JPH0220977B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0220977B2
JPH0220977B2 JP7237684A JP7237684A JPH0220977B2 JP H0220977 B2 JPH0220977 B2 JP H0220977B2 JP 7237684 A JP7237684 A JP 7237684A JP 7237684 A JP7237684 A JP 7237684A JP H0220977 B2 JPH0220977 B2 JP H0220977B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
substituted
unsubstituted
photoreceptor
carrier
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP7237684A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS60214367A (ja
Inventor
Hisahiro Hirose
Osamu Sasaki
Yoshio Takizawa
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Konica Minolta Inc
Original Assignee
Konica Minolta Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Konica Minolta Inc filed Critical Konica Minolta Inc
Priority to JP7237684A priority Critical patent/JPS60214367A/ja
Priority to US06/700,534 priority patent/US4579800A/en
Priority to US06/700,531 priority patent/US4576886A/en
Priority to EP85300955A priority patent/EP0156481B1/en
Priority to EP85300954A priority patent/EP0153145B1/en
Priority to DE8585300954T priority patent/DE3563275D1/de
Priority to DE8585300955T priority patent/DE3563276D1/de
Publication of JPS60214367A publication Critical patent/JPS60214367A/ja
Publication of JPH0220977B2 publication Critical patent/JPH0220977B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/06Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本考案は感光体に関し、詳しくは特定のアゾ化
合物を含有する感光層を有する新規な感光体に関
する。 (従来技術) 従来、電子写真感光体としては、セレン、酸化
亜鉛、硫化カドミウム、シリコン等の無機光導電
性化合物を主成分とする感光層を有する無機感光
体が広く用いられてきた。しかし、これらは感
度、熱安定性、耐湿性、耐久性等において必ずし
も満足し得るものではない。例えば、セレンは結
晶化すると感光体としての特性が劣化してしまう
ため、製造上も難しく、また熱や指紋等が原因と
なり結晶化し、感光体としての性能が劣化してし
まう。また硫化カドミウムでは耐湿性や耐久性、
酸化亜鉛でも耐久性等に問題がある。 これら無機感光体の持つ欠点を克服する目的で
様々な有機光導電性化合物を主成分とする感光層
を有する有機感光体の開発・研究が近年盛んに行
なわれている。例えば特公昭50−10496号公報に
はポリ−N−ビニルカルバゾールと2,4,7−
トリニトロ−9−フルオレノンを含有する感光層
を有する有機感光体の記載がある。しかしこの感
光体は、感度及び耐久性において必ずしも満足で
きるものではない。このような欠点を改良するた
めにキヤリア発生機能とキヤリア輸送機能とを異
なる物質に分担させ、より高性能の有機感光体を
開発する試みがなされている。このようないわゆ
る機能分離型の感光体は、それぞれの材料を広い
範囲から選択することができ、任意の性能を有す
る感光体を比較的容易に作成し得ることから多く
の研究がなされてきた。 このような機能分離型の感光体において、その
キヤリア発生物質として、数多くの化合物が提案
されている。無機化合物をキヤリア発生物質とし
て用いる例としては、例えば、特公昭43−16198
号公報に記載された無定形セレンがあり、これは
有機光導電性化合物と組み合わせて使用される
が、無定形セレンからなるキヤリア発生層は熱に
より結晶化して感光体としての特性が劣化してし
まうという欠点は改良されてはいない。 また有機染料や有機顔料をキヤリア発生物質と
して用いる電子写真感光体も数多く提案されてい
る。例えば、ビスアゾ化合物を感光層中に含有す
る電子写真感光体として、特開昭54−22834号公
