ポリイミドの場合は、
ポリイミドの溶液）をポリエステルフィルム上に塗布し
、８０℃、６０分乾燥する。ポリイミド前駆体のフィル
ムをポリエステルフィルムから剥離し、鉄製のフレーム
に緊張固定した後、１３５℃、２５０°Ｃ，３５０℃で
各々３０分熱処理してポリイミドフィルムを作成する。
ポリイミドの溶液）をポリエステルフィルム上に塗布し
、８０℃、６０分乾燥する。ポリイミド前駆体のフィル
ムをポリエステルフィルムから剥離し、鉄製のフレーム
に緊張固定した後、１３５℃、２５０°Ｃ，３５０℃で
各々３０分熱処理してポリイミドフィルムを作成する。
厚さは２０±２μになるように調整する。
（２）ガラス転移点の測定
（１）項のフィルムを用いて、次の条件で示差走査熱量
分析（Ｄ Ｓ Ｃ）を行なう。
分析（Ｄ Ｓ Ｃ）を行なう。
示差走査熱量計：パーキン ニルマー社製ＤＳＣ−２型
サンプル量：１０ｍｇ
昇温速度＝４０℃／分
雰囲気二乾燥窒素
測定温度範囲二６０℃〜４２０℃
測定は連続して２回行ない、２回目のデータを用いて、
６０〜４００℃の間の転移点の有無を調べた。図に典型
的な測定例を示す。１はガラス転移点のないポリイミド
（比較例１から得られるポリイミド）の測定例である。
６０〜４００℃の間の転移点の有無を調べた。図に典型
的な測定例を示す。１はガラス転移点のないポリイミド
（比較例１から得られるポリイミド）の測定例である。
また、２はガラス転移点を有するポリイミド（実施例１
から得られるポリイミド）の測定例である。
から得られるポリイミド）の測定例である。
（３）酸素透過率の測定
（１）項で作成したフィルムを用い、棟木製作所（株）
製ＧＴＲ型ガス分離装置を使用し、ガスクロマトグラフ
ィー法で２４℃にて測定した。
製ＧＴＲ型ガス分離装置を使用し、ガスクロマトグラフ
ィー法で２４℃にて測定した。
（４）水蒸気透過率の測定
（１）項で作成したフィルムを用い、山武ハネウェル（
株）製置速度水分透過率測定器を使用し、４０℃で測定
した。
株）製置速度水分透過率測定器を使用し、４０℃で測定
した。
（５）接着性の評価
配線構成体の配線金属面に、カッターで２ｍｍ間隔の切
れ目を縦横６本ずつ形成し、２５個基盤目を作る。この
上に、セロファン粘着テープにチバン（株）製ノを貼り
つけ、ＪＩＳ Ｄ０２０２表１３，１種の欄に記載の方
法に準じて引き剥がし、剥離個数を調べる。
れ目を縦横６本ずつ形成し、２５個基盤目を作る。この
上に、セロファン粘着テープにチバン（株）製ノを貼り
つけ、ＪＩＳ Ｄ０２０２表１３，１種の欄に記載の方
法に準じて引き剥がし、剥離個数を調べる。
［実施例］
本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明
はこれらに限定されない。
はこれらに限定されない。
実施例Ｉ
ＢＡＰＯＢ ５６．１３ｇ、ビス（３−アミノプロピ
ル）テトラメチルジシロキサン（Ｓ ｉ ＤＡ）３．９
７ｇ、ＰＤＡ ２０．７６ｇをＮ−メチル−２−ピロ
リドン（ＮＭＰ）７８４ｇに溶解し、アミン溶液を調合
した。このアミン溶液にＢＰＤＡ１１７．７ｇを添加し
、５５°ｃで３時間反応させ、２５℃で１５０ポアズの
ポリマ溶液を得た。
ル）テトラメチルジシロキサン（Ｓ ｉ ＤＡ）３．９
７ｇ、ＰＤＡ ２０．７６ｇをＮ−メチル−２−ピロ
リドン（ＮＭＰ）７８４ｇに溶解し、アミン溶液を調合
した。このアミン溶液にＢＰＤＡ１１７．７ｇを添加し
、５５°ｃで３時間反応させ、２５℃で１５０ポアズの
ポリマ溶液を得た。
このポリマ溶液にジメチルアミノエチルメタクリレート
１２６ｇ、４−アジドカルコン５．０ｇ。
１２６ｇ、４−アジドカルコン５．０ｇ。
Ｎ−フエニルジエタノールアミン９．８ｇ、ＮＭＰ１７
０ｇを添加し混合、濾過して感光性のポリイミド前駆体
溶液を調整した。
０ｇを添加し混合、濾過して感光性のポリイミド前駆体
溶液を調整した。
セラミック基板上に銅を５μｍ１クロムを０゜２μｍス
パッタ装置により蒸着した後、フォトエツチングするこ
とにより配線パターンを形成した。
パッタ装置により蒸着した後、フォトエツチングするこ
とにより配線パターンを形成した。
この基板上に前記の感光性ポリイミド前駆体溶液を塗布
し、８０℃で２時間乾燥することにより膜厚２０μｍの
塗膜を得た。
し、８０℃で２時間乾燥することにより膜厚２０μｍの
塗膜を得た。
次に露光機（キャノン（株）製ＰＬＡ−５０１Ｆ）にセ
ットし、マスクを介して３００ ｍ ｊ ／ ｃｍ２
（３６５ｎｍの強度）露光し、ＮＭＰ／メタノール＝７
０／３０ （重量比）からなる現像液で現像し、イソプ
ロパツールでリンスした後、スピンナーで回転しながら
乾燥させた。次に１３０℃、２００℃、３００℃および
４００℃の各々３０分づつ窒素雰囲気中で熱処理し、絶
縁膜を形成した。
ットし、マスクを介して３００ ｍ ｊ ／ ｃｍ２
（３６５ｎｍの強度）露光し、ＮＭＰ／メタノール＝７
０／３０ （重量比）からなる現像液で現像し、イソプ
ロパツールでリンスした後、スピンナーで回転しながら
乾燥させた。次に１３０℃、２００℃、３００℃および
４００℃の各々３０分づつ窒素雰囲気中で熱処理し、絶
縁膜を形成した。
このようにして得られた絶縁膜上にさらに前記と同様に
して第２層の配線を形成した。以下同様に繰返し、３層
配線の構成体を得た。
して第２層の配線を形成した。以下同様に繰返し、３層
配線の構成体を得た。
このようにして得た３層配線の構成体を乾熱状態（２０
０℃ｘ２００ｈｒ）および湿熱状態（１２１℃、２ａｔ
ｍの飽和水蒸気中、１００ｈｒ）で放置後、測定法（５
）の方法で接着性を調べた。また測定法（１）、（２）
および（３）に記載した方法により、ガラス転移点の有
無、酸素透過率および水蒸気透過率をそれぞれ測定した
。これらの結果を表１に示す。
０℃ｘ２００ｈｒ）および湿熱状態（１２１℃、２ａｔ
ｍの飽和水蒸気中、１００ｈｒ）で放置後、測定法（５
）の方法で接着性を調べた。また測定法（１）、（２）
および（３）に記載した方法により、ガラス転移点の有
無、酸素透過率および水蒸気透過率をそれぞれ測定した
。これらの結果を表１に示す。
実施例２〜６、比較例１．２、参考例１〜３実施例１と
同様にポリイミドの組成、配線金属の種類を変え、３層
配線の構成体を作成し、実施例１と同様の評価を行なっ
た。これらの結果をまとめて表１に示す。
同様にポリイミドの組成、配線金属の種類を変え、３層
配線の構成体を作成し、実施例１と同様の評価を行なっ
た。これらの結果をまとめて表１に示す。
表１から明らかなように、ガラス転移点を有し、かつ酸
素透過率および水蒸気透過率が本発明で規定する条件を
満足する基板のみ環境試験後の接着性が著しく優れてい
る、すなわち信頼性が高いことがわかる。
素透過率および水蒸気透過率が本発明で規定する条件を
満足する基板のみ環境試験後の接着性が著しく優れてい
る、すなわち信頼性が高いことがわかる。
４、
図は、
ガラス転移点の測定例を示す図である。
：比較例１のポリイミ
ド、
：実施例１のポリイミ
ド。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板上に形成した第１層の配線と、該第１層の配線を覆
う第１層の絶縁膜と、該第１層の絶縁膜に形成された開
口を介して前記第１層の配線に接続された第２層の配線
とを最小構成単位として具備する多層配線構成体からな
るＬＳＩ搭載用実装基板の前記絶縁膜を形成するための
ポリイミドであって、該ポリイミドが下記Ａ、Ｂおよび
Ｃの特性を全て満足するポリイミドで構成されているこ
とを特徴とするＬＳＩ搭載用実装基板用ポリイミド。 Ａ．ガラス転移点を有すること、 Ｂ．酸素透過率が１０×１０＾−＾１＾２ｍｌ／ｃｍ＾
２／ｓｅｃ／ｃｍＨｇより小さいこと、 Ｃ．水蒸気透過率が１．５ｇ／ｍ＾２／２４ｈｒ／ｍｍ