報、特開昭55−73057号公報、特開昭55−117151
号公報、特開昭56−46237号公報がすでに公知で
ある。しかしこれらのビスアゾ化合物は感度、残
留電位あるいは、繰り返し使用時の安定性の特性
において、必ずしも満足し得るものではなく、ま
た、キヤリア輸送物質の選択範囲も限定されるな
ど、電子写真プロセスの幅広い要求を十分満足さ
せるものではない。 さらに近年感光体の光源としてArレーザー、
He−Neレーザー等の気体レーザーや半導体レー
ザーが使用されて始めている。これらのレーザー
はその特徴として時系列でON/OFFが可能であ
り、インテリジエント複写機をはじめとする画像
処理機能を有する複写機やコンピユーターのアウ
トプツト用のプリンターの光源として特に有望視
されている。中でも半導体レーザーはその性質上
音響工学素子等の電気信号/光信号の変換素子が
不要であることや小型・軽量化が可能であること
などから注目を集めている。しかしこの半導体レ
ーザーは気体レーザーに比較して低出力であり、
また発振波長も長波長(約780nm以上)であるこ
とから従来の感光体では分光感度が短波長側によ
り過ぎており、このままでは半導体レーザーを光
源とする感光体としての使用は不可能である。 (発明の目的) 本発明の目的は熱及び光に対して安定で、かつ
キヤリア発生能に優れた特定のアゾ化合物を含有
する感光体を提供することにある。 本発明の他の目的は、高感度にしてかつ残留電
位が小さく、また繰り返し使用してもそれらの特
性が変化しない耐久性の優れた感光体を提供する
ことにある。 本発明の更に他の目的は、広範なキヤリア輸送
物質との組み合わせにおいても、有効にキヤリア
発生物質として作用し得るアゾ化合物を含有する
感光体を提供することにある。 本発明の更に他の目的は、半導体レーザー等の
長波長光源に対しても十分の実用感度を有する感
光体を提供することにある。 本発明の更に他の目的は、明細書中の記載から
あきらかになるであろう。 (発明の構成) 本発明者は、以上の目的を達成すべく鋭意研究
を重ねた結果、下記一般式[]で示されるアゾ
化合物が感光体の有効成分として働き得ることを
見出だし、本発明を完成したものである。 一般式[] 上記式中、Xはハロゲン原子(フツ素原子、塩
素原子、臭素原子、またはヨウ素原子)、 Qはハロゲン原子(フツ素原子、塩素原子、臭
素原子、またはヨウ素原子)、水素原子、アルキ
ル基(Cは1〜5が望ましい)、アルコキシ、シ
アノ基、置換基を有してもよいフエニル基、エス
テル基、アシル基、アセチルアミド基、アルキル
スルホン基、 Y1及びY2は水素原子、ハロゲン原子、シアノ
基、ハイドロキシ基、アルキル基又はアルコキシ
基、 m及びnは0ないし2の整数、ただし、m及び
nが共に0であることはない。 Aは【式】 【式】【式】 または【式】であつて、 Q3は、置換・未置換のカルバモイル基
(【式】)、置換・未置換のスルフアモイ ル基(【式】) R4は水素原子、炭素数1〜4の置換・未置換
のアルキル基、及び置換・未置換のアラルキル
基、置換・未置換のフエニル基、 R5は水素原子、炭素数1〜4の置換・未置換
のアルキル基、置換・未置換の芳香族炭素環基
(例えば置換・未置換のフエニル基、置換・未置
換のナフチル基、置換・未置換のアンスリル基
等)、または置換・未置換の芳香族複素環基(例
えば置換・未置換のカルバゾリル基、置換・未置
換のジベンゾフリル基等)を表す。 これらの基の置換・未置換のとしては、例えば
炭素数1〜4のアルキル基(例えばメチル基、エ
チル基、イソプロピル基、3級ブチル基、トリフ
ルオロメチル基等)、置換・未置換のアラルキル
基(例えば、ベンジル基、フエネチル基等)、ハ
ロゲン原子(塩素原子、臭素原子、弗素原子、沃
素原子)、炭素数1〜4の置換・未置換のアルコ
キシ基(例えばメトキシ基、エトキシ基、イソプ
ロポキシ基、3級ブトキシ基、2−クロルエトキ
シ基)、ヒドロキシ基、置換・未置換のアリール
オキシ基(例えばp−クロルフエノキシ基、1−
ナフトキシ基等)、アシルオキシ基(例えばアセ
チルオキシ基、p−シアノベンゾイルオキシ基
等)、カルボキシ基、そのエステル基(例えば、
エトキシカルボニル基、m−ブロモフエノキシカ
ルボニル基等)、カルバモイル基(例えば、アミ
ノカルボニル基、3級ブチルアミノカルボニル
基、アニリノカルボニル基等)、アシル基(例え
ば、アセチル基、o−ニトロベンゾイル基等)、
スルホ基、スルフアモイル基(例えば、アミノス
ルフアモイル基、3級ブチルアミノスルホニル
基、p−トリルアミノスルホニル基等基)、アミ
ノ基、アシルアミノ基(例えば、アセチルアミノ
基、ベンゾイルアミノ基等)、スルホンアミド基
(例えば、メタンスルホンアミド基、p−トルエ
ンスルホンアミド基等)、シアノ基、ニトロ基等
が挙げられるが、好ましくは炭素数1〜4の置
換・未置換のアルキル基(例えば、メチル基、エ
チル基、イソプロピル基、n−ブチル基、トリフ
ルオロメチル基等)、ハロゲン原子(塩素原子、
臭素原子、弗素原子、沃素原子)、炭素数1〜4
の置換・未置換のアルコキシ基(例えば、メトキ
シ基、エトキシ基、3級ブトキシ基、2−クロル
エトキシ基等)シアノ基、ニトロ基である。 Zは、置換・未置換の芳香族炭素環、または置
換・未置換の芳香族複素環を形成するに必要な原
子群であつて、具体的には例えば置換・未置換の
ベンゼン環、置換・未置換のナフタレン環、置
換・未置換のインドール環、置換・未置換のカル
バゾール環等を形成する原子群を表す。 これらの環を形成する原子群の置換基として
は、例えばR4,R5の置換基として挙げたような
一連の置換基が列挙されるが、好ましくはハロゲ
ン原子(塩素原子、臭素原子、弗素原子、沃素原
子)、スルホ基、スルフアモイル基(例えばアミ
ノスルホニル基、p−トリルアミノスルホニル基
等)である。 R1は、水素原子、置換・未置換のアルキル基、
置換・未置換のアミノ基、カルボキシル基、その
エステル基、置換・未置換のカルバモイル基、シ
アノ基であり好ましくは水素原子、炭素数1〜4
の置換・未置換のアルキル基(例えば、メチル
基、エチル基、イソプロピル基、3級ブチル基、
トリフルオロメチル基等)、シアノ基である。 A′は置換・未置換のアリール基であり、好ま
しくは置換・未置換のフエニル基で、これらの基
の置換基としては例えばR4,R5の置換基として
挙げたような一連の置換基が列挙されるが、好ま
しくはハロゲン原子(塩素原子、臭素原子、弗素
原子、沃素原子)、炭素数1〜4の置換・未置換
のアルキル基(例えば、メチル基、エチル基、イ
ソプロピル基、3級ブチル基、トリフルオロメチ
ル基等)、炭素数1〜4置換・未置換のアルコキ
シ基(例えば、メトキシ基、エトキシ基、イソプ
ロポキシ基、3級ブトキシ基、2−クロルエトキ
シ基、)である。 R2及びR3は置換・未置換のアルキル基、置
換・未置換のアラルキル基、及び置換・未置換の
アリール基を表すが、好ましくは炭素数1〜4の
置換・未置換のアルキル基(例えば、メチル基、
エチル基、イソプロピル基、3級ブチル基、トリ
フルオロメチル基等)、置換・未置換のフエニル
基(例えば、フエニル基、p−メトキシフエニル
基、m−クロルフエニル基等)を表す。 本発明において使用される前記一般式[]で
表されるアゾ化合物中、感度および、熱及び光に
対する安定性において、特に好ましい化合物は以
下の一般式[]で示される構造を有するもので
ある。 一般式[] [式中、A,Y1,Y2及びXは一般式[]と
同一でQはシアノ基、ハロゲン原子または水素原
子] 前記一般式[]で示される本発明に有用なア
ゾ化合物の具体例としては、例えば次の構造式を
有するものが挙げられるが、これによつて本発明
のアゾ化合物が限定されるものではない。 一般式〔〕の構造を有するもの。 一般式〔〕 【表】 【表】 【表】 【表】 【表】 【表】 【表】 【表】 【表】 【表】 【表】 【表】 【表】 【表】 【表】 【表】 【表】 【表】 【表】 【表】 【表】 【表】 【表】 【表】 【表】 【表】 【表】 【表】 【表】 【表】 【表】 【表】 【表】 【表】 【表】 【表】 【表】 【表】 【表】 【表】 【表】 【表】 【表】 【表】 【表】 【表】 【表】 【表】 【表】 【表】 【表】 【表】 【表】 【表】 【表】 【表】 【表】 【表】 【表】 【表】 【表】 【表】 【表】 【表】 【表】 【表】 【表】 【表】 【表】 【表】 一般式〔〕の構造を有するもの。 一般式〔〕 【表】 【表】 【表】 【表】 【表】 【表】 【表】 【表】 【表】 【表】 その他のもの。 以上の如きアゾ化合物は公知の方法により容易
に合成することができる。以下その具体例を示
す。 即ち、2,7−ジニトロフルオレノン1〜(東京
化成社製)に、ベンジルシアナイド2〜を反応させ
ジニトロ体3〜とし、これを塩化第一スズで環元し
て、ジアミノ体4〜とした。(Journal of
Chemical Society,870(1954)このジアミノ体
4267.7g(0.1モル)を1の濃塩酸と1の水
との混合液に加え分散させ13.8g(0.2モル)の
亜硝酸ナトリウムを水1に溶かした溶液を氷冷
下5℃で滴下し、滴下終了後、反応液を濾過し、
濾液に50%六フツカリンアンモニウム水溶液1
を加え、生ずる沈澱を濾取し、水洗した後、充分
乾燥した。得られた塩を4のN,N−ジメチル
ホルムチアミド(DMF)1.5に溶解し、次の反
応に使用するテトラゾニウム塩溶液とした。次
に、2−ヒドロキシ−3−(4−メトキシ−2−
メチルフエニルカルバモイル)−ベンゾ[a]−カ
ルバゾール(ナフトールAS−SR、ヘキスト社
製)79.3g(0.2モル)、トリエタノールアミン60
g、をN,N−ジメチルホルムアミドに溶解し、
氷冷しながら上記により調製したテトラゾニウム
塩溶液を滴下し、更に2時間撹拌し反応させた。
生じた結晶を濾取し、この結晶を5のN,N−
ジメチルホルムアミドで2回、5のアセトンで
2回洗浄した後、乾燥して目的のビスアゾ化合物
B−(1)81.2g(75%)を得た。融点300゜以上、FD
−MSスペクトルにて、m/z1081にM+のピーク
を示すこと、また元素分析で、C=72.00%,N
=11.55%,H=4.15%(計算値は、C=72.11%,
N=11.65%,H=4.10%)を示すことから目的
の物質が合成されたことが理解される。 本発明の前記アゾ化合物は優れた光導電性を有
し、これを用いて感光体を製造する場合、導電性
支持体上に本発明のアゾ化合物を結着剤中に分散
した感光層を設けることにより製造することがで
きるが、本発明のアゾ化合物の持つ光導電性のう
ち、特に優れたキヤリア発生能を利用してキヤリ
ア発生物質として用い、これと組み合わせて有効
に作用し得るキヤリア輸送物質と共に用いること
により、いわゆる機能分離型の感光体を構成した
場合特に優れた結果が得られる。前記機能分離型