より小さいこと。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1028369A JP2677855B2 (ja) | 1989-02-07 | 1989-02-07 | Ｌｓｉ塔載用実装基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1028369A JP2677855B2 (ja) | 1989-02-07 | 1989-02-07 | Ｌｓｉ塔載用実装基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02208321A true JPH02208321A (ja) | 1990-08-17 |
| JP2677855B2 JP2677855B2 (ja) | 1997-11-17 |
Family
ID=12246712
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1028369A Expired - Fee Related JP2677855B2 (ja) | 1989-02-07 | 1989-02-07 | Ｌｓｉ塔載用実装基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2677855B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03195730A (ja) * | 1989-12-25 | 1991-08-27 | Hitachi Chem Co Ltd | シロキサン変性ポリイミド及びその前駆体 |
| JP2016079223A (ja) * | 2014-10-10 | 2016-05-16 | 日産化学工業株式会社 | 樹脂薄膜形成用組成物及び樹脂薄膜 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6032827A (ja) * | 1983-08-01 | 1985-02-20 | Hitachi Ltd | 低熱膨張樹脂材料 |
| JPS6044338A (ja) * | 1983-08-19 | 1985-03-09 | 株式会社日立製作所 | 複合成形品 |
| JPS60250031A (ja) * | 1984-05-28 | 1985-12-10 | Hitachi Ltd | 低熱膨張性樹脂材料 |
| JPS6160725A (ja) * | 1984-08-31 | 1986-03-28 | Hitachi Ltd | 電子装置用多層配線基板の製法 |
| JPS62111453A (ja) * | 1985-11-11 | 1987-05-22 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JPS62140465A (ja) * | 1985-12-16 | 1987-06-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜トランジスタの製造方法 |
| JPS63272542A (ja) * | 1987-04-30 | 1988-11-10 | Sekisui Chem Co Ltd | 電子部品包装用シ−ト |
| JPS63305129A (ja) * | 1987-06-08 | 1988-12-13 | Toray Ind Inc | ポリイミド組成物 |
-
1989
- 1989-02-07 JP JP1028369A patent/JP2677855B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2016079223A (ja) * | 2014-10-10 | 2016-05-16 | 日産化学工業株式会社 | 樹脂薄膜形成用組成物及び樹脂薄膜 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2677855B2 (ja) | 1997-11-17 |
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|---|---|---|---|
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