感光体は分離型のものであつてもよいが、キヤリ
ア発生物質を含むキヤリア発生層とキヤリア輸送
物質を含むキヤリア輸送層を積層した積層型感光
体とすることがより好ましい。 また本発明で用いられるアゾ化合物は前記一般
式[]で表されるアゾ化合物の中から単独ある
いは2種以上の組み合わせで用いることができ
又、他のアゾ化合物との組み合わせで使用しても
よい。 感光体の機械的構成は種々の形態が知られてい
るが、本発明の感光体はそれらのいずれの形態を
もとり得る。 通常は、第1図〜第6図の形態である。第1図
及び第3図では、導電性支持体1上に前述のアゾ
化合物を主成分とするキヤリア発生層2と、キヤ
リア輸送物質を主成分として含有するキヤリア輸
送層3との積層体より成る感光層4を設ける。第
2図及び第4図に示すようにこの感光層4は、導
電性支持体上に設けた中間層5を介して設けても
よい。このように感光層4を二層構造としたとき
に最も優れた電子写真特性を有する感光体が得ら
れる。また本発明においては、第5図および第6
図に示すように前記キヤリア発生物質7をキヤリ
ア輸送物質を主成分とする層6中に分散せしめて
成る感光層4を導電性支持体1上に直接、あるい
は中間層5を介して設けてもよい。 本発明のアゾ化合物をキヤリア発生物質として
用いた場合、これと組み合わせて用いられるキヤ
リア輸送物質としては、トリニトロフルオレノン
あるいはテトラニトロフルオレノンなどの電子を
輸送しやすい電子受容性物質のほかポリ−N−ビ
ニルカルバゾールに代表されるような複素環化合
物を側鎖に有する重合体、トリアゾール誘導体、
オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、
ピラゾリン誘導体、ポリアリールアルカン誘導
体、フエニレンジアミン誘導体、ヒドラゾン誘導
体、アミノ置換カルコン誘導体、トリアリールア
ミン誘導体、カルバゾール誘導体、スチルベン誘
導体、フエノチアジン誘導体等の正孔を輸送しや
すい電子供与性物質が挙げられるが、本発明に用
いられるキヤリア輸送物質はこれに限定されるも
のではない。 二層構成の感光層4を構成するキヤリア発生層
2は導電性支持体1、もしくはキヤリア輸送層3
上に直接、あるいは必要に応じて接着層もしくは
バリヤー層などの中間層を設けた上に例えば次の
方法によつて形成することができる。 M−1 アゾ化合物を適当な溶媒に溶解した溶液
を、あるいは必要に応じて結着剤を加え混合溶
解した溶液を塗布する方法。 M−2 アゾ化合物をボールミル、ホモミキサー
等によつて分散媒中で微細粒子とし、必要に応
じて結着剤をくわえ混合分散した分散液を塗布
する方法。 キヤリア発生層の形成を使用される溶媒あるい
は分散媒としては、n−ブチルアミン、ジエチル
アミン、エチレンジアミン、イソプロパノールア
ミン、トリエタノールアミン、トリエチレンジア
ミン、N,N−ジメチルホルムアミド、アセト
ン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、ベ
ンゼン、トルエン、キシレン、クロロホルム、
1,2−ジクロロエタン、ジクロロメタン、テト
ラヒドロフラン、ジオキサン、メタノール、エタ
ノール、イソプロパノール、酢酸エチル、酢酸ブ
チル、ジメチルスルホキシド等が挙げられる。 キヤリア発生層あるいはキヤリア輸送層に結着
剤を用いる場合は任意のものを用いることができ
るが、疎水性で、かつ誘電率が高く、電気絶縁性
のフイルム形成性高分子重合体を用いるのが好ま
しい。このような高分子重合体としては、例えば
次のものを挙げることができるが、これらに限定
されるものではない。 P−1 ポリカーボネート P−2 ポリエステル P−3 メタクリル樹脂 P−4 アクリル樹脂 P−5 ポリ塩化ビニル P−6 ポリ塩化ビニリデン P−7 ポリスチレン P−8 ポリビニルアセテート P−9 スチレン−ブタジエン共重合体 P−10 塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重
合体 P−11 塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体 P−12 塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン
酸共重合体 P−13 シリコン樹脂 P−14 シリコン−アルキツド樹脂 P−15 フエノールホルムアルデヒド樹脂 P−16 スチレン−アルキツド樹脂 P−17 ポリ−N−ビニルカルバゾール P−18 ポリビニルブチラール P−19 ポリビニルフオルマール これらの結着剤は、単独であるいは2種以上の
混合物として用いることができる。 このようにして形成されるキヤリア発生層2の
厚さは、0.01μm〜20μmであることが好ましい
が、更に好ましくは、0.05μm〜5μmである。ま
たキヤリア発生層あるいは感光層が分散系の場合
アゾ化合物の粒径は5μm以下であることが好まし
く、更に好ましくは1μm以下である。 本発明の感光体に用いられる導電性支持体とし
ては、合金を含めた金属板、金属ドラムまたは導
電性ポリマー、酸化インジウム等の導電性化合物
や合金を含めたアルミニウム、パラジウム、金等
の金属薄層を塗布、蒸着あるいはラミネートし
て、導電性化を達成した紙、プラスチツクフイル
ム等が挙げられる。接着層あるいはバリヤー層な
どの中間層としては、前記結着剤として用いられ
る高分子重合体のほか、ポリビニルアルコール、
エチルセルロース、カルボキシメチルセルロース
などの有機高分子物質または酸化アルミニウムな
どが用いられる。 本発明の感光体は以上のような構成であつて、
後述するような実施例からも明らかなように、帯
電特性、感度特性画像形成特性に優れており、特
に繰り返し使用したときにも疲労劣化が少なく、
耐久性が優れたものである。 以下、本発明の実施例で具体的に説明するが、
これにより本発明の実施態様が限定されるもので
はない。 (実施例) 実施例 1 例示化合物B−(105)2gとポリカーボネート
樹脂「パンライトL−1250」(帝人化成社製)2
gとを1,2−ジクロロエタン110mlに加え、ボ
ールミルで12時間分散した。この分散液をアルミ
ニウムを蒸着したポリエステルフイルム上に、乾
燥時の膜厚が1μmになるように塗布し、キヤリア
発生層とし、更にその上に、キヤリア輸送層とし
て、下記構造式K−(1)6gをポリカーボネート樹
脂「パンライトL−1250」10gとを1,2−ジク
ロロエタン110mlに溶解した液を乾燥後の膜厚が
15μmになるように塗布して、キヤリア輸送層を
形成し、本発明の感光体を作成した。 以上のようにして得られた感光体を(株)川口電機
製作所製SP−428型静電紙試験機を用いて、以下
の特性評価を行つた。帯電圧−6KVで5秒間帯
電した後、5秒間暗放置し、次いで感光体表面で
の照度が35luxになるようにハロゲンランプ光を
照射して、表面電位を半分に減衰させるのに要す
る露光量(半減露光量)E1/2を求めた。また
30lux・secの露光量で露光した後の表面電位(残
留電位)VRを求めた。更に同様の測定を100回繰
り返して行つた。結果は第1表に示す通りであ
る。 【表】 比較例 1 キヤリア発生物質として下記ビスアゾ化合物G
−(1)を用いた他は、実施例1と同様にして比較用
感光体を作成した。 この比較用感光体について、実施例1と同様に
して測定を行つたところ、第2表に示す結果を得
た。 【表】 以上の結果から明らかなように、本発明の感光
体は、比較用感光体に比べ、感度,残留電位及び
繰り弁しの安定性において極めて優れたものであ
る。 実施例 2−4 キヤリア発生物質として例示化合物B−(225)、
B−(150)、及びB−(25)を用い、キヤリア輸送
物質として、それぞれ、下記化合物K−(2)、下記
化合物K−(3)及び下記化合物K−(4)を用い、他は
実施例1と同様にして、本発明の感光体を作成
し、同様の測定を行つたところ第3表に示す結果
を得た。 【表】 実施例 5 ポリエステルフイルム上にアルミニウム箔をラ
ミネートして成る導電性支持体上に、塩化ビニル
−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体「エスレ
ツクMF−10」(積水化学社製)より成る厚さ
0.05μmの中間層を設け、その上に例示化合物B
−(200)2gを1,2−ジクロロエタン110mlに
混合し、ボールミルで24時間分散した分散液を乾
燥後の膜厚が0.5μmになるようにして塗布し、キ
ヤリア発生層を形成した。このキヤリア発生層の
上に下記化合物K−(5)6gとメタクリル樹脂「ア
クリペツト」(三菱レイヨン社製)10gとを1,
2−ジクロロエ ツト」(三菱レイヨン社製)10gとを1,2−ジ
クロロエタン70mlに溶解した液を、乾燥後の膜厚
が10μmになるように塗布してキヤリア輸送層を
形成し、本発明の感光体を作成した。 この感光体について実施例1と同様の測定を行
なつたところ第1回目についてE1/2=1.5lux・
sec、VR=0vの結果を得た。 実施例 6 実施例5で用いた中間層を設けた導電性支持体
上に、例示化合物B−(111)の1%エチレンジア
ミン溶液を乾燥後の膜厚が0.3μmになるように塗
布し、キヤリア発生層を形成した。 次いでその上に、下記化合物K−(6)6gとポリ エステル樹脂「バイロン200」(東洋紡績社製)10
gとを1,2ジクロロエタン70mlに溶解し、この
溶液を乾燥後の膜厚が12μmになるように塗布し
てキヤリア輸送層を形成し、本発明の感光体を作
成した。 この感光体について実施例1と同様の測定を行
つたところ第4表に示す結果を得た。 比較例 2 実施例6において例示化合物B−(132)を下記
の構造式で表わされるビスアゾ化合物G−(2)に代
えた他は同様にして比較用の感光体を作成した。 この感光体について実施例1と同様に測定を行
つた結果を第4表に示す。 【表】 実施例 7 実施例5において例示化合物B−(200)を例示
化合物B−(190)に代えた他は同様にしてキヤリ
ア発生層を形成した。この上に下記化合物K−(7)
6gとポリカーボネー「パンライトL−1250」
(帝人化成社製)10gとを1,2−ジクロロエタ
ン70mlに溶解した液を乾燥後の膜厚が10μmにな
るように塗 布してキヤリア輸送層を形成し、本発明の感光体
を作成した。 この感光体について、実施例1と同様にして測
定を行つたところE1/2=1.5lux・sec及びVR=0v
であつた。 実施例 8 直径100mmのアルミニウム製ドラムの表面に塩
化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体
「エスレツクMF−10」(積水化学社製)より成る
厚さ0.05μmの中間層を設け、その上に例示化合
物B−(199)4gを1,2−ジクロロエタン400
mlに混合し、ボールミル分散機で24時間分散した
分散液を乾燥後の膜厚が0.6μmになるようにして
塗布し、キヤリア発生層を形成した。 さらにこの上に、下記化合物K−(8)30gとポリ
カーボネート樹脂「ユーピロンS−1000」(三菱
ガス化学社製)50gとを1,2−ジクロロエタン
400mlに 溶解し、乾燥後の膜厚が13μmになるように塗布
してキヤリア輸送層を形成し、ドラム状の電子写
真感光体を作成した。 このようにして作成した感光体を電子写真復写
機「U−Bix1600MR」(小西六写真工業社製)の
改造機に装着し、画像を複写したところコントラ
ストが高く、原画に忠実でかつ鮮明な複写画像を
得た。また、これは10,000回繰り返しても変わ
ることはなかつた。 比較例 3 実施例8において例示化合物B−(199)を下記
構造式で表されるビスアゾ化合物(G−(3))に代
えた他は、実施例8と同様にしてドラム状の比較
用感光体を作成し、実施例8と同様にして複写画
像を評価したところ、カブリが多い画像しか得ら
れなかつた。又、複写を繰り返していくに従い、
複写画像のコントラストが低下し、2000回繰り返
すと、ほとんど複写画像は得られなかつた。 実施例 9 ポリエステルフイルム上にアルミニウム箔をラ
ミネートして成る導電性支持体上に、塩化ビニル
−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体「エスレ
ツクMF−10」(積水化学社製)よりなる厚さ
0.05μmの中間層を設け、その上に例示化合物B
−(69)5gとポリカーボネート樹脂「パンライ
トL−1250」(帝人化成社製)3.3gとをジクロロ
エタン100mlに加え、ボールミルで24時間分散し
た分散液を乾燥時の膜厚が10μmになるように塗
布し、感光体を作成した。 以上のようにして得られた感光体を帯電圧を、
+6Kvに代えた他は実施例1と同様にしてE1/2
とVRを測定した。1回目の結果はE1/2=
1.7lux・sec及びVR=+3vであつた。 実施例 10 アルミニウムを蒸着したポリエステルフイルム
上にキヤリア輸送層として、下記化合物K−(9)6
gとポリエステル樹脂「バイロン200」(東洋紡績
社製)10gとを1,2−ジクロロエタン70mlに溶
解し、 この溶液を乾燥後の膜厚が10μmになるように塗
布した。 次に、この上に例示化合物B−(131)1gとB
−−(132)1gとを1,2−ジクロロエタン110
mlに混合し、ボールミルで24時間分散した分散液
を乾燥後の膜厚が0.5μmになるように塗布しキヤ
リア発生層とし、本発明の感光体を形成した。 このようにして得られた感光体を実施例9と同
様にして評価したところ、E1/2=1.9lux・sec及
びVR=+6vであつた。 実施例 11 ポリエステルフイルム上にアルミニウム箔をラ
ミネートして成る導電性支持体上に、塩化ビニル
−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体「エスレ
ツクMF−10」(積水化学社製)よりなる厚さ
0.05μmの中間層を設け、その上に例示化合物B
−(180)4gと下記化合物K−(10)8gとポリカー
ボネート 樹脂「パンライトL−1250」(帝人化成社製)3
gとをジクロロエタン100mlに加え、サンドグラ
インダーで24時間分散した分散液を乾燥時の膜厚
が10μmになるように塗布し、感光体を作成した。 以上のようにして得られた感光体を帯電圧を+
6Kvに代えた他は実施例1と同様にしてE1/2と
VRを測定した。1回目の結果はE1/2=1.0lux・
sec及びVR=0vであつた。 実施例 12 例示化合物化合物B−(93)の2%エチレンジ
アミン溶液を、アルミニウムをラミネートしたポ
リエステルフイルム上に乾燥後の膜厚が0.5μmに
なるように塗布し、キヤリア発生層を形成した。
更にその上にキヤリア輸送層として、下記化合物
K−(11)、下記化合物K−(12)、または、下記化合物
K−(13)を別々にそれぞれ約10gとポリカー ボネート樹脂(帝人化成社製、パンライトL−
1250)14gを1,2−ジクロロエタン140mlに溶
解した溶液を、乾燥後の膜厚が12μmとなるよう
に塗布し乾燥し、それぞれ3種のキヤリア輸送物
質の異なる感光体を得た。 この3種の感光体を、それぞれ川口電気製作所
(株)製SP−428型静電紙試験機を用いて、以下の特
性評価を行つた。帯電圧−6Kvで5秒間帯電し、
これを5秒間暗放置した後、ハロゲン光を資料面
照度が35luxになるように照射し、表面電位を半
分に減衰させるのに必要な露光量(半減露光量、
E1/2)を測定した。又、30lux・secの露光量で
露光した後の表面電位(残留電位)VRを測定し
た。結果は第6表に示す通りいずれのキヤリア輸
送物質との組み合わせにおいても良好であつた。 【表】 比較例 4 例示化合物B−(93)を下記のビスアゾ化合物
(G−(4))に代えた他は実施例11と同様にして比
較用感光体を作成し、特性評価を行つた結果、 第6表に示す通り、キヤリア輸送物質によつて
結果にばらつきが出た。 【表】 実施例 13 実施例5で用いた中間層を設けた導電性支持体
上に、例示化合物B−(197)2gと1,2−ジク
ロロエタン100mlとをよく分散混合し、乾燥後の
膜厚が0.3μmになるように塗布しキヤリア発生層
を作成した。 次いでその上にキヤリア輸送物質として、下記
化合物K−(14)6gとポリカーボネート「パン
ライトL−1250」(帝人化成社製)10gとを、1,
2−ジクロロエタン90gに溶解した液を乾燥後の
膜厚が10μmになるように塗布してキヤリア輸送
層を形 成し、本発明の感光体を作成した。この感光体に
ついて、25℃及び60℃の室内温度における電子写
真特性を、実施例7と同様にして測定した。 結果を第7表に示す。 【表】 以上の結果から明らかなように、本発明の電子
写真感光体は高温においても感度、残留電位特性
が良好であり、熱に対して安定であることがわか
る。 実施例 14 実施例5で用いた中間層を設けた導電性支持体
上に例示化合物B−(188)2gと、1,2−ジク
ロロエタン110mlとをよく分散混合し乾燥後の膜
厚が0.3μmになるように塗布してキヤリア発生層
を作成した。 このキヤリア発生層のUV光に対する耐久性を
試験するため、30cm離れた位置に超高圧水銀ラン
プ(東京芝浦電機社製)を置き、10分間
1500cd/cm2のUV光を照射した。 次にこのUV光照射済みのキヤリア発生層の上
にキヤリア輸送物質として、下記化合物K−(15)
7gとポリカーボネート[パンライトL−1250]」
(帝人化成社製)10gとを、1,2−ジクロロエ
タン90gに 溶解した液を乾燥後の膜厚が12μmになるように
塗布してキヤリア輸送層を形成し、本発明の感光
体を作成した。 この感光体について、実施例5と同様の測定を
行つた。結果を第8表に示す。 実施例 15 キヤリア発生層形成後にUV光を照射しない他
は、実施例14と同様にして本発明の感光体を作成
し、実施例5と同様の測定を行つた。結果を第8
表に示す。 【表】 以上の結果から明らかなように、本発明の電子
写真感光体は、UV光照射に対して感度・残留電
位特性に優れ、受容電位の変動量も小さく、光に
対して安定であることが理解できる。 比較例 5 化合物B−(182)を下記のビスアゾ化合物(G
−(5))に変えた他は実施例14及び実施例15と同様
して感光体を作成し、実施例5と同様の測定を行
なつた。結果を第9表に示す。 【表】 以上の結果から明らかなように、上記化合物を
用いて作成した感光体は、UV光照射によつて感
度・残留電位特性は劣化し、受容電位の変動量も
大きい。 実施例 16 実施例5において例示化合物B−(207)をB−
(1)に変えた他は同様にしてドラム状の感光体を作
成した。この感光体の790nmにおける分光感度は
920voIt・cm2・μW-1・sec-1(光減衰速度)であつ
た。この本発明の感光体表面でのレーザー光強度
が0.85mWとなる半導体レーザー(790nm)を装
着した実験機により実写テストを行つた。 感光体の表面を−6KVに帯電した後、レーザ
ー光露光し−250Vのバイアス電圧で反転現像し
たところ、カブリのない良好な画像が得られた。 比較例 6 実施例16において例示化合物B−(1)に代えて下
記の比較例ビスアゾ化合物(G−(6)を用いた他は
同様にして比較用感光体を得た。 この感光体の790nmにおける分光感度は
50voIt・cm2・μW-1・sec-1(光減衰速度)であつ
た。この比較用感光体を用いて実施例14と同様に
半導体レーザーによる実写テストを行つたがカブ
リが多く良好な画像は得られなかつた。 以上の実施例、比較例の結果から明らかなよう
に本発明の感光体は比較用感光体に比べ、安定
性、感度、耐久性、広範なキヤリア輸送物質との
組み合わせ等の特性において著しく優れたもので
ある。 実施例 17−29 実施例5において、例示化合物B−(200)(電
荷発生物質)及び化合物K−(5)(電荷輸送物質)
を表10のように代えた他は同様にしてドラム状の
感光体を作成した。この感光体の790nmにおける
分光感度は表10のようであり、本感光体(実施例
17−29)を用いた、実施例16と同様の実写テスト
では、いずれもカブリのない良好な画像が得られ
た。 【表】 【表】 の組み合わせ等の特性において著しく優れたもの
である。 (発明の効果) 本発明によつて感光体の感光層を構成する光導
電性物質として前記一般式〔〕で表わされるア
ゾ化合物を使用することにより、本発明の目的で
ある熱および光に対して安定であり、また電荷保
持力、感度、残留電位等の電子写真特性において
優れており、かつ繰り返し使用した時にも疲労劣
化が少なく、さらに780nm以上の長波長領域にお
いても十分な感度を有する優れた感光体を作成す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図〜第6図は、それぞれ本発明の感光体の
機械的構成例について示す断面図であつて、図中
の1〜7はそれぞれ以下のことを表わす。 1……導電性支持体、2……キヤリア発生層、
3……キヤリア輸送層、4……感光層、5……中
間層、6……キヤリア輸送物質を含有する層、7
……キヤリア発生物質。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 導電性支持体上に下記一般式〔〕で表され
    るアゾ化合物を含有する感光層を有することを特
    徴とする感光体。 一般式〔〕 〔式中、Xはハロゲン原子(フツ素原子、塩素
    原子、臭素原子またはヨウ素原子)、 Qはハロゲン原子(フツ素原子、塩素原子、臭
    素原子、またはヨウ素原子)、水素原子、アルキ
    ル基、アルコキシ基、シアノ基、置換基を有して
    もよいフエニル基、エステル基、アシル基、アセ
    チルアミド基またはアルキルスルホン基、 Y1及びY2は水素原子、ハロゲン原子、シアノ
    基、ハイドロキシ基、アルキル基、又はアルコキ
    シ基を表し、m及びnは0ないし2の整数をそれ
    ぞれ表す。ただしm及びnは共に0であることは
    ない。 Aは、【式】 【式】【式】 または【式】であつて、ここに Zは置換若くは未置換の芳香族炭素環、又は置
    換若くは未置換の芳香族複素環を構成するに必要
    な原子群、 Q3は置換若くは未置換のカルバモイル基、又
    は置換若くは未置換のスルフアモイル基、 R1は水素原子、置換若くは未置換のアルキル
    基、アミノ基、置換若くは未置換のアミノ基、置
    換若くは未置換のカルバモイル基、カルボキシル
    基及びそのエステル基またはシアノ基、 A′は置換若くは未置換のアリール基、 R2及びR3は置換若くは未置換のアルキル基、
    置換又は未置換又は未置換のアラルキル基、又は
    置換若くは未置換のアリール基を表す。〕 2 前記感光層がキヤリア輸送物質とキヤリア発
    生物質とを含有し、当該キヤリア発生物質が前記
    一般式〔〕で表されるアゾ化合物である特許請
    求の範囲第1項記載の感光体。 3 前記感光層がキヤリア発生物質を含有するキ
    ヤリア発生層と、キヤリア発生物質を含有するキ
    ヤリア輸送層との積層体で構成されている特許請
    求の範囲第1項又は第2項記載の感光体。
JP7237684A 1984-02-13 1984-04-10 感光体 Granted JPS60214367A (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7237684A JPS60214367A (ja) 1984-04-10 1984-04-10 感光体
US06/700,534 US4579800A (en) 1984-03-27 1985-02-11 Azo photoreceptor
US06/700,531 US4576886A (en) 1984-02-13 1985-02-11 Azo photoreceptor
EP85300955A EP0156481B1 (en) 1984-03-27 1985-02-13 Photoreceptor
EP85300954A EP0153145B1 (en) 1984-02-13 1985-02-13 Photoreceptor
DE8585300954T DE3563275D1 (en) 1984-02-13 1985-02-13 Photoreceptor
DE8585300955T DE3563276D1 (en) 1984-03-27 1985-02-13 Photoreceptor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7237684A JPS60214367A (ja) 1984-04-10 1984-04-10 感光体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS60214367A JPS60214367A (ja) 1985-10-26
JPH0220977B2 true JPH0220977B2 (ja) 1990-05-11

Family

ID=13487516

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7237684A Granted JPS60214367A (ja) 1984-02-13 1984-04-10 感光体

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS60214367A (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0673019B2 (ja) * 1985-04-15 1994-09-14 富士写真フイルム株式会社 光感応性組成物

Also Published As

Publication number Publication date
JPS60214367A (ja) 1985-10-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0251502B2 (ja)
JPH0210413B2 (ja)
JPH0311466B2 (ja)
JPH0210411B2 (ja)
JPH0220974B2 (ja)
JPH0414343B2 (ja)
JPH0220977B2 (ja)
JPH037943B2 (ja)
JPH0331256B2 (ja)
JPH0220972B2 (ja)
JPH0220976B2 (ja)
JPH037941B2 (ja)
JPH0220973B2 (ja)
JPH0220979B2 (ja)
JP2652679B2 (ja) 感光体
JPH0220978B2 (ja)
JPH0220975B2 (ja)
JPH037936B2 (ja)
JPH0210412B2 (ja)
JPH037108B2 (ja)
JPS60191267A (ja) 感光体
JPH037939B2 (ja)
JPH0331259B2 (ja)
JPH037938B2 (ja)
JPH037937B2 (ja